JP2008114350A - 乾式研磨装置 - Google Patents
乾式研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008114350A JP2008114350A JP2006301856A JP2006301856A JP2008114350A JP 2008114350 A JP2008114350 A JP 2008114350A JP 2006301856 A JP2006301856 A JP 2006301856A JP 2006301856 A JP2006301856 A JP 2006301856A JP 2008114350 A JP2008114350 A JP 2008114350A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- wafer
- dry
- holding
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 117
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 9
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims description 8
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 70
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 3
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002174 Styrene-butadiene Substances 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【解決手段】研磨パッド52によってウェーハ1の被加工面を乾式研磨すると、両者の摩擦によって静電気が発生する。研磨パッドの除電部52Rは、ウェーハ1に常に接触しているから、発生した静電気は除電部52Rを介してフレーム51に流れ、フレーム51からモータのスピンドルシャフト22等を伝わって接地電流として放散される。
【選択図】図3
Description
[1]半導体ウエーハ
図1の符号1は、一実施形態の乾式研磨装置によって裏面が研磨される円板状の半導体ウエーハ(以下ウエーハと略称)を示している。このウエーハ1はシリコンウエーハ等であって、研削工程によって裏面が例えば600〜700μmから100μm以下の厚みに加工されたものである。ウエーハ1の表面には、格子状の分割予定ライン2によって複数の矩形状の半導体チップ3が区画されており、これら半導体チップ3の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。
図2は、一実施形態の乾式研磨装置を示している。この乾式研磨装置10は、直方体状の基台11を備えている。この基台11の長手方向一端部には、基台11の水平な上面に対して垂直に立設された壁部12が一体に形成されている。図2では、基台11の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれY方向、X方向およびZ方向で示している。基台11上は、長手方向のほぼ中間部分から壁部12側がウェーハ1を加工する加工エリア11Aとされ、この反対側が、加工エリア11Aに加工前のウェーハ1を供給し、かつ、加工後のウェーハ1を回収する着脱エリア11Bとされている。
以下、加工エリア11Aと着脱エリア11Bについて説明する。
図2に示すように、加工エリア11Aには矩形状のピット13が形成されている。このピット13内には、テーブルベース(移動手段)14を介して真空チャック式の円盤状のチャックテーブル(保持手段)15がY方向に移動自在に設けられている。テーブルベース14は、ピット13内に配されたY方向に延びるガイドレールに摺動自在に設けられており、適宜な駆動機構(いずれも図示略)によって同方向を往復動させられる。また、チャックテーブル15は、アルミナやシリコンカーバイトなどで構成され、ウェーハ1との電気的絶縁性が確保されて半導体チップ3への通電が防止されている。
図2に示すように、着脱エリア11Bの中央には矩形状のピット18が形成されており、このピット18の底部には、上下移動する2節リンク式の移送ロボット60が設置されている。そしてこの移送ロボット60の周囲には、上から見た状態で反時計回りに、供給カセット61、位置合わせ台62、旋回アーム式の供給アーム63、供給アーム63と同じ構造の回収アーム64、スピンナ式の洗浄装置65、回収カセット66が、それぞれ配置されている。
次に、乾式研磨装置10を用いて薄板状のウェーハ1を乾式研磨する方法を説明する。まず、供給カセット61内に、多数のウェーハ1を収容する。そのうちの1枚のウェーハ1が、移送ロボット60によって位置合わせ台62に移され、位置決めされる。続いて供給アーム63によって、着脱位置で待機し、かつ真空運転されているチャックテーブル15上に、研磨を施すべき被加工面を上に向けて露出させられたウェーハ1が載置される。ウェーハ1は、チャックテーブル15の上面に吸着して保持される。チャックテーブル15の吸着エリアは、ウェーハ1の形状に応じた形状に設定されることが望ましい。なお、この実施形態のチャックテーブル15は真空チャック式であるが、被加工面を露出した状態でウェーハ1を保持できる形式であれば、チャック方式はいかなる形式であってもよい。
上記のようにして、研磨パッド52によってウェーハ1の被加工面を乾式研磨すると、両者の摩擦によって静電気が発生する。この場合において、図3に示すように、研磨パッドの除電部52Rは、ウェーハ1に常に接触しているから、発生した静電気は除電部52Rを介してフレーム51に流れ、フレーム51からスピンドルシャフト22等を伝わって接地電流として放散される。ここで、スピンドルシャフト22はスピンドルハウジング21内にエアーベアリング機構によって浮上した状態で支持されているが、静電気は導通することができる。すなわち、エアーベアリング機構のスラストベアリングの表面には、焼付きを防止するためにカーボン板などが埋め込まれ、しかも、スラストベアリングのクリアランスは極めて僅かである。そして、導電性が良く隙間が極小であるため、静電気は容易に導通することができ、乾式研磨装置10の各部を導通して放散される。したがって、帯電した静電気がウェーハ1の半導体チップ3に通電することによって生じる半導体チップ3の破壊等の発生を未然に防止することができる。
除電部52Rは、上記実施形態のものに限らず種々の変更が可能である。たとえば、図5に示すように、除電部52Rを研磨パッド52の中央部から放射状に延在するように構成することができる。また、除電部52Rは、図4および図5に示すような塊状のものに限らず、図6に示すような面状体(平面視で線状)で構成することができる。図6に示す例では、円筒状の除電部52Rと、これを横切って内周縁から外周円まで延在する板状の除電部52Rを備えている。また、除電部52Rは、乾式研磨中にウェーハ1に必ずしも常時接触している必要はなく、間欠的にウェーハ1に接触するように配置されていても良い。
10…乾式研磨装置
14…テーブルベース(移動手段)
15…チャックテーブル(保持手段)
33…送り機構(送り手段)
50…研磨工具(研磨手段)
52…研磨パッド(研磨砥石)
52P…研磨部
52R…除電部
Claims (3)
- 半導体ウェーハを乾式研磨するための乾式研磨装置であって、
前記半導体ウェーハを回転可能に吸着保持する保持手段と、
研磨砥粒と導電性材料とを含む研磨砥石を回転可能に保持する研磨手段と、
前記研磨手段を前記保持手段の保持面に対して垂直方向に接近離間可能とする送り手段と、
前記保持手段と前記研磨手段を前記保持手段の保持面に平行な方向に相対的に接近離間させる移動手段とを具備し、
前記半導体ウェーハに発生する静電気を、前記導電性材料を介して除電することを特徴とする乾式研磨装置。 - 前記導電性材料が炭素または炭素繊維である請求項1に記載の研磨装置。
- 前記研磨砥石の前記半導体ウェーハ側を向く表面において、前記研磨砥粒を含む研磨部に前記導電性材料を含む除電部が散在していることを特徴とする請求項1または2に記載の乾式研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006301856A JP4937700B2 (ja) | 2006-11-07 | 2006-11-07 | 乾式研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006301856A JP4937700B2 (ja) | 2006-11-07 | 2006-11-07 | 乾式研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008114350A true JP2008114350A (ja) | 2008-05-22 |
JP4937700B2 JP4937700B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=39500744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006301856A Active JP4937700B2 (ja) | 2006-11-07 | 2006-11-07 | 乾式研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4937700B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2329917A1 (de) * | 2009-12-07 | 2011-06-08 | Robert Bosch GmbH | Elektrisch leitfähiges Schleifwerkzeug |
