WO2020022391A1 - ＳｉＣウェハ及びＳｉＣウェハの製造方法 - Google Patents

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Abstract

光学式センサの検知率を向上させることができるＳｉＣウェハ及びＳｉＣウェハの製造方法を提供することを課題とする。 ＳｉＣウェハ２０の少なくとも裏面２２を梨地加工する梨地加工工程Ｓ１４１と、前記梨地加工工程Ｓ１４１の後に、Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハ２０の少なくとも裏面２２をエッチングするエッチング工程Ｓ２１と、前記エッチング工程Ｓ２１の後に、前記ＳｉＣウェハ２０の主面２１を鏡面加工する鏡面加工工程Ｓ３１を、含むことを特徴とした。これにより、鏡面加工された主面２１と、梨地加工された裏面２２と、を備えるＳｉＣウェハを得ることができる。

Description

ＳｉＣウェハ及びＳｉＣウェハの製造方法
　本発明は、ＳｉＣウェハ及びＳｉＣウェハの製造方法に関する。
　近年、炭化ケイ素（ＳｉＣ）半導体デバイスは、シリコン（Ｓｉ）やガリウムヒ素（ＧａＡｓ）半導体デバイスに比べて高耐圧及び高効率、そして高温動作が可能であるため、省エネルギーや高性能半導体デバイスとして注目されている。
　従来、市販されている半導体デバイス用のＳｉＣウェハは、主面及び裏面が鏡面に加工されているのが通常である。一方で、Ｓｉウェハ等においては、ウェハの裏面を梨地加工することが行われている(例えば、特許文献１参照)。
　このようにウェハの裏面を梨地面とすることにより、ウェハの主面・裏面の識別が容易となる。さらに、ウェハ裏面の摩擦係数が大きくなり搬送時や装置内での滑りが防止されることや、静電チャック方式の試料台から剥がしやすいこと等の利点がある。
　また、炭化ケイ素（ＳｉＣ）ウェハは、単結晶ＳｉＣのインゴットをスライスすることにより形成される。スライスされたＳｉＣウェハの表面には、スライス時に導入された結晶の歪みや傷等を有する表面層（以下、加工変質層という。）が存在する。デバイス製造工程にて歩留まりを低下させないためには、この加工変質層を除去する必要がある。
　従来、この加工変質層の除去は、ダイヤモンド砥粒を用いた表面加工による除去が主流であった。近年では、ダイヤモンド砥粒を用いない表面加工技術についても種々提案がなされている。
　例えば、非特許文献１には、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）砥粒を用いた遊離砥粒研磨加工の技術が開示されている。また、特許文献２には、ＳｉＣウェハをＳｉ蒸気圧下で加熱することでエッチングを行うエッチング技術（以下、Ｓｉ蒸気圧エッチングともいう。）が記載されている。
特開２００４－２００２４０号公報 特開２０１１－２４７８０７号公報
２０１４年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集　p.605－606
　ところで、単結晶ＳｉＣは、単結晶Ｓｉとは異なり、透光性を有しているため可視光を透過する。そのため、光学式センサを用いるデバイス製造工程中においては、ウェハを検知し難いという問題があった。
　本発明の第１の課題は、光学式センサの検知率を向上させることができるＳｉＣウェハ及びその製造方法を提供することにある。
　また、単結晶ＳｉＣは、ダイヤモンド等に次ぐ硬度と、（０００１）面や（１－１００）面で劈開しやすい特徴を有した硬脆材料であり、極めて加工が難しい材料に分類される。半導体材料の加工工程に求められることは、“高品質（高平坦度、ダメージレス）”、“低損失（素材ロス，歩留まり）”、“低コスト（高能率、安価な手段・工程）”、とされるが、高硬脆性を示す程これらはトレードオフの関係となり両立は難しい。
　中でも、ＳｉＣウェハを工業的に生産するためには、高品質なＳｉＣウェハを製造する技術が特に求められている。特に、加工変質層を有するＳｉＣウェハは、後のデバイス製造工程における高温アニール時にＳＯＲＩ値が増大する問題や、クラック（傷）や結晶歪みが欠陥として表出する等の問題が生じていた。
　そのため、ＳｉＣウェハの全域において加工変質層を除去することが望ましい。しかしながら、ＳｉＣウェハの主面及び裏面以外の箇所、例えば、外周部やオリフラ等の切欠き部、刻印部の周辺等の加工変質層を除去する手段がなかった。
　本発明の第２の課題は、傷や格子歪みが除去された高品質なＳｉＣウェハ及びその製造方法を提供することにある。
　また、表面加工における単結晶ＳｉＣの除去量（素材ロス）を低減することは、ＳｉＣウェハの低コスト化に貢献する。すなわち、表面加工における素材ロスを低減することで、１インゴットからのＳｉＣウェハの取り枚数を増やすことができ、ウェハ一枚当たりの単価が下がる。
　本発明の第３の課題は、素材ロスを低減可能なＳｉＣウェハの製造方法を提供することにある。
　本発明の第４の課題は、素材ロスを低減し、１インゴットからより多くのＳｉＣウェハを製造することを可能にする、ＳｉＣウェハの製造方法を提供することにある。
　また、ＳｉＣウェハを工業的に生産するためには、高品質のＳｉＣウェハを製造する技術が特に求められる。
　本発明の第５の課題は、高品質なＳｉＣウェハを製造することを可能にする新規のＳｉＣウェハの製造方法を提供することにある。
　上記第１の課題を解決するための、本発明の一態様のＳｉＣウェハは、鏡面加工された主面と、梨地加工された裏面と、を備えることを特徴とする。
　このように、ＳｉＣウェハの裏面を梨地面とすることにより、光学式センサの検知率を向上させることができる。
　この態様において、前記裏面は、算術平均偏差Ｒａが５０～３００ｎｍであることを特徴とする。
　この態様において、前記裏面は、最大高さＲｚが０．５～５μｍであることを特徴とする。
　このような粗さとすることにより、ウェハ滑りを防止しつつ、パーティクル等の付着を抑制することや、試料台へのチャッキング時にウェハの平坦度が悪化することを抑制することができる。
　この態様において、前記裏面は、加工変質層が実質的にないことを特徴とする。
　このように、裏面に加工変質層が実質的に生じていないことにより、デバイス製造工程に好ましい梨地面を形成することができる。
　また、上記第１の課題を解決する本発明の別の一態様のＳｉＣウェハは、ＳｉＣウェハの少なくとも裏面に梨地加工を施した後、Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハの少なくとも裏面をエッチングして得られることを特徴とする。
　このように、梨地加工後にＳｉ蒸気圧下で加熱することで、デバイス製造工程に好ましい梨地面を形成することができる。
　また、上記第１の課題を解決する本発明の別の一態様のＳｉＣウェハは、ＳｉＣウェハの少なくとも裏面に梨地加工を施し、Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハの少なくとも裏面をエッチングした後、前記ＳｉＣウェハの主面を鏡面加工して得られることを特徴とする。
　これら態様において、前記梨地加工は、炭化ホウ素砥粒及び／又は炭化ケイ素砥粒を用いた遊離砥粒加工であることを特徴とする。
　これら態様において、ウェハ厚みが１ｍｍ以下であることを特徴とする。
　また、本発明は、上述したＳｉＣウェハの製造方法にも関する。すなわち、第１の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、ＳｉＣウェハの少なくとも裏面を梨地加工する梨地加工工程と、前記梨地加工工程の後に、Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハの少なくとも裏面をエッチングするエッチング工程と、を含むことを特徴とする。
　単結晶ＳｉＣは、ダイヤモンド等に次ぐ硬度と、（０００１）面や（１－１００）面で劈開しやすい特徴を有した硬脆材料であり、極めて加工が難しい材料に分類される。しかし、本発明の製造方法によれば、このような加工が難しいＳｉＣウェハについて、デバイス製造工程に適した梨地面を裏面に形成することができる。
　この態様において、前記エッチング工程の後に、前記ＳｉＣウェハの主面を鏡面加工する鏡面加工工程をさらに含むことを特徴とする。
　この態様において、前記梨地加工工程は、炭化ホウ素砥粒及び／又は炭化ケイ素砥粒を用いた遊離砥粒加工であることを特徴とする。
　この態様において、前記エッチング工程は、エッチング量を制御することで前記裏面の粗さを算術平均偏差Ｒａが５０～３００ｎｍとなるように調整する粗さ調整工程を有していることを特徴とする。
　上記第２の課題を解決するための、本発明の一態様のＳｉＣウェハは、加工変質層が実質的にないことを特徴とする。
　また、上記第２の課題を解決する本発明の別の一態様のＳｉＣウェハは、半導体素子が作られる主面と、前記主面に相対する裏面と、前記主面及び裏面の外縁に接続する外周部と、前記外周部の一部に設けられる切欠き部と、前記主面若しくは前記裏面に設けられる刻印部と、を備え、前記主面、前記裏面、前記外周部、前記切欠き部、及び、前記刻印部は、加工変質層が実質的にないことを特徴とする。
　また、上記第２の課題を解決する本発明の別の一態様のＳｉＣウェハは、表面再構成由来の格子歪み以外の格子歪みが実質的にないことを特徴とする。
　また、上記第２の課題を解決する本発明の別の一態様のＳｉＣウェハは、半導体素子が作られる主面と、前記主面に相対する裏面と、前記主面及び前記裏面と隣接するバルク層と、を備え、前記バルク層は、基準結晶格子に対する格子歪み量が０．０１％以下であることを特徴とする。
　このように、表面再構成由来の格子歪み以外の格子歪みが実質的にないことにより、後のデバイス製造工程に好ましい高品質なＳｉＣウェハとすることができる。
　この態様において、前記バルク層は、基準結晶格子に対する格子歪み量が０．０１％以下であることを特徴とする。
　この態様において、１５００～２０００℃の温度範囲で加熱した際にＳＯＲＩ値が変化しないことを特徴とする。
　また、上記第２の課題を解決する本発明の一態様のＳｉＣウェハの製造方法は、ＳｉＣウェハを平坦化する平坦化工程と、前記平坦化工程の後に、Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハの主面及び裏面をエッチングするエッチング工程と、を含むことを特徴とする。
　この態様において、前記エッチング工程の処理温度は、１５００℃以上であることを特徴とする。
　この態様において、前記エッチング工程に次いで、前記ＳｉＣウェハの主面を鏡面加工する鏡面加工工程を含むことを特徴とする。
　この態様において、前記エッチング工程の前に、結晶成長させた単結晶ＳｉＣの塊を円柱状のインゴットに加工するインゴット成形工程と、前記インゴットをスライスして薄円板状のＳｉＣウェハを得るスライス工程と、前記ＳｉＣウェハ表面を選択的に除去して刻印部を形成する刻印形成工程と、前記ＳｉＣウェハの外周部に対して面取りを行う面取り工程と、をさらに含むことを特徴とする。
　上記第３の課題を解決するための、本発明の一態様のＳｉＣウェハの製造方法は、修正モース硬度１５未満の砥粒の存在下でＳｉＣウェハを平坦化する平坦化工程と、Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハをエッチングするエッチング工程と、を含むことを特徴とする。
　このような平坦化工程とエッチング工程とを組み合わせることにより、加工変質層除去工程にて除去される素材ロス量を低減することができる。
　この態様において、前記砥粒は、修正モース硬度１３以上の砥粒であることを特徴とする。
　このような硬度の砥粒を用いることで、加工時間を低減することができる。
　この態様において、前記砥粒は、炭化ホウ素砥粒及び／又は炭化ケイ素砥粒であることを特徴とする。
　このような砥粒の材料を用いることで、ダイヤモンド砥粒と比較して、材料コストを低減することができる。
　この態様において、前記平坦化工程は、遊離砥粒方式であることを特徴とする。
　この態様において、前記エッチング工程によって、前記ＳｉＣウェハがエッチングされる量が、片面につき１０μｍ以下であることを特徴とする。
　この態様において、前記ＳｉＣウェハの外周部を面取りする面取り工程と、前記ＳｉＣウェハの表面に刻印を形成する刻印形成工程と、をさらに含み、前記面取り工程と前記刻印形成工程は、前記エッチング工程前に行われることを特徴とする。
　この態様において、前記ＳｉＣウェハの外周部を面取りする面取り工程と、前記ＳｉＣウェハの表面に刻印を形成する刻印形成工程と、をさらに含み、前記面取り工程と前記刻印形成工程は、前記平坦化工程後に行われることを特徴とする。
　上記第３の課題を解決するための、本発明の一態様のＳｉＣウェハの製造方法は、遊離砥粒方式で砥粒を破砕しながらＳｉＣウェハを平坦化する平坦化工程と、
　Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハをエッチングするエッチング工程と、を含むことを特徴とする。
　このような平坦化工程とエッチング工程とを組み合わせることにより、加工変質層除去工程にて除去される素材ロス量を低減することができる。
　この態様において、前記平坦化工程は、加工開始時の平均砥粒径が２０μｍ以上、加工終了時の平均砥粒径が２０μｍ未満となるように、砥粒を破砕しながらＳｉＣウェハを平坦化することを特徴とする。
　このような条件で砥粒を破砕しながらＳｉＣウェハを平坦化することにより、平坦化工程においてＳｉＣウェハに導入される加工変質層をより薄く均一に形成することができ、これにより更なる素材ロスの低減が可能となる。
　また、上記第３の課題を解決する本発明の別の一態様のＳｉＣウェハの製造方法は、遊離砥粒方式において破砕される脆性を有する砥粒を用いて、遊離砥粒方式でＳｉＣウェハを平坦化する平坦化工程と、
　Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハをエッチングするエッチング工程と、を含むことを特徴とする。
　このような砥粒を用いた平坦化工程とエッチング工程とを組み合わせることにより、加工変質層除去工程にて除去される素材ロス量を低減することができる。
　この態様において、前記砥粒が以下の脆性条件を充足することを特徴とする。
（脆性条件）加工圧力１５０ｇ/ｃｍ２の条件で、平均砥粒径４０μｍに調整された砥粒を用いて、ＳｉＣウェハの表面を遊離砥粒方式で両面同時に平坦化したとき、加工時間２０分経過後に平均砥粒径が２０μｍ以下となる。
　これら態様において、前記砥粒は、炭化ホウ素砥粒及び／又は炭化ケイ素砥粒であることを特徴とする。
　このような砥粒の材料を用いることで、ダイヤモンド砥粒と比較して、材料コストを低減することができる。
　これら態様において、前記エッチング工程によって、前記ＳｉＣウェハがエッチングされる量が、片面につき１０μｍ以下であることを特徴とする。
　これら態様において、前記ＳｉＣウェハの外周部を面取りする面取り工程と、前記ＳｉＣウェハの表面に刻印を形成する刻印形成工程と、をさらに含み、前記面取り工程と前記刻印形成工程は、前記エッチング工程前に行われることを特徴とする。
　これら態様において、前記ＳｉＣウェハの外周部を面取りする面取り工程と、前記ＳｉＣウェハの表面に刻印を形成する刻印形成工程と、をさらに含み、前記面取り工程と前記刻印形成工程は、前記平坦化工程後に行われることを特徴とする。
　上記第４の課題を解決するための、本発明の一態様のＳｉＣウェハの製造方法は、インゴットをスライスしてＳｉＣウェハを得るスライス工程と、前記ＳｉＣウェハを平坦化する平坦化工程と、Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハをエッチングし、前記平坦化工程において導入された加工変質層を除去するエッチング工程と、を含み、前記スライス工程において、前記平坦化工程及び前記エッチング工程を含む表面加工の終了後におけるＳｉＣウェハの厚みに、１２２μｍ以下の厚みを加算した厚みを有するＳｉＣウェハを得ることを特徴とする。
　加工変質層除去工程においてエッチング工程を採用することにより、この工程における素材ロスを低減することができる。
　具体的には、１２２μｍ以下という従来法に比して極めて少ない素材ロスでＳｉＣウェハを製造することができる。そのため、「表面加工の終了後におけるＳｉＣウェハの厚みに、１２２μｍ以下の厚みを加算した厚み」のＳｉＣウェハをスライス工程にて切り出せばよい。これにより、1つのインゴットから、従来法に比べてより多くのＳｉＣウェハを製造することができる。
　この態様において、前記スライス工程は、前記平坦化工程及び前記エッチング工程を含む表面加工の終了後におけるＳｉＣウェハの厚みに、１００μｍ未満の厚みを加算した厚みのＳｉＣウェハを得ることを特徴とする。
　この態様において、前記スライス工程は、前記平坦化工程及び前記エッチング工程を含む表面加工の終了後におけるＳｉＣウェハの厚みに、８７μｍ未満の厚みを加算した厚みのＳｉＣウェハを得ることを特徴とする。
　この態様において、前記スライス工程は、前記平坦化工程及び前記エッチング工程を含む表面加工の終了後におけるＳｉＣウェハの厚みに、６１μｍ以上の厚みを加算した厚みのＳｉＣウェハを得ることを特徴とする。
　この態様において、前記表面加工の終了後におけるＳｉＣウェハの厚みが３００～４００μｍであることを特徴とする。
　この態様において、前記スライス工程は、４７２μｍ以下の厚みのＳｉＣウェハを得ることを特徴とする。
　この態様において、前記エッチング工程におけるエッチング量が、ＳｉＣウェハの片面につき１０μｍ以下であることを特徴とする。
　この態様において、前記平坦化工程は、炭化ホウ素砥粒及び／又は炭化ケイ素砥粒を用いることを特徴とする。
　このような砥粒の材料を用いることで、従来法で汎用されるダイヤモンド砥粒と比較して、材料コストを低減することができる。
　この態様において、前記平坦化加工は、遊離砥粒方式であることを特徴とする。
　この態様において、前記ＳｉＣウェハの外周部を面取りする面取り工程と、前記ＳｉＣウェハの表面に刻印を形成する刻印形成工程と、をさらに含み、前記面取り工程と前記刻印形成工程は、前記エッチング工程前に行われることを特徴とする。
　この態様において、前記ＳｉＣウェハの外周部を面取りする面取り工程と、前記ＳｉＣウェハの表面に刻印を形成する刻印形成工程と、をさらに含み、前記面取り工程と前記刻印形成工程は、前記平坦化工程後に行われることを特徴とする。
　上記第５の課題を解決するための、本発明の一態様のＳｉＣウェハの製造方法は、ＳｉＣウェハを平坦化する平坦化工程と、前記平坦化工程の後に、Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハをエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程の後に、前記ＳｉＣウェハの表面を化学機械研磨加工する化学機械研磨工程を含むことを特徴とする。
　このように、ＳｉＣウェハを平坦化する平坦化工程と、ウェハ内に導入された歪み層を除去するエッチング工程と、表面を鏡面化する化学機械研磨工程と、を含むことにより、高品質なＳｉＣウェハを製造することができる。
　この態様において、前記ＳｉＣウェハの外周部を面取りする面取り工程と、前記ＳｉＣウェハの表面に刻印を形成する刻印形成工程と、をさらに含み、前記面取り工程と前記刻印形成工程を前記エッチング工程の前に行うことを特徴とする。
　面取り工程や刻印形成工程の後にエッチング工程を行うことにより、面取り工程により形成される外周部、及び刻印形成工程により形成される刻印における加工変質層をも除去することができる。
　この態様において、前記面取り工程と前記刻印形成工程は、前記平坦化工程後に行われることを特徴とする。
　このように平坦化工程を先に実施してＳｉＣウェハのうねりを除去することで、刻印形成工程での刻印形成や、面取り工程での面取り位置の決定を精度良く行うことができ、ウェハの均質性を高めることができる。
　この態様において、前記エッチング工程の後に、ＳｉＣウェハに新たに加工変質層が導入される工程を含まないことを特徴とする。
　ＳｉＣウェハに加工変質層を導入し得る工程をエッチング工程前に全て実施することで、高品質なＳｉＣウェハを製造することができる。
　この態様において、前記エッチング工程に次いで、前記ＳｉＣウェハの表面を化学機械研磨加工する化学機械研磨工程を含むことを特徴とする。
　エッチング工程の後に、他の工程を挟まず、すぐに化学機械研磨工程を行うことで、高品質のＳｉＣウェハを製造することができる。
　この形態において、前記化学機械研磨工程は、ＳｉＣウェハの（０００１）面側のみを化学機械研磨加工することを特徴とする。
　ＳｉＣウェハの（０００１）面側のみを化学機械研磨加工することにより、鏡面と梨地面を有する高品質なＳｉＣウェハを製造することができる。
　この態様において、前記平坦化工程は、炭化ホウ素砥粒及び／又は炭化ケイ素砥粒を用いることを特徴とする。
　このような砥粒の材料を用いることで、ダイヤモンド砥粒と比較して、材料コストを低減することができる。
　これら態様において、前記エッチング工程によって、前記ＳｉＣウェハがエッチングされる量が、片面につき１０μｍ以下であることを特徴とする。
　開示した技術によれば、光学式センサの検知率を向上させることができるＳｉＣウェハ及びＳｉＣウェハの製造方法を提供することができる。
　また、開示した技術によれば、傷や格子歪みが除去された高品質なＳｉＣウェハ及びその製造方法を提供することができる。
　また、開示した技術によれば、素材ロスを低減可能なＳｉＣウェハの製造方法を提供することができる。
　また、開示した技術によれば、素材ロスを低減可能であり、1つのインゴットからより多くのＳｉＣウェハを製造可能な新規のＳｉＣウェハの製造方法を提供することができる。
　また、開示した技術によれば、高品質のＳｉＣウェハを製造することができる。
　他の課題、特徴及び利点は、図面及び特許請求の範囲とともに取り上げられる際に、以下に記載される発明を実施するための形態を読むことにより明らかになるであろう。
第１の課題を解決するＳｉＣウェハの製造工程を示す概略図である。 第１の課題ないし第５の課題を解決するＳｉＣウェハの製造工程におけるインゴットからウェハまでの工程を示す説明図である。 第１の課題及び第２の課題を解決するＳｉＣウェハの製造工程を示す説明図である。 Ｓｉ蒸気圧エッチングで用いる高温真空炉を示す概略図である。 第２の課題を解決するＳｉＣウェハの製造工程を示す概略図である。 第３の課題ないし第５の課題を解決するＳｉＣウェハの製造工程を示す概略図である。 第３の課題ないし第５の課題を解決するＳｉＣウェハの製造工程を示す説明図である。 実施例１のＳｉＣウェハの裏面を白色干渉顕微鏡で観察した像である。 実施例２のＳｉＣウェハの裏面を白色干渉顕微鏡で観察した像である。 実施例１のＳｉＣウェハの反射率を示したグラフである。 実施例１のＳｉＣウェハの外部透過率を示したグラフである。 実施例１のＳｉＣウェハの断面をＳＥＭ－ＥＢＳＤで観察したイメージング画像である。 実施例２のＳｉＣウェハの断面をＳＥＭ－ＥＢＳＤで観察したイメージング画像である。 実施例１のＳｉＣウェハの断面を透過型電子顕微鏡で観察した像である。 実施例２のＳｉＣウェハの断面を透過型電子顕微鏡で観察した像である。 実施例３のＳｉＣウェハの断面を透過型電子顕微鏡で観察した像である。 実施例４のＳｉＣウェハの断面を透過型電子顕微鏡で観察した像である。 比較例１のＳｉＣウェハの断面を透過型電子顕微鏡で観察した像である。 比較例２のＳｉＣウェハの断面を透過型電子顕微鏡で観察した像である。 実施例５のＳｉＣウェハの断面をＳＥＭ－ＥＢＳＤで観察したイメージング画像である。 実施例６のＳｉＣウェハの断面をＳＥＭ－ＥＢＳＤで観察したイメージング画像である。 一般的な機械加工処理を施したＳｉＣウェハの表面を断面から観察した場合の概念図である。 単結晶ＳｉＣウェハの加工変質層深さと反り（ＳＯＲＩ値）の関係を示したグラフである。 従来のＳｉＣウェハの製造工程を示す概略図である。 従来のＳｉＣウェハの製造工程を示す説明図である。 従来のＳｉＣウェハの製造工程を示す概略図である。 従来のＳｉＣウェハの製造工程を示す説明図である。
　以下、本発明のＳｉＣウェハの一実施の形態の詳細な説明の後に、本発明のＳｉＣウェハの製造方法の一実施の形態についての詳細な説明を行う。
　また、図２２に機械加工処理を施したウェハの表面を断面から観察した場合の概念図を示す。ＳｉＣウェハ２０は、単結晶ＳｉＣのインゴット１０をスライスし平坦化することにより形成される。このときＳｉＣウェハ２０の表面には、多数のクラック（傷）を有するクラック層３１や結晶格子に歪みが生じた歪み層３２を含む加工変質層３０が導入されてしまう。また、レーザー加工等によりウェハ表面を選択的に除去して刻印部２５を形成する表面加工時においても同様に加工変質層３０が導入されてしまう。
　デバイス製造工程にて歩留まりを低下させないためには、この加工変質層３０を除去する必要がある。すなわち、表面加工によるクラックや格子歪みが導入されていない加工変質層３０下のバルク層３３を表出させることが好ましい。
　また、通常加工変質層３０を有するＳｉＣウェハ２０は、加工変質層３０起因の反りを有している。反り形状を評価する指標の１つにＳＯＲＩ値がある。このＳＯＲＩ値は、ウェハの裏面を支持し元の形状を変えないように測定した場合において、ウェハ表面上の全データを用いて最小二乗法により計算される最小二乗平面から、ウェハ表面上の最高点と最低点までの法線距離の合計のことを言う。
　このＳＯＲＩ値は、ウェハの口径が大きくなるほど加工変質層３０の影響を受けやすくなることが新たに分かってきた。図２３に、単結晶ＳｉＣウェハの加工変質層３０深さとＳＯＲＩ値の関係を示したグラフを示す。この図２３に示すように、加工変質層３０深さが深いほど、ＳＯＲＩ値の値が大きくなっているのがわかる。また、６インチ単結晶ＳｉＣウェハと４インチ単結晶ＳｉＣウェハを比較した場合、６インチ単結晶ＳｉＣウェハの方が加工変質層３０の影響を受けやすく、ＳＯＲＩ値が大きくなっているのがわかる。そのため、ＳｉＣウェハの反りを低減するためにも加工変質層３０の除去が重要である。
　なお、本明細書中の説明においては、ＳｉＣウェハ２０の半導体素子を作る面（具体的にはエピタキシャル膜を堆積する面）を主面２１といい、この主面２１に相対する面を裏面２２という。また、主面２１及び裏面２２を合わせて表面という。なお、主面２１としては、（０００１）面や（０００－１）面、これらの面から数度のオフ角を設けた表面等を例示することができる。（なお、本明細書では、ミラー指数の表記において、“－”はその直後の指数につくバーを意味する）。
《ＳｉＣウェハ》
〈第１の課題を解決するＳｉＣウェハ〉
　第１の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハ２０は、鏡面加工された主面２１と、梨地加工された裏面２２と、を備えることを特徴とする。
　単結晶ＳｉＣは、透光性を有し可視光を透過する。そのため、デバイス製造工程中においては、光学式センサを用いてウェハを検知し難いという問題があった。本発明のＳｉＣウェハ２０は、裏面２２が梨地面であることにより、両面が鏡面である従来のＳｉＣウェハと比較して、光学式センサによる検知率を向上させることができる。
　また、ウェハ裏面の摩擦係数が大きいため、搬送時や装置内で滑りにくく、また、静電チャック方式の試料台から剥がしやすく、デバイス製造工程における利点を有する。
　本明細書中の説明において、梨地面とは、梨の実の表皮のように微細な凹凸が形成された表面のことを表す概念である。この梨地面としては、例えば、不定形で微細な斑点状の凹凸が方向性なく無秩序に組み合わされた表面や、一方向に向かって伸びる筋状の凹凸が配列した表面を例示することができる。
　特に、梨地面の裏面２２を有することにより、鏡面の主面２１側から入射される可視光の反射率は、波長毎にバラツキが生じない。一方、両面が鏡面である場合には、光の干渉等により特定の波長領域で反射率が大きくなり、波長毎の反射率にバラつきが生じてしまう。
　すなわち、梨地面が入射した光を拡散・散乱させることにより、特定の波長領域で起こる干渉等を抑制することができ、波長毎の反射率の差を小さくすることができる。これにより、用いる波長が異なる様々な光学式センサに対し、検知率を向上させることができる。なお、可視光領域における波長毎の反射率の差は、好ましくは６％以下であり、より好ましくは５％以下であり、さらに好ましくは反射率の差が４％以下である。
　言い換えれば、可視光における鏡面側の反射率は、波長毎にバラツキがないことが望ましく、波長毎の反射率の差が６％以下であり、より好ましくは５％以下であり、さらに好ましくは反射率の差が４％以下である。
　このように、梨地面を備えるＳｉＣウェハ２０は、波長毎の反射率の差を小さくすることで、様々な波長の光学式センサに対して、検知率を向上させることができる。すなわち、梨地面は入射した光を拡散・散乱させることにより、特定の波長領域で起こる干渉等を抑制することができ、波長毎の反射率の差を小さくすることができる。
　また、鏡面の主面２１に入射される反射率は、可視光の波長領域で好ましくは１０％以上であり、より好ましくは１５％以上である。一方、梨地面の裏面２２に入射される可視光の反射率は、好ましくは５％以下であり、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは２％以下である。
　このような反射率を有した梨地面を備えるＳｉＣウェハ２０は、デバイス製造工程中に用いられる光学式センサの検知率が高い。すなわち、このような梨地面は、反射率が低く視認性が高いため、容易にウェハを検知することができる。また、鏡面（主面２１）との識別が容易となるため、ウェハやアセンブルの検査工程などでも、主面２１に焦点を合わせようとして誤って裏面２２に焦点を合わせてしまうことがなく、適切に検査・診断を行うことができる。
　また、数値では表せないが、梨地面の表面形状としては、径の異なる複数の緩やかな凸状部がうろこ状に配列した構造であることが好ましい。梨地面をこのような形状に構成することによって、デバイス製造工程における有利性をさらに向上させることができる。
　なお、本明細書中の説明において、反射率というときは、波長３００～１５００ｎｍの電磁波を、ＳｉＣウェハの表面に照射した際に、照射した電磁波が表面にて反射する割合のことをいう。また、本明細書中の説明において、可視光というときは、波長３６０～８３０ｎｍの電磁波のことをいう。
　ＳｉＣウェハ２０の界面を含めた可視光の外部透過率は、好ましくは２５％以下であることが望ましい。このような外部透過率を有するＳｉＣウェハ２０は、光学式センサの検知率が高く、デバイス製造工程における検知エラーを抑制することができる。
　なお、本明細書中の説明において、外部透過率というときは、波長３００～１５００ｎｍの電磁波をＳｉＣウェハの主面２１又は裏面２２に照射した際に、ＳｉＣウェハ２０内を透過する割合のことをいう。
　ＳｉＣウェハ２０の厚み（ウェハ厚み）は、好ましくは１ｍｍ以下であり、より好ましくは５００μｍ以下であり、さらに好ましくは５０～３５０μｍである。
　ＳｉＣウェハ２０をこのような薄い厚みに設定しても、裏面２２が梨地加工されていることにより、光学式センサの検知率を向上させることができる。
　梨地面の算術平均粗さＲａは、好ましくは５０～３００ｎｍであり、より好ましくは７５～２００ｎｍである。
　また、梨地面の最大高さＲｚは、好ましくは０．５～５μｍであり、より好ましくは０．７５～２．５μｍである。
　このような値で梨地面の粗さを形成することにより、ＳｉＣウェハ２０の主面・裏面の識別が容易となることや、ウェハ裏面の摩擦係数が大きくなり搬送時や装置内での滑りが防止されること、静電チャック方式の試料台から剥がしやすいこと、等の利点がより強く発揮される。
　さらには、パーティクルが付着しやすくなることや、試料台へのチャッキング時に、ウェハの平坦度を悪化させたりするなどの不具合についても、より強く抑制することができる。
　なお、本明細書中の説明において、算術平均粗さＲａ及び最大高さＲｚというときは、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｂ０６０１－２００１に準拠する算術平均粗さ及び最大高さのことである。
　また、数値では表せないが、本発明のＳｉＣウェハ２０の梨地の表面形状としては、微細なバリが除去され、滑らかなエッジを有した凸状部を有した構造となっていることが好ましい。
　一方、鏡面の算術平均粗さＲａは、好ましくは０．０５～０．３ｎｍであり、より好ましくは０．０５～０．１ｎｍである。
　また、鏡面の最大高さＲｚは、０．２～１．２μｍであり、より好ましくは０．２～０．４μｍである。
　鏡面の表面をこのように形成することにより、ウェハの主面・裏面の識別が容易となる。
　ＳｉＣウェハ２０は、オリフラ２４や刻印部２５を備えていても良い。また、ＳｉＣウェハ２０の形状は特に限定されず、典型的には薄円板状である。
〈第２の課題を解決するＳｉＣウェハ〉
　第２の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハ２０は、加工変質層３０が実質的にないことを特徴とする。すなわち、半導体素子が作られる主面２１、主面２１に相対する裏面２２、外周部２３、オリフラ２４やノッチ等の切欠き部、刻印部２５の何れにも、加工変質層３０が実質的にないことを特徴とする。換言すれば、表面再構成由来の格子歪み以外の格子歪みが実質的にないことが望ましい。さらに換言すれば、主面２１及び裏面２２と隣接するバルク層３３は、表面再構成由来の格子歪み以外の格子歪みが実質的にないことを特徴とする。
　また、ＳｉＣウェハ２０の表面（主面２１及び裏面２２）下の結晶格子には、格子歪みが生じていないことが望ましい。換言すれば、主面２１と、前記主面２１直下に設けられるバルク層３３と、前記バルク層３３直下に設けられる裏面２２と、を備えていることが望ましい。
　ここで「加工変質層が実質的にない」とは、デバイス製造工程に影響を与える程度の加工変質層が存在しないことをいう。例えば、後述する格子歪み量が０．０１％超の加工変質層がないことをいう。
　また、「表面再構成由来の格子歪み以外の格子歪みが実質的にない」とは、デバイス製造工程に影響を与える程度の格子歪みが存在しないことをいう。例えば、ＳｉＣウェハ２０を構成する単結晶ＳｉＣのうち表面以外の格子歪み量が０．０１％以下であることをいう。
　このようにＳｉＣウェハ２０内全域に格子歪みが生じていないことにより、デバイス製造工程に好ましいＳｉＣウェハ２０を提供することができる。
　なお、本明細書中の説明において、格子歪みというときは、表面再構成に由来する格子歪みを除く格子歪みのことをいう。
　なお、本明細書中の説明において、格子歪み量というときは、図２２におけるバルク層３３の結晶格子と、歪み層の結晶格子を比較した際に生じているズレ量のことをいい、単に比率を表す数値であるため「％」表記とする。
　ＳｉＣウェハ２０表面下の格子歪みは、基準となる基準結晶格子と比較することにより求めることができる。この格子歪みを測定する手段としては、例えば、ＳＥＭ－ＥＢＳＤ法を用いることができる。ＳＥＭ－ＥＢＳＤ法は、走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope: SEM）の中で、電子線後方散乱により得られる菊池線回折図形をもとに、微小領域の歪み測定が可能な手法（Electron Back Scattering Diffraction: EBSD）である。この手法では、基準となる基準結晶格子の回折図形と測定した結晶格子の回折図形を比較することで、格子歪み量を求めることができる。
　基準結晶格子としては、例えば、格子歪みが生じていないと考えられる領域に基準点Ｒを設定する。すなわち、図２２におけるバルク層３３の領域に基準点Ｒを配置することが望ましい。通常、加工変質層３０の深さは、１０μｍ程度となるのが定説である。そのため、加工変質層３０よりも十分に深いと考えられる深さ２０～３０μｍ程度の位置に、基準点Ｒを設定すればよい。
　次に、この基準点Ｒにおける結晶格子の回折図形と、ナノメートルオーダーのピッチで測定した各測定領域の結晶格子の回折図形とを比較する。これにより、基準点Ｒに対する各測定領域の格子歪み量を算出することができる。
　また、基準結晶格子として格子歪みが生じていないと考えられる基準点Ｒを設定する場合を示したが、単結晶ＳｉＣの理想的な結晶格子を基準とすることや、測定領域面内の大多数（例えば、過半数以上）を占める結晶格子を基準とすることも当然に可能である。
　また、ＳｉＣウェハ２０表面下の格子歪み量を求める方法としては、汎用的な応力測定方法を採用することができ、例えば、ラマン分光法、Ｘ線回折法、電子線回折法等を例示することができる。
　本発明のＳｉＣウェハ２０表面下の結晶格子は、基準結晶格子に対する格子歪み量が、好ましくは０．０１％以下であり、より好ましくは０．００５％以下であり、さらに好ましくは０．００１％以下である。
　このように、格子歪み量が０．０１％以下であることにより、後のデバイス製造工程で格子歪みに起因する不具合が生じることを抑制することができ、より高品質なＳｉＣウェハ２０を提供することができる。
　また、このように、格子歪み量が０．０１％以下であることにより、ＳｉＣウェハ２０内に応力がほとんど生じておらず、加工変質層の中でも除去が難しい歪み層が除去されていることがわかる。
　ＳｉＣウェハ２０の厚み（ウェハ厚み）は、好ましくは１ｍｍ以下であり、より好ましくは５００μｍ以下であり、さらに好ましくは５０～３５０μｍである。
　ＳｉＣウェハ２０をこのような薄い厚みに設定しても、裏面２２が梨地面加工されていることにより、光学式センサの検知率を向上させることができる。
　ＳｉＣウェハ２０の界面を含めた可視光の外部透過率は、好ましくは２５％以下であることが望ましい。このような外部透過率を有するＳｉＣウェハ２０は、光学式センサの検知率が高く、デバイス製造工程における検知エラーを抑制することができる。
　なお、本明細書中の説明において、外部透過率というときは、波長３００～１５００ｎｍの電磁波をＳｉＣウェハの主面２１又は裏面２２に照射した際に、ＳｉＣウェハ２０内を透過する割合のことをいう。
　また、本発明に係るＳｉＣウェハは、１５００～２０００℃の温度範囲で加熱した際にＳＯＲＩ値が変化しない。すなわち、ＳｉＣウェハ２０の全域において加工変質層３０が除去されているので、後のデバイス製造工程時に加工変質層３０起因の反りが発生しない。
　なお、本明細書中における「ＳＯＲＩ値が変化しない」とは、加工変質層３０に起因するＳＯＲＩ値の変化がないことを言う。例えば、エピタキシャル成長工程やイオン注入工程等の後のデバイス製造工程にて導入される格子歪みやダメージ等に起因するＳＯＲＩ値の変化は含まない。
　なお、本発明に係るＳｉＣウェハ２０は、主面２１及び裏面２２のみならず、機械加工が難しい外周部２３、オリフラ２４やノッチ等の切欠き部、刻印部２５においても加工変質層３０が除去されている。そのため、後のデバイス製造工程において加工変質層３０起因で発生する欠陥等を抑制することができる。
　また、本発明に係るＳｉＣウェハ２０は、上述した第１の課題と第２の課題を同時に解決しても良い。
　本発明のＳｉＣウェハ２０の製造方法は特に限定されないが、後述する本発明の製造方法により製造することが好ましい。以下、本発明の製造方法について説明する。
《ＳｉＣウェハの製造方法》
　以下、図１ないし図７を参照して、本発明のＳｉＣウェハの製造方法についてさらに詳細に説明する。図面には好ましい実施形態が示されている。しかし、多くの異なる形態で実施されることが可能であり、本明細書に記載される実施形態に限定されない。
　なお、本発明の理解においては、従来のＳｉＣウェハの製造工程と比較することが有用であると認められる。そのため、適宜、図２４ないし図２７を参照し従来のＳｉＣウェハの製造方法の各工程と比較しながら、本発明のＳｉＣウェハの製造方法における各工程について説明する。
　以下、図１ないし図７に示した工程順序に沿って、第１の課題ないし第５の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造方法について説明を加える。
〈第１の課題を解決するＳｉＣウェハの製造方法〉
　図１ないし図３は、第１の課題を解決するＳｉＣウェハの製造工程である。
　第１の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、結晶成長させた単結晶ＳｉＣの塊を円柱状のインゴット１０に加工するインゴット成形工程（ステップＳ１１）と、インゴット１０の結晶方位を示す目印となるよう外周の一部に切欠き部を形成する結晶方位成形工程（ステップＳ１２）と、インゴット１０をスライスして薄円板状のＳｉＣウェハ２０に加工するスライス工程（ステップＳ１３）と、ＳｉＣウェハ２０の少なくとも裏面２２を梨地面とする梨地加工工程（ステップＳ１４１）と、刻印部２５を形成する刻印形成工程（ステップＳ１５）と、外周部２３を面取りする面取り工程（ステップＳ１６）と、Ｓｉ蒸気圧下で加熱することでＳｉＣウェハ２０の少なくとも裏面２２をエッチングするエッチング工程（ステップＳ２１）と、ＳｉＣウェハ２０の主面２１を鏡面とする鏡面加工工程（ステップＳ３１）と、を含む。
　なお、インゴット成形工程Ｓ１１～面取り工程Ｓ１６はウェハ形状形成工程Ｓ１０であり、エッチング工程Ｓ２１は加工変質層除去工程Ｓ２０であり、鏡面加工工程Ｓ３１は鏡面研磨工程Ｓ３０である。
　以下、各工程について説明を加える。
（１）インゴット成形工程
　インゴット成形工程Ｓ１１は、結晶成長させた単結晶ＳｉＣの塊を円柱状のインゴット１０に加工する工程である。このインゴット１０は、通常、円柱の長手方向が＜０００１＞方向となるよう加工される。
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、後行の工程であるエッチング工程Ｓ２１との組み合わせにより、このインゴット成形工程Ｓ１１にて導入された加工変質層３０を除去することができる。
（２）結晶方位成形工程
　結晶方位成形工程Ｓ１２は、インゴット成形工程Ｓ１１にて形成したインゴット１０の結晶方位を示す目印となるよう、インゴット外周の一部に切欠き部を形成する工程である。この切欠き部としては、＜１１－２０＞方向と平行な平面（オリエンテーションフラット（オリフラ）２４）や、＜１１－２０＞方向の両端に設けられる溝（ノッチ）等を例示することができ、単結晶ＳｉＣの結晶方位を特定することができるよう形成される。
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、後行の工程であるエッチング工程Ｓ２１との組み合わせにより、この結晶方位成形工程Ｓ１２にて導入された加工変質層３０を除去することができる。
（３）スライス工程
　スライス工程Ｓ１３は、インゴット１０をスライスして薄円板状のＳｉＣウェハ２０を得る工程である。
　スライス工程Ｓ１３のスライス手段としては、複数本のワイヤーを往復運動させることでインゴット１０を所定の間隔で切断するマルチワイヤーソー切断や、プラズマ放電を断続的に発生させて切断する放電加工法、インゴット１０中にレーザーを照射・集光させて切断の基点となる層を形成するレーザーを用いた切断、等を例示できる。
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、後行の工程であるエッチング工程Ｓ２１との組み合わせにより、このスライス工程Ｓ１３にて導入された加工変質層３０を除去することができる。特に、デバイス作成面である表面に導入される加工変質層３０は、デバイス製造工程にて歩留まりを低下させる原因となるため、完全に除去することが望ましい。
（４）梨地加工工程
　梨地加工工程Ｓ１４１は、ＳｉＣウェハ２０の少なくとも裏面２２に梨地面を形成する工程である。この梨地加工工程Ｓ１４１の梨地加工手段としては、梨地面を形成可能な慣用の手段を採用することができ、例えば、コンプレッサで圧縮した空気を用いて微細な粒状の研削材をウェハ表面に吹き付けるサンドブラスト加工や、砥粒をボンド材に埋め込んだ砥石で加工を行う固定砥粒加工（グラインド研削等）、定盤に微細な砥粒をかけ流しながら加工を行う遊離砥粒加工（ラッピング研磨等）を例示できる。より好ましくは、スライス工程Ｓ１３にてＳｉＣウェハ２０に導入される“うねり”を除去する平坦化を同時に行える、固定砥粒加工及び遊離砥粒加工が好適に用いられる。
　以下、本発明のＳｉＣウェハの製造方法の好ましい梨地加工工程Ｓ１４１の加工方法や加工条件、砥粒の性質について説明を加える。
　（４－１）加工方法
　梨地加工工程Ｓ１４１に好ましい加工方式としては、定盤に微細な砥粒をかけ流しながら加工を行う遊離砥粒加工（ラッピング研磨等）が好適に用いられる。なお、砥粒は水や分散剤と混合された混合液（スラリー）として滴下されることが望ましい。本工程において使用される加工装置としては、従来の遊離砥粒加工にて使用される汎用型の加工装置を採用することができる。また、両面同時に加工する方式であっても良いし、片面を加工する方式であってもよい。
　梨地加工工程Ｓ１４１においては、砥粒を破砕しながらＳｉＣウェハ２０を加工することが好ましい。すなわち、梨地加工工程Ｓ１４１の加工前の平均砥粒径と加工後の平均砥粒径を比較したとき、加工後は破砕され、砥粒径が細かくなっていることが望ましい。
　ここで、梨地加工工程Ｓ１４１において用いる砥粒の平均砥粒径は加工速度に影響を与える。より具体的には、大きい砥粒を用いる場合には大きな加工速度を実現でき、小さい砥粒を用いた場合には加工速度が小さくなる関係にある。
　そのため、砥粒を破砕しながら梨地加工工程Ｓ１４１を行えば、梨地加工工程Ｓ１４１の開始段階においては大きな加工速度で迅速にＳｉＣウェハ２０の表面を加工することができる。一方で、加工が進み砥粒が小さくなるにつれて加工速度が漸次小さくなり、工程の最終段階においてはＳｉＣウェハ２０の表面への繊細な加工を実現し、ＳｉＣウェハの表面に導入される梨地面の粗さが大きくなりすぎることを抑制することができる。
　このように形成された梨地面に対してエッチング工程Ｓ２１を実行することにより、デバイス製造工程に適した梨地面を有するＳｉＣウェハ２０を製造することができる。
　なお、後述する脆性を有する砥粒を用いることで、砥粒を破砕しながら梨地加工工程Ｓ１４１を行う形態の発明の実施が可能である。
　また、後述する梨地加工工程Ｓ１４１における加工条件にて、砥粒を破砕しながら梨地加工工程Ｓ１４１を行う形態の発明の実施が可能である。
　砥粒を破砕しながら梨地加工工程Ｓ１４１を行う形態にあっては、加工前の砥粒の平均砥粒径は、好ましくは２０μｍ以上であり、より好ましくは４０μｍ以上である。
　加工前の状態で上記範囲の平均砥粒径を有する砥粒を用いることで、梨地加工工程Ｓ１４１の開始段階における迅速な加工が可能となる。
　また、本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、少なくとも梨地加工工程Ｓ１４１の開始段階において、平均砥粒径が、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下の砥粒を用いることが好ましい。
　梨地加工工程Ｓ１４１の開始段階において、用いる砥粒の平均砥粒径の上限を上記範囲に設定することによって、梨地加工工程Ｓ１４１によってＳｉＣウェハ２０に導入される加工変質層３０の深さを低減することができる。
　一方、加工後の平均砥粒粒子が、好ましくは２０μｍ未満、より好ましくは１０μｍ以下となるように、砥粒を破砕しながら梨地加工工程Ｓ１４１を行うことが好ましい。
　加工後の平均砥粒粒子が上記範囲となるように、砥粒を破砕しながら梨地加工工程Ｓ１４１を実行することで、ＳｉＣウェハ２０に導入される梨地の粗さを低減することができ、後述するエッチング工程Ｓ２１に供するに適したＳｉＣウェハ２０の表面状態を実現することができる。
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、少なくとも梨地加工工程Ｓ１４１の終盤において、平均砥粒径が、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上の砥粒を用いることが好ましい。
　梨地加工工程Ｓ１４１の開始段階において、用いる砥粒の平均砥粒径の下限を上記範囲に設定することによって、ＳｉＣウェハ２０の表面を効率的に加工することができる。
　以下に砥粒を破砕しながら梨地加工工程Ｓ１４１を行う場合の具体例を挙げる。
　平均砥粒径４０μｍのＢ４Ｃ砥粒を用いて、加工圧力１５０ｇ/ｃｍ２、加工時間２０分の条件で梨地加工工程Ｓ１４１を実施し、後述するエッチング工程Ｓ２１を施したところ、従来のＳｉウェハと同等の梨地面が形成された。このとき梨地加工工程Ｓ１４１の加工後の平均砥粒径は１０μｍ以下であった。この工程におけるＳｉＣウェハ２０の加工深さ２０μｍを加工時間で除去することで得られた平均加工速度は１μｍ／分であった。
　（４－２）砥粒の性質
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、遊離砥粒方式下での梨地加工工程Ｓ１４１において、砥粒を破砕しながら加工を行うことが望ましい。つまり、本発明で用いる砥粒は、遊離砥粒方式で容易に破砕される程度の脆性を有することが好ましい。
　より具体的には、以下の脆性条件を充足する素材で構成された砥粒を用いることが好ましい。
（脆性条件）加工圧力１５０ｇ/ｃｍ２の条件で、平均砥粒径４０μｍに調整された砥粒を用いて、ＳｉＣウェハの表面を遊離砥粒方式で両面同時に梨地加工したとき、加工時間２０分経過後に平均砥粒径が２０μｍ以下となる。
　梨地加工工程Ｓ１４１においては、好ましくは修正モース硬度１５未満の砥粒を用いる。
　本明細書中の説明において、修正モース硬度とは、タルクを１、ダイヤモンドを１５としたときの、物質の硬さの尺度を示す値である。すなわち、本工程においては、ダイヤモンドの硬度未満の砥粒が用いられる。具体的な砥粒の材料としては、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、等を例示することができる。このほかにも、修正モース硬度１５未満の硬度を有する砥粒であれば当然に採用することができる。
　このように、ダイヤモンドの硬度未満の砥粒を用いることで、梨地面の粗さを抑えることができる。すなわち、ダイヤモンド砥粒は加工対象であるＳｉＣウェハ２０と比較して極めて高硬度であるため、梨地加工工程Ｓ１４１の過程で小径に破砕され難く、ＳｉＣウェハ２０表面の深い位置まで傷等を導入してしまい梨地面が粗くなる。
　また、本工程において用いられる砥粒は、修正モース硬度１３以上の砥粒であることが望ましい。具体的な砥粒の材料としては、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を例示することができる。
　このように、修正モース硬度１３以上の砥粒を採用することにより、ＳｉＣウェハ２０を効率的に加工することができる。すなわち、加工対象であるＳｉＣウェハ２０と同等若しくはそれ以上の硬度を採用することにより、効率良く加工することができる。
　中でも、砥粒のコストや加工速度を考慮すると、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）砥粒を採用することが望ましい。すなわち、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）砥粒は安価で手に入れることができ、炭化ケイ素砥粒と比較して高速で効率よく加工することができる。
　なお、本明細書中の説明において、平均砥粒径というときは、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｒ６００１－２:２０１７に準拠する平均粒子径のことである。
　（４－３）加工条件
　梨地加工工程Ｓ１４１における遊離砥粒加工における加工圧力は、１００～３００ｇ/ｃｍ２であり、より好ましくは１５０～２００ｇ/ｃｍ２である。
　また、本加工における定盤の回転数は、５～２０ｒｐｍであり、より好ましくは１０～１５ｒｐｍである。
　さらに、本加工における加工時間は、５～３０分であり、より好ましくは５～１５分である。
　また、スライス工程Ｓ１３にてＳｉＣウェハ２０に導入されるうねりは、通常、片面につき３０～５０μｍである。この梨地加工工程Ｓ１４１では、梨地加工に加えてＳｉＣウェハ２０の平坦化も同時に行うことができ、うねりを除くため、ＳｉＣウェハ２０の主面２１及び裏面２２から３０～５０μｍ深さまで加工を行う。
　また、梨地加工工程Ｓ１４１の好ましい形態として、ダイヤモンドの硬度未満の砥粒を用いる場合を示したが、ダイヤモンド砥粒を用いることも可能である。
　また、梨地加工工程Ｓ１４１の好ましい形態として遊離砥粒加工について説明したが、固定砥粒加工を採用することも可能である。加工条件としては、平均砥粒径３～３０μｍのダイヤモンド砥粒を用いて、砥石回転数１０００～１５００ｒｐｍ、切込みピッチ１～３μｍ、前後送り１５０～２５０ｍ／分、左右送り１５～２５ｍ／分、加工速度５０～１５０μｍ／時、という条件を例示できる。
　なお、加工装置としては、従来の固定砥粒加工にて使用される汎用型の加工装置を採用することができる。
　また、従来行われていた従来法の平坦化工程Ｓ１７（図２４参照）を梨地加工工程Ｓ１４１として採用することも可能である。
　本発明においては、主面２１の表面加工方法については限定されない。
　スライス工程Ｓ１３を経た後に特に主面２１については表面加工を行わなくてもよい。また、スライス工程Ｓ１３を経た後に特に平坦化はせず、そのまま後行のエッチング工程Ｓ２１に供してもよい。
　本発明の好ましい実施の形態では、主面２１について、スライス工程Ｓ１３の後に平坦化工程を実施する。平坦化工程における加工方法としては、遊離砥粒方式のほか、固定砥粒方式を採用することができる。平坦化工程における加工方法においては特に遊離砥粒方式を採用することが好ましい。
　主面２１を遊離砥粒方式により表面加工する場合の実施の形態については、上述の梨地加工工程Ｓ１４１の好ましい形態として説明した遊離砥粒加工方式についての説明をそのまま適用することができる。
　梨地加工工程Ｓ１４１において裏面２２に対して遊離砥粒方式での梨地加工を行う場合には、これと同一の条件で主面２１に対して遊離砥粒方式により平坦化加工を行ってもよく、また、裏面２２とは別の加工方法により主面２１を平坦化してもよい。
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法の好ましい一実施の形態では、刻印形成工程Ｓ１５と面取り工程Ｓ１６を含む（図１及び図３参照）。
（５）刻印形成工程
　刻印形成工程Ｓ１５は、ＳｉＣウェハ２０の裏面２２（又は主面２１）に対して、レーザーを照射・集光し、ＳｉＣウェハ２０表面を選択的に除去して刻印部２５を形成する工程である。刻印形成工程Ｓ１５の刻印形成手段としては、レーザー加工等を例示できる。刻印部２５は、ＳｉＣウェハ２０を識別するための情報（具体的には、文字、記号、バーコード等）を含む。
（６）面取り工程
　面取り工程Ｓ１６は、ＳｉＣウェハ２０の外周部２３に対して、機械加工等により面取りを行う工程である。面取り工程Ｓ１６の面取り手段としては、研削やテープ研磨等を例示できる。この面取りは、外周部２３に所定の円弧を形成する丸み面取りであっても良いし、所定の角度で斜めに切り取る面取りであっても良い。
　梨地加工工程Ｓ１４１、刻印形成工程Ｓ１５及び面取り工程Ｓ１６の順序は図１及び図３に示したものに限定されないが、梨地加工工程Ｓ１４１は刻印形成工程Ｓ１５及び面取り工程Ｓ１６よりも先んじて行うことが好ましい。
　このように梨地加工工程Ｓ１４１を先に実施することによりウェハのうねりを除去することで、刻印形成工程Ｓ１５での刻印部２５形成や、面取り工程Ｓ１６での面取り位置の決定を精度良く行うことができ、ウェハの均質性を高めることができる。
　また、刻印形成工程Ｓ１５と面取り工程Ｓ１６の順序は特に限定されないが、図１及び図３に示すように刻印形成工程Ｓ１５の後に面取り工程Ｓ１６を実施しても良い。このように刻印形成工程Ｓ１５を面取り工程Ｓ１６の前に実施することで、主面２１及び裏面２２の管理を早い段階で行うことができ、製品管理上の問題が生じにくい。
　また、面取り工程Ｓ１６の後に刻印形成工程Ｓ１５を実施してもよい。この場合には、ウェハ径のバラツキを抑制することができ、刻印部２５の形成位置を精度良く決定することができる。
（７）エッチング工程
　エッチング工程Ｓ２１は、Ｓｉ蒸気圧下で加熱することでＳｉＣウェハ２０の少なくとも裏面２２をエッチングする工程である。より具体的には、先行の工程でＳｉＣウェハ２０に導入された梨地面を、Ｓｉ蒸気圧下で加熱しエッチングすることで、デバイス製造工程に好ましい状態（うねり、凹凸形状、粗さ等を含む）とする工程である。
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、梨地加工工程Ｓ１４１とエッチング工程Ｓ２１を組み合わせることにより、難加工材料であるＳｉＣウェハ２０の少なくとも裏面２２にデバイス製造工程に好ましい梨地面を形成することができる顕著な効果を有する。
　さらに、Ｓｉ蒸気圧下で加熱しエッチングするエッチング工程Ｓ２１は、先行の工程でＳｉＣウェハ２０に導入された加工変質層３０を除去することが可能である。そのため、図１及び図３に示すように、エッチング工程Ｓ２１は、梨地加工工程Ｓ１４１、刻印形成工程Ｓ１５及び面取り工程Ｓ１６を含むウェハ形状形成工程よりも後に行うことが好ましい。これにより、主面２１及び裏面２２のみならず、外周部２３やオリフラ２４、刻印部２５周辺に導入された加工変質層３０をも除去することができ、ＳｉＣウェハ２０の高品質化に貢献することができる。
　一方、図２４及び図２５に示すように、従来のＳｉＣウェハの製造方法にて行われていた粗研削工程Ｓ２２及び仕上げ研削工程Ｓ２３においては、外周部２３やオリフラ２４、刻印部２５周辺に導入された加工変質層３０を除去することができず、ＳｉＣウェハ２０の品質を低下させる要因となっていた。
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、インゴット成形工程Ｓ１１～刻印形成工程Ｓ１５後にエッチング工程Ｓ２１を施すことにより、主面２１及び裏面２２のみならず、今まで加工ができなかった外周部２３やオリフラ２４、刻印部２５周辺に導入された加工変質層３０をも除去することができ、ＳｉＣウェハ２０の高品質化に貢献することができる顕著な効果を有する。
　また、本発明のＳｉＣウェハの製造方法にて採用するエッチング工程Ｓ２１では、両面同時にエッチングすることが可能であるため、トワイマン効果によるウェハの反りが発生しない。
　エッチング工程Ｓ２１においてＳｉＣウェハ２０の片面につき、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、エッチングすることが望ましい。
　エッチング量を上記範囲内とすることで、梨地加工工程Ｓ１４１にて生じたバリ等が除去されることにより、より好ましい梨地面を形成することができる。
　また、エッチング工程Ｓ２１においてエッチングを進行させるほど（エッチング量を大きくするほど）、梨地面の算術平均粗さＲａ及び最大高さＲｚを低減させることができる。すなわち、このエッチング工程Ｓ２１は、エッチング量を制御することで前記梨地面の粗さを調整する粗さ調整工程を有している。
　これにより、難加工材料であるＳｉＣウェハ２０の少なくとも裏面２２に、所望の粗さの梨地面を形成することができるという顕著な効果を有する。
　具体的には、エッチング工程Ｓ２１においてＳｉＣウェハ２０の片面につき、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは６μｍ以上、さらに好ましくは９μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上、さらに好ましくは１２μｍ以上エッチングしてもよい。
　エッチング量を上記範囲とすることにより、梨地面の算術平均粗さＲａ及び最大高さＲｚを好ましい範囲とすることができる。
　エッチング工程Ｓ２１におけるエッチング量の上限は特に制限されないが、ＳｉＣウェハ２０の片面につき、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下を目安とすることができる。
　また、エッチング工程Ｓ２１におけるエッチング量は、素材ロス量の低減の観点から、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは６μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ以下とすることが望ましい。
　以下、エッチング工程Ｓ２１についてさらに詳細に説明を加える。
　はじめに、図４を参照して、Ｓｉ蒸気圧エッチングにて使用される装置構成例について説明する。次いでＳｉ蒸気圧エッチングのエッチング機構とエッチング条件について説明する。
　（７－１）装置構成
　本工程においては、図４に示すように、ＳｉＣウェハ２０が収容される坩堝４０と、この坩堝４０を加熱可能な高温真空炉５０と、を備える装置を用いることが好ましい。
　坩堝４０は、上容器４１と、この上容器４１に嵌合可能な下容器４２と、ＳｉＣウェハ２０を支持する支持台４３と、を備えている。上容器４１の壁面（上面，側面）及び下容器４２の壁面（側面，底面）は複数の層から構成されており、外部側から内部空間側に向かって順に、タンタル層（Ｔａ）、タンタルカーバイド層（ＴａＣ及びＴａ２Ｃ）、及びタンタルシリサイド層（ＴａＳｉ２又はＴａ５Ｓｉ３等）を有している。
　このタンタルシリサイド層は、加熱を行うことで、内部空間にＳｉを供給する。また、坩堝４０にはタンタル層及びタンタルカーバイド層が含まれるため、周囲のＣ蒸気を取り込むことができる。これにより、加熱時に内部空間内を高純度のＳｉ雰囲気とすることができる。なお、タンタルシリサイド層を設けることに代えて、固体のＳｉ等を内部空間に配置しても良い。この場合、加熱時に固体のＳｉが昇華することで、内部空間内を高純度のＳｉ雰囲気とすることができる。
　支持台４３は、ＳｉＣウェハ２０の主面２１及び裏面２２の両方を露出させるように支持することが可能である。
　高温真空炉５０は、本加熱室５１と、予備加熱室５２と、坩堝４０を予備加熱室５２から本加熱室５１へ移動可能な移動台５３と、を備えている。本加熱室５１は、ＳｉＣウェハ２０を１０００℃以上２３００℃以下の温度に加熱することができる。予備加熱室５２は、ＳｉＣウェハ２０を本加熱室５１で加熱する前に予備加熱を行うための空間である。
　本加熱室５１には、真空形成用バルブ５４と、不活性ガス注入用バルブ５５と、真空計５６と、が接続されている。真空形成用バルブ５４は、本加熱室５１の真空度を調整することができる。不活性ガス注入用バルブ５５は、本加熱室５１内に不活性ガス（例えばＡｒガス）を導入し、この圧力を調整することができる。真空計５６は、本加熱室５１内の真空度を測定することができる。
　本加熱室５１の内部には、ヒータ５７が備えられている。また、本加熱室５１の側壁及び天井には熱反射金属板が固定されており（図示せず）、この熱反射金属板は、ヒータ５７の熱を本加熱室５１の略中央部に向けて反射させるように構成されている。
　これにより、ＳｉＣウェハ２０を強力かつ均等に加熱し、１０００℃以上２３００℃以下の温度まで昇温させることができる。なお、ヒータ５７としては、例えば、抵抗加熱式のヒータ又は高周波誘導加熱式のヒータを用いることができる。
　（７－２）エッチング機構
　ＳｉＣウェハ２０を坩堝４０内に収容し、高純度のＳｉ蒸気圧下で１５００℃以上２２００℃以下の温度範囲で高温真空炉５０を用いて加熱を行う。この条件でＳｉＣウェハ２０が加熱されることで、表面がエッチングされる。このエッチングの概要を以下１）～４）に示す。
　１）　ＳｉＣ（ｓ）→Ｓｉ（ｖ）I＋Ｃ（ｓ）
　２）　ＴａxＳｉy→Ｓｉ（ｖ）II＋Ｔａx’Ｓｉy’
　３）　２Ｃ（ｓ）＋Ｓｉ（ｖ）I+II→ＳｉＣ２（ｖ）
　４）　Ｃ（ｓ）＋２Ｓｉ（ｖ）I+II→Ｓｉ２Ｃ（ｖ）
　１）の説明:ＳｉＣウェハ２０（ＳｉＣ（ｓ））がＳｉ蒸気圧下で加熱されることで、熱分解によってＳｉＣからＳｉ原子（Ｓｉ（ｖ）I）が脱離する。
　２）の説明:タンタルシリサイド層（ＴａxＳｉy）からＳｉ蒸気（Ｓｉ（ｖ）II）が供給される。
　３）及び４）の説明:熱分解によってＳｉ原子（Ｓｉ（ｖ）I）が脱離することで残存したＣ（Ｃ（ｓ））は、Ｓｉ蒸気（Ｓｉ（ｖ）I及びＳｉ（ｖ）II）と反応することで、Ｓｉ２Ｃ又はＳｉＣ２