CN102380817B - 防止晶圆边缘器件良率低的方法 - Google Patents

Abstract

一种防止晶圆边缘器件良率低的方法，所述晶圆边缘区域介质层由于CMP过磨导致良率降低，该方法包括：在半导体晶圆上形成待研磨的材料层；对所述待研磨的材料层进行化学机械研磨；其中，所述晶圆边缘研磨移除速率小于晶圆中心区域的研磨移除速率。本发明解决了晶圆边缘过度研磨现象，提高晶圆边缘器件生产良率。

Description

防止晶圆边缘器件良率低的方法

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺技术领域，尤其涉及一种化学机械研磨方法。

背景技术

化学机械研磨(CMP)工艺是一种能提供硅片全局和局部平坦化的工艺技术。化学机械研磨工艺已被广泛用于层间介质，金属层，如钨栓塞、或铜连线，浅沟槽隔离的去除和平整，成为半导体制造工艺中重要的工艺。

集成电路制造流程中，在晶圆上制作元件结构或图案化的金属导线后，会先在基底上沉积一层介电材料，然后再进行后续金属层的沉积，依功能上的不同，这层用来隔离金属导线与元件的介电层通常被称为层间介电层，而用来隔离金属导线与其他金属导线的介电层通常被称为金属层间介电层(Inter-Metal Dielectrics，IMD)，此介电层结构通常由化学气相沉积法所沉积的氧化层所组成，常见如二氧化硅(SiO₂)、经掺杂的二氧化硅，或为低介电常数材料。由于此介电层并非完全平坦而是随着晶圆表面的图案高低起伏，因此通常采用化学机械研磨法(CMP)加以平坦化来提升半导体基底表面的平坦度，以利后续的制造流程。

CMP的机理是：在一定的压力下通过晶圆和一个研磨垫之间的相对运动来平坦化晶圆表面，其中晶圆固定在研磨头上，并面向研磨平台上的研磨垫；研磨垫上有大量含有研磨颗粒的研磨液，晶圆表面材料与研磨液发生化学反应，生成一层相对容易去除的表面层，在研磨液中的研磨颗粒的作用下，在与研磨垫的相对运动中被机械地磨掉。

通常，研磨头包含一主体，一定位环(Retaining Ring)与一隔膜(Membrane)，其中定位环用以固定待研磨的晶圆的位置，其一面紧密结合待研磨的晶圆防止其在研磨旋转过程中自研磨头下方脱离。隔膜通常由弹性材料的圆形片状组件组成，研磨时对该弹性隔膜加压以使待研磨的晶圆贴紧，形成弹性隔膜与晶圆紧密接触。

通常采用研磨均匀性来评价CMP效果，现有技术，例如公开号为CN1419269A的中国专利申请，公开了一种改良的用于化学机械研磨的研磨头，可有效提高研磨均匀性，该研磨头具有弹性膜延伸至支撑板外缘，而弹性膜的外缘与刀口相差一定距离，该研磨头可增加晶片表面的整体平坦度、降低集成电路制程的困难及提高制程优良率。

然而采用上述技术需要更换研磨头，成本较高，在实际工艺中，还可以根据研磨头所施加的压力调节对晶圆的边缘薄膜材料的移除速率从而提高研磨均匀性，比如调节研磨头所施加的压力，如调节定位环、隔膜的压力，然而，受限于研磨头的主体、定位环、隔膜等耗材影响，上述压力调整随着研磨时间的进行而改变。也就是说，虽然调节研磨头压力能够调整对晶圆边缘的研磨从而使研磨均匀，但研磨头结构的材料容易损耗，对于改善研磨均匀性的效果不稳定，从而会导致位于晶圆边缘的器件的良率低。

发明内容

本发明解决的技术问题是针对研磨后厚度分布呈现边缘薄中间厚的情况，当边缘薄到一定程度将会导致良率下降。因此提供一种防止CMP过度研磨导致晶圆边缘器件良率低的方法，可改善在化学机械研磨中边缘性能不佳的问题，获得较佳的平坦化效果。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种防止晶圆边缘器件良率低的方法所述晶圆边缘区域介质层由于过度研磨导致良率降低，该方法包括：

在半导体晶圆表面上形成待研磨的材料层；

对所述待研磨的材料层进行化学机械研磨；

其中，所述晶圆边缘研磨移除速率小于晶圆中心区域的研磨移除速率。

可选地，对所述待研磨的材料层进行化学机械研磨包括确定研磨平台和研磨头的转速步骤，所述确定研磨平台和研磨头的转速步骤进一步包括：

获取研磨平台与研磨头的转速差的第一特定值；

依据所述材料层的待研磨厚度以及研磨后的均匀性，确定所述研磨平台与研磨头的转速差的第二特定值，所述第二特定值大于所述第一特定值；

依据所述第二特定值，确定所述研磨平台与研磨头的转速。

可选的，所述获取研磨平台与研磨头的转速差的第一特定值包括：

提供光片；

对所述光片进行研磨，根据光片的移除速率和均匀性获得研磨平台与研磨头的转速差的第一特定值。

可选的，所述第一特定值范围为0rpm～6rpm。

可选的，所述依据第二特定值，确定所述研磨平台与研磨头的转速包括：调整研磨平台与研磨头的转速，使研磨平台与研磨头的转速差等于所述第二特定值。

可选的，所述第二特定值大于或等于20rpm。

可选的，所述第二特定值范围为所述第二特定值范围为大于20rpm并小于研磨平台的转速。

可选的，所述待研磨的材料层的边缘厚度相对于中心区域厚度薄。

可选的，所述材料层包括层间介电层或金属层间介电层。

可选的，所述材料层包括：二氧化硅(SiO₂，USG)、氟掺杂的SiO₂(FSG，F-doped SiO₂)、磷掺杂的SiO₂(PSG，P-doped SiO₂)或硼、磷掺杂的SiO₂(BPSG，B，P-doped SiO₂)。

由于半导体制造工艺过程中，可能出现在研磨前晶圆的层间介质层中间厚而边缘薄的情况，从而在研磨过程中易出现边缘过度研磨现象甚而出现两金属层短路等缺陷。现有技术根据在光片上具有最佳的研磨均匀性而获得研磨平台与研磨头转速差的特定值，并且将此特定值应用在实际工艺中，比如采取研磨平台与研磨头转速差小于等于该特定值进行研磨，但是这样操作会导致位于晶圆边缘的器件的良率降低。

与现有技术相比，本发明实施例具有以下优点：

1、通过采用对所述晶圆边缘研磨移除速率小于晶圆中心区域的研磨移除速率的研磨方式，解决了晶圆边缘过度研磨现象，提高晶圆边缘器件生产良率。

2、克服了固有的研磨方式，通过调整研磨平台与研磨头之间的转速差，使之大于第一特定值，在不降低对晶圆中心区域的研磨移除速率条件下，降低了对晶圆边缘的研磨移除速率，提高研磨均匀性；并且本发明可以根据生产工艺的需要，依据晶圆边缘厚度不同的情况，通过改变研磨平台与研磨头之间转速差的大小，可以获得不同的边缘研磨移除速率效果。

附图说明

图1是晶圆表面形成的金属层间介电层在研磨前的形貌示意图；

图2是本发明的一个实施例的防止晶圆边缘器件良率低的方法的流程示意图；

图3是本发明的一个实施例的确定研磨平台和研磨头的转速的方法的流程示意图；

图4-图6分别显示了采用三种不同研磨方案晶圆膜厚变化示意图；

图7是本发明一实施例中三种不同的研磨平台与研磨头转速差方案下，晶圆研磨移除速率；

图8是图7中方案2和方案3中的晶圆研磨后膜厚值情况。

具体实施方式

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

在半导体器件制造工艺中，经常存在晶圆边缘器件良率降低的情况，发明人经过分析发现，晶圆边缘器件良率低的主要原因在于在平坦化工艺之后，晶圆边缘会被过度研磨，进而出现短路从而导致晶圆边缘器件良率低。下面进行详细说明。

在形成金属互连工艺中，通常需要采用光刻胶形成细微图案，其中旋涂光刻胶在晶圆表面建立均匀的光刻胶膜。然而，在晶圆的涂胶过程中，由于旋转产生的离心力，使得晶圆上的光刻胶逐渐向晶圆边缘散布，导致累积在晶圆的边缘的光刻胶形成突起物残留，所述突起物残留容易发生剥离(Peeling)，从而影响其它部分的图形，进而影响后续工艺。为了去除累积于晶圆边缘的光刻胶残留，通常引入洗边工艺，也称作边缘光刻胶去除工艺(Edge Bead Removal，EBR)，以去除晶圆边缘的光刻胶残留物。然而，通常的情况是，由于工艺的误差，使得在洗边工艺中无法确保晶圆厚度一致性，从而产生晶圆上的金属层出现中间厚而边缘趋薄的现象。

若后续在此中间厚而边缘趋薄的金属层上形成金属层间介电层，仍然会出现中间厚而边缘趋薄的现象，如图1给出了晶圆表面形成的金属层间介电层在研磨前的形貌，由图1可以看出，位于晶圆11表面上的金属层间介电层(IMD)12在化学机械研磨前存在中间厚而边缘趋薄的现象，如图1中A处所示。因此，需要对该表面不平坦的金属层间介电层12进行化学机械研磨加以平坦化，然而在受到相同研磨压力的作用下，由于晶圆边缘的速度快、受力面积小，研磨的作用效果明显。根据晶圆表面的移除速率(removal rate)计算公式，可以用Preston公式表达：

RR＝η×P×V

其中：RR指移除速率，单位时间内磨去的厚度，单位通常是纳米每分钟(nm/min)或埃每分钟

η是Preston系数，是与设备和工艺环境以及研磨浆等有关的参数；

P指晶圆表面所受到的压力；

V指在晶圆表面某点晶圆和研磨垫的相对速度。

因此，对晶圆边缘的研磨移除速率大于中心的移除速率，也就是说，现有技术的化学机械研磨方法通常沿着晶圆的边缘产生高的移除速率，而在晶圆的中心产生相对低的移除速率。再加之晶圆表面存在的中间厚而边缘趋薄的现象，极易出现金属层问介电层边缘被过度研磨，甚而出现金属层问介电层边缘消失的现象，从而引起两金属层短路故障，导致晶圆边缘器件良率降低。

除了前述的移除速率(RR)之外，通常还采用研磨的均匀性(uniformity)或非均匀性(non-uniformity)等检测参数来描述CMP的作用，其反映整个晶圆上膜层厚度的变化。

目前在化学机械研磨工艺中，对上述主要检测参数的控制主要是通过监控光片(又称为控片)移除速率的大小和均匀性来实现。所述光片，即控片，是在半导体衬底(如硅衬底)上生长材料层形成的没有图形的晶圆，其是用于测试机台的移除速率和均匀性的晶圆。

现阶段，为了获得较好的研磨均匀性，通常使研磨平台与研磨头的转速差小于等于某一特定值，例如目前业界普遍采用的最好是小于等于6rpm(每分钟转数)，也就是研磨平台转速相对于研磨头转速快6rpm。举例而言，当研磨头的转速为102rpm时，研磨平台的转速小于等于108rpm，就能在光片上获得较好的研磨均匀性。

但是对于已形成有图案的晶圆，特别是待研磨晶圆层间介电层上存在中间厚边缘薄的现象，若仍然采用上述通过监控光片获得的研磨平台与研磨头的转速差值，例如使研磨平台与研磨头的转速差小于等于6rpm的方法，虽然在光片上获得了较佳的研磨均匀性，但对于实际的产品来说，由于晶圆边缘的待研磨材料本身比较薄以及由于化学机械研磨的本身固有的对晶圆边缘研磨速度比对晶圆中心研磨速度快的特性，晶圆边缘处的厚度会明显薄于中心区域，使得研磨之后的晶圆出现更多缺陷，如可能使金属层间介电层因过度研磨而消失，导致两金属导线层短路从而降低晶圆边缘器件良率。

为解决上述技术问题，本发明提供一种防止晶圆边缘器件良率低的方法，所述晶圆边缘区域介质层由于过度研磨导致良率降低，该方法包括：

步骤S1，在半导体晶圆表面上形成待研磨的材料层；

步骤S2，对所述待研磨的材料层进行化学机械研磨；

其中，所述晶圆边缘研磨移除速率小于晶圆中心区域的研磨移除速率。

本发明的发明人经过长期研究发现，针对待研磨晶圆层间介电层上存在中间厚边缘薄的现象，使晶圆边缘研磨移除速率小于晶圆中心区域的研磨移除速率，将能够解决现有技术中存在的晶圆边缘器件良率低的问题。通过采用较大的研磨平台与研磨头的转速差，也就是，研磨平台相对于研磨头的转速更快，获得对晶圆边缘较低的移除速率。

下面结合附图对本发明的防止晶圆边缘器件良率低的方法具体实施方式做详细说明。

结合图1所示，本发明实施例以八寸(200mm)晶圆为例，在半导体晶圆11表面上形成待研磨的材料层，本实施例中在晶圆金属薄膜上淀积一层金属层间介电层(IMD)12，并且该金属层间介电层12存在中间厚而边缘趋薄，如图A处。下面结合图7进一步说明本发明防止晶圆边缘器件良率低的方法。

图7显示了三种不同的研磨平台与研磨头转速差方案下，晶圆研磨移除速率。其中，横轴代表晶圆上的位置信息，单位是毫米，其中晶圆的中心位于位置0，晶圆最左边边缘位于位置-100，而晶圆最右边边缘位于位置100。纵轴代表移除速率，单位是埃/分钟。

图7中包括三种不同的研磨平台与研磨头转速差方案，分别是：方案1代表研磨平台与研磨头的转速差为0时的移除速率，以菱形图显示；方案2代表研磨平台与研磨头的转速差为15rpm时的移除速率，以三角形图显示；方案3代表研磨平台与研磨头的转速差为35rpm时的移除速率，以方形图显示。本实施例是为了说明转速差对于移除速率的影响，不同的方案仅仅是转速差不同，其他研磨因素相同。

从图7中可以看出，三条曲线在晶圆中心区域取值比较集中，表明转速差情况对于晶圆中心区域的移除速率几乎未产生影响；而在晶圆边缘区域，三条曲线的取值较为分散，并且对于方案2和方案3，在晶圆边缘的取值呈下降的趋势，表明移除速率减小，而且越靠近晶圆边缘处表现的越明显，即，转速差值的大小对于晶圆中心区域与边缘区域的移除速率具有不同影响，即，研磨平台与研磨头的转速差越大，晶圆边缘的移除速率越低。

本实施例中，晶圆中心区域，大约是晶圆半径的2/3至4/5范围内(比如在半径70mm范围内区域)，移除速率大约在左右，三种不同的研磨平台与研磨头转速差情况对于晶圆中心区域的移除速率几乎未产生影响，也就是说，改变研磨平台与研磨头的转速差，对于晶圆中心区域与研磨垫的相对速度V不会造成太大改变。

表1给出图7所示三种不同研磨方案下，晶圆边缘移除速率结果，根据表1所示的结果，改变研磨平台与研磨头的转速差，使之大于通过监控光片获得的转速差，将减少晶圆边缘移除速率；同时随着研磨平台与研磨头转速差逐渐增大，晶圆边缘具有随着转速差越大而移除速率越小的关系。也就是说，改变研磨平台与研磨头转速差值的大小，可以获得不同的边缘研磨移除速率效果。然而，前述通过调节研磨压力来改善晶圆边缘研磨的效果却非常有限，发明人通过长期实践发现，该传统方法所能达到的改善晶圆边缘研磨的效果最多如表2中方案2所示的程度，即，通过调节研磨压力，晶圆边缘研磨移除速率最多降低到约

表1

(图7所示三种不同研磨方案下，晶圆边缘移除速率结果)

如图3所示，对所述待研磨的材料层进行化学机械研磨包括确定研磨平台和研磨头的转速步骤，所述确定研磨平台和研磨头的转速步骤进一步包括：

步骤S21，获取研磨平台与研磨头的转速差的第一特定值；

步骤S22，依据所述材料层的待研磨厚度以及研磨后的均匀性，确定所述研磨平台与研磨头的转速差的第二特定值，所述第二特定值大于所述第一特定值；

步骤S23，依据所述第二特定值，确定所述研磨平台与研磨头的转速。

以下结合图4-6，以前述三种不同研磨方案为例具体说明确定研磨平台和研磨头的转速步骤，其中图4-6分别显示了采用三种不同研磨方案晶圆膜厚变化示意图，其中，图4采用方案1，图5采用方案2，图6采用方案3进行研磨。

具体地，所述获取研磨平台与研磨头的转速差的第一特定值(S21)包括：提供光片；对所述光片进行研磨，根据光片的移除速率和均匀性获得研磨平台与研磨头的转速差的第一特定值。所述获取研磨平台与研磨头的转速差的第一特定值是通过监控光片(又称为控片)移除速率的大小和均匀性来实现。所述光片，即控片，是在半导体衬底(如硅衬底)上生长材料层形成的没有图形的晶圆，其是用于测试机台的移除速率和均匀性的晶圆。所述研磨平台与研磨头的转速差为第一特定值时，光片的研磨均匀性比较好，比如不均匀性(NU％)小于5％。

步骤S22中，首先判断所述材料层的待研磨厚度以及研磨后的均匀性。通过测量晶圆待研磨材料膜厚值(包括前值、后值)，判断所述材料层的待研磨厚度及研磨后的均匀性要求。换句话说，也即研磨之后所能接受的膜厚值的最大和最小值以及最大与最小值之差(range)，所能接受的最小值是能够防止晶圆边缘区域介质层过度研磨导致良率低的膜厚值。

接着，依据所述材料层的待研磨厚度以及研磨后的均匀性，确定所述研磨平台与研磨头的转速差第二特定值，所述第二特定值大于所述第一特定值。一般来说，第二特定值越大，晶圆边缘的研磨移除速率越低，边缘厚度越厚。本发明实施例分别采用不同的研磨平台与研磨头转速差方案对晶圆表面进行了研磨，可以看出，不同的研磨方案，由于中心区域的研磨移除速率几乎不受影响，研磨之后中心区域的膜厚值变化几乎一样，如图4-6所示，研磨之后中心区域的膜厚值都约为h。然而，由于研磨平台与研磨头的转速差增大，将减少晶圆边缘的移除速率，且随着研磨平台与研磨头的转速差增大，晶圆边缘移除速率越小。因此采用前述不同的方案1、2和3研磨之后的膜厚值h1、h2、h3的关系是，h1＜h2＜h3。

步骤S23，依据所述第二特定值，确定所述研磨平台与研磨头的转速。调节研磨平台与研磨头的转速，使二者之间的转速差拉大，可以通过增大研磨平台的转速，或减小研磨头的转速，或是二者同时进行调整的不同方式。

采用上述方法，针对在半导体制造过程中，出现的晶圆边缘相对晶圆中心区域厚度变薄的现象，在后续的化学机械研磨工艺中，根据晶圆边缘厚度趋薄的不同程度，通过调节研磨平台与研磨头的转速，使二者之间的转速差拉大，可以减少晶圆边缘的移除速率，进而解决薄边缘过度研磨的状况。并且，本发明通过改变转速差值的大小，可以获得不同的边缘研磨移除速率效果，即，晶圆边缘随着转速差值增大而移除速率减小。

接下来，本发明将进一步说明研磨平台与研磨头的转速差大小与研磨均匀性(U)或非均匀性(NU)之间的关系，其中NU＝1-U。以下以非均匀性进行说明。非均匀性常采用片内非均匀性(WIWNU：within wafernon-uniformity)和片间非均匀性(WTWNU：wafer to wafer non-uniformity)这两个参数来表示。

仍以前述八寸(200mm)晶圆为例，请参考附图8，图8显示了前述图7中采取方案2、3研磨之后晶圆膜厚值变化情况，即，当研磨平台与研磨头的转速差分别为15rpm、35rpm时，该晶圆研磨之后的厚度情况。其中横轴代表晶圆上的位置信息，单位是毫米，图8中晶圆中心位于横坐标0处，沿横轴向右为从晶圆中心至晶圆边缘，晶圆边缘位于横坐标100。纵轴代表晶圆厚度，单位是埃

图8所示，从晶圆中心位置处往晶圆边缘某位置的中心区域，采用两种不同方案研磨之后的晶圆中心区域膜厚值几乎一样，而晶圆边缘的膜厚值却有明显差异。这个结果也进一步说明不同的研磨平台与研磨头转速差对于晶圆中心区域的移除速率几乎未产生影响，而随着研磨平台与研磨头的转速差增大，将减少晶圆边缘的移除速率。

表2

表2给出图7所示方案2，3研磨之后，在晶圆边缘处研磨后膜厚值的变化，本实施例中任意选取晶圆边缘三个位置的厚度。

相对于方案2，采取方案3研磨的晶圆IMD层边缘膜厚值明显大于方案2的IMD层边缘膜厚值。采用方案2，更确切地说，采用研磨平台与研磨头的转速差相对小的研磨方案，将获得相对大的边缘研磨移除速率；而采用方案3，更确切地说，采用研磨平台与研磨头的转速差相对大的研磨方案，将获得相对小的边缘研磨移除速率。

也就是说，若针对图4-6所示的晶圆IMD层中间厚而边缘趋薄的现象，采取转速差相对小的研磨方案出现过度研磨现象，而采取转速差相对大的研磨方案将能够避免可能因边缘薄而出现边缘过度研磨现象，从而避免导致上下两层金属层短路，影响晶圆边缘器件良率。

