JP6626583B2 - 半導体ウエハ及び半導体ウエハの研磨方法 - Google Patents
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Description
1) リン化インジウム(InP)単結晶からなるウエハであって、ウエハのロールオフ値(ROA)が−1.0μm〜1.0μmであることを特徴とするInPウエハ。
2)ウエハ中心部における算術平均粗さ(Ra)が0.5nm以下であることを特徴とする前記1)に記載のInPウエハ。
3)全面厚みばらつき(TTV)が10μm以下であることを特徴とする前記1)または2)に記載のInPウエハ。
4)ウエハの厚みが300μm以上1000μm以下であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一に記載のInPウエハ。
5)ウエハ表面の最大長さが45mm以上であることを特徴とする上記1)〜4)のいずれか一に記載のInPウエハ。
6)ウエハ表面の最大長さが、50mm以上であることを特徴とする上記1)〜5)のいずれか一に記載のInPウエハ。
7)ウエハ表面の最大長さが、75mm以上であることを特徴とする上記1)〜6)のいずれか一に記載のInPウエハ。
8)ウエハ表面の最大長さが、100mm以上であることを特徴とする1)〜7)のいずれか一に記載のInPウエハ。
9)リン化インジウム(InP)単結晶からなるウエハの製造方法であって、InPウエハとなるInP単結晶基板の少なくとも片面に対し、臭素を含む研磨液を供給しつつ、加工圧力10〜200g/cm2、加工時間0.1〜5分間で一段目の研磨を行い、加工圧力200〜500g/cm2、かつ前記一段目の研磨より50g/cm2以上高い加工圧力、加工時間0.5〜10分間で二段目の研磨を行うことを含むことを特徴とする、InPウエハの製造方法。
10)軟質発泡ポリウレタンからなる研磨パッドを表面に貼付した回転定盤を用いて研磨を行うことを特徴とする上記9)に記載のInPウエハの製造方法。
11)研磨液の供給流量を10〜500ml/分、定盤の回転数を10〜100rpmとして研磨を行うことを特徴とする上記9)または10)に記載のInPウエハの製造方法。
直径4インチ(101.6mm)、厚み650μm、ROAが0.29μm、Raが0.55nmのInPウエハの最終片面研磨を、以下に示す二段階研磨工程により実施した。研磨には、直径813mmφの回転定盤を用い、定盤回転数60rpm、研磨パッドには軟質発泡ポリウレタン(ニッタハース社製Politex)を用い、さらに研磨液には、臭素系研磨液(臭素2.5wt%)を用い、これを100ml/minの流量で研磨面へ連続的に供給しながら研磨を実施した。この研磨工程における第一段目と第二段目を合せた総研磨負荷量は、650g/cm2・minとなる。
・第一段研磨:加工圧力 100g/cm2、研磨時間 30秒(0.5分)
・第二段研磨:加工圧力 300g/cm2、研磨時間 2.0分
直径4インチ(101.6mm)、厚み650μm、ROAが0.33μm、Raが0.61nmのInPウエハの最終片面研磨を、以下に示す二段階研磨工程により実施した。研磨に使用した回転定盤、その回転数、研磨パッド材質、研磨液組成、研磨液供給流量といった各研磨条件は、実施例1と同一である。この研磨工程における総研磨負荷量も、実施例1と同じく650g/cm2・minとなる。
・第一段研磨:加工圧力 200g/cm2、研磨時間 1分
・第二段研磨:加工圧力 300g/cm2、研磨時間 1分30秒(1.5分)
直径4インチ(101.6mm)、厚み650μm、ROAが0.30μm、Raが0.60nmのInPウエハの最終片面研磨を、従来どおりの以下の一段階研磨工程により実施した。研磨に使用した回転定盤、その回転数、研磨パッド材質、研磨液組成、研磨液供給流量といった各研磨条件は、実施例1と同一である。この研磨工程における総研磨負荷量も、実施例1と同じく650g/cm2・minとなる。
・第一段研磨:加工圧力 200g/cm2、研磨時間 3分15秒(3.25分)
直径4インチ(101.6mm)、厚み650μm、ROAが0.28μm、Raが0.56nmのInPウエハの最終片面研磨を、以下に示す条件の二段階研磨工程により実施した。研磨に使用した回転定盤、その回転数、研磨パッド材質、研磨液組成、研磨液供給流量といった各研磨条件は、実施例1と同一である。この研磨工程における総研磨負荷量も、実施例1と同じく650g/cm2・minとなる。
・第一段研磨:加工圧力 200g/cm2、研磨時間 1分
・第二段研磨:加工圧力 600g/cm2、研磨時間 45秒(0.75分)
直径2インチ(50.8mm)、厚み350μm、ROAが0.25μm、Raが0.63nmのInPウエハの最終片面研磨を、以下に示す二段階研磨工程により実施した。研磨に使用した回転定盤、その回転数、研磨パッド材質、研磨液組成、研磨液供給流量といった各研磨条件は、実施例1と同一である。この研磨工程における総研磨負荷量も、実施例1と同じく650g/cm2・minとなる。
・第一段研磨:加工圧力 200g/cm2、研磨時間 1分
・第二段研磨:加工圧力 300g/cm2、研磨時間 1分30秒(1.5分)
直径3インチ(76.2mm)、厚み650μm、ROAが0.27μm、Raが0.58nmのInPウエハの最終片面研磨を、以下に示す二段階研磨工程により実施した。研磨に使用した回転定盤、その回転数、研磨パッド材質、研磨液組成、研磨液供給流量といった各研磨条件は、実施例1と同一である。この研磨工程における総研磨負荷量も、実施例1と同じく650g/cm2・minとなる。
・第一段研磨:加工圧力 200g/cm2、研磨時間 1分
・第二段研磨:加工圧力 300g/cm2、研磨時間 1分30秒(1.5分)
Claims (10)
- リン化インジウム(InP)単結晶からなるウエハであって、ウエハのロールオフ値(ROA)が−1.0μm〜1.0μmであり、ウエハ中心部における算術平均粗さ(Ra)が0.5nm以下であることを特徴とするInPウエハ。
- 全面厚みばらつき(TTV)が10μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のInPウエハ。
- ウエハの厚みが300μm以上1000μm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のInPウエハ。
- ウエハ表面の最大長さが45mm以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のInPウエハ。
- ウエハ表面の最大長さが、50mm以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のInPウエハ。
- ウエハ表面の最大長さが、75mm以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のInPウエハ。
- ウエハ表面の最大長さが、100mm以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のInPウエハ。
- リン化インジウム(InP)単結晶からなるウエハの製造方法であって、
InPウエハとなるInP単結晶基板の少なくとも片面に対し、臭素を含む研磨液を供給しつつ、
加工圧力10〜200g/cm2、加工時間0.1〜5分間で一段目の研磨を行い、
加工圧力200〜500g/cm2、かつ前記一段目の研磨より50g/cm2以上高い加工圧力、加工時間0.5〜10分間で二段目の研磨を行う
ことを含むことを特徴とするInPウエハの製造方法。 - 軟質発泡ポリウレタンからなる研磨パッドを表面に貼付した回転定盤を用いて研磨を行うことを特徴とする請求項8に記載のInPウエハの製造方法。
- 研磨液の供給流量を10〜500ml/分、定盤の回転数を10〜100rpmとして研磨を行うことを特徴とする請求項8または9に記載のInPウエハの製造方法。
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