JP5592117B2 - サファイア基板の研磨工具 - Google Patents
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基台と、該基台の下面に装着される研磨パッドとからなり、
該研磨パッドは、粒径が50μm以下のシリカ(SiO 2 )粒子と粒径が500μm以下のゴム粒子を重量比で95〜70:5〜30の割合で混合した混合物を焼結して形成されている、
ことを特徴とするサファイア基板の研磨工具が提供される。
図1には、本発明によるサファイア基板の研磨工具を装備した研磨装置の斜視図が示されている。図1に示す研磨装置2は、全体を番号20で示す装置ハウジングを具備している。この装置ハウジング20は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図1において右上端)に設けられ上方に延びる直立壁22とを有している。直立壁22の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール221、221が設けられている。この一対の案内レール221、221に研磨手段としての研磨ユニット3が上下方向に移動可能に装着されている。
図4には、サファイア基板の斜視図が示されている。図4に示すサファイア基板10は、サファイアインゴットから切り出された後、表面10aおよび裏面10bがラッピング、ポリッシング等の加工が施されてうねりが除去されるとともに均一な厚み(例えば、400μm)に形成されている。このように形成されたサファイア基板10の表面10aにn型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層からなる光デバイス層を積層して形成するためには、表面10aの面粗さを0.01μm以下の平滑面に仕上げる必要がある。
20:装置ハウジング
3:研磨ユニット
31:移動基台
4:研磨ユニットのスピンドルユニット
41:スピンドルハウジング
415:プレート収容室
42:回転スピンドル
44:マウンター
45:研磨工具
46:基台
47:研磨パッド
5:研磨送り手段
6:チャックテーブル機構
61:チャックテーブル
10:サファイア基板
11:保護テープ
Claims (1)
- 光デバイス層が積層されるサファイア基板を平滑に加工するためのサファイア基板の研磨工具であって、
基台と、該基台の下面に装着される研磨パッドとからなり、
該研磨パッドは、粒径が50μm以下のシリカ(SiO 2 )粒子と粒径が500μm以下のゴム粒子を重量比で95〜70:5〜30の割合で混合した混合物を焼結して形成されている、
ことを特徴とするサファイア基板の研磨工具。
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JP2010022767A JP5592117B2 (ja) | 2010-02-04 | 2010-02-04 | サファイア基板の研磨工具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010022767A JP5592117B2 (ja) | 2010-02-04 | 2010-02-04 | サファイア基板の研磨工具 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2011156648A JP2011156648A (ja) | 2011-08-18 |
JP5592117B2 true JP5592117B2 (ja) | 2014-09-17 |
Family
ID=44589075
Family Applications (1)
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JP2010022767A Active JP5592117B2 (ja) | 2010-02-04 | 2010-02-04 | サファイア基板の研磨工具 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP5592117B2 (ja) |
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JP2000190232A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-07-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用樹脂砥石、その製造方法、半導体ウエハの研磨方法、半導体素子および半導体装置 |
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CA2781723C (en) * | 2009-12-11 | 2015-04-28 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Abrasive article for use with a grinding wheel |
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