JP3348429B2 - 薄板ワーク平面研削方法 - Google Patents
薄板ワーク平面研削方法Info
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、周期が１０〜３０
ｍｍのそり若しくはうねり成分を有する薄板ワークの平
面研削装置及び方法に関し、特にワイヤーソーや内周刃
切断直後のウェーハ（以下アズカットウェーハというこ
とがある）の平面研削に好適な薄板ワーク平面研削方法
に関する。
ｍｍのそり若しくはうねり成分を有する薄板ワークの平
面研削装置及び方法に関し、特にワイヤーソーや内周刃
切断直後のウェーハ（以下アズカットウェーハというこ
とがある）の平面研削に好適な薄板ワーク平面研削方法
に関する。
【０００２】
【関連技術】一般に、半導体ウェーハは、ＣＺ法で引き
上げられたシリコンロッドを円形内周刃やマルチワイヤ
ーソーを用いて薄板円盤状に切断するスライス工程と、
スライス工程により得られたアズカットウェーハの面取
り、ラップ、エッチング、表面研磨、洗浄の順に各加工
工程を経て製造される。
上げられたシリコンロッドを円形内周刃やマルチワイヤ
ーソーを用いて薄板円盤状に切断するスライス工程と、
スライス工程により得られたアズカットウェーハの面取
り、ラップ、エッチング、表面研磨、洗浄の順に各加工
工程を経て製造される。
【０００３】スライス直後のアズカットウェーハは、碗
状或いはＳ字状の複数の周期の凹凸形状を持っている。
特に碗状或いはＳ字状の周期が３０ｍｍ以上の凹凸をそ
り、周期が１０〜３０ｍｍの周期の凹凸をうねりと称す
る。これらの凹凸は、スライス時の切れ刃の切断抵抗の
左右の僅かな相違により切れ刃が直進しない場合に生
じ、特にワイヤーソーを用いた場合に顕著となる。
状或いはＳ字状の複数の周期の凹凸形状を持っている。
特に碗状或いはＳ字状の周期が３０ｍｍ以上の凹凸をそ
り、周期が１０〜３０ｍｍの周期の凹凸をうねりと称す
る。これらの凹凸は、スライス時の切れ刃の切断抵抗の
左右の僅かな相違により切れ刃が直進しない場合に生
じ、特にワイヤーソーを用いた場合に顕著となる。
【０００４】昨今では、半導体ウェーハの高集積化に伴
い、ウェーハ口径の大型化やウェーハ形状平坦度への要
求が厳しくなり、従来の加工工程では対応が困難となっ
てきている。この様な顧客の要求に答える為には、ラッ
プに代わり、平面研削が非常に有望である。この平面研
削加工を取り入れる場合、スライス工程→面取り工程→
平面研削工程→研磨工程→洗浄工程やスライス工程→面
取り工程→平面研削工程→エッチング工程→研磨工程→
洗浄工程等の加工方法が適用される。
い、ウェーハ口径の大型化やウェーハ形状平坦度への要
求が厳しくなり、従来の加工工程では対応が困難となっ
てきている。この様な顧客の要求に答える為には、ラッ
プに代わり、平面研削が非常に有望である。この平面研
削加工を取り入れる場合、スライス工程→面取り工程→
平面研削工程→研磨工程→洗浄工程やスライス工程→面
取り工程→平面研削工程→エッチング工程→研磨工程→
洗浄工程等の加工方法が適用される。
【０００５】そして、図１０及び図１１に示すように、
一般的には、かかる従来の平面研削装置７２において
は、ウェーハを支持固定する方式として、多数の貫通孔
７４を有する多孔質セラミックプレート等の硬質吸着盤
７６に研削するウェーハＷの片面側を真空ポンプに接続
された吸引孔７８を介して真空吸着し、もう片面を研削
砥石８０で研削する方式が採用されている。
一般的には、かかる従来の平面研削装置７２において
は、ウェーハを支持固定する方式として、多数の貫通孔
７４を有する多孔質セラミックプレート等の硬質吸着盤
７６に研削するウェーハＷの片面側を真空ポンプに接続
された吸引孔７８を介して真空吸着し、もう片面を研削
砥石８０で研削する方式が採用されている。
【０００６】しかしながら、上記した従来の平面研削装
置７２における真空吸着方式を半導体ウェーハ等のアズ
カットウェーハＷに適用した場合、図１０に示す様に、
ウェーハＷ背面のうねりがその真空吸着力により、高平
坦に形成された吸着面に合わせて弾性変形する。
置７２における真空吸着方式を半導体ウェーハ等のアズ
カットウェーハＷに適用した場合、図１０に示す様に、
ウェーハＷ背面のうねりがその真空吸着力により、高平
坦に形成された吸着面に合わせて弾性変形する。
【０００７】このウェーハＷを平面研削すると、研削中
はウェーハＷが真空吸着されているので、高平坦度が得
られるが、研削終了後に真空吸着が解除されると研削さ
れたウェーハＷの弾性変形部分が回復し、ウェーハ背面
形状が表面に転写された形で残留し、所定のウェーハ形
状を得る事は不可能である。
はウェーハＷが真空吸着されているので、高平坦度が得
られるが、研削終了後に真空吸着が解除されると研削さ
れたウェーハＷの弾性変形部分が回復し、ウェーハ背面
形状が表面に転写された形で残留し、所定のウェーハ形
状を得る事は不可能である。
【０００８】特に、比較的短周期の小さな凹凸（粗さレ
ベルの凹凸）は真空吸着による背面形状の表面への転写
が起きない為、従来の平面研削技術によっても除去容易
であるが、長周期１０〜３０ｍｍ周期のうねりは除去困
難な状況にあった。
ベルの凹凸）は真空吸着による背面形状の表面への転写
が起きない為、従来の平面研削技術によっても除去容易
であるが、長周期１０〜３０ｍｍ周期のうねりは除去困
難な状況にあった。
【０００９】本発明者らは、上記した従来技術の問題点
を解決すべく、種々研究を行なった結果、新規な平面研
削方法及び装置を開発し、特開平８−６６８５０号及び
特願平８−８０７１９号として既に提案した。
を解決すべく、種々研究を行なった結果、新規な平面研
削方法及び装置を開発し、特開平８−６６８５０号及び
特願平８−８０７１９号として既に提案した。
【００１０】前者においては、ウェーハ背面をワックス
等の接着材料で弾性変形が発生しないように保持し、ウ
ェーハの表面を研削することによって、ウェーハ背面の
凹凸の転写を防ぐ事が可能となった点において優れてい
るが、ワックスの塗付や除去工程を必要とし、製造コス
トや製造時間の面でマイナス効果を持っている点におい
て改良の余地があった。
等の接着材料で弾性変形が発生しないように保持し、ウ
ェーハの表面を研削することによって、ウェーハ背面の
凹凸の転写を防ぐ事が可能となった点において優れてい
るが、ワックスの塗付や除去工程を必要とし、製造コス
トや製造時間の面でマイナス効果を持っている点におい
て改良の余地があった。
【００１１】また、後者は、ウェーハを支持固定する真
空吸着圧力を低減させる事により、ウェーハ背面の凹凸
の転写を防ぐ方法であり、うねりを大幅に低減出来るも
のの完全に消去する迄には至っていない点が問題として
残されていた。
空吸着圧力を低減させる事により、ウェーハ背面の凹凸
の転写を防ぐ方法であり、うねりを大幅に低減出来るも
のの完全に消去する迄には至っていない点が問題として
残されていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した問
題点に鑑みなされたもので、設備投資を全く必要とせ
ず、また平坦度を悪化させることなく、そり若しくはう
ねり成分を有する薄板ワークの、特に周期１０〜３０ｍ
ｍのうねりを実質的に除去する平坦度研削が可能とな
り、さらにアズカットウェーハの平面研削加工に適用し
た場合に、従来のラッピングや場合によってはエッチン
グも不要とする低コストでうねりのない高品質な半導体
ウェーハの製造を可能とする薄板ワーク平面研削方法を
提供することを目的とする。
題点に鑑みなされたもので、設備投資を全く必要とせ
ず、また平坦度を悪化させることなく、そり若しくはう
ねり成分を有する薄板ワークの、特に周期１０〜３０ｍ
ｍのうねりを実質的に除去する平坦度研削が可能とな
り、さらにアズカットウェーハの平面研削加工に適用し
た場合に、従来のラッピングや場合によってはエッチン
グも不要とする低コストでうねりのない高品質な半導体
ウェーハの製造を可能とする薄板ワーク平面研削方法を
提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の薄板ワーク平面研削方法の第１の態様は、
平面研削手段と、平面研削される薄板ワークを保持固定
する保持固定手段と、を有し、該保持固定手段が軟質保
持固定手段である薄板ワーク平面研削装置を用いて薄板
ワークの一面を粗平面研削しそり若しくはうねりのない
基準面を創生する工程と、硬質吸着盤を具備した平面研
削装置を用いこの一面を粗平面研削された薄板ワークを
反転しその一面を該硬質吸着盤に保持固定し該薄板ワー
クの他面を粗平面研削する工程と、硬質吸着盤を具備し
た平面研削装置を用いこの他面を粗平面研削された薄板
ワークの一面を硬質吸着盤に保持固定し該薄板ワークの
他面をさらに精平面研削する工程と、硬質吸着盤を具備
した平面研削装置を用いこの他面を精平面研削された薄
板ワークを反転しその他面を硬質吸着盤に保持固定し該
薄板ワークの一面をさらに精平面研削する工程とからな
ることを特徴とする。
に、本発明の薄板ワーク平面研削方法の第１の態様は、
平面研削手段と、平面研削される薄板ワークを保持固定
する保持固定手段と、を有し、該保持固定手段が軟質保
持固定手段である薄板ワーク平面研削装置を用いて薄板
ワークの一面を粗平面研削しそり若しくはうねりのない
基準面を創生する工程と、硬質吸着盤を具備した平面研
削装置を用いこの一面を粗平面研削された薄板ワークを
反転しその一面を該硬質吸着盤に保持固定し該薄板ワー
クの他面を粗平面研削する工程と、硬質吸着盤を具備し
た平面研削装置を用いこの他面を粗平面研削された薄板
ワークの一面を硬質吸着盤に保持固定し該薄板ワークの
他面をさらに精平面研削する工程と、硬質吸着盤を具備
した平面研削装置を用いこの他面を精平面研削された薄
板ワークを反転しその他面を硬質吸着盤に保持固定し該
薄板ワークの一面をさらに精平面研削する工程とからな
ることを特徴とする。
【００１４】本発明の薄板ワーク平面研削方法の第２の
態様は、平面研削手段と、平面研削される薄板ワークを
保持固定する保持固定手段と、を有し、該保持固定手段
が軟質保持固定手段である薄板ワーク平面研削装置を用
いて薄板ワークの一面を粗平面研削しそり若しくはうね
りのない基準面を創生する工程と、硬質吸着盤を具備し
た平面研削装置を用いこの一面を粗平面研削された薄板
ワークを反転しその一面を硬質吸着盤に保持固定し該薄
板ワークの他面を粗平面研削する工程と、硬質吸着盤を
具備した平面研削装置を用いこの他面を粗平面研削され
た薄板ワークを反転しその他面を硬質吸着盤に保持固定
し該薄板ワークの一面を精平面研削する工程と、硬質吸
着盤を具備した平面研削装置を用いこの一面を精平面研
削された薄板ワークを反転しその一面を硬質吸着盤に保
持固定し該薄板ワークの他面を精平面研削する工程とか
らなることを特徴とする。
態様は、平面研削手段と、平面研削される薄板ワークを
保持固定する保持固定手段と、を有し、該保持固定手段
が軟質保持固定手段である薄板ワーク平面研削装置を用
いて薄板ワークの一面を粗平面研削しそり若しくはうね
りのない基準面を創生する工程と、硬質吸着盤を具備し
た平面研削装置を用いこの一面を粗平面研削された薄板
ワークを反転しその一面を硬質吸着盤に保持固定し該薄
板ワークの他面を粗平面研削する工程と、硬質吸着盤を
具備した平面研削装置を用いこの他面を粗平面研削され
た薄板ワークを反転しその他面を硬質吸着盤に保持固定
し該薄板ワークの一面を精平面研削する工程と、硬質吸
着盤を具備した平面研削装置を用いこの一面を精平面研
削された薄板ワークを反転しその一面を硬質吸着盤に保
持固定し該薄板ワークの他面を精平面研削する工程とか
らなることを特徴とする。
【００１５】前記軟質保持固定手段を用いることによっ
て薄板ワークの周期１０〜３０ｍｍのうねりを吸収する
ことができる。この軟質保持固定手段としては、保持固
定手段の保持面が軟質材料によって形成されている構成
とするのが好適である。
て薄板ワークの周期１０〜３０ｍｍのうねりを吸収する
ことができる。この軟質保持固定手段としては、保持固
定手段の保持面が軟質材料によって形成されている構成
とするのが好適である。
【００１６】前記軟質保持固定手段としては、薄板ワー
ク固定用の吸着孔を開穿した軟質材料シートを上面に貼
付した薄板ワーク吸着盤を用いるのが好ましい。
ク固定用の吸着孔を開穿した軟質材料シートを上面に貼
付した薄板ワーク吸着盤を用いるのが好ましい。
【００１７】前記軟質保持固定手段としては、軟質材料
シートを上面に貼付した薄板ワーク保持盤を用いること
もできる。
シートを上面に貼付した薄板ワーク保持盤を用いること
もできる。
【００１８】前記薄板ワーク吸着盤に貼付する多孔性の
軟質材料シートとしては、ポリスチレン樹脂、塩化ビニ
ル樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ
樹脂及びポリエチレン樹脂からなる群から選ばれた一種
又は二種以上からなる合成樹脂製シートを適用するのが
好ましい。
軟質材料シートとしては、ポリスチレン樹脂、塩化ビニ
ル樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ
樹脂及びポリエチレン樹脂からなる群から選ばれた一種
又は二種以上からなる合成樹脂製シートを適用するのが
好ましい。
【００１９】前記薄板ワーク保持盤に貼付する軟質材料
シートとしては、ポリスチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、
ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂及び
ポリエチレン樹脂からなる群から選ばれた一種又は二種
以上からなる厚さ１ｍｍ以下の発泡樹脂製シートが用い
られる。
シートとしては、ポリスチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、
ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂及び
ポリエチレン樹脂からなる群から選ばれた一種又は二種
以上からなる厚さ１ｍｍ以下の発泡樹脂製シートが用い
られる。
【００２０】この発泡樹脂シートを用いることにより、
薄板ワークと軟質材料シートとの静止摩擦を増大させ、
薄板ワークの剥離を防ぐことが可能となる。
薄板ワークと軟質材料シートとの静止摩擦を増大させ、
薄板ワークの剥離を防ぐことが可能となる。
【００２１】前記薄板ワーク平面研削装置としては、縦
軸回転テーブル型研削盤、好ましくはカップ型砥石を用
いたインフィード型研削盤が好適に用いられる。
軸回転テーブル型研削盤、好ましくはカップ型砥石を用
いたインフィード型研削盤が好適に用いられる。
【００２２】本発明において平面研削の対象となる薄板
ワークとしては、半導体ウェーハ又は石英ウェーハをあ
げることができる。
ワークとしては、半導体ウェーハ又は石英ウェーハをあ
げることができる。
【００２３】本発明者は、薄板ワークの周期１０〜３０
ｍｍのうねり成分がワーク表面に転写される事なく、平
坦な研削を可能とする為には、ワークを保持固定する際
に、ワークが弾性変形を生じる事なく、平面研削されれ
ば良いことにまず着目した。このうねり成分を有する薄
板ワークを、軟質な保持盤で固定し、研削時にワークが
弾性変形を生じない様にすれば、ワークの背面形状の表
面への転写が防止されることとなる。
ｍｍのうねり成分がワーク表面に転写される事なく、平
坦な研削を可能とする為には、ワークを保持固定する際
に、ワークが弾性変形を生じる事なく、平面研削されれ
ば良いことにまず着目した。このうねり成分を有する薄
板ワークを、軟質な保持盤で固定し、研削時にワークが
弾性変形を生じない様にすれば、ワークの背面形状の表
面への転写が防止されることとなる。
【００２４】しかしながら、この軟質保持盤を用いる場
合、保持盤全体に軟質材料を用いると、ウェーハを固定
するベース自体の剛性が低下し、最終的に高平坦な研削
ウェーハを得る事は出来ないことがわかった。本発明者
は、そこで、ウェーハ保持ベースの剛性を維持しつつ、
かつうねり成分を吸収する軟質材料を保持盤ベースの表
面にのみ採用する事により、うねり成分を除去し、かつ
高平坦なウェーハを得る事が出来ることを見出し、本発
明を完成した。
合、保持盤全体に軟質材料を用いると、ウェーハを固定
するベース自体の剛性が低下し、最終的に高平坦な研削
ウェーハを得る事は出来ないことがわかった。本発明者
は、そこで、ウェーハ保持ベースの剛性を維持しつつ、
かつうねり成分を吸収する軟質材料を保持盤ベースの表
面にのみ採用する事により、うねり成分を除去し、かつ
高平坦なウェーハを得る事が出来ることを見出し、本発
明を完成した。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一つの実施の形態
を、添付図面と共に説明する。但し、この実施の形態に
記載されている構成部品の寸法、形状、その相対位置等
は、特に特定の記載がない限りは、この発明の範囲をそ
れに限定するものではなく、単なる説明例にすぎない。
を、添付図面と共に説明する。但し、この実施の形態に
記載されている構成部品の寸法、形状、その相対位置等
は、特に特定の記載がない限りは、この発明の範囲をそ
れに限定するものではなく、単なる説明例にすぎない。
【００２６】図１において、１２は本発明方法に用いら
れる薄板ワーク平面研削装置で、平面研削手段、例えば
研削砥石１４と、平面研削される薄板ワークＷを保持固
定する軟質保持固定手段１６とを有している。
れる薄板ワーク平面研削装置で、平面研削手段、例えば
研削砥石１４と、平面研削される薄板ワークＷを保持固
定する軟質保持固定手段１６とを有している。
【００２７】該薄板ワークＷとしては、例えば半導体ウ
ェーハや石英ウェーハをあげることができる。図１に示
した薄板ワークＷは、アズカットウェーハであり、該ウ
ェーハの上下面に示された凹凸はそり若しくはうねり成
分を強調して図示したものである。
ェーハや石英ウェーハをあげることができる。図１に示
した薄板ワークＷは、アズカットウェーハであり、該ウ
ェーハの上下面に示された凹凸はそり若しくはうねり成
分を強調して図示したものである。
【００２８】上記薄板ワーク平面研削装置１２における
最大の特徴は、薄板ワークＷを保持固定する手段として
軟質保持固定手段１６を用いていることである。
最大の特徴は、薄板ワークＷを保持固定する手段として
軟質保持固定手段１６を用いていることである。
【００２９】該軟質保持固定手段１６としては軟質保持
固定盤を用いればよい。この軟質保持固定盤としては、
図２に示したような軟質吸着盤１６ａや図３に示したよ
うな軟質保持盤１６ｂの構造を採用できる。
固定盤を用いればよい。この軟質保持固定盤としては、
図２に示したような軟質吸着盤１６ａや図３に示したよ
うな軟質保持盤１６ｂの構造を採用できる。
【００３０】軟質吸着盤１６ａは、図２に示すごとく、
保持プレート１８と、該保持プレート１８に取りつけら
れかつ多数の貫通孔２０を有するポーラスセラミックス
等の多孔性硬質材で形成された多孔性硬質盤２２と、該
多孔性硬質盤２２の上面に貼付された軟質材料２４とか
ら構成されている。
保持プレート１８と、該保持プレート１８に取りつけら
れかつ多数の貫通孔２０を有するポーラスセラミックス
等の多孔性硬質材で形成された多孔性硬質盤２２と、該
多孔性硬質盤２２の上面に貼付された軟質材料２４とか
ら構成されている。
【００３１】該保持プレート１８の下部には真空ポンプ
に接続された吸引孔２８が穿設されている。また、該軟
質材料２４はシート状に形成され、該軟質材料シート２
４には薄板ワーク固定用の吸着孔２６が多数穿設されて
いる。
に接続された吸引孔２８が穿設されている。また、該軟
質材料２４はシート状に形成され、該軟質材料シート２
４には薄板ワーク固定用の吸着孔２６が多数穿設されて
いる。
【００３２】該軟質材料２４の上面に薄板ワークＷを載
置して該真空ポンプを作動させれば、該薄板ワークＷは
該軟質材料２４の上面に吸着固定される。
置して該真空ポンプを作動させれば、該薄板ワークＷは
該軟質材料２４の上面に吸着固定される。
【００３３】該多孔性の軟質材料２４は、ポリエチレン
樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール
樹脂、エポキシ樹脂及びポリエチレン樹脂からなる群か
ら選ばれた一種又は二種以上からなる多孔性の合成樹脂
製シートによって形成されている。
樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール
樹脂、エポキシ樹脂及びポリエチレン樹脂からなる群か
ら選ばれた一種又は二種以上からなる多孔性の合成樹脂
製シートによって形成されている。
【００３４】上記した軟質吸着盤１６ａを用いた場合に
は、薄板ワークＷは弾性変形を伴わずに多孔性軟質材料
シート２４を通じて真空吸着で固定することができる。
は、薄板ワークＷは弾性変形を伴わずに多孔性軟質材料
シート２４を通じて真空吸着で固定することができる。
【００３５】一方、軟質保持盤１６ｂは、図３に示すご
とく、保持プレート３０と、該保持プレート３０に取り
つけられかつセラミックス等の硬質材で形成された平坦
な硬質盤３２と、該硬質盤３２の上面に貼付された軟質
材料３４とから構成されている。
とく、保持プレート３０と、該保持プレート３０に取り
つけられかつセラミックス等の硬質材で形成された平坦
な硬質盤３２と、該硬質盤３２の上面に貼付された軟質
材料３４とから構成されている。
【００３６】該軟質材料３４としては、軟質材料シート
が用いられるが、図２の軟質吸着盤１６ａの場合と異な
り、該軟質材料シート３４には吸着孔を設ける必要はな
い。該軟質材料シート３４は、ポリエチレン樹脂、塩化
ビニル樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂及びポリエチレン樹脂からなる群から選ばれた
一種又は二種以上からなる厚さ１ｍｍ以下の発泡樹脂製
シートによって形成されている。
が用いられるが、図２の軟質吸着盤１６ａの場合と異な
り、該軟質材料シート３４には吸着孔を設ける必要はな
い。該軟質材料シート３４は、ポリエチレン樹脂、塩化
ビニル樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂及びポリエチレン樹脂からなる群から選ばれた
一種又は二種以上からなる厚さ１ｍｍ以下の発泡樹脂製
シートによって形成されている。
【００３７】薄板ワークＷは弾性変形を伴わずに、硬質
盤３２上に設置されるが、平面研削時の縦方向の圧力に
よって薄板ワークＷと軟質材料シートとの間に生じる静
止摩擦によって該軟質材料シート３４面に固定される。
盤３２上に設置されるが、平面研削時の縦方向の圧力に
よって薄板ワークＷと軟質材料シートとの間に生じる静
止摩擦によって該軟質材料シート３４面に固定される。
【００３８】上記した平面研削装置１２の構成を適用し
た縦軸回転テーブル型研削盤の一種であるインフィード
型平面研削盤４０の機構の１例を図８及び図９に図示し
て説明する。同図において、研削砥石４２はリング状の
砥石本体４２ａと砥石本体４２ａを保持する下向き偏平
断面凹形状の保持体４２ｂからなり、前記保持体４２ｂ
の上面中心線上にスピンドル４４により精度良く回転可
能に回転軸４６が取り付けられている。
た縦軸回転テーブル型研削盤の一種であるインフィード
型平面研削盤４０の機構の１例を図８及び図９に図示し
て説明する。同図において、研削砥石４２はリング状の
砥石本体４２ａと砥石本体４２ａを保持する下向き偏平
断面凹形状の保持体４２ｂからなり、前記保持体４２ｂ
の上面中心線上にスピンドル４４により精度良く回転可
能に回転軸４６が取り付けられている。
【００３９】一方、回転テーブル４８は、回転軸５０を
介して下方のスピンドル５２により精度良く回転可能に
構成されていると共に、ウェーハＷが設置される上面に
多孔質セラミックス体からなる吸着盤５４を取り付ける
と共に、該吸着盤５４の下面に吸引管５６が接続され、
真空装置５８と繋がっている。
介して下方のスピンドル５２により精度良く回転可能に
構成されていると共に、ウェーハＷが設置される上面に
多孔質セラミックス体からなる吸着盤５４を取り付ける
と共に、該吸着盤５４の下面に吸引管５６が接続され、
真空装置５８と繋がっている。
【００４０】以上の構成は、従来公知のインフィード型
平面研削盤の構造と同様である。本発明においては、こ
の公知のインフィード型平面研削盤において、軟質材料
シート６０、例えばウェーハとの静摩擦力の大きなゴム
製軟質材料シートを、上記吸着盤５４の上面に貼り付け
て構成した点が特徴である。この軟質材料シート６０と
しては多孔性軟質材料シートを用いることもできる。
平面研削盤の構造と同様である。本発明においては、こ
の公知のインフィード型平面研削盤において、軟質材料
シート６０、例えばウェーハとの静摩擦力の大きなゴム
製軟質材料シートを、上記吸着盤５４の上面に貼り付け
て構成した点が特徴である。この軟質材料シート６０と
しては多孔性軟質材料シートを用いることもできる。
【００４１】本発明の薄板ワーク平面研削方法は、上記
した薄板ワーク平面研削装置を用いて、そり若しくはう
ねり成分を有する薄板ワークを平面研削し、そのそり若
しくはうねり成分を除去し高平坦な薄板ワークを得るも
のである。
した薄板ワーク平面研削装置を用いて、そり若しくはう
ねり成分を有する薄板ワークを平面研削し、そのそり若
しくはうねり成分を除去し高平坦な薄板ワークを得るも
のである。
【００４２】薄板ワークの両面を平面研削し、そり若し
くはうねり成分を除去し、高平坦な薄板ワーク、例えば
ウェーハを得る為の平面研削の２つの態様のフローチャ
ートを図４及び図５に示す。図４に示した薄板ワーク平
面研削方法は次の〜の工程から構成されている。
くはうねり成分を除去し、高平坦な薄板ワーク、例えば
ウェーハを得る為の平面研削の２つの態様のフローチャ
ートを図４及び図５に示す。図４に示した薄板ワーク平
面研削方法は次の〜の工程から構成されている。
【００４３】図１又は図８及び図９に図示した平面研
削装置１６，４０を用いて薄板ワークＷ、例えばワイヤ
ーソーや内周刃切断直後のウェーハ（アズカットウェー
ハ）のＡ面（一面）を粗平面研削し、そり若しくはうね
りのない基準面Ｘを創生する工程（Ｅ）。このように基
準面Ｘを創生することによってその後は、硬質吸着盤を
用いれば良いことになる。
削装置１６，４０を用いて薄板ワークＷ、例えばワイヤ
ーソーや内周刃切断直後のウェーハ（アズカットウェー
ハ）のＡ面（一面）を粗平面研削し、そり若しくはうね
りのない基準面Ｘを創生する工程（Ｅ）。このように基
準面Ｘを創生することによってその後は、硬質吸着盤を
用いれば良いことになる。
【００４４】例えば、図１０及び図１１に示した硬質
吸着盤７６を具備した平面研削装置７２を用いてこのＡ
面を粗平面研削された薄板ワークＷを反転しそのＡ面を
硬質吸着盤７６に保持固定し該薄板ワークＷのＢ面（他
面）を粗平面研削する工程（Ｆ）。
吸着盤７６を具備した平面研削装置７２を用いてこのＡ
面を粗平面研削された薄板ワークＷを反転しそのＡ面を
硬質吸着盤７６に保持固定し該薄板ワークＷのＢ面（他
面）を粗平面研削する工程（Ｆ）。
【００４５】硬質吸着盤７６を具備した平面研削装置
７２を用いてこのＢ面を粗平面研削された薄板ワークＷ
のＡ面を硬質吸着盤７６に保持固定し該薄板ワークのＢ
面をさらに精平面研削する工程（Ｇ）。
７２を用いてこのＢ面を粗平面研削された薄板ワークＷ
のＡ面を硬質吸着盤７６に保持固定し該薄板ワークのＢ
面をさらに精平面研削する工程（Ｇ）。
【００４６】硬質吸着盤７６を具備した平面研削装置
７２を用いてこのＢ面を精平面研削された薄板ワークＷ
を反転しそのＢ面を硬質吸着盤７６に保持固定し該薄板
ワークＷのＡ面をさらに精平面研削する工程（Ｈ）。
７２を用いてこのＢ面を精平面研削された薄板ワークＷ
を反転しそのＢ面を硬質吸着盤７６に保持固定し該薄板
ワークＷのＡ面をさらに精平面研削する工程（Ｈ）。
【００４７】図５に示した薄板ワーク平面研削方法は次
の〜の工程から構成されている。
の〜の工程から構成されている。
【００４８】図１又は図８及び図９に図示した平面研
削装置１６，４０を用いて薄板ワークＷ、例えばワイヤ
ーソーや内周刃切断直後のウェーハ（アズカットウェー
ハ）のＡ面（一面）を粗平面研削し、そり若しくはうね
りのない基準面Ｘを創生する工程（Ｅ）。
削装置１６，４０を用いて薄板ワークＷ、例えばワイヤ
ーソーや内周刃切断直後のウェーハ（アズカットウェー
ハ）のＡ面（一面）を粗平面研削し、そり若しくはうね
りのない基準面Ｘを創生する工程（Ｅ）。
【００４９】例えば、図１０及び図１１に示した硬質
吸着盤７６を具備した平面研削装置７２を用いてこのＡ
面を粗平面研削された薄板ワークＷを反転しそのＡ面を
硬質吸着盤７６に保持固定し該薄板ワークＷのＢ面（他
面）を粗平面研削する工程（Ｆ）。
吸着盤７６を具備した平面研削装置７２を用いてこのＡ
面を粗平面研削された薄板ワークＷを反転しそのＡ面を
硬質吸着盤７６に保持固定し該薄板ワークＷのＢ面（他
面）を粗平面研削する工程（Ｆ）。
【００５０】硬質吸着盤７６を具備した平面研削装置
７２を用いこのＢ面を粗平面研削された薄板ワークＷを
反転しそのＢ面を硬質吸着盤７６に保持固定し該薄板ワ
ークＷのＡ面を精平面研削する工程（Ｊ）。
７２を用いこのＢ面を粗平面研削された薄板ワークＷを
反転しそのＢ面を硬質吸着盤７６に保持固定し該薄板ワ
ークＷのＡ面を精平面研削する工程（Ｊ）。
【００５１】硬質吸着盤７６を具備した平面研削装置
７２を用いこの一面を精平面研削された薄板ワークＷを
反転しそのＡ面を硬質吸着盤７６に保持固定し該薄板ワ
ークＷのＢ面を精平面研削する工程（Ｋ）。
７２を用いこの一面を精平面研削された薄板ワークＷを
反転しそのＡ面を硬質吸着盤７６に保持固定し該薄板ワ
ークＷのＢ面を精平面研削する工程（Ｋ）。
【００５２】上記した平面研削の２つの態様において、
工程Ｅ及び工程Ｆによって薄板ワークＷのそり若しくは
うねりを除去し、比較的良好な平坦度の研削薄板ワー
ク、例えば研削ウェーハを得ることができる。工程Ｅ及
び工程Ｆで両面を粗平面研削された薄板ワークＷは、さ
らにＡ面及びＢ面について、工程Ｇ、Ｈ又は工程Ｊ、Ｋ
によって精平面研削が施されることにより所定の高平坦
な薄板ワークＷ、例えばウェーハを得ることができる。
工程Ｅ及び工程Ｆによって薄板ワークＷのそり若しくは
うねりを除去し、比較的良好な平坦度の研削薄板ワー
ク、例えば研削ウェーハを得ることができる。工程Ｅ及
び工程Ｆで両面を粗平面研削された薄板ワークＷは、さ
らにＡ面及びＢ面について、工程Ｇ、Ｈ又は工程Ｊ、Ｋ
によって精平面研削が施されることにより所定の高平坦
な薄板ワークＷ、例えばウェーハを得ることができる。
【００５３】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明する。
に説明する。
【００５４】実施例１ 研削手順：図４に示した工程Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ 研削装置：工程Ｅにおいては、図８及び図９に示した本
発明の平面研削装置において、軟質材料シート６０とし
て発泡ポリスチレンシートの厚さ約０．５ｍｍのものを
用いた研削装置を使用した。工程Ｆ〜Ｈにおいては、図
１０及び図１１に示した従来の平面研削装置を用いた。
