JP3348429B2 - 薄板ワーク平面研削方法 - Google Patents
薄板ワーク平面研削方法Info
- Publication number
- JP3348429B2 JP3348429B2 JP35699996A JP35699996A JP3348429B2 JP 3348429 B2 JP3348429 B2 JP 3348429B2 JP 35699996 A JP35699996 A JP 35699996A JP 35699996 A JP35699996 A JP 35699996A JP 3348429 B2 JP3348429 B2 JP 3348429B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- work
- thin
- holding
- thin plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
mmのそり若しくはうねり成分を有する薄板ワークの平
面研削装置及び方法に関し、特にワイヤーソーや内周刃
切断直後のウェーハ(以下アズカットウェーハというこ
とがある)の平面研削に好適な薄板ワーク平面研削方法
に関する。
上げられたシリコンロッドを円形内周刃やマルチワイヤ
ーソーを用いて薄板円盤状に切断するスライス工程と、
スライス工程により得られたアズカットウェーハの面取
り、ラップ、エッチング、表面研磨、洗浄の順に各加工
工程を経て製造される。
状或いはS字状の複数の周期の凹凸形状を持っている。
特に碗状或いはS字状の周期が30mm以上の凹凸をそ
り、周期が10〜30mmの周期の凹凸をうねりと称す
る。これらの凹凸は、スライス時の切れ刃の切断抵抗の
左右の僅かな相違により切れ刃が直進しない場合に生
じ、特にワイヤーソーを用いた場合に顕著となる。
い、ウェーハ口径の大型化やウェーハ形状平坦度への要
求が厳しくなり、従来の加工工程では対応が困難となっ
てきている。この様な顧客の要求に答える為には、ラッ
プに代わり、平面研削が非常に有望である。この平面研
削加工を取り入れる場合、スライス工程→面取り工程→
平面研削工程→研磨工程→洗浄工程やスライス工程→面
取り工程→平面研削工程→エッチング工程→研磨工程→
洗浄工程等の加工方法が適用される。
一般的には、かかる従来の平面研削装置72において
は、ウェーハを支持固定する方式として、多数の貫通孔
74を有する多孔質セラミックプレート等の硬質吸着盤
76に研削するウェーハWの片面側を真空ポンプに接続
された吸引孔78を介して真空吸着し、もう片面を研削
砥石80で研削する方式が採用されている。
置72における真空吸着方式を半導体ウェーハ等のアズ
カットウェーハWに適用した場合、図10に示す様に、
ウェーハW背面のうねりがその真空吸着力により、高平
坦に形成された吸着面に合わせて弾性変形する。
はウェーハWが真空吸着されているので、高平坦度が得
られるが、研削終了後に真空吸着が解除されると研削さ
れたウェーハWの弾性変形部分が回復し、ウェーハ背面
形状が表面に転写された形で残留し、所定のウェーハ形
状を得る事は不可能である。
ベルの凹凸)は真空吸着による背面形状の表面への転写
が起きない為、従来の平面研削技術によっても除去容易
であるが、長周期10〜30mm周期のうねりは除去困
難な状況にあった。
を解決すべく、種々研究を行なった結果、新規な平面研
削方法及び装置を開発し、特開平8−66850号及び
特願平8−80719号として既に提案した。
等の接着材料で弾性変形が発生しないように保持し、ウ
ェーハの表面を研削することによって、ウェーハ背面の
凹凸の転写を防ぐ事が可能となった点において優れてい
るが、ワックスの塗付や除去工程を必要とし、製造コス
トや製造時間の面でマイナス効果を持っている点におい
て改良の余地があった。
空吸着圧力を低減させる事により、ウェーハ背面の凹凸
の転写を防ぐ方法であり、うねりを大幅に低減出来るも
のの完全に消去する迄には至っていない点が問題として
残されていた。
題点に鑑みなされたもので、設備投資を全く必要とせ
ず、また平坦度を悪化させることなく、そり若しくはう
ねり成分を有する薄板ワークの、特に周期10〜30m
mのうねりを実質的に除去する平坦度研削が可能とな
り、さらにアズカットウェーハの平面研削加工に適用し
た場合に、従来のラッピングや場合によってはエッチン
グも不要とする低コストでうねりのない高品質な半導体
ウェーハの製造を可能とする薄板ワーク平面研削方法を
提供することを目的とする。
に、本発明の薄板ワーク平面研削方法の第1の態様は、
平面研削手段と、平面研削される薄板ワークを保持固定
する保持固定手段と、を有し、該保持固定手段が軟質保
持固定手段である薄板ワーク平面研削装置を用いて薄板
ワークの一面を粗平面研削しそり若しくはうねりのない
基準面を創生する工程と、硬質吸着盤を具備した平面研
削装置を用いこの一面を粗平面研削された薄板ワークを
反転しその一面を該硬質吸着盤に保持固定し該薄板ワー
クの他面を粗平面研削する工程と、硬質吸着盤を具備し
た平面研削装置を用いこの他面を粗平面研削された薄板
ワークの一面を硬質吸着盤に保持固定し該薄板ワークの
他面をさらに精平面研削する工程と、硬質吸着盤を具備
した平面研削装置を用いこの他面を精平面研削された薄
