JP2011029331A - ウエーハの研削方法および保護テープ - Google Patents
ウエーハの研削方法および保護テープ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011029331A JP2011029331A JP2009172302A JP2009172302A JP2011029331A JP 2011029331 A JP2011029331 A JP 2011029331A JP 2009172302 A JP2009172302 A JP 2009172302A JP 2009172302 A JP2009172302 A JP 2009172302A JP 2011029331 A JP2011029331 A JP 2011029331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- grinding
- protective tape
- chuck table
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 26
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 37
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 20
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 14
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 14
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 12
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 10
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
【課題】硬質脆性基板の裏面を研削し薄くしても割れが生じない研削方法および保護テープを提供する。
【解決手段】ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する研削方法であって、ウエーハの表面に保護テープの一方の面を貼着する工程と、保護テープの他方の面を研削装置のチャックテーブルの保持面に吸引保持する工程と、チャックテーブルの保持面に吸引保持されたウエーハの裏面に研削砥石の研削面を作用せしめてウエーハの裏面を研削する工程とを含み、チャックテーブル61の保持面を備えた保持部612は複数の気孔を有するポーラスセラミックスによって形成されており、保護テープ11は他方の面がチャックテーブルの保持部612を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入する複数の凹凸を有する粗面に形成され、ウエーハ保持工程において複数の凹凸がチャックテーブルの保持部を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入せしめられる。
【選択図】図6
【解決手段】ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する研削方法であって、ウエーハの表面に保護テープの一方の面を貼着する工程と、保護テープの他方の面を研削装置のチャックテーブルの保持面に吸引保持する工程と、チャックテーブルの保持面に吸引保持されたウエーハの裏面に研削砥石の研削面を作用せしめてウエーハの裏面を研削する工程とを含み、チャックテーブル61の保持面を備えた保持部612は複数の気孔を有するポーラスセラミックスによって形成されており、保護テープ11は他方の面がチャックテーブルの保持部612を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入する複数の凹凸を有する粗面に形成され、ウエーハ保持工程において複数の凹凸がチャックテーブルの保持部を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入せしめられる。
【選択図】図6
Description
本発明は、光デバイスウエーハ等のウエーハの裏面を研削するための研削装置およびウエーハの表面に形成されたデバイスを保護するためにウエーハの表面に貼着する保護テープに関する。
光デバイスウエーハは、サファイヤ基板等の表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に窒化ガリウム系化合物半導体等からなるエピ層が積層され光デバイスが形成されている。そして、光デバイスウエーハをストリートに沿って切断し光デバイスが形成された領域を分割することにより個々の光デバイスを製造している。このようにして分割される光デバイスウエーハは、ストリートに沿って切断する前に研削装置によってサファイヤ基板の裏面が研削され、所定の厚みに加工される。なお、サファイヤ基板の裏面の研削は、サファイヤ基板の表面に形成された光デバイスを保護するために塩化ビニールシートからなる保護テープを貼着し、この保護テープ側をチャックテーブルに保持して実施する。(例えば、特許文献1参照。)
而して、サファイヤ基板の表面に塩化ビニールシートからなる保護テープを貼着して裏面を研削し、サファイヤ基板の厚みを50μm以下に薄くすると、サファイヤ基板に割れが生ずるという問題がある。この問題は、炭化珪素基板等の硬質脆性基板の研削においても生ずる。
このような問題は、チャックテーブルに保護テープを介して保持された基板の裏面を研削ホイールによって研削する際に、基板の表面に貼着された保護テープが横ズレすることが原因であると考えられる。
このような問題は、チャックテーブルに保護テープを介して保持された基板の裏面を研削ホイールによって研削する際に、基板の表面に貼着された保護テープが横ズレすることが原因であると考えられる。
本発明は、上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、硬質脆性基板の裏面を研削して薄くしても割れが生ずることがない研削方法および保護テープを提供することにある。
上記技術課題を解決するために、本発明によれば、表面にデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成するウエーハの研削方法であって、
ウエーハの表面に保護テープの一方の面を貼着する保護テープ貼着工程と、
該ウエーハの表面に貼着された保護テープの他方の面を研削装置のチャックテーブルの保持面に吸引保持するウエーハ保持工程と、
該チャックテーブルの保持面に吸引保持されたウエーハの裏面に回転する研削砥石の研削面を作用せしめてウエーハの裏面を研削する研削工程と、を含み、
該チャックテーブルの保持面を備えた保持部は、複数の気孔を有するポーラスセラミックスによって形成されており、
ウエーハの表面に貼着される該保護テープは、他方の面が該チャックテーブルの保持部を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入する複数の凹凸を有する粗面に形成され、該ウエーハ保持工程において複数の凹凸が該チャックテーブルの保持部を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入せしめられる、
ことを特徴とするウエーハの研削方法が提供される。
ウエーハの表面に保護テープの一方の面を貼着する保護テープ貼着工程と、
該ウエーハの表面に貼着された保護テープの他方の面を研削装置のチャックテーブルの保持面に吸引保持するウエーハ保持工程と、
該チャックテーブルの保持面に吸引保持されたウエーハの裏面に回転する研削砥石の研削面を作用せしめてウエーハの裏面を研削する研削工程と、を含み、
該チャックテーブルの保持面を備えた保持部は、複数の気孔を有するポーラスセラミックスによって形成されており、
ウエーハの表面に貼着される該保護テープは、他方の面が該チャックテーブルの保持部を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入する複数の凹凸を有する粗面に形成され、該ウエーハ保持工程において複数の凹凸が該チャックテーブルの保持部を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入せしめられる、
ことを特徴とするウエーハの研削方法が提供される。
上記保護テープの他方の面に形成される複数の凹凸は、面粗さの最大高さが5μm以上に設定されている。また、上記チャックテーブルの保持部を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔の開口面積が1mm2以下に設定されており、上記保護テープの他方の面に形成される複数の凹凸の凸部の断面積が1mm2以下に設定されている。
また、本発明によれば、複数の気孔を有するポーラスセラミックスによって形成された保持部を備えた研削装置のチャックテーブルの該保持部に、表面にデバイスが形成されたウエーハの表面側を保持して裏面を研削する際に、ウエーハの表面を保護するためにウエーハの表面に一方の面を貼着する保護テープであって、他方の面がチャックテーブルの保持部を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入する複数の凹凸を有する粗面に形成されている、
ことを特徴とする保護テープが提供される。
ことを特徴とする保護テープが提供される。
上記複数の凹凸は、面粗さの最大高さが5μm以上に設定されている。また、上記複数の凹凸の凸の断面積が1mm2以下に設定されている。
本発明によるウエーハの研削方法においては、ウエーハの表面に貼着される保護テープは他方の面がチャックテーブルの保持部を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入する複数の凹凸を有する粗面に形成され、ウエーハ保持工程において複数の凹凸がチャックテーブルの保持部を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入せしめられるため、保持部に対する摩擦力が増大し、横ズレが抑制される。従って、保護テープが横ズレすることによるウエーハの割れを防止できる。
以下、本発明によるウエーハの研削方法および保護テープの好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1には本発明による研削方法を実施するための研削装置の斜視図が示されている。
図1に示す研削装置は、全体を番号2で示す装置ハウジングを具備している。この装置ハウジング2は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図1において右上端)に設けられ実質上鉛直に上方に延びる直立壁22とを有している。直立壁22の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール221、221が設けられている。この一対の案内レール221、221に研削手段としての研削ユニット3が上下方向に移動可能に装着されている。
図1に示す研削装置は、全体を番号2で示す装置ハウジングを具備している。この装置ハウジング2は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図1において右上端)に設けられ実質上鉛直に上方に延びる直立壁22とを有している。直立壁22の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール221、221が設けられている。この一対の案内レール221、221に研削手段としての研削ユニット3が上下方向に移動可能に装着されている。
研削ユニット3は、移動基台31と該移動基台31に装着されたスピンドルユニット32を具備している。移動基台31は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部311、311が設けられており、この一対の脚部311、311に上記一対の案内レール221、221と摺動可能に係合する被案内溝312、312が形成されている。このように直立壁22に設けられた一対の案内レール221、221に摺動可能に装着された移動基台31の前面には前方に突出した支持部313が設けられている。この支持部313にスピンドルユニット32が取り付けられる。
スピンドルユニット32は、支持部313に装着されたスピンドルハウジング321と、該スピンドルハウジング321に回転自在に配設された回転スピンドル322と、該回転スピンドル322を回転駆動するための駆動手段としてのサーボモータ323とを具備している。回転スピンドル322の下端部はスピンドルハウジング321の下端を越えて下方に突出せしめられており、その下端には円板形状のマウンター324が設けられている。なお、マウンター324には、周方向に間隔をおいて複数のボルト挿通孔(図示していない)が形成されている。このマウンター324の下面に研削ホイール4が着脱可能に装着される。この研削ホイール4は、環状の支持基台41と、該環状の支持部材41の下面に同一円周上に環状に配設された複数個の研削砥石42とからなっており、支持基台41が上記マウンター324の下面に締結ボルト325によって装着される。このように構成されたスピンドルユニット32は、サーボモータ323を駆動すると回転スピンドル322およびマウンター324を介して研削ホイール4が回転せしめられる。
図示の実施形態における研削装置は、上記研削ユニット3を上記一対の案内レール221、221に沿って上下方向(後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向)に移動せしめる研削ユニット送り機構5を備えている。この研削ユニット送り機構5は、直立壁22の前側に配設され実質上鉛直に延びる雄ねじロッド51を具備している。この雄ねじロッド51は、その上端部および下端部が直立壁22に取り付けられた軸受部材52および53によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材52には雄ねじロッド51を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ54が配設されており、このパルスモータ54の出力軸が雄ねじロッド51に伝動連結されている。移動基台31の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部(図示していない)も形成されており、この連結部には鉛直方向に延びる貫通雌ねじ穴が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド51が螺合せしめられている。従って、パルスモータ54が正転すると移動基台31即ち研削ユニット3が下降即ち前進(研削送り)せしめられ、パルスモータ54が逆転すると移動基台31即ち研削ユニット3が上昇即ち後退せしめられる。
図示の研削装置は、ハウジング2の主部21にチャックテーブル機構6が配設されている。チャックテーブル機構6は、チャックテーブル61と、該チャックテーブル61の周囲を覆うカバー部材62と、該カバー部材62の前後に配設された蛇腹手段63および64を具備している。チャックテーブル61は、チャックテーブル本体611と、該チャックテーブル本体611の上面に配設され上面に被加工物を保持する保持面を有する保持部612とからなっている。このチャックテーブル61を構成する保持部612は、複数の気孔を有するポーラスセラミックスによって形成されており、図示しない吸引手段に連通されている。なお、ポーラスセラミックスによって形成される保持部612は、複数の気孔の開口面積が1mm2以下に設定されていることが望ましい。即ち、保持部612に形成される複数の気孔の開口面積が1mm2を超えると、後述する研削工程においてウエーハの被研削面に気孔が転写される。従って、保持部612に形成される複数の気孔の径は、開口面積が1mm2以下に設定されていることが望ましい。また、図示の実施形態におけるチャックテーブル61を構成するチャックテーブル本体611の外周には、後述する環状のフレームを保持するための4個の磁石613が径方向に突出して配設されている。このように構成されたチャックテーブル61は、図示しない回転駆動手段によって回転せしめられるようになっている。また、チャックテーブル61は、図示しないチャックテーブル移動手段によって図1に示す被加工物載置域24と上記スピンドルユニット32を構成する研削ホイール4と対向する研磨域25との間で移動せしめられる。蛇腹手段63および64はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段63の前端は主部21の前面壁に固定され、後端はカバー部材62の前端面に固定されている。蛇腹手段64の前端はカバー部材62の後端面に固定され、後端は装置ハウジング2の直立壁22の前面に固定されている。チャックテーブル61が矢印23aで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段63が伸張されて蛇腹手段64が収縮され、チャックテーブル61が矢印23bで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段63が収縮されて蛇腹手段64が伸張せしめられる。
以上のように構成された研削装置を用いて、ウエーハの裏面を研削する研削方法について説明する。
図2には、本発明によるウエーハの研削方法によって研削される光デバイスウエーハの斜視図が示されている。図2に示す光デバイスウエーハ10は、例えば厚みが600μmのサファイヤ基板100の表面100aに格子状に形成されたストリート101によって複数の領域が区画され、この区画された領域に窒化ガリウム系化合物半導体等からなるエピ層が積層され光デバイス102が形成されている。
図2には、本発明によるウエーハの研削方法によって研削される光デバイスウエーハの斜視図が示されている。図2に示す光デバイスウエーハ10は、例えば厚みが600μmのサファイヤ基板100の表面100aに格子状に形成されたストリート101によって複数の領域が区画され、この区画された領域に窒化ガリウム系化合物半導体等からなるエピ層が積層され光デバイス102が形成されている。
図2に示す光デバイスウエーハ10は、サファイヤ基板100の裏面100bを研削して所定の厚み(例えば、50μm)に形成する際に、図3の(a)および(b)に示すようにサファイヤ基板100の表面100aに形成された光デバイス102を保護するために、表面100aに保護テープ11の一方の面11aを粘着剤によって貼着する(保護テープ貼着工程)。この保護テープ11は、厚みが0.5mのポリエチレンテレフタレート(PET)、アクリル酸エステル、ポリメタクリス酸メチル等の硬質な合成樹脂シートによって形成されている。そして、保護テープ11の他方の面11bは、上記チャックテーブル61の保持部612を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入する複数の凹凸を有する粗面に形成されている。保護テープ11の他方の面11bに複数の凹凸を有する粗面を形成する方法としては、サンドブラスト処理やコロナ放電処理を用いることができる。
図4の(a)は、ポリエチレンテレフタレート(PET)シートの面粗さの計測結果を示すグラフで、横軸がシートの面方向、縦軸が面粗さを示している。図4の(a)から判るようにポリエチレンテレフタレート(PET)の面粗さは、中心平均粗さ(Ra)が0.016μmで、最大高さ(Ry)が0.14μmであった。このように最大高さが0.14μmの凹凸では、ポーラスセラミックスによって形成される保持部612の複数の気孔に嵌入して研削時に生ずる横ズレを規制することは困難である。
図4の(b)は、上記ポリエチレンテレフタレート(PET)シートにサンドブラスト処理を施した面粗さの計測結果を示すグラフで、横軸がシートの面方向、縦軸が面粗さを示している。図4の(b)から判るようにサンドブラスト処理されたポリエチレンテレフタレート(PET)の面粗さは、中心平均粗さ(Ra)が0.909μmで、最大高さ(Ry)が5.668μmであった。このように最大高さ(Ry)が5μm以上の凹凸であると、ポーラスセラミックスによって形成される保持部612の複数の気孔に嵌入して研削時に生ずる横ズレを規制することができる。なお、上記複数の凹凸の凸の断面積は、上記チャックテーブル61の保持部612を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入するために1mm2以下に設定されている。
上述した保護テープ貼着工程を実施したならば、光デバイスウエーハ10の保護テープ11側を、図1に示す研削装置における被加工物載置域24に位置付けられているチャックテーブル61上に載置する。即ち、図5に示すように光デバイスウエーハ10を構成するサファイヤ基板100の表面100aに一方の面が貼着された保護テープ11の他方の面11b(複数の凹凸を有する粗面に形成されている)をチャックテーブル61の保持部612上に載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ポーラスセラミックスによって形成された保持部612上に光デバイスウエーハ10を保護テープ11を介して吸引保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル61の保持部612上に保持された光デバイスウエーハ10は、サファイヤ基板100の裏面100bが上側となる。このようにサファイヤ基板100の表面100aに一方の面が貼着された保護テープ11がチャックテーブル61のポーラスセラミックスによって形成された保持部612上に吸引保持されると、保護テープ11の他方の面11bは保持部612を形成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入する複数の凹凸を有する粗面に形成されているので、複数の凹凸がポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入して保持部に対する摩擦力が増大するため、後述する研削工程において横ズレが抑制される。
上述したようにウエーハ保持工程を実施したならば、図示しないチャックテーブル移動手段を作動してチャックテーブル機構6を図1において矢印23aで示す方向に移動し、チャックテーブル61上に保持された光デバイスウエーハ10を研削ホイール4の下方の研削域25に位置付ける。なお、この状態においてチャックテーブル61上に保持された光デバイスウエーハ10は、図6に示すようにその中心(P)を研削ホイール4を構成する研削砥石42が通過する研削位置に位置付けられる。このようにして、チャックテーブル61上に保持された光デバイスウエーハ10を研削位置に位置付けたならば、チャックテーブル61を図6において矢印61aで示す方向に例えば500rpmの回転速度で回転するとともに、研削ホイール4を矢印4aで示す方向に例えば1000rpmの回転速度で回転しつつ研削砥石42の下面である研削面を被加工面である光デバイスウエーハ10を構成するサファイヤ基板100の裏面100bに接触せしめ、研削ホイール4を矢印4bで示すように下方に例えば0.1μm/秒の研削送り速度で所定量研削送りする(研削工程)。この結果、光デバイスウエーハ10はデバイスの仕上がり厚み(例えば、50μm)に形成される。
上記研削工程においては、上述したようにチャックテーブル61上に保持された光デバイスウエーハ10を構成するサファイヤ基板100の表面100aに一方の面が貼着された保護テープ11の他方の面11bに形成された複数の凹凸が、チャックテーブル51のポーラスセラミックスによって形成された保持部612の複数の気孔に嵌入して保持部に対する摩擦力が増大しているため、横ズレが抑制される。従って、保護テープが横ズレすることによる光デバイスウエーハ10の割れを防止できる。また、図示の実施形態においては、保護テープ11がポリエチレンテレフタレート(PET)、アクリル酸エステル、ポリメタクリス酸メチル等の硬質な合成樹脂シートによって形成されているので、水平方向(横方向)の変形が極めて少ないため、光デバイスウエーハ10の横ズレによる割れの発生を防止できる。
上述したように研削工程が実施され所定の厚みに形成された光デバイスウエーハ10は、サファイヤ基板100の表面100aに保護テープ11が貼着された状態で、次工程である例えば光デバイスウエーハ10のストリート101に沿ってレーザー加工を施すレーザー加工工程に搬送される。
次に、本発明によるウエーハの研削方法における他の実施形態について、図7および図8を参照して説明する。
この実施形態においては、図7の(a)に示すように保護テープ11がステンレス鋼等の金属材によって形成された環状のフレームFに装着されている。そして、図7の(b)に示すように環状のフレームFに装着された保護テープ11の一方の面11a(上面)に光デバイスウエーハ10を構成するサファイヤ基板100の表面100aを粘着剤によって貼着する(保護テープ貼着工程)。なお、環状のフレームFに装着された保護テープ11は、上記図3に示す保護テープ11と同様にポリエチレンテレフタレート(PET)、アクリル酸エステル、ポリメタクリス酸メチル等の硬質な合成樹脂シートによって形成されている。そして、保護テープ11の他方の面11b(下面)は、上記チャックテーブル61の保持部612を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入する複数の凹凸を有する粗面に形成されている。
この実施形態においては、図7の(a)に示すように保護テープ11がステンレス鋼等の金属材によって形成された環状のフレームFに装着されている。そして、図7の(b)に示すように環状のフレームFに装着された保護テープ11の一方の面11a(上面)に光デバイスウエーハ10を構成するサファイヤ基板100の表面100aを粘着剤によって貼着する(保護テープ貼着工程)。なお、環状のフレームFに装着された保護テープ11は、上記図3に示す保護テープ11と同様にポリエチレンテレフタレート(PET)、アクリル酸エステル、ポリメタクリス酸メチル等の硬質な合成樹脂シートによって形成されている。そして、保護テープ11の他方の面11b(下面)は、上記チャックテーブル61の保持部612を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入する複数の凹凸を有する粗面に形成されている。
上述した保護テープ貼着工程が実施された光デバイスウエーハ10は、図8に示すように保護テープ11側をチャックテーブル61上に載置する。このとき、保護テープ11が装着されている環状のフレームFは、チャックテーブル61を構成するチャックテーブル本体611の外周に配設された4個の磁石613上に載置され、4個の磁石613の磁力によって吸着保持される。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、光デバイスウエーハ10はポーラスセラミックスによって形成された保持部612上に保護テープ11を介して吸引保持される(ウエーハ保持工程)。このようにサファイヤ基板100の表面100a(一方の面)に一方の面が貼着された保護テープ11がチャックテーブル61のポーラスセラミックスによって形成された保持部612上に吸引保持されると、保護テープ11の他方の面11bは保持部612を形成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入する複数の凹凸を有する粗面に形成されているので、複数の凹凸がポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入して保持部に対する摩擦力が増大するため、横ズレが抑制される。
次に、図8に示すようにチャックテーブル61上に保持された光デバイスウエーハ10を研削ホイール4の下方の研削域に位置付け、チャックテーブル61を矢印61aで示す方向に例えば500rpmの回転速度で回転するとともに、研削ホイール4を矢印4aで示す方向に例えば1000rpmの回転速度で回転しつつ研削砥石42の下面である研削面を被加工面である光デバイスウエーハ10を構成するサファイヤ基板100の裏面100bに接触せしめ、研削ホイール4を矢印4bで示すように下方に例えば0.1μm/秒の研削送り速度で所定量研削送りする(研削工程)。この結果、光デバイスウエーハ10はデバイスの仕上がり厚み(例えば、50μm)に形成される。
このようにして、研削工程が実施され所定の厚みに形成された光デバイスウエーハ10は、環状のフレームFに装着された保護テープ11に貼着された状態で、次工程である例えば光デバイスウエーハ10のストリート101に沿って裏面側からレーザー加工を施すレーザー加工工程に搬送される。
2:装置ハウジング
3:研削ユニット
31:移動基台
32:スピンドルユニット
321:スピンドルハウジング
322:回転スピンドル
323:サーボモータ
324:マウンター
4:研削ホイール
41:環状の支持基台
42:研削砥石
5:研削ユニット送り機構
6:チャックテーブル機構
61:チャックテーブル
10:光デバイスウエーハ
100:サファイヤ基板
11:保護テープ
3:研削ユニット
31:移動基台
32:スピンドルユニット
321:スピンドルハウジング
322:回転スピンドル
323:サーボモータ
324:マウンター
4:研削ホイール
41:環状の支持基台
42:研削砥石
5:研削ユニット送り機構
6:チャックテーブル機構
61:チャックテーブル
10:光デバイスウエーハ
100:サファイヤ基板
11:保護テープ
Claims (6)
- 表面にデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成するウエーハの研削方法であって、
ウエーハの表面に保護テープの一方の面を貼着する保護テープ貼着工程と、
該ウエーハの表面に貼着された保護テープの他方の面を研削装置のチャックテーブルの保持面に吸引保持するウエーハ保持工程と、
該チャックテーブルの保持面に吸引保持されたウエーハの裏面に回転する研削砥石の研削面を作用せしめてウエーハの裏面を研削する研削工程と、を含み、
該チャックテーブルの保持面を備えた保持部は、複数の気孔を有するポーラスセラミックスによって形成されており、
ウエーハの表面に貼着される該保護テープは、他方の面が該チャックテーブルの保持部を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入する複数の凹凸を有する粗面に形成され、該ウエーハ保持工程において複数の凹凸が該チャックテーブルの保持部を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入せしめられる、
ことを特徴とするウエーハの研削方法。 - 該保護テープの他方の面に形成される複数の凹凸は、面粗さの最大高さが5μm以上に設定されている、請求項1記載のウエーハの研削方法。
- 該チャックテーブルの保持部を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔の開口面積が1mm2以下に設定されており、該保護テープの他方の面に形成される複数の凹凸の凸部の断面積が1mm2以下に設定されている、請求項1又は2記載のウエーハの研削方法。
- 複数の気孔を有するポーラスセラミックスによって形成された保持部を備えた研削装置のチャックテーブルの該保持部に、表面にデバイスが形成されたウエーハの表面側を保持して裏面を研削する際に、ウエーハの表面を保護するためにウエーハの表面に一方の面を貼着する保護テープであって、他方の面がチャックテーブルの保持部を構成するポーラスセラミックスの複数の気孔に嵌入する複数の凹凸を有する粗面に形成されている、
ことを特徴とする保護テープ。 - 該複数の凹凸は、面粗さの最大高さが5μm以上に設定されている、請求項4記載の保護テープ。
- 該複数の凹凸の凸の断面積が1mm2以下に設定されている、請求項4又は5記載の保護テープ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009172302A JP2011029331A (ja) | 2009-07-23 | 2009-07-23 | ウエーハの研削方法および保護テープ |
CN2010102360554A CN101964306A (zh) | 2009-07-23 | 2010-07-22 | 晶片磨削方法和保护带 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009172302A JP2011029331A (ja) | 2009-07-23 | 2009-07-23 | ウエーハの研削方法および保護テープ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011029331A true JP2011029331A (ja) | 2011-02-10 |
Family
ID=43517144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009172302A Pending JP2011029331A (ja) | 2009-07-23 | 2009-07-23 | ウエーハの研削方法および保護テープ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011029331A (ja) |
CN (1) | CN101964306A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170028833A (ko) | 2015-09-04 | 2017-03-14 | 가부시기가이샤 디스코 | 연삭 휠 및 피가공물의 연삭 방법 |
JP6196751B1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-09-13 | 三井化学東セロ株式会社 | 部品製造用フィルム及び部品の製造方法 |
WO2017169747A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 三井化学東セロ株式会社 | 部品製造用フィルム及び部品の製造方法 |
JP2018133504A (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの保持方法 |
JP7490994B2 (ja) | 2019-03-22 | 2024-05-28 | 東レ株式会社 | フィルム、及びフィルムの製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6318033B2 (ja) * | 2014-07-11 | 2018-04-25 | 株式会社ディスコ | 研削装置及び保護テープ貼着方法 |
CN104282545A (zh) * | 2014-10-15 | 2015-01-14 | 易德福 | 一种晶片研磨方法 |
JP7012538B2 (ja) * | 2018-01-11 | 2022-01-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハの評価方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001345300A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハ加工体および半導体ウエーハ加工体を保持するチャックテーブルを備えた加工装置 |
JP2003249473A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Seiko Epson Corp | 裏面研削方法、半導体装置及びその製造方法 |
JP2005239889A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Nitto Denko Corp | ロール状ウエハ加工用粘着シート |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007214502A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US7789738B2 (en) * | 2006-07-03 | 2010-09-07 | San Fang Chemical Industry Co., Ltd. | Sheet for mounting polishing workpiece and method for making the same |
JP2008066355A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 3族窒化物基板の製造方法、3族窒化物基板、エピタキシャル層付き3族窒化物基板、3族窒化物デバイス、エピタキシャル層付き3族窒化物基板の製造方法、および3族窒化物デバイスの製造方法。 |
JP2009094326A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研削方法 |
-
2009
- 2009-07-23 JP JP2009172302A patent/JP2011029331A/ja active Pending
-
2010
- 2010-07-22 CN CN2010102360554A patent/CN101964306A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001345300A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハ加工体および半導体ウエーハ加工体を保持するチャックテーブルを備えた加工装置 |
JP2003249473A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Seiko Epson Corp | 裏面研削方法、半導体装置及びその製造方法 |
JP2005239889A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Nitto Denko Corp | ロール状ウエハ加工用粘着シート |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170028833A (ko) | 2015-09-04 | 2017-03-14 | 가부시기가이샤 디스코 | 연삭 휠 및 피가공물의 연삭 방법 |
JP6196751B1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-09-13 | 三井化学東セロ株式会社 | 部品製造用フィルム及び部品の製造方法 |
WO2017169747A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 三井化学東セロ株式会社 | 部品製造用フィルム及び部品の製造方法 |
KR20180100647A (ko) * | 2016-03-31 | 2018-09-11 | 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 | 부품 제조용 필름 및 부품의 제조 방법 |
KR102082065B1 (ko) * | 2016-03-31 | 2020-02-26 | 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 | 부품 제조용 필름 및 부품의 제조 방법 |
US11276600B2 (en) | 2016-03-31 | 2022-03-15 | Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. | Film for component manufacture and component manufacturing method |
US11942349B2 (en) | 2016-03-31 | 2024-03-26 | Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. | Film for component manufacture and component manufacturing method |
JP2018133504A (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの保持方法 |
JP7490994B2 (ja) | 2019-03-22 | 2024-05-28 | 東レ株式会社 | フィルム、及びフィルムの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101964306A (zh) | 2011-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011029331A (ja) | ウエーハの研削方法および保護テープ | |
JP2011029450A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR102017346B1 (ko) | 연삭 장치 및 연삭 방법 | |
CN106505012B (zh) | 磨削磨轮以及被加工物的磨削方法 | |
JP2007305835A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2009246098A (ja) | ウエーハの研削方法 | |
JP5632215B2 (ja) | 研削加工ツール | |
JP4833629B2 (ja) | ウエーハの加工方法および研削装置 | |
TWI621165B (zh) | 藍寶石基板之加工方法 | |
TWI583494B (zh) | Sapphire substrate grinding method | |
JP2018069348A (ja) | チャックテーブルの整形方法 | |
JP6425505B2 (ja) | 被加工物の研削方法 | |
JP2005028550A (ja) | 結晶方位を有するウエーハの研磨方法 | |
JP5735217B2 (ja) | 硬質基板の研削方法および研削装置 | |
JP4944569B2 (ja) | ウエーハの研削方法 | |
JP2015174180A (ja) | 超音波面取り機 | |
JP2016219757A (ja) | 被加工物の分割方法 | |
JP5508120B2 (ja) | 硬質基板の加工方法 | |
JP6125357B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2015026728A (ja) | 研削装置 | |
JP5362479B2 (ja) | ウエーハの研削装置 | |
JP2008114349A (ja) | ウエーハの研削方法および研削装置 | |
JP5592117B2 (ja) | サファイア基板の研磨工具 | |
JP2015220276A (ja) | 支持治具 | |
JP6188492B2 (ja) | ウェーハの分割方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120625 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130903 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140107 |