いずれの平面研削装置においても、粗研削では＃３２５
ダイヤモンド砥石、精研削では＃２，０００ダイヤモン
ド砥石を用いた。 研削される薄板ワーク：スライス直後のアズカットウェ
ーハ 研削量：５０μｍ／粗研削×２面、３０μｍ／精研削×
２面
発明の平面研削装置において、軟質材料シート６０とし
て発泡ポリスチレンシートの厚さ約０．５ｍｍのものを
用いた研削装置を使用した。工程Ｆ〜Ｈにおいては、図
１０及び図１１に示した従来の平面研削装置を用いた。
いずれの平面研削装置においても、粗研削では＃３２５
ダイヤモンド砥石、精研削では＃２，０００ダイヤモン
ド砥石を用いた。 研削される薄板ワーク：スライス直後のアズカットウェ
ーハ 研削量：５０μｍ／粗研削×２面、３０μｍ／精研削×
２面
【００５５】上記研削条件でサンプルウェーハを平面研
削した。この平面研削されたウェーハについて、魔鏡の
原理による表面粗さ測定装置を用いてその表面形状を調
べた。図６はその表面形状の写真である。ウェーハ表面
のうねり（縦縞）が消去されていることが確認できた。
削した。この平面研削されたウェーハについて、魔鏡の
原理による表面粗さ測定装置を用いてその表面形状を調
べた。図６はその表面形状の写真である。ウェーハ表面
のうねり（縦縞）が消去されていることが確認できた。
【００５６】また、参考の為、平面研削されたウェーハ
についてその研削表面の平坦度（ＴＴＶ:Total Thickne
ss Variation）を測定したところ０．９０μｍであっ
た。その表面平坦度を模式的に図７に示した。
についてその研削表面の平坦度（ＴＴＶ:Total Thickne
ss Variation）を測定したところ０．９０μｍであっ
た。その表面平坦度を模式的に図７に示した。
【００５７】比較例１ 実施例１における工程Ｅの本発明の平面研削装置に代え
て図１０及び図１１に示した従来の平面研削装置を用い
てＡ面粗平面研削を行った以外は実施例１と同様の研削
条件でサンプルウェーハを平面研削した。この平面研削
されたウェーハについて魔鏡の原理による表面粗さ測定
装置を用いてその表面形状を調べた。図１２はその表面
形状の写真である。ウェーハ表面にうねり（縦縞）が存
在することがわかった。
て図１０及び図１１に示した従来の平面研削装置を用い
てＡ面粗平面研削を行った以外は実施例１と同様の研削
条件でサンプルウェーハを平面研削した。この平面研削
されたウェーハについて魔鏡の原理による表面粗さ測定
装置を用いてその表面形状を調べた。図１２はその表面
形状の写真である。ウェーハ表面にうねり（縦縞）が存
在することがわかった。
【００５８】また参考の為、平面研削されたウェーハに
ついてその研削表面の平坦度（ＴＴＶ）を測定したとこ
ろ０．８９μｍであった。その表面平坦度を模式的に図
１３に示した。
ついてその研削表面の平坦度（ＴＴＶ）を測定したとこ
ろ０．８９μｍであった。その表面平坦度を模式的に図
１３に示した。
【００５９】上記した実施例１と比較例１を比較する
と、比較例１に表われていたウェーハのうねり（縦縞）
が消去されていることがわかる。また両者の間には平坦
度の差は無かった。したがって、本発明ではうねり除去
効果があり、かつ平坦度は維持されることが明確となっ
た。
と、比較例１に表われていたウェーハのうねり（縦縞）
が消去されていることがわかる。また両者の間には平坦
度の差は無かった。したがって、本発明ではうねり除去
効果があり、かつ平坦度は維持されることが明確となっ
た。
【００６０】実施例１の結果から、本発明は、スライス
直後のそり若しくはうねり成分を有するアズカットウェ
ーハを原料として、ラッピング或いはラッピング、エッ
チングに代わる研削加工として適用可能であり、特にう
ねり成分の除去と共に高平坦なウェーハを作製できるこ
とが確認された。
直後のそり若しくはうねり成分を有するアズカットウェ
ーハを原料として、ラッピング或いはラッピング、エッ
チングに代わる研削加工として適用可能であり、特にう
ねり成分の除去と共に高平坦なウェーハを作製できるこ
とが確認された。
【００６１】
【発明の効果】以上記載の様に、本発明によれば、設備
投資を全く必要とせず、また平坦度を悪化させる事な
く、そり若しくはうねり成分を有する薄板ワークの、特
に周期１０〜３０ｍｍのうねりを実質的に除去する平坦
度研削が可能となるという大きな効果が達成される。さ
らに、本発明は、特に、アズカットウェーハの平面研削
加工に適用した場合に、従来のラッピングや場合によっ
てはエッチングも不要とする低コストでうねりのない高
品質な半導体ウェーハの製造を可能とするという著大な
効果を奏する。
投資を全く必要とせず、また平坦度を悪化させる事な
く、そり若しくはうねり成分を有する薄板ワークの、特
に周期１０〜３０ｍｍのうねりを実質的に除去する平坦
度研削が可能となるという大きな効果が達成される。さ
らに、本発明は、特に、アズカットウェーハの平面研削
加工に適用した場合に、従来のラッピングや場合によっ
てはエッチングも不要とする低コストでうねりのない高
品質な半導体ウェーハの製造を可能とするという著大な
効果を奏する。
【図１】本発明方法に用いられる平面研削装置の一つの
実施の形態を示す側面説明図である。
実施の形態を示す側面説明図である。
【図２】本発明方法に用いられる平面研削装置における
薄板ワーク軟質吸着盤構造を示す断面的説明図である。
薄板ワーク軟質吸着盤構造を示す断面的説明図である。
【図３】本発明方法に用いられる平面研削装置における
薄板ワーク軟質保持盤構造を示す側面説明図である。
薄板ワーク軟質保持盤構造を示す側面説明図である。
【図４】本発明の平面研削方法の一つの工程例を示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図５】本発明の平面研削方法の他の工程例を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図６】実施例１によって平面研削を行なったウェーハ
の表面形状を示す写真である。
の表面形状を示す写真である。
【図７】実施例１によって平面研削を行なったウェーハ
の平坦度を示す形状図である。
の平坦度を示す形状図である。
【図８】本発明方法の原理をインフィード型平面研削装
置に適用した場合の一例を示す斜視説明図である。
置に適用した場合の一例を示す斜視説明図である。
