JP2011162364A - サファイア基板の加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サファイアインゴットから切り出され表面および裏面が加工されてうねりが除去されるとともに均一な厚みに形成され表面に光デバイス層が積層されるサファイア基板の加工方法であって、サファイア基板の裏面側を研磨装置のチャックテーブルに保持し、サファイア基板の表面をシリカ粒子をゴム材で固めて構成した研磨パッドによって乾式研磨し、面粗さを0.01μm以下に仕上げる。
【選択図】図3
Description
サファイア基板の裏面側を研磨装置のチャックテーブルに保持し、サファイア基板の表面をシリカ粒子をゴム材で固めて構成した研磨パッドによって乾式研磨し、面粗さを0.01μm以下に仕上げる、
ことを特徴とするサファイア基板の加工方法が提供される。
図1には、本発明によるサファイア基板の加工方法によって加工されるサファイア基板の斜視図が示されている。図1に示すサファイア基板2は、サファイアインゴットから切り出された後、表面2aおよび裏面2bがラッピング、ポリッシング等の加工が施されてうねりが除去されるとともに均一な厚み(例えば、400μm)に形成されている。このように形成されたサファイア基板2の表面2aにn型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層からなる光デバイス層を積層して形成するためには、表面2aの面粗さを0.01μm以下の平滑面に仕上げる必要がある。
図2には、本発明によるサファイア基板の加工方法を実施するための研磨装置の要部斜視図が示されている。図2に示す研磨装置3は、被加工物を保持するチャックテーブル31と、該チャックテーブル31に保持された被加工物を研磨する研磨手段32を具備している。チャックテーブル31は、上面に被加工物を吸引保持し図2において矢印31aで示す方向に回転せしめられる。研磨手段32は、スピンドルハウジング321と、該スピンドルハウジング321に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル322と、該回転スピンドル322の下端に装着されたマウンター323と、該マウンター323の下面に取り付けられた研磨工具324とを具備している。この研磨工具324は、円板状の基台325と、該基台325の下面に装着された研磨パッド326とからなっており、基台325がマウンター323の下面に締結ボルト327によって取り付けられている。なお、研磨パッド326は、シリカ粒子をゴム材で固めて構成した研磨パッドを用いることが重要である。この研磨パッド326は、例えば粒径が50μm以下のシリカ(SiO2)粒子と粒径が500μm以下のニトリルゴム(NBR)粒子を重量比で95〜70:5〜30の割合で混合し、このシリカ(SiO2)粒子とニトリルゴム(NBR)粒子との混合物を200〜1200N/cm2の成型圧力で圧縮成型した状態で、150〜190℃の焼結温度で4〜10時間焼結することによって形成すことができる。また、研磨パッド326は、直径が被加工物としてのサファイア基板2の直径より大きい値に形成されている。
3:研磨装置
31:研磨装置のチャックテーブル
32:研磨手段
324:研磨工具
326:研磨パッド
4:保護テープ
Claims (2)
- サファイアインゴットから切り出され表面および裏面が加工されてうねりが除去されるとともに均一な厚みに形成され表面に光デバイス層が積層されるサファイア基板の加工方法であって、
サファイア基板の裏面側を研磨装置のチャックテーブルに保持し、サファイア基板の表面をシリカ粒子をゴム材で固めて構成した研磨パッドによって乾式研磨し、面粗さを0.01μm以下に仕上げる、
ことを特徴とするサファイア基板の加工方法。 - サファイア基板の表面側を研磨装置のチャックテーブルに保持し、サファイア基板の裏面を該研磨パッドによって乾式研磨し、加工歪を除去する、請求項1記載のサファイア基板の加工方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104403574A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-03-11 | 河北工业大学 | 蓝宝石衬底材料的复合磨料抛光液及其循环使用方法 |
CN114800220A (zh) * | 2022-04-20 | 2022-07-29 | 江西耀驰科技有限公司 | 二氧化硅膜层的抛光方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11235659A (ja) * | 1998-02-18 | 1999-08-31 | Ricoh Co Ltd | 摩擦によって誘起される化学的除去加工方法およびその加工装置 |
JPH11347952A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用樹脂砥石及びその製造方法 |
JP2002355749A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-10 | Sumitomo Metal Ind Ltd | スタンパ用基板の製造方法及びNi圧延板の研磨方法 |
JP2003165042A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-10 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 基板用乾式研磨装置および基板の乾式研磨方法 |
JP2003245847A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-02 | Kyocera Corp | サファイアウエハーの加工方法及び電子装置の製造方法 |
JP2006297847A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Nippei Toyama Corp | 半導体ウエーハの製造方法およびワークのスライス方法ならびにそれらに用いられるワイヤソー |
JP2007506280A (ja) * | 2003-09-19 | 2007-03-15 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 引っ込んだ窓を有する研磨パッド |
JP2007088193A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | サファイア基板およびその製造方法 |
JP2008044078A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | サファイア基板の研磨方法 |
JP2008114350A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 乾式研磨装置 |
JP2010010705A (ja) * | 2008-02-27 | 2010-01-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物半導体ウエハー及び窒化物半導体デバイスの製造方法並びに窒化物半導体デバイス |
-
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11235659A (ja) * | 1998-02-18 | 1999-08-31 | Ricoh Co Ltd | 摩擦によって誘起される化学的除去加工方法およびその加工装置 |
JPH11347952A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用樹脂砥石及びその製造方法 |
JP2002355749A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-10 | Sumitomo Metal Ind Ltd | スタンパ用基板の製造方法及びNi圧延板の研磨方法 |
JP2003165042A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-10 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 基板用乾式研磨装置および基板の乾式研磨方法 |
JP2003245847A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-02 | Kyocera Corp | サファイアウエハーの加工方法及び電子装置の製造方法 |
JP2007506280A (ja) * | 2003-09-19 | 2007-03-15 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 引っ込んだ窓を有する研磨パッド |
JP2006297847A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Nippei Toyama Corp | 半導体ウエーハの製造方法およびワークのスライス方法ならびにそれらに用いられるワイヤソー |
JP2007088193A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | サファイア基板およびその製造方法 |
JP2008044078A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | サファイア基板の研磨方法 |
JP2008114350A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 乾式研磨装置 |
JP2010010705A (ja) * | 2008-02-27 | 2010-01-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物半導体ウエハー及び窒化物半導体デバイスの製造方法並びに窒化物半導体デバイス |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104403574A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-03-11 | 河北工业大学 | 蓝宝石衬底材料的复合磨料抛光液及其循环使用方法 |
CN114800220A (zh) * | 2022-04-20 | 2022-07-29 | 江西耀驰科技有限公司 | 二氧化硅膜层的抛光方法 |
CN114800220B (zh) * | 2022-04-20 | 2024-01-26 | 江西耀驰科技有限公司 | 二氧化硅膜层的抛光方法 |
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