板ワークを反転しその他面を硬質吸着盤に保持固定し該
薄板ワークの一面をさらに精平面研削する工程とからな
ることを特徴とする。
態様は、平面研削手段と、平面研削される薄板ワークを
保持固定する保持固定手段と、を有し、該保持固定手段
が軟質保持固定手段である薄板ワーク平面研削装置を用
いて薄板ワークの一面を粗平面研削しそり若しくはうね
りのない基準面を創生する工程と、硬質吸着盤を具備し
た平面研削装置を用いこの一面を粗平面研削された薄板
ワークを反転しその一面を硬質吸着盤に保持固定し該薄
板ワークの他面を粗平面研削する工程と、硬質吸着盤を
具備した平面研削装置を用いこの他面を粗平面研削され
た薄板ワークを反転しその他面を硬質吸着盤に保持固定
し該薄板ワークの一面を精平面研削する工程と、硬質吸
着盤を具備した平面研削装置を用いこの一面を精平面研
削された薄板ワークを反転しその一面を硬質吸着盤に保
持固定し該薄板ワークの他面を精平面研削する工程とか
らなることを特徴とする。
て薄板ワークの周期10〜30mmのうねりを吸収する
ことができる。この軟質保持固定手段としては、保持固
定手段の保持面が軟質材料によって形成されている構成
とするのが好適である。
ク固定用の吸着孔を開穿した軟質材料シートを上面に貼
付した薄板ワーク吸着盤を用いるのが好ましい。
シートを上面に貼付した薄板ワーク保持盤を用いること
もできる。
軟質材料シートとしては、ポリスチレン樹脂、塩化ビニ
ル樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ
樹脂及びポリエチレン樹脂からなる群から選ばれた一種
又は二種以上からなる合成樹脂製シートを適用するのが
好ましい。
シートとしては、ポリスチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、
ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂及び
ポリエチレン樹脂からなる群から選ばれた一種又は二種
以上からなる厚さ1mm以下の発泡樹脂製シートが用い
られる。
薄板ワークと軟質材料シートとの静止摩擦を増大させ、
薄板ワークの剥離を防ぐことが可能となる。
軸回転テーブル型研削盤、好ましくはカップ型砥石を用
いたインフィード型研削盤が好適に用いられる。
ワークとしては、半導体ウェーハ又は石英ウェーハをあ
げることができる。
mmのうねり成分がワーク表面に転写される事なく、平
坦な研削を可能とする為には、ワークを保持固定する際
に、ワークが弾性変形を生じる事なく、平面研削されれ
ば良いことにまず着目した。このうねり成分を有する薄
板ワークを、軟質な保持盤で固定し、研削時にワークが
弾性変形を生じない様にすれば、ワークの背面形状の表
面への転写が防止されることとなる。
合、保持盤全体に軟質材料を用いると、ウェーハを固定
するベース自体の剛性が低下し、最終的に高平坦な研削
ウェーハを得る事は出来ないことがわかった。本発明者
は、そこで、ウェーハ保持ベースの剛性を維持しつつ、
かつうねり成分を吸収する軟質材料を保持盤ベースの表
面にのみ採用する事により、うねり成分を除去し、かつ
高平坦なウェーハを得る事が出来ることを見出し、本発
明を完成した。
を、添付図面と共に説明する。但し、この実施の形態に
記載されている構成部品の寸法、形状、その相対位置等
は、特に特定の記載がない限りは、この発明の範囲をそ
れに限定するものではなく、単なる説明例にすぎない。
れる薄板ワーク平面研削装置で、平面研削手段、例えば
研削砥石14と、平面研削される薄板ワークWを保持固
定する軟質保持固定手段16とを有している。
ェーハや石英ウェーハをあげることができる。図1に示
した薄板ワークWは、アズカットウェーハであり、該ウ
ェーハの上下面に示された凹凸はそり若しくはうねり成
分を強調して図示したものである。
最大の特徴は、薄板ワークWを保持固定する手段として
軟質保持固定手段16を用いていることである。
固定盤を用いればよい。この軟質保持固定盤としては、
図2に示したような軟質吸着盤16aや図3に示したよ
うな軟質保持盤16bの構造を採用できる。
保持プレート18と、該保持プレート18に取りつけら
れかつ多数の貫通孔20を有するポーラスセラミックス
等の多孔性硬質材で形成された多孔性硬質盤22と、該
多孔性硬質盤22の上面に貼付された軟質材料24とか
ら構成されている。
に接続された吸引孔28が穿設されている。また、該軟
質材料24はシート状に形成され、該軟質材料シート2
4には薄板ワーク固定用の吸着孔26が多数穿設されて
いる。
置して該真空ポンプを作動させれば、該薄板ワークWは
該軟質材料24の上面に吸着固定される。
樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール
樹脂、エポキシ樹脂及びポリエチレン樹脂からなる群か
ら選ばれた一種又は二種以上からなる多孔性の合成樹脂
製シートによって形成されている。
は、薄板ワークWは弾性変形を伴わずに多孔性軟質材料
シート24を通じて真空吸着で固定することができる。
とく、保持プレート30と、該保持プレート30に取り
つけられかつセラミックス等の硬質材で形成された平坦
な硬質盤32と、該硬質盤32の上面に貼付された軟質
