JPS62162455A - ウエハ研削方法 - Google Patents
ウエハ研削方法Info
- Publication number
- JPS62162455A JPS62162455A JP61130167A JP13016786A JPS62162455A JP S62162455 A JPS62162455 A JP S62162455A JP 61130167 A JP61130167 A JP 61130167A JP 13016786 A JP13016786 A JP 13016786A JP S62162455 A JPS62162455 A JP S62162455A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- porous member
- grinding
- film
- fixing table
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
- B28D5/0094—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being of the vacuum type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば半導体ウェハを研削するに好適な改良
されたウェハ研削方法に関する。
されたウェハ研削方法に関する。
従来、半導体ウェハの如き非磁性体ウェハを研削するに
あたっては、第1図又は第2図に示すようなウェハ固定
方法が採られていた。すなわち、第1図の方式は、磁性
体からなるウェハ固着台4にワックス等の接着材3によ
りウェハ2を接着固定した後、ウェハ固着台4を電磁チ
ャック5に吸着し回転砥石lで所定の研削を行うもので
あり、また、第2図の方式は、チャック基盤8に複数の
通気孔9を有する固着台6を止めネジ7で固定し、固着
台6にウェハ2を装着したのち通気孔9.10を介して
真空引きして固定するものである。
あたっては、第1図又は第2図に示すようなウェハ固定
方法が採られていた。すなわち、第1図の方式は、磁性
体からなるウェハ固着台4にワックス等の接着材3によ
りウェハ2を接着固定した後、ウェハ固着台4を電磁チ
ャック5に吸着し回転砥石lで所定の研削を行うもので
あり、また、第2図の方式は、チャック基盤8に複数の
通気孔9を有する固着台6を止めネジ7で固定し、固着
台6にウェハ2を装着したのち通気孔9.10を介して
真空引きして固定するものである。
ところが、上記した従来技術には次のような問題点があ
る。すなわち、いずれの方式もウェハ固着台には剛性を
保つために十分に硬い材料が使用されており、このよう
な固着台にウェハが直接取付けられるために研削時の砥
石の振動による衝撃あるいは砥粒のたたきによる衝撃な
どによってウェハに大きな衝撃力を生じ、ウェハの変質
や割れが発生しやすい欠点がある。そして、ウェハ固着
台が硬い材質であるため、ウェハを着脱する際にウェハ
と固着台とがこすれ、ウェハ而に傷がつき、ウェハ内の
半導体素子の電気的特性を損うおそれもある。
る。すなわち、いずれの方式もウェハ固着台には剛性を
保つために十分に硬い材料が使用されており、このよう
な固着台にウェハが直接取付けられるために研削時の砥
石の振動による衝撃あるいは砥粒のたたきによる衝撃な
どによってウェハに大きな衝撃力を生じ、ウェハの変質
や割れが発生しやすい欠点がある。そして、ウェハ固着
台が硬い材質であるため、ウェハを着脱する際にウェハ
と固着台とがこすれ、ウェハ而に傷がつき、ウェハ内の
半導体素子の電気的特性を損うおそれもある。
従って、本発明の基本的な目的は、ウェハ研削の際の振
動や砥粒のたたきなどの衝撃力を緩和してウェハの良好
な研削を行うと共に、ウェハ着脱時のこすりによる傷を
防止しウェハ表面の保護を行うことである。
動や砥粒のたたきなどの衝撃力を緩和してウェハの良好
な研削を行うと共に、ウェハ着脱時のこすりによる傷を
防止しウェハ表面の保護を行うことである。
本発明の他の目的は、安価に得られるウェハ固着合を用
いて、ウェハを確実に固着しながらウェハ研削を行なう
ことにある。上記目的のすべてを満足するための本発明
の構成は、固着台上に固定したウェハを砥石により研削
するにあたり、ウェハ吸着可能なように多孔質部材より
なる固着台に対し、可撓性薄膜を介してウェハを置き、
そのウェハを固着台に吸着させながら研削することを特
徴とするウェハ研削方法にある。
いて、ウェハを確実に固着しながらウェハ研削を行なう
ことにある。上記目的のすべてを満足するための本発明
の構成は、固着台上に固定したウェハを砥石により研削
するにあたり、ウェハ吸着可能なように多孔質部材より
なる固着台に対し、可撓性薄膜を介してウェハを置き、
そのウェハを固着台に吸着させながら研削することを特
徴とするウェハ研削方法にある。
次に、本発明の実施例を添付図面について説明する。
第3図は、本発明の一実施例を示すもので、まずチャッ
ク基盤8に固着台6を止めネジ7で固定される。
ク基盤8に固着台6を止めネジ7で固定される。
この固定台6はウェハ吸着可能なように複数の通気孔を
有する部材すなイつちセラミックあるいは焼結金属など
の多孔質部材9を有している。この多孔質部材9の表面
に対して、可撓性薄膜すなわち弾性薄膜が貼りつけられ
たウェハを載置する。
有する部材すなイつちセラミックあるいは焼結金属など
の多孔質部材9を有している。この多孔質部材9の表面
に対して、可撓性薄膜すなわち弾性薄膜が貼りつけられ
たウェハを載置する。
なおこの可↑艷性薄膜にはスリットが設けられていない
。
。
しかる後、多孔質部材9を通して真空引きして薄膜11
ともどもウェハ2を吸着保持し、回転砥石1で研削を行
う。
ともどもウェハ2を吸着保持し、回転砥石1で研削を行
う。
上記のウェハ研削方法によれば、ウェハ保持部としての
剛性はチャック基盤2と固着台6で十分保持し、研削時
の振動や砥粒のたたきなどの衝撃力は薄膜11のクッシ
ョン作用で、吸収緩和することにより良好な研削が行え
る。また、固着台6とウェハ2との間に薄膜11がある
ためウェハ2の表面に傷を付ける恐れがない。
剛性はチャック基盤2と固着台6で十分保持し、研削時
の振動や砥粒のたたきなどの衝撃力は薄膜11のクッシ
ョン作用で、吸収緩和することにより良好な研削が行え
る。また、固着台6とウェハ2との間に薄膜11がある
ためウェハ2の表面に傷を付ける恐れがない。
また、ウェハ吸着のために、極めて細かく複数の孔を有
する多孔質部材を用いており、ウェハ全体を均一に吸着
でき、その吸着力も大きい。そして、その多孔質部材は