【図９】図８の側面説明図である。
【図１０】従来の平面研削装置の１例を示す側面説明図
である。
である。
【図１１】従来の平面研削装置におけるウェーハ保持盤
構造を示す断面的説明図である。
構造を示す断面的説明図である。
【図１２】比較例１によって平面研削を行なったウェー
ハの表面形状を示す写真である。
ハの表面形状を示す写真である。
【図１３】比較例１によって平面研削を行なったウェー
ハの平坦度を示す形状図である。
ハの平坦度を示す形状図である。
１２，７２ 平面研削装置 １４，４２，８０ 研削砥石 １６ 軟質保持固定手段 １６ａ 軟質吸着盤 １６ｂ 軟質保持盤 １８，３０ 保持プレート ２０，７４ 貫通孔 ２２ 多孔性硬質盤 ２４，３４，６０ 軟質材料、軟質材料シート ２６ 吸着孔 ２８，７８ 吸引孔 ３２ 硬質盤 ４０ インフィード型平面研削盤 ４４，５２ スピンドル ４６，５０ 回転軸 ４８ 回転テーブル ５４ 吸着盤 ５６ 吸引管 ５８ 真空装置 ７６ 硬質吸着盤 Ｗ 薄板ワーク、ウェーハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 工藤 秀雄 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社 半導体 白河研究所内 (72)発明者 富岡 弘 東京都千代田区丸の内１丁目４番２号 信越半導体株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−61202（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−8088（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−305560（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B24B 7/04
Claims (10)
- 【請求項１】 平面研削手段と、平面研削される薄板ワ
ークを保持固定する保持固定手段と、を有し、該保持固
定手段が軟質保持固定手段である薄板ワーク平面研削装
置を用いて薄板ワークの一面を粗平面研削しそり若しく
はうねりのない基準面を創生する工程と、硬質吸着盤を
具備した平面研削装置を用いこの一面を粗平面研削され
た薄板ワークを反転しその一面を該硬質吸着盤に保持固
定し該薄板ワークの他面を粗平面研削する工程と、硬質
吸着盤を具備した平面研削装置を用いこの他面を粗平面
研削された薄板ワークの一面を硬質吸着盤に保持固定し
該薄板ワークの他面をさらに精平面研削する工程と、硬
質吸着盤を具備した平面研削装置を用いこの他面を精平
面研削された薄板ワークを反転しその他面を硬質吸着盤
に保持固定し該薄板ワークの一面をさらに精平面研削す
る工程とからなることを特徴とする薄板ワーク平面研削
方法。 - 【請求項２】 平面研削手段と、平面研削される薄板ワ
ークを保持固定する保持固定手段と、を有し、該保持固
定手段が軟質保持固定手段である薄板ワーク平面研削装
置を用いて薄板ワークの一面を粗平面研削しそり若しく
はうねりのない基準面を創生する工程と、硬質吸着盤を
具備した平面研削装置を用いこの一面を粗平面研削され
た薄板ワークを反転しその一面を硬質吸着盤に保持固定
し該薄板ワークの他面を粗平面研削する工程と、硬質吸
着盤を具備した平面研削装置を用いこの他面を粗平面研
削された薄板ワークを反転しその他面を硬質吸着盤に保
持固定し該薄板ワークの一面を精平面研削する工程と、
硬質吸着盤を具備した平面研削装置を用いこの一面を精
平面研削された薄板ワークを反転しその一面を硬質吸着
盤に保持固定し該薄板ワークの他面を精平面研削する工
程とからなることを特徴とする薄板ワーク平面研削方
法。 - 【請求項３】 前記軟質保持固定手段の保持面が軟質材
料によって形成されていることを特徴とする請求項１又
は２記載の薄板ワーク平面研削方法。 - 【請求項４】 前記軟質保持固定手段が、薄板ワーク固
定用の吸着孔を開穿した軟質材料シートを上面に貼付し
た薄板ワーク吸着盤であることを特徴と する請求項１〜
３のいずれか１項記載の薄板ワーク平面研削方法。 - 【請求項５】 前記軟質保持固定手段が軟質材料シート
を上面に貼付した薄板ワーク保持盤であることを特徴と
する請求項１〜３のいずれか１項記載の薄板ワーク平面
研削方法。 - 【請求項６】 前記軟質材料シートが、ポリスチレン樹
脂、塩化ビニル樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂及びポリエチレン樹脂からなる群から
選ばれた一種又は二種以上からなる合成樹脂製シートで
あることを特徴とする請求項４記載の薄板ワーク平面研
削方法。 - 【請求項７】 前記軟質材料シートが、ポリスチレン樹
脂、塩化ビニル樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂及びポリエチレン樹脂からなる群から
選ばれた一種又は二種以上からなる厚さ１ｍｍ以下の発
泡樹脂製シートであることを特徴とする請求項５記載の
薄板ワーク平面研削方法。 - 【請求項８】 前記薄板ワーク平面研削装置が、縦軸回
転テーブル型研削盤であることを特徴とする請求項１〜
７のいずれか１項記載の薄板ワーク平面研削方法。 - 【請求項９】 前記薄板ワーク平面研削装置が、カップ
型砥石を用いたインフィード型研削盤であることを特徴
とする請求項１〜７のいずれか１項記載の薄板ワーク平
面研削方法。 - 【請求項１０】 前記薄板ワークが、半導体ウェーハ又
は石英ウェーハであることを特徴とする請求項１〜９の
いずれか１項記載の薄板ワーク平面研削方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35699996A JP3348429B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 薄板ワーク平面研削方法 |
| US08/996,190 US6050880A (en) | 1996-12-26 | 1997-12-22 | Surface grinding device and method of surface grinding a thin-plate workpiece |
| DE69715798T DE69715798T2 (de) | 1996-12-26 | 1997-12-22 | Oberflächen-Schleifvorrichtung und Verfahren zum oberflächlichen Schleifen eines dünn-flächigen Werkstückes |
| EP97310438A EP0850724B1 (en) | 1996-12-26 | 1997-12-22 | Surface grinding device and method of surface-grinding a thin-plate workpiece |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35699996A JP3348429B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 薄板ワーク平面研削方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10180599A JPH10180599A (ja) | 1998-07-07 |
| JP3348429B2 true JP3348429B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=18451859
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35699996A Expired - Fee Related JP3348429B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 薄板ワーク平面研削方法 |
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|---|---|
| US (1) | US6050880A (ja) |
| EP (1) | EP0850724B1 (ja) |
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| DE (1) | DE69715798T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH11138429A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-25 | Sony Corp | 研磨装置 |
| SG119138A1 (en) * | 1998-04-28 | 2006-02-28 | Ebara Corp | Abrading plate and polishing method using the same |
| DE10081456T1 (de) * | 1999-05-17 | 2001-09-27 | Kashiwara Machine Mfg | Vefahren und Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren |
| JP2002158498A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-05-31 | Nec Kagoshima Ltd | フレキシブルプリント基板の保持ステ−ジ |
| US6672943B2 (en) | 2001-01-26 | 2004-01-06 | Wafer Solutions, Inc. | Eccentric abrasive wheel for wafer processing |
| US6443817B1 (en) * | 2001-02-06 | 2002-09-03 | Mccarter Technology, Inc. | Method of finishing a silicon part |
| US6632012B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-10-14 | Wafer Solutions, Inc. | Mixing manifold for multiple inlet chemistry fluids |
| US6835118B2 (en) * | 2001-12-14 | 2004-12-28 | Oriol, Inc. | Rigid plate assembly with polishing pad and method of using |
| US7018268B2 (en) * | 2002-04-09 | 2006-03-28 | Strasbaugh | Protection of work piece during surface processing |
| JP4715081B2 (ja) * | 2003-08-12 | 2011-07-06 | コニカミノルタオプト株式会社 | 加工機 |
| JP2006303329A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | シリコン基板の薄板加工方法およびそれに用いられる加工装置 |
| JP5393039B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2014-01-22 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
| KR101004432B1 (ko) * | 2008-06-10 | 2010-12-28 | 세메스 주식회사 | 매엽식 기판 처리 장치 |
| JP6111893B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2017-04-12 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの加工プロセス |
| CN103707147B (zh) * | 2013-12-18 | 2016-04-06 | 上海现代先进超精密制造中心有限公司 | 碳化硅超硬材料高精度大平面的加工方法 |
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