材料34とから構成されている。
が用いられるが、図2の軟質吸着盤16aの場合と異な
り、該軟質材料シート34には吸着孔を設ける必要はな
い。該軟質材料シート34は、ポリエチレン樹脂、塩化
ビニル樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂及びポリエチレン樹脂からなる群から選ばれた
一種又は二種以上からなる厚さ1mm以下の発泡樹脂製
シートによって形成されている。
盤32上に設置されるが、平面研削時の縦方向の圧力に
よって薄板ワークWと軟質材料シートとの間に生じる静
止摩擦によって該軟質材料シート34面に固定される。
た縦軸回転テーブル型研削盤の一種であるインフィード
型平面研削盤40の機構の1例を図8及び図9に図示し
て説明する。同図において、研削砥石42はリング状の
砥石本体42aと砥石本体42aを保持する下向き偏平
断面凹形状の保持体42bからなり、前記保持体42b
の上面中心線上にスピンドル44により精度良く回転可
能に回転軸46が取り付けられている。
介して下方のスピンドル52により精度良く回転可能に
構成されていると共に、ウェーハWが設置される上面に
多孔質セラミックス体からなる吸着盤54を取り付ける
と共に、該吸着盤54の下面に吸引管56が接続され、
真空装置58と繋がっている。
平面研削盤の構造と同様である。本発明においては、こ
の公知のインフィード型平面研削盤において、軟質材料
シート60、例えばウェーハとの静摩擦力の大きなゴム
製軟質材料シートを、上記吸着盤54の上面に貼り付け
て構成した点が特徴である。この軟質材料シート60と
しては多孔性軟質材料シートを用いることもできる。
した薄板ワーク平面研削装置を用いて、そり若しくはう
ねり成分を有する薄板ワークを平面研削し、そのそり若
しくはうねり成分を除去し高平坦な薄板ワークを得るも
のである。
くはうねり成分を除去し、高平坦な薄板ワーク、例えば
ウェーハを得る為の平面研削の2つの態様のフローチャ
ートを図4及び図5に示す。図4に示した薄板ワーク平
面研削方法は次の〜の工程から構成されている。
削装置16,40を用いて薄板ワークW、例えばワイヤ
ーソーや内周刃切断直後のウェーハ(アズカットウェー
ハ)のA面(一面)を粗平面研削し、そり若しくはうね
りのない基準面Xを創生する工程(E)。このように基
準面Xを創生することによってその後は、硬質吸着盤を
用いれば良いことになる。
吸着盤76を具備した平面研削装置72を用いてこのA
面を粗平面研削された薄板ワークWを反転しそのA面を
硬質吸着盤76に保持固定し該薄板ワークWのB面(他
面)を粗平面研削する工程(F)。
72を用いてこのB面を粗平面研削された薄板ワークW
のA面を硬質吸着盤76に保持固定し該薄板ワークのB
面をさらに精平面研削する工程(G)。
72を用いてこのB面を精平面研削された薄板ワークW
を反転しそのB面を硬質吸着盤76に保持固定し該薄板
ワークWのA面をさらに精平面研削する工程(H)。
の〜の工程から構成されている。
削装置16,40を用いて薄板ワークW、例えばワイヤ
ーソーや内周刃切断直後のウェーハ(アズカットウェー
ハ)のA面(一面)を粗平面研削し、そり若しくはうね
りのない基準面Xを創生する工程(E)。
吸着盤76を具備した平面研削装置72を用いてこのA
面を粗平面研削された薄板ワークWを反転しそのA面を
硬質吸着盤76に保持固定し該薄板ワークWのB面(他
面)を粗平面研削する工程(F)。
72を用いこのB面を粗平面研削された薄板ワークWを
反転しそのB面を硬質吸着盤76に保持固定し該薄板ワ
ークWのA面を精平面研削する工程(J)。
72を用いこの一面を精平面研削された薄板ワークWを
反転しそのA面を硬質吸着盤76に保持固定し該薄板ワ
ークWのB面を精平面研削する工程(K)。
工程E及び工程Fによって薄板ワークWのそり若しくは
うねりを除去し、比較的良好な平坦度の研削薄板ワー
ク、例えば研削ウェーハを得ることができる。工程E及
び工程Fで両面を粗平面研削された薄板ワークWは、さ
らにA面及びB面について、工程G、H又は工程J、K
によって精平面研削が施されることにより所定の高平坦
な薄板ワークW、例えばウェーハを得ることができる。
に説明する。
発明の平面研削装置において、軟質材料シート60とし
て発泡ポリスチレンシートの厚さ約0.5mmのものを
用いた研削装置を使用した。工程F〜Hにおいては、図
10及び図11に示した従来の平面研削装置を用いた。
いずれの平面研削装置においても、粗研削では#325
ダイヤモンド砥石、精研削では#2,000ダイヤモン
ド砥石を用いた。 研削される薄板ワーク:スライス直後のアズカットウェ
ーハ 研削量:50μm/粗研削×2面、30μm/精研削×
2面
削した。この平面研削されたウェーハについて、魔鏡の
原理による表面粗さ測定装置を用いてその表面形状を調
べた。図6はその表面形状の写真である。ウェーハ表面
のうねり(縦縞)が消去されていることが確認できた。
についてその研削表面の平坦度(TTV:Total Thickne
ss Variation)を測定したところ0.90μmであっ
た。その表面平坦度を模式的に図7に示した。
て図10及び図11に示した従来の平面研削装置を用い
てA面粗平面研削を行った以外は実施例1と同様の研削
条件でサンプルウェーハを平面研削した。この平面研削
されたウェーハについて魔鏡の原理による表面粗さ測定
装置を用いてその表面形状を調べた。図12はその表面
形状の写真である。ウェーハ表面にうねり(縦縞)が存
在することがわかった。
ついてその研削表面の平坦度(TTV)を測定したとこ
ろ0.89μmであった。その表面平坦度を模式的に図
13に示した。
と、比較例1に表われていたウェーハのうねり(縦縞)
が消去されていることがわかる。また両者の間には平坦
度の差は無かった。したがって、本発明ではうねり除去
効果があり、かつ平坦度は維持されることが明確となっ
た。
直後のそり若しくはうねり成分を有するアズカットウェ
ーハを原料として、ラッピング或いはラッピング、エッ
チングに代わる研削加工として適用可能であり、特にう
ねり成分の除去と共に高平坦なウェーハを作製できるこ
とが確認された。
投資を全く必要とせず、また平坦度を悪化させる事な
く、そり若しくはうねり成分を有する薄板ワークの、特
に周期10〜30mmのうねりを実質的に除去する平坦
度研削が可能となるという大きな効果が達成される。さ
らに、本発明は、特に、アズカットウェーハの平面研削
加工に適用した場合に、従来のラッピングや場合によっ
てはエッチングも不要とする低コストでうねりのない高
品質な半導体ウェーハの製造を可能とするという著大な
効果を奏する。
実施の形態を示す側面説明図である。
薄板ワーク軟質吸着盤構造を示す断面的説明図である。
薄板ワーク軟質保持盤構造を示す側面説明図である。
ローチャートである。
ーチャートである。
の表面形状を示す写真である。
の平坦度を示す形状図である。
置に適用した場合の一例を示す斜視説明図である。
である。
構造を示す断面的説明図である。
ハの表面形状を示す写真である。
ハの平坦度を示す形状図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 平面研削手段と、平面研削される薄板ワ
ークを保持固定する保持固定手段と、を有し、該保持固
定手段が軟質保持固定手段である薄板ワーク平面研削装
置を用いて薄板ワークの一面を粗平面研削しそり若しく
はうねりのない基準面を創生する工程と、硬質吸着盤を
具備した平面研削装置を用いこの一面を粗平面研削され
た薄板ワークを反転しその一面を該硬質吸着盤に保持固
定し該薄板ワークの他面を粗平面研削する工程と、硬質
吸着盤を具備した平面研削装置を用いこの他面を粗平面
研削された薄板ワークの一面を硬質吸着盤に保持固定し
該薄板ワークの他面をさらに精平面研削する工程と、硬
質吸着盤を具備した平面研削装置を用いこの他面を精平
面研削された薄板ワークを反転しその他面を硬質吸着盤
に保持固定し該薄板ワークの一面をさらに精平面研削す
る工程とからなることを特徴とする薄板ワーク平面研削
方法。 - 【請求項2】 平面研削手段と、平面研削される薄板ワ
ークを保持固定する保持固定手段と、を有し、該保持固
定手段が軟質保持固定手段である薄板ワーク平面研削装
置を用いて薄板ワークの一面を粗平面研削しそり若しく
はうねりのない基準面を創生する工程と、硬質吸着盤を
具備した平面研削装置を用いこの一面を粗平面研削され
た薄板ワークを反転しその一面を硬質吸着盤に保持固定
し該薄板ワークの他面を粗平面研削する工程と、硬質吸
着盤を具備した平面研削装置を用いこの他面を粗平面研
削された薄板ワークを反転しその他面を硬質吸着盤に保
持固定し該薄板ワークの一面を精平面研削する工程と、
硬質吸着盤を具備した平面研削装置を用いこの一面を精
平面研削された薄板ワークを反転しその一面を硬質吸着
盤に保持固定し該薄板ワークの他面を精平面研削する工
程とからなることを特徴とする薄板ワーク平面研削方
法。 - 【請求項3】 前記軟質保持固定手段の保持面が軟質材
料によって形成されていることを特徴とする請求項1又
は2記載の薄板ワーク平面研削方法。 - 【請求項4】 前記軟質保持固定手段が、薄板ワーク固
定用の吸着孔を開穿した軟質材料シートを上面に貼付し
た薄板ワーク吸着盤であることを特徴と する請求項1〜
3のいずれか1項記載の薄板ワーク平面研削方法。 - 【請求項5】 前記軟質保持固定手段が軟質材料シート
を上面に貼付した薄板ワーク保持盤であることを特徴と
する請求項1〜3のいずれか1項記載の薄板ワーク平面
研削方法。 - 【請求項6】 前記軟質材料シートが、ポリスチレン樹
脂、塩化ビニル樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂及びポリエチレン樹脂からなる群から
選ばれた一種又は二種以上からなる合成樹脂製シートで
あることを特徴とする請求項4記載の薄板ワーク平面研
削方法。 - 【請求項7】 前記軟質材料シートが、ポリスチレン樹
脂、塩化ビニル樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂及びポリエチレン樹脂からなる群から
選ばれた一種又は二種以上からなる厚さ1mm以下の発
泡樹脂製シートであることを特徴とする請求項5記載の
薄板ワーク平面研削方法。 - 【請求項8】 前記薄板ワーク平面研削装置が、縦軸回
転テーブル型研削盤であることを特徴とする請求項1〜
7のいずれか1項記載の薄板ワーク平面研削方法。 - 【請求項9】 前記薄板ワーク平面研削装置が、カップ
型砥石を用いたインフィード型研削盤であることを特徴
とする請求項1〜7のいずれか1項記載の薄板ワーク平
面研削方法。 - 【請求項10】 前記薄板ワークが、半導体ウェーハ又
は石英ウェーハであることを特徴とする請求項1〜9の
いずれか1項記載の薄板ワーク平面研削方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35699996A JP3348429B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 薄板ワーク平面研削方法 |
US08/996,190 US6050880A (en) | 1996-12-26 | 1997-12-22 | Surface grinding device and method of surface grinding a thin-plate workpiece |
DE69715798T DE69715798T2 (de) | 1996-12-26 | 1997-12-22 | Oberflächen-Schleifvorrichtung und Verfahren zum oberflächlichen Schleifen eines dünn-flächigen Werkstückes |
EP97310438A EP0850724B1 (en) | 1996-12-26 | 1997-12-22 | Surface grinding device and method of surface-grinding a thin-plate workpiece |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35699996A JP3348429B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 薄板ワーク平面研削方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10180599A JPH10180599A (ja) | 1998-07-07 |
JP3348429B2 true JP3348429B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=18451859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35699996A Expired - Fee Related JP3348429B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 薄板ワーク平面研削方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6050880A (ja) |
EP (1) | EP0850724B1 (ja) |
JP (1) | JP3348429B2 (ja) |
DE (1) | DE69715798T2 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001516145A (ja) * | 1997-08-21 | 2001-09-25 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 半導体ウエハの加工方法 |
JPH11138429A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-25 | Sony Corp | 研磨装置 |
SG119138A1 (en) * | 1998-04-28 | 2006-02-28 | Ebara Corp | Abrading plate and polishing method using the same |
DE10081456T1 (de) * | 1999-05-17 | 2001-09-27 | Kashiwara Machine Mfg | Vefahren und Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren |
JP2002158498A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-05-31 | Nec Kagoshima Ltd | フレキシブルプリント基板の保持ステ−ジ |
US6672943B2 (en) | 2001-01-26 | 2004-01-06 | Wafer Solutions, Inc. | Eccentric abrasive wheel for wafer processing |
US6443817B1 (en) * | 2001-02-06 | 2002-09-03 | Mccarter Technology, Inc. | Method of finishing a silicon part |
US6632012B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-10-14 | Wafer Solutions, Inc. | Mixing manifold for multiple inlet chemistry fluids |
US6835118B2 (en) * | 2001-12-14 | 2004-12-28 | Oriol, Inc. | Rigid plate assembly with polishing pad and method of using |
US7018268B2 (en) * | 2002-04-09 | 2006-03-28 | Strasbaugh | Protection of work piece during surface processing |
JP4715081B2 (ja) * | 2003-08-12 | 2011-07-06 | コニカミノルタオプト株式会社 | 加工機 |
JP2006303329A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | シリコン基板の薄板加工方法およびそれに用いられる加工装置 |
JP5393039B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2014-01-22 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
KR101004432B1 (ko) * | 2008-06-10 | 2010-12-28 | 세메스 주식회사 | 매엽식 기판 처리 장치 |
JP6111893B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2017-04-12 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの加工プロセス |
CN103707147B (zh) * | 2013-12-18 | 2016-04-06 | 上海现代先进超精密制造中心有限公司 | 碳化硅超硬材料高精度大平面的加工方法 |
JP6538375B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2019-07-03 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 硬脆性基板の平坦化加工方法 |
WO2017015205A1 (en) * | 2015-07-21 | 2017-01-26 | Corning Incorporated | Methods and apparatuses for edge finishing glass substrates |
JP6792363B2 (ja) * | 2016-07-22 | 2020-11-25 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
TW202120251A (zh) * | 2019-07-17 | 2021-06-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板加工裝置、基板處理系統及基板處理方法 |
JP7304792B2 (ja) * | 2019-11-11 | 2023-07-07 | 信越化学工業株式会社 | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜基板の製造方法 |
CN113953774A (zh) * | 2021-11-16 | 2022-01-21 | 贵州航天电子科技有限公司 | 一种薄板盘形硬铝底板零件变形控制加工方法 |
JP2023172169A (ja) * | 2022-05-23 | 2023-12-06 | 信越半導体株式会社 | 研削ウェーハの製造方法及びウェーハの製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4521995A (en) * | 1980-05-23 | 1985-06-11 | Disco Co., Ltd. | Wafer attracting and fixing device |
JPS60103651U (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-15 | シチズン時計株式会社 | 真空吸着台 |
JPS62162455A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-07-18 | Hitachi Ltd | ウエハ研削方法 |
JP2634343B2 (ja) * | 1991-10-28 | 1997-07-23 | 信越化学工業株式会社 | 半導体ウェーハの保持方法 |
JP3055401B2 (ja) * | 1994-08-29 | 2000-06-26 | 信越半導体株式会社 | ワークの平面研削方法及び装置 |