セラミックなどのように焼結によって容易に得られるも
のである。つまり、あえて複数の孔を精密にあけるとい
う作業が不要である。
する多孔質部材を用いており、ウェハ全体を均一に吸着
でき、その吸着力も大きい。そして、その多孔質部材は
セラミックなどのように焼結によって容易に得られるも
のである。つまり、あえて複数の孔を精密にあけるとい
う作業が不要である。
したがって、ウェハ固着台は安価に得られる。
第1図及び第2図は従来のウェハ研削装置の断面図、第
3図は本発明の一実施例によるウェハ研削装置の断面図
である。 I・・・回転砥石、 2・・・ウェハ、 3・・・接着
材、4゜6・・・固着台、5・・・電磁チャック、7・
・・止めネジ、8・・・チャック基盤、9・・・多孔質
部材、11・・・可視性薄膜。 第 1 図 第 2 図
3図は本発明の一実施例によるウェハ研削装置の断面図
である。 I・・・回転砥石、 2・・・ウェハ、 3・・・接着
材、4゜6・・・固着台、5・・・電磁チャック、7・
・・止めネジ、8・・・チャック基盤、9・・・多孔質
部材、11・・・可視性薄膜。 第 1 図 第 2 図
Claims (1)
- 1、固着台上に固定したウェハを砥石により研削するに
あたり、ウェハ吸着可能なように多孔質部材よりなる固
着台に対し、可撓性薄膜を介してウェハを置き、そのウ
ェハを固着台に吸着させながら研削することを特徴とす
るウェハ研削方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61130167A JPS62162455A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | ウエハ研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61130167A JPS62162455A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | ウエハ研削方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14420078A Division JPS5571026A (en) | 1978-11-24 | 1978-11-24 | Method and apparatus for grinding wafer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62162455A true JPS62162455A (ja) | 1987-07-18 |
Family
ID=15027619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61130167A Pending JPS62162455A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | ウエハ研削方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62162455A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03278434A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-10 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体ウェーハの研磨用ホルダー |
EP0850724A1 (en) * | 1996-12-26 | 1998-07-01 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Surface grinding device and method of surface-grinding a thin-plate workpiece |
JP2001138228A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 吸着板及びその吸着板を備えた研削装置 |
JP2006231482A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Kyocera Kinseki Corp | 研磨定盤とそれを用いた表面研磨方法 |
JP2021137890A (ja) * | 2020-03-03 | 2021-09-16 | 株式会社常盤製作所 | ワークの研削方法及びワークの固定治具 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52155494A (en) * | 1976-06-21 | 1977-12-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Process for w orking parallel plane of wafer |
JPS5342458U (ja) * | 1976-09-16 | 1978-04-12 |
-
1986
- 1986-06-06 JP JP61130167A patent/JPS62162455A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52155494A (en) * | 1976-06-21 | 1977-12-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Process for w orking parallel plane of wafer |
JPS5342458U (ja) * | 1976-09-16 | 1978-04-12 |
Cited By (6)
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US6050880A (en) * | 1996-12-26 | 2000-04-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Surface grinding device and method of surface grinding a thin-plate workpiece |
JP2001138228A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 吸着板及びその吸着板を備えた研削装置 |
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