接下来，进一步结合参考表2中第3列，显示了采取不同研磨方案，对于光片的片内非均匀性结果。结果为，采取方案2的非均匀性(约1.71％)小于采取方案3(约10.46％)的非均匀性，即，对于光片的片内均匀性而言，采取转速差相对小的研磨方案2所获得的均匀性，好于转速差相对大的研磨方案3所获得的均匀性。然而，对于有图形的产品晶圆来说，晶圆边缘处的厚度会明显薄于中心区域，如图4-6所示，采取方案3研磨之后的晶圆，其片内均匀性好于采用方案2。也就是说，虽然采取方案3(研磨平台与研磨头的转速差相对大的研磨方案)在光片上的均匀性不佳，但用在具有图形的产品晶圆上却能获得更好的均匀性，并且解决了前述IMD层边缘过度研磨现象，防止了晶圆边缘区域介质层过磨导致良率降低的现象。

因此，为了获得较好的用于评价研磨平坦化效果的检测参数——均匀性，业界普遍采用研磨平台与研磨头的转速差小于某一特定值，例如是小于等于6rpm。而本发明的发明人创造性地发现，对于实际晶圆产品，待研磨材料存在中间厚边缘薄的现象，若仍然采用研磨平台与研磨头的转速差小于等于6rpm的方法，虽然在光片上获得了较佳的研磨均匀性，但用在具有图形的产品上时均匀性较差，使得研磨之后的晶圆出现更多缺陷，如使金属层间介电层过度研磨而消失，导致两金属导线层短路从而影响晶圆边缘器件良率。

本发明克服了固有的研磨方式，通过调整研磨平台与研磨头之间的转速差，使之大于该特定值，例如大于或等于20rpm，晶圆中心区域的研磨移除速率几乎不会改变，但却减少了晶圆边缘的研磨移除速率，这样提高了晶圆边缘和中心的均匀性，方便、快速地解决晶圆边缘过度研磨现象，提高晶圆边缘器件生产良率。并且，本发明可以根据生产工艺的需要，依据晶圆边缘厚度不同的情况，通过改变研磨平台与研磨头之间转速差的大小，可以获得不同的边缘研磨移除速率效果。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (9)

1.一种防止晶圆边缘器件良率低的方法，所述晶圆边缘区域介质层由于过度研磨导致良率降低，其特征在于：

在半导体晶圆表面上形成待研磨的材料层；

对所述待研磨的材料层进行化学机械研磨；

其中，所述晶圆边缘研磨移除速率小于晶圆中心区域的研磨移除速率；

对所述待研磨的材料层进行化学机械研磨包括确定研磨平台和研磨头的转速步骤，所述确定研磨平台和研磨头的转速步骤进一步包括：

获取研磨平台与研磨头的转速差的第一特定值；

依据所述材料层的待研磨厚度以及研磨后的均匀性，确定所述研磨平台与研磨头的转速差的第二特定值，所述第二特定值大于所述第一特定值；

依据所述第二特定值，确定所述研磨平台与研磨头的转速。

2.如权利要求1所述的防止晶圆边缘器件良率低的方法，其特征在于，所述获取研磨平台与研磨头的转速差的第一特定值包括：

提供光片；

对所述光片进行研磨，根据光片的移除速率和均匀性获得研磨平台与研磨头的转速差的第一特定值。

3.如权利要求1所述的防止晶圆边缘器件良率低的方法，其特征在于，所述第一特定值范围为0rpm～6rpm。

4.如权利要求1所述的防止晶圆边缘器件良率低的方法，其特征在于，所述依据第二特定值，确定所述研磨平台与研磨头的转速包括：调整研磨平台与研磨头的转速，使研磨平台与研磨头的转速差等于所述第二特定值。

5.如权利要求1所述的防止晶圆边缘器件良率低的方法，其特征在于，所述第二特定值大于或等于20rpm。

6.如权利要求1所述的防止晶圆边缘器件良率低的方法，其特征在于，所述第二特定值范围为大于20rpm并小于研磨平台的转速。

7.如权利要求1-6任一项所述的防止晶圆边缘器件良率低的方法，其特征在于，所述待研磨的材料层的边缘厚度相对于中心区域厚度薄。

8.如权利要求1-6任一项所述的防止晶圆边缘器件良率低的方法，其特征在于，所述材料层包括层间介电层或金属层间介电层。

9.如权利要求8所述的防止晶圆边缘器件良率低的方法，其特征在于，所述材料层包括：SiO₂、FSG、PSG或BPSG。