US5762539A (en) * | 1996-02-27 | 1998-06-09 | Ebara Corporation | Apparatus for and method for polishing workpiece |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP35699996A patent/JP3348429B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-12-22 EP EP97310438A patent/EP0850724B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-22 DE DE69715798T patent/DE69715798T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-22 US US08/996,190 patent/US6050880A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69715798T2 (de) | 2003-02-20 |
JPH10180599A (ja) | 1998-07-07 |
US6050880A (en) | 2000-04-18 |
EP0850724B1 (en) | 2002-09-25 |
EP0850724A1 (en) | 1998-07-01 |
DE69715798D1 (de) | 2002-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3348429B2 (ja) | 薄板ワーク平面研削方法 | |
JP3055401B2 (ja) | ワークの平面研削方法及び装置 | |
TW393369B (en) | A wafer processing machine and a processing method thereby | |
US6214704B1 (en) | Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage | |
US6641464B1 (en) | Method and apparatus for polishing the edge of a bonded wafer | |
JPH09270401A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
JPH0335063B2 (ja) | ||
JPH09260314A (ja) | 半導体ウェーハ製造方法 | |
JPH09201765A (ja) | バッキングパッドおよび半導体ウエーハの研磨方法 | |
JPH0413568A (ja) | バッキングパッド、その精密平面加工方法およびそれを用いた半導体ウェーハの研磨方法 | |
JP3328193B2 (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
TWI289889B (en) | Method of polishing wafer and polishing pad for polishing wafer | |
JP4860192B2 (ja) | ウェハの製造方法 | |
EP1145296B1 (en) | Semiconductor wafer manufacturing method | |
JP3924641B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JPH10180624A (ja) | ラッピング装置及び方法 | |
JP3658851B2 (ja) | 薄板ワーク平面研削方法 | |
GB2058620A (en) | A method and apparatus for effecting the lapping of wafers of semiconductive material | |
JP2636383B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP3326841B2 (ja) | 研磨装置 | |
JPH08197400A (ja) | 半導体ウェーハの面取り部研磨方法 | |
JP2003236743A5 (ja) | ||
JP6717706B2 (ja) | ウェハの表面処理装置 | |
JP3821944B2 (ja) | ウェーハの枚葉式研磨方法とその装置 | |
JP4681970B2 (ja) | 研磨パッドおよび研磨機 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913 Year of fee payment: 6 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100913 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100913 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110913 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120913 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130913 Year of fee payment: 11 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |