JP5508120B2 - 硬質基板の加工方法 - Google Patents

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Description

本発明は、光デバイスウエーハ等の基板となるサファイア基板等の硬質基板の加工方法に関する。
光デバイス製造工程においては、略円板形状であるサファイア基板や炭化珪素基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体からなる光デバイス層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスを形成して光デバイスウエーハを構成する。そして、光デバイスウエーハをストリートに沿って切断することにより光デバイスが形成された領域を分割して個々の光デバイスを製造している。
サファイア基板や炭化珪素基板等の硬質基板の表面に形成される光デバイス層は、n型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層からなり、エピタキシャル法、CVD法等の気層成長技術によって積層して形成される。(例えば、特許文献1参照。)
特許第2859478号
而して、サファイア基板や炭化珪素基板等の硬質基板の表面に光デバイス層を積層する工程において、硬質基板は光デバイス層が積層された側に凸状に湾曲する。このため、硬質基板の表面に光デバイス層が積層して形成された光デバイスウエーハは光デバイス層が形成された表面側が凸状に湾曲した状態で後工程に送られるため、その後の作業に支障を来たすという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、硬質基板の表面に光デバイス層が積層された状態で、光デバイス層の表面が平坦となるように硬質基板を加工する硬質基板の加工方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を研削するための環状の研削砥石を備えた研削ホイールおよび該研削ホイールを回転駆動するための駆動源を備えた研削手段と、該研削手段を該チャックテーブルの保持面に対して進退せしめる研削送り手段とを具備し、該研削砥石は被加工物の直径より大きい外径を有している研削装置によって、該チャックテーブルを回転し該研削ホイールを回転しつつ研削送りして該チャックテーブルの保持面に保持された硬質基板を研削加工する硬質基板の加工方法であって、
チャックテーブルに保持された硬質基板の回転中心を環状の研削砥石が通過するとともに硬質基板の回転中心から研削が開始され徐々に同心円状の研削が外周に広がるようにチャックテーブルと研削ホイールとの位置関係をセットする工程と、
研削ホイールを回転するとともにチャックテーブルに保持された硬質基板の回転中心に研削砥石を接触させ硬質基板の回転中心から研削が開始され徐々に同心円状の研削が外周に広がるように研削ホイールを研削送りし、硬質基板の上面を回転中心から外周に向けて漸次高さが高くなる凹状に研削する工程と、を含む、
ことを特徴とする硬質基板の加工方法が提供される。
また、本発明によれば、被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を研削するための環状の研削砥石を備えた研削ホイールおよび該研削ホイールを回転駆動するための駆動源を備えた研削手段と、該研削手段を該チャックテーブルの保持面に対して進退せしめる研削送り手段とを具備し、該チャックテーブルの保持面は回転中心から外周に向けて漸次高さが低くなる凸状に形成されており、該研削砥石は被加工物の直径より大きい外径を有している研削装置によって、該チャックテーブルを回転し該研削ホイールを回転しつつ研削送りして該チャックテーブルの保持面に保持された硬質基板を研削加工する硬質基板の加工方法であって、
チャックテーブルに保持された硬質基板の回転中心を環状の研削砥石が通過するようにチャックテーブルと研削ホイールとの位置関係をセットする工程と、
研削ホイールを回転するとともにチャックテーブルに保持された硬質基板の回転中心に研削砥石を接触させ硬質基板の回転中心から研削が開始され徐々に同心円状の研削が外周に広がるように研削ホイールを研削送りし、硬質基板の上面を回転中心から外周に向けて漸次高さが高くなる凹状に研削する工程と、を含む、
ことを特徴とする硬質基板の加工方法が提供される。
本発明による硬質基板の加工方法においては、硬質基板の上面を回転中心から外周に向けて漸次高さが高くなる凹状に研削するので、加工された硬質基板の上面に光デバイス層を積層して形成する際に硬質基板は光デバイス層が積層された側に凸状に湾曲するが、硬質基板の上面が予め中心から外周に向けて漸次高さが高くなる凹状に形成されているため、硬質基板の上面に形成された光デバイス層の上面は平坦となる。
本発明による硬質基板の加工方法を実施するための研削装置の斜視図。 図1に示す研削装置に装備される研削ユニットの側面図。 本発明による硬質基板の加工方法によって加工される硬質基板としてのサファイア基板の斜視図。 本発明による硬質基板の加工方法の第1の実施形態を示す説明図。 本発明による硬質基板の加工方法の第2の実施形態を実施するためのチャックテーブルの断面図。 本発明による硬質基板の加工方法の第2の実施形態を示す説明図。 本発明による硬質基板の加工方法によって加工されたサファイア基板の上面に光デバイス層を積層して形成した状態を示す説明図。
以下、本発明による硬質基板の加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
図1には本発明による硬質基板の加工方法を実施するための研削装置の斜視図が示されている。
図1に示す研削装置1は、全体を番号2で示す装置ハウジングを具備している。この装置ハウジング2は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図1において右上端)に設けられ上方に延びる直立壁22とを有している。直立壁22の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール221、221が設けられている。この一対の案内レール221、221に研削手段としての研削ユニット3が上下方向に移動可能に装着されている。
研削ユニット3は、移動基台31と、該移動基台31に配設された支持基台32と、該支持基台32に装着されたスピンドルユニット4を具備している。移動基台31は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部311、311が設けられており、この一対の脚部311、311に上記一対の案内レール221、221と摺動可能に係合する被案内溝312、312が形成されている。このように直立壁22に設けられた一対の案内レール221、221に摺動可能に装着された移動基台31の前面に支持基台32が支持機構33によって取り付けられている。支持機構33は、移動基台31の前面に両側から突出して設けられた一対のブラケット331、331を備え、このブラケット331、331にそれぞれ配設された支持軸332によって支持基台32の上端部を揺動可能に支持する。また、支持機構33は、支持基台32の取り付け角度を調整するための角度調整アクチュエータ333を備えている。この角度調整アクチュエータ333は、図2に示すように支持基台32の前面に装着され、進退可能な支持ロッド333aの先端が支持基台32の後面に当接して支持基台32の取り付け角度を規制するようになっている。このようにして移動基台31に配設された支持基台32の前面には前方に突出した支持部321が設けられている。この支持部321にスピンドルユニット4が取り付けられる。
スピンドルユニット4は、図2に示すように支持部321に装着されたスピンドルハウジング41と、該スピンドルハウジング41に回転自在に配設された回転スピンドル42と、該回転スピンドル42を回転駆動するための駆動源としてのサーボモータ43とを具備している。回転スピンドル42の下端部はスピンドルハウジング41の下端を越えて下方に突出せしめられており、その下端にはマウンター44が設けられている。このマウンター44の下面に研削ホイール45が装着される。研削ホイール45は、環状の基台451と該基台451の下面に環状に装着された研削砥石452とからなっており、環状の基台451がマウンター44に締結ボルト46によって取付けられる。研削砥石452は、図示の実施形態においては粒径が50〜100μmのダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドで結合して構成されており、下面が研削面452aを形成する。なお、環状の研削砥石452は、後述する被加工物としての硬質基板の直径より大きい外径を有している。
図1に戻って説明を続けると、図示の実施形態における研削装置1は、上記研削ユニット3を上記一対の案内レール221、221に沿って上下方向(後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向)に移動せしめる研削送り手段5を備えている。この研削送り手段5は、直立壁22の前側に配設され上下方向に延びる雄ネジロッド51を具備している。この雄ネジロッド51は、その上端部および下端部が直立壁22に取り付けられた軸受部材52および53によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材52には雄ネジロッド51を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ54が配設されており、このパルスモータ54の出力軸が雄ネジロッド51に伝動連結されている。移動基台31の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部(図示していない)も形成されており、この連結部には上下方向に延びる貫通雌ネジ穴(図示していない)が形成されており、この雌ネジ穴に上記雄ネジロッド51が螺合せしめられている。従って、パルスモータ54が正転すると移動基台31即ち研削ユニット3が下降即ち前進せしめられ、パルスモータ54が逆転すると移動基台31即ち研削ユニット3が上昇即ち後退せしめられる。
図1を参照して説明を続けると、装置ハウジング2の主部21にはチャックテーブル機構6が配設されている。チャックテーブル機構6は、チャックテーブル61と、該チャックテーブル61の周囲を覆うカバー部材62と、該カバー部材62の前後に配設された蛇腹手段63および64を具備している。チャックテーブル61は、ステンレス鋼等の金属材によって円盤状に形成されたチャックテーブル本体611と、該チャックテーブル本体611の上面に配設されたポーラスセラミック材によって円盤状に形成され吸引保持部材612とからなっており、吸引保持部材612が図示しない吸引手段に連通されている。このように構成されたチャックテーブル61の吸引保持部材612は、直径が後述する被加工物としての硬質基板の直径に対応した大きさに形成されており、図1に示す実施形態においては上面が平坦面に形成され保持面612aとして機能する。従って、吸引保持部材612の保持面612aに被加工物を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより、保持面612a上に被加工物を吸引保持する。このように構成されたチャックテーブル61は、図示しない回転駆動機構によって回転せしめられるように構成されている。また、チャックテーブル61は、図示しないチャックテーブル移動手段によって図1に示す被加工物載置域24と上記スピンドルユニット4を構成する研削ホイール45と対向する研削域25との間で移動せしめられる。
上記蛇腹手段63および64はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段63の前端は主部21の前面壁に固定され、後端はカバー部材62の前端面に固定されている。蛇腹手段64の前端はカバー部材62の後端面に固定され、後端は装置ハウジング2の直立壁22の前面に固定されている。チャックテーブル61が矢印23aで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段63が伸張されて蛇腹手段64が収縮され、チャックテーブル61が矢印23bで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段63が収縮されて蛇腹手段64が伸張せしめられる。
図示の実施形態における研削装置1は以上のように構成されており、以下研削装置1を用いて実施する本発明による硬質基板の加工方法の第1の実施形態について説明する。
図3には、本発明による硬質基板の加工方法に従って加工される硬質基板としてのサファイア基板10が示されている。図3に示すサファイア基板10は、例えば直径が50mmで厚みが400μmに形成されている。
上記サファイア基板10を研削するには、図1に示すように研削装置1の被加工物載置域24に位置付けられているチャックテーブル61を構成する吸引保持部材612の保持面612a上にサファイア基板10の一方の面を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル61の保持面612a上にサファイア基板10を吸引保持する。
上述したように、チャックテーブル61上にサファイア基板10を吸引保持したならば、図示しないチャックテーブル移動手段を作動してチャックテーブル61を矢印23aで示す方向に移動し研削域25に位置付ける。そして、チャックテーブル61に保持されたサファイア基板10の回転中心を環状の研削砥石452が通過するとともにサファイア基板10の回転中心から研削が開始され徐々に同心円状の研削が外周に広がるようにチャックテーブル61と研削ホイール45との位置関係をセットする工程を実施する。即ち、上記スピンドルユニット4が取り付けられた支持基台32を支持する支持機構33の角度調整アクチュエータ333を作動して支持基台32の取り付け角度を所定の角度に規制することにより、図4の(a)に示すように研削ホイール45の回転軸Aをチャックテーブル61の回転軸Bに対して角度(α)をもって位置付ける。従って、研削ホイール45を構成する研削砥石452の研削面452aは、チャックテーブル61を構成する吸引保持部材612の上面である保持面612aと角度(α)をもって位置付けられる。この角度(α)は、硬質基板の材質および厚みによって、例えば0.1〜0.2度に設定される。そして、研削ホイール45は研削砥石452がチャックテーブル61に保持されたサファイア基板10の回転中心を通過するように位置付けられる。
上述したようにチャックテーブル61と研削ホイール45との位置関係をセットしたならば、図4の(b)に示すようにチャックテーブル61を矢印61aで示す方向に例えば750rpmの回転速度で回転するとともに、研削ホイール45を矢印45aで示す方向に例えば1000rpmの回転速度で回転しつつ、上記研削送り手段5のパルスモータ54を正転駆動して研削ユニット3を矢印Z1で示す方向(チャックテーブル61の保持面612aに対して垂直な方向)に例えば0.5μm/秒の研削送り速度で研削送りする。この結果、環状の研削砥石452は、チャックテーブル61に保持されたサファイア基板10の上面10aを回転中心から研削を開始し徐々に同心円状に外周に広がるように研削する。このように研削加工されたサファイア基板10は、図4の(c)に誇張して示すように上面10aが回転中心から外周に向けて漸次高さが高くなる凹状の湾曲面に形成される。なお、サファイア基板10の上面10aに形成される凹状の湾曲面の深さは、研削ホイール45の回転軸Aとチャックテーブル61の回転軸Bとのなす角度(α)、即ち研削ホイール45を構成する研削砥石452の研削面452aとチャックテーブル61を構成する吸引保持部材612の上面である保持面612aとのなす角度(α)を変更することにより調整することができる。
なお、上述した第1の実施形態においては研削ホイール45の回転軸Aをチャックテーブル61の回転軸Bに対して傾斜して位置付ける例を示したが、チャックテーブル61の回転軸Bを研削ホイール45の回転軸Aに対して傾斜して位置付けてもよい。
次に、本発明による硬質基板の研削方法の第2の実施形態について、図5および図6を参照して説明する。
図5および図6に示す実施形態においては、チャックテーブル61を構成するチャックテーブル本体611の上面に配設された吸引保持部材612の上面である保持面612bが図5において誇張して示すように回転中心Bから外周に向けて漸次高さが低くなる凸状の湾曲面に形成されている。なお、保持面612bの回転中心Bと外周との高さ差(s)は保持面612bの直径によって異なるが、保持面612bの直径が50mmの場合には上記高さ差(s)は10〜100μmに設定される。
上述した図5に示すチャックテーブル61を用いて上記サファイア基板10を研削するには、図6の(a)に示すようにチャックテーブル61を構成する吸引保持部材612の上面である保持面612b上にサファイア基板10の一方の面を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、吸引保持部材612の保持面612b上にサファイア基板10を吸引保持する。このようにして吸引保持部材612の保持面612b上に吸引保持されたサファイア基板10は、保持面612bの上面である凸状の湾曲面に沿って湾曲した状態で保持される。
上述したようにチャックテーブル61上にサファイア基板10を吸引保持したならば、チャックテーブル61を図1に示す研削域25に位置付ける。そして、図6の(a)に示すようにチャックテーブル61に保持されたサファイア基板10の回転中心を環状の研削砥石452が通過するようにチャックテーブル61と研削ホイール45との位置関係をセットする工程を実施する。このとき、研削ホイール45の回転軸Aとチャックテーブル61の回転軸Bは平行でよい。
上述したようにチャックテーブル61と研削ホイール45との位置関係をセットしたならば、図6の(b)に示すようにチャックテーブル61を矢印61aで示す方向に例えば750rpmの回転速度で回転するとともに、研削ホイール45を矢印45aで示す方向に例えば1000rpmの回転速度で回転しつつ、上記研削送り手段5のパルスモータ54を正転駆動して研削ユニット3を矢印Z1で示す方向(チャックテーブル61の回転軸方向)に例えば0.5μm/秒の研削送り速度で研削送りする。従って、環状の研削砥石452は、チャックテーブル61に保持されたサファイア基板10の上面10aを回転中心から研削を開始し徐々に同心円状に外周に広がるように研削する。この結果、吸引保持部材612の保持面612b上に凸状に湾曲して保持されたサファイア基板10は、図6の(c)に示すように上面10aが環状の研削砥石452の研削面452aと平坦に研削される。この状態においては、サファイア基板10は、回転中心から外周に向けて漸次厚みが厚くなるように形成される。このようにしてサファイア基板10を研削したならば、チャックテーブル61によるサファイア基板10の吸引保持を解除すると、吸引保持部材612の保持面612b上に凸状に湾曲して保持されたサファイア基板10は、スプリングバックして図6の(d)に誇張して示すように上面10aが回転中心から外周に向けて漸次高さが高くなる凹状の湾曲面に形成される。
なお、第2の実施形態においても上記第1の実施形態のように研削ホイール45の回転軸Aをチャックテーブル61の回転軸Bに対して角度をもって位置付けることにより、サファイア基板10の上面10aに形成される凹状の湾曲面の深さを深くすることができる。
以上のようにして加工されたサファイア基板10は、上面10aに光デバイス層を積層して形成する光デバイス層形成工程に搬送される。
光デバイス層形成工程においては、図7の(a)に示すようにサファイア基板10の上面10aにエピタキシャル法、CVD法等の気層成長技術によってn型窒化物半導体層101aおよびp型窒化物半導体層101bからなる光デバイス層101が積層して形成される。この光デバイス層形成工程においてサファイア基板10は光デバイス層101が積層された側に凸状に湾曲するが、サファイア基板10の上面10aは上述したように予め中心から外周に向けて漸次高さが高くなる凹状の湾曲面に形成されているので、図7の(b)に示すようにサファイア基板10の上面10a に形成された光デバイス層101の上面は平坦となる。
2:研削装置の装置ハウジング
3:研削ユニット
31:移動基台
32:支持基台
33:支持機構
333:角度調整アクチュエータ
4:スピンドルユニット
42:回転スピンドル
45:研削ホイール
452:研削砥石
5:研削送り手段
6:チャックテーブル機構
61:チャックテーブル
612:吸引保持部材
10:サファイア基板

Claims (2)

  1. 被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を研削するための環状の研削砥石を備えた研削ホイールおよび該研削ホイールを回転駆動するための駆動源を備えた研削手段と、該研削手段を該チャックテーブルの保持面に対して進退せしめる研削送り手段とを具備し、該研削砥石は被加工物の直径より大きい外径を有している研削装置によって、該チャックテーブルを回転し該研削ホイールを回転しつつ研削送りして該チャックテーブルの保持面に保持された硬質基板を研削加工する硬質基板の加工方法であって、
    チャックテーブルに保持された硬質基板の回転中心を環状の研削砥石が通過するとともに硬質基板の回転中心から研削が開始され徐々に同心円状の研削が外周に広がるようにチャックテーブルと研削ホイールとの位置関係をセットする工程と、
    研削ホイールを回転するとともにチャックテーブルに保持された硬質基板の回転中心に研削砥石を接触させ硬質基板の回転中心から研削が開始され徐々に同心円状の研削が外周に広がるように研削ホイールを研削送りし、硬質基板の上面を回転中心から外周に向けて漸次高さが高くなる凹状に研削する工程と、を含む、
    ことを特徴とする硬質基板の加工方法。
  2. 被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を研削するための環状の研削砥石を備えた研削ホイールおよび該研削ホイールを回転駆動するための駆動源を備えた研削手段と、該研削手段を該チャックテーブルの保持面に対して進退せしめる研削送り手段とを具備し、該チャックテーブルの保持面は回転中心から外周に向けて漸次高さが低くなる凸状に形成されており、該研削砥石は被加工物の直径より大きい外径を有している研削装置によって、該チャックテーブルを回転し該研削ホイールを回転しつつ研削送りして該チャックテーブルの保持面に保持された硬質基板を研削加工する硬質基板の加工方法であって、
    チャックテーブルに保持された硬質基板の回転中心を環状の研削砥石が通過するようにチャックテーブルと研削ホイールとの位置関係をセットする工程と、
    研削ホイールを回転するとともにチャックテーブルに保持された硬質基板の回転中心に研削砥石を接触させ硬質基板の回転中心から研削が開始され徐々に同心円状の研削が外周に広がるように研削ホイールを研削送りし、硬質基板の上面を回転中心から外周に向けて漸次高さが高くなる凹状に研削する工程と、を含む、
    ことを特徴とする硬質基板の加工方法。
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