JP5332691B2 - 窒化物半導体基板の加工方法 - Google Patents
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Description
前記基板の固定を解除する工程後の前記基板は、前記基板準備工程前の前記基板と比較して、前記第1の主面の反りが小さい、または反りの方向が逆転している。
前記基板準備工程における前記基板は中心部の膜厚と外周部の膜厚が略等しい。
前記第1の主面を平坦化加工する工程の前に、反りを維持した状態で前記基板を固定し、前記第1の主面に加工歪みを与える工程と、前記基板の固定を解除する工程と、を有し、前記第1の主面を平坦化加工する工程において、前記加工歪みを除去する。
前記加工歪みを与える工程および/または前記加工歪みを除去する工程において、前記基板の前記第2の主面側を支持体にワックスを介して貼り付けることで前記基板を固定する。
前記加工歪みを与える工程において、前記加工歪みを与えた後、前記第1の主面の表面粗さを小さくする加工を行う。
前記基板はGaN単結晶基板であり、前記第1の主面はN面であり、前記第2の主面はGa面である。
図1(a)〜(e)は、実施形態1の窒化物半導体基板の加工方法として主要な工程を説明する断面模式図である。図1(a)に示すように、窒化物半導体基板1は第1の主面11と第2の主面12を有し、第1の主面11側が凸に反っている。このような基板は、例えばサファイア等の異種基板上に窒化物半導体を成長させ、異種基板を除去することで準備できる。基板1を、図1(b)に示すように反りを大きくした状態で固定し、図1(c)に示すように第1の主面11を平坦化加工する。ここでは、図1(a)における基板1の膜厚は中心部と外周部とでほぼ等しいので、図1(c)の平坦化加工によって基板1の中心部の膜厚が外周部の膜厚よりも小さくなる。次に基板1の固定を解除すると、元に戻る力が働き、図1(d)に示すように平坦化加工された第1の主面11が凹に反る。このように平坦化加工時に第1の主面を略平坦な面に加工しておくことで、第1の主面をほぼ確実に凹に反らせることができる。そして、第2の主面12を研磨して基板1の中心部と外周部の膜厚を揃えることで、図1(e)に示すように第1の主面11側が凹に反った窒化物半導体基板1とすることができる。
図6(a)〜(e)は、実施形態2の窒化物半導体基板の加工方法として主要な工程を説明する断面模式図である。実施形態2は、主面の加工順序が逆である点が実施形態1と異なる。加工方法など実施形態1と共通する部分は同様のものを採用することができる。
11、21 第1の主面
12、22 第2の主面
13、23 支持体
24 リング状部材
Claims (9)
- 第1の主面と第2の主面を有し、前記第1の主面側が凸に反った窒化物半導体基板を準備する工程と、
前記基板準備工程よりも反りを大きくした状態で前記基板を固定し、前記第1の主面の平坦化加工により、中心部の膜厚を外周部の膜厚よりも小さくする工程と、
前記基板の固定を解除する工程と、
前記第2の主面を研磨して前記基板の中心部の膜厚と外周部の膜厚を略等しくする工程と、をこの順に有する窒化物半導体基板の加工方法。 - 第1の主面と第2の主面を有し、前記第1の主面側が凸に反った窒化物半導体基板を準備する工程と、
前記基板準備工程よりも反りを大きくした状態で前記基板を固定し、前記第2の主面の平坦化加工により、中心部の膜厚を外周部の膜厚よりも大きくする工程と、
前記基板の固定を解除する工程と、
前記第1の主面を研磨して前記基板の中心部の膜厚と外周部の膜厚を略等しくする工程と、をこの順に有する窒化物半導体基板の加工方法。 - 前記基板の固定を解除する工程後の前記基板は、前記基板準備工程における前記基板と比較して、前記第1の主面の反りが小さい、または反りの方向が逆転している請求項1または2に記載の窒化物半導体基板の加工方法。
- 前記基板準備工程における前記基板は中心部の膜厚と外周部の膜厚が略等しい請求項1〜3のいずれか1項に記載の窒化物半導体基板の加工方法。
- 前記第1の主面を平坦化加工する工程の前に、
反りを維持した状態で前記基板を固定し、前記第1の主面に加工歪みを与える工程と、
前記基板の固定を解除する工程と、を有し、
前記第1の主面を平坦化加工する工程において、前記加工歪みを除去する請求項1に記載の窒化物半導体基板の加工方法。 - 前記加工歪みを与える工程および/または前記加工歪みを除去する工程において、前記基板の前記第2の主面側を支持体にワックスを介して貼り付けることで前記基板を固定する請求項5に記載の窒化物半導体基板の加工方法。
- 前記加工歪みを与える工程において、前記加工歪みを与えた後、前記第1の主面の表面粗さを小さくする加工を行う請求項5または6に記載の窒化物半導体基板の加工方法。
- 前記基板はGaN単結晶基板であり、前記第1の主面はN面であり、前記第2の主面はGa面である請求項1〜7のいずれか1項に記載の窒化物半導体基板の加工方法。
- 第1の主面と第2の主面を有し、前記第1の主面側が凸に反った窒化物半導体基板を準備する工程と、
反りを維持した状態で前記基板を固定し、前記第1の主面に加工歪みを与える工程と、
前記基板の固定を解除する工程と、
反りを維持した状態で前記基板を固定し、中心部の加工量が外周部の加工量よりも大きくなるように前記第1の主面を平坦化加工し、前記加工歪みを除去する工程と、
前記基板の固定を解除する工程と、
前記第2の主面を研磨して前記基板の中心部の膜厚と外周部の膜厚を略等しくする工程と、をこの順に有する窒化物半導体基板の加工方法。
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