JP2011162364A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | サファイア基板の加工方法 |
JP2018075663A (ja) * | 2016-11-09 | 2018-05-17 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
CN111515836A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-11 | 福建品家竹品科技有限公司 | 一种空竹打磨除静电一体设备 |
JP2021114501A (ja) * | 2020-01-16 | 2021-08-05 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
KR20220053348A (ko) * | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치 |
DE102022205697A1 (de) | 2021-06-14 | 2022-12-15 | Disco Corporation | Polierwerkzeug |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58171264A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-07 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 導電性研磨用部材 |
JPH03188187A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-08-16 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 研磨用品及びその製法 |
JPH07328934A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-19 | Kanaya Brush Sangyo Kk | 回転ブラシ |
JP2003326459A (ja) * | 2002-05-08 | 2003-11-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨方法 |
JP2004299030A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Misuzu Kogyo:Kk | 電解砥粒研磨用研磨工具 |
-
2006
- 2006-11-07 JP JP2006301856A patent/JP4937700B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58171264A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-07 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 導電性研磨用部材 |
JPH03188187A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-08-16 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 研磨用品及びその製法 |
JPH07328934A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-19 | Kanaya Brush Sangyo Kk | 回転ブラシ |
JP2003326459A (ja) * | 2002-05-08 | 2003-11-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨方法 |
JP2004299030A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Misuzu Kogyo:Kk | 電解砥粒研磨用研磨工具 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2329917A1 (de) * | 2009-12-07 | 2011-06-08 | Robert Bosch GmbH | Elektrisch leitfähiges Schleifwerkzeug |
JP2011162364A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | サファイア基板の加工方法 |
JP2018075663A (ja) * | 2016-11-09 | 2018-05-17 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP2021114501A (ja) * | 2020-01-16 | 2021-08-05 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7408237B2 (ja) | 2020-01-16 | 2024-01-05 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
CN111515836A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-11 | 福建品家竹品科技有限公司 | 一种空竹打磨除静电一体设备 |
KR20220053348A (ko) * | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치 |
KR102456919B1 (ko) | 2020-10-22 | 2022-10-20 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치 |
DE102022205697A1 (de) | 2021-06-14 | 2022-12-15 | Disco Corporation | Polierwerkzeug |
US20220395957A1 (en) * | 2021-06-14 | 2022-12-15 | Disco Corporation | Polishing tool |
KR20220167760A (ko) | 2021-06-14 | 2022-12-21 | 가부시기가이샤 디스코 | 연마 공구 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4937700B2 (ja) | 2012-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4937700B2 (ja) | 乾式研磨装置 | |
JP2009004406A (ja) | 基板の加工方法 | |
JP4895671B2 (ja) | 加工装置 | |
KR101825751B1 (ko) | 가공 방법 | |
JP5773660B2 (ja) | 樹脂剥がし装置および研削加工装置 | |
JP5137747B2 (ja) | ワーク保持機構 | |
JP2008155292A (ja) | 基板の加工方法および加工装置 | |
JP2011042003A (ja) | 保持テーブルおよび研削装置 | |
JP2006216895A (ja) | 半導体ウエーハの研磨装置 | |
JP4871617B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2009160700A (ja) | 研磨装置 | |
JP2008006540A (ja) | 研磨加工方法 | |
JP4913484B2 (ja) | 半導体ウエーハの研磨加工方法 | |
TW202009100A (zh) | 研磨墊 | |
JP2008098574A (ja) | ウエーハの研磨装置 | |
JP4476866B2 (ja) | ウエーハの保持方法 | |
JP6425505B2 (ja) | 被加工物の研削方法 | |
JP5523230B2 (ja) | 研削装置 | |
JP2009141122A (ja) | ウェーハ加工装置 | |
JP2010162665A (ja) | 加工装置 | |
JP4927634B2 (ja) | 移送装置 | |
JP2008130808A (ja) | 研削加工方法 | |
JP5907797B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6037685B2 (ja) | 研削装置 | |
JP2008117844A (ja) | ウエーハの搬送方法および加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120214 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120222 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4937700 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |