JP2008303097A - 炭化ケイ素単結晶基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】炭化ケイ素単結晶基板を短時間で効率よく製造する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶のバルク体から板状成形体を切り出し、研磨加工又は研削加工により板状成形体の両面を粗加工し、ブラスト加工により板状成形体の裏面側を粗面化加工する。
【選択図】図１
【解決手段】炭化ケイ素単結晶のバルク体から板状成形体を切り出し、研磨加工又は研削加工により板状成形体の両面を粗加工し、ブラスト加工により板状成形体の裏面側を粗面化加工する。
【選択図】図１
Description
本発明は、発光ダイオードやレーザダイオード等の光学デバイス用の基板として利用して好適な、炭化ケイ素単結晶基板の製造方法に関する。
一般に、発光ダイオードやレーザダイオード等の光学デバイス用の基板は、発光素子とならない裏面側から漏出する光量を低減して光学デバイスの発光効率を向上させるために、研磨加工や研削加工によって裏面側の面粗度を大きくする加工が施されている。
特開２００１−２８４２９０号公報
特開２００１−２０５５５５号公報
しかしながら、研磨加工や研削加工においては、使用する砥粒の硬さを基板の硬さに近づけることにより、基板表面に直線状又は曲線状の加工痕が発生しないようにしなければならない。このため基板の材質が炭化ケイ素である場合には、使用する砥粒の材質を炭化ケイ素の硬さに近い炭化ホウ素や炭化ケイ素にしなければならず、ダイヤモンドのような加工能率に優れた硬い砥粒を使用できない。このような背景から、従来の炭化ケイ素単結晶基板の製造方法では、炭化ケイ素単結晶基板を短時間で効率よく製造することができなかった。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、炭化ケイ素単結晶基板を短時間で効率よく製造可能な炭化ケイ素単結晶基板の製造方法を提供することにある。
本発明に係る炭化ケイ素単結晶基板の製造方法は、炭化ケイ素単結晶のバルク体から板状成形体を切り出す工程と、研磨加工又は研削加工により板状成形体の両面を粗加工する工程と、ブラスト加工により板状成形体の裏面側を粗面化加工する工程とを有する。
本発明に係る炭化ケイ素単結晶基板の製造方法によれば、研磨加工又は研削加工により板状成形体の両面を平行平面を有する状態に効率よく仕上げた後、ブラスト加工により板状成形体の裏面側を均一で粗度の大きな面に効率よく仕上げるので、炭化ケイ素単結晶基板を短時間で効率よく製造できる。
以下、本発明の実施形態となる炭化ケイ素単結晶基板の製造方法について説明する。
本発明の実施形態となる炭化ケイ素単結晶基板の製造方法では、図１に示すように、始めにワイヤーソーや内周刃を利用したスライス加工により炭化ケイ素単結晶のインゴットから基板（板状成形体）を切り出す。この段階では基板両面は平面度や平行度に劣るので、次にダイヤモンド砥粒入りの砥石を用いた研削加工又はダイヤモンド砥粒を用いた研磨加工により基板両面を平行平面を有する状態になるまで粗加工する。
粗加工完了後の段階では基板の裏面側には直線状又は曲線状の加工痕が存在する状態であるので、次にショットブラスト加工により基板の裏面側を均一で粗度の大きな面になるように粗面化加工する。そして最後に、基板表面に研磨加工を施した後、必要に応じて基板表面に化学的機械研磨（ＣＭＰ）加工を施すことにより、一連の製造工程は完了する。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例に基づきより具体的に説明する。
以下、本発明を実施例に基づきより具体的に説明する。
〔実施例１〕
実施例１では、基板両面を０．１１［μｍ］の粗度になるまで粗加工した後、基板の裏面側に対し粒度♯２２０の炭化ケイ素砥粒を圧力７．８［Ｎ／ｃｍ２］で噴き付けるショットブラスト加工を施した。この実施例１では、以下の表１に示すように、裏面の粗度が０．３８［μｍ］になるまでに２分要した。
実施例１では、基板両面を０．１１［μｍ］の粗度になるまで粗加工した後、基板の裏面側に対し粒度♯２２０の炭化ケイ素砥粒を圧力７．８［Ｎ／ｃｍ２］で噴き付けるショットブラスト加工を施した。この実施例１では、以下の表１に示すように、裏面の粗度が０．３８［μｍ］になるまでに２分要した。
〔実施例２〕
実施例２では、基板両面を０．１３［μｍ］の粗度になるまで粗加工した後、基板の裏面側に対し粒度♯３２０の炭化ケイ素砥粒を圧力７．８［Ｎ／ｃｍ２］で噴き付けるショットブラスト加工を施した。この実施例２では、以下の表１に示すように、裏面の粗度が０．３４［μｍ］になるまでに３分要した。
実施例２では、基板両面を０．１３［μｍ］の粗度になるまで粗加工した後、基板の裏面側に対し粒度♯３２０の炭化ケイ素砥粒を圧力７．８［Ｎ／ｃｍ２］で噴き付けるショットブラスト加工を施した。この実施例２では、以下の表１に示すように、裏面の粗度が０．３４［μｍ］になるまでに３分要した。
〔実施例３〕
実施例３では、基板両面を０．１３［μｍ］の粗度になるまで粗加工した後、基板の裏面側に対し粒度♯４００の炭化ケイ素砥粒を圧力７．８［Ｎ／ｃｍ２］で噴き付けるショットブラスト加工を施した。この実施例３では、以下の表１に示すように、裏面の粗度が０．３３［μｍ］になるまでに８分要した。
実施例３では、基板両面を０．１３［μｍ］の粗度になるまで粗加工した後、基板の裏面側に対し粒度♯４００の炭化ケイ素砥粒を圧力７．８［Ｎ／ｃｍ２］で噴き付けるショットブラスト加工を施した。この実施例３では、以下の表１に示すように、裏面の粗度が０．３３［μｍ］になるまでに８分要した。
〔比較例１〕
比較例１では、基板両面を０．１３［μｍ］の粗度になるまで粗加工した後、基板の裏面側に対し粒度♯２２０の炭化ケイ素砥粒を圧力０．５［Ｎ／ｃｍ２］で押し付ける研磨加工を施した。この比較例１では、以下の表１に示すように、裏面の粗度が０．３２［μｍ］になるまでに１２０分要した。
比較例１では、基板両面を０．１３［μｍ］の粗度になるまで粗加工した後、基板の裏面側に対し粒度♯２２０の炭化ケイ素砥粒を圧力０．５［Ｎ／ｃｍ２］で押し付ける研磨加工を施した。この比較例１では、以下の表１に示すように、裏面の粗度が０．３２［μｍ］になるまでに１２０分要した。
〔比較例２〕
比較例２では、基板両面を０．１２［μｍ］の粗度になるまで粗加工した後、基板の裏面側に対し粒度♯４００の炭化ケイ素砥粒を圧力０．５［Ｎ／ｃｍ２］で押し付ける研磨加工を施した。この比較例２では、以下の表１に示すように、裏面の粗度が０．２８［μｍ］になるまでに２６０分要した。
比較例２では、基板両面を０．１２［μｍ］の粗度になるまで粗加工した後、基板の裏面側に対し粒度♯４００の炭化ケイ素砥粒を圧力０．５［Ｎ／ｃｍ２］で押し付ける研磨加工を施した。この比較例２では、以下の表１に示すように、裏面の粗度が０．２８［μｍ］になるまでに２６０分要した。
〔評価〕
表１から明らかなように、研磨加工により粗面化加工を行った場合と比較して、ショットブラスト加工により粗面化加工を行った場合の方が加工時間が明らかに短い。このことから、基板両面を粗加工した後、ブラスト加工により基板の裏面側を粗面化加工することにより、炭化ケイ素単結晶基板を短時間で効率よく製造できることが知見された。
表１から明らかなように、研磨加工により粗面化加工を行った場合と比較して、ショットブラスト加工により粗面化加工を行った場合の方が加工時間が明らかに短い。このことから、基板両面を粗加工した後、ブラスト加工により基板の裏面側を粗面化加工することにより、炭化ケイ素単結晶基板を短時間で効率よく製造できることが知見された。
以上、本発明者らによってなされた発明を適用した実施の形態について説明したが、この実施の形態による本発明の開示の一部をなす論述及び図面により本発明は限定されることはない。すなわち、上記実施の形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施の形態、実施例及び運用技術等は全て本発明の範疇に含まれることは勿論であることを付け加えておく。
Claims (1)
- 炭化ケイ素単結晶のバルク体から板状成形体を切り出す工程と、
研磨加工又は研削加工により前記板状成形体の両面を粗加工する工程と、
ブラスト加工により前記板状成形体の裏面側を粗面化加工する工程と
を有することを特徴とする炭化ケイ素単結晶基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007150436A JP2008303097A (ja) | 2007-06-06 | 2007-06-06 | 炭化ケイ素単結晶基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007150436A JP2008303097A (ja) | 2007-06-06 | 2007-06-06 | 炭化ケイ素単結晶基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP2008303097A true JP2008303097A (ja) | 2008-12-18 |
Family
ID=40232141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007150436A Pending JP2008303097A (ja) | 2007-06-06 | 2007-06-06 | 炭化ケイ素単結晶基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2008303097A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2020017626A (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 株式会社デンソー | ＳｉＣウェハ及びＳｉＣウェハの製造方法 |
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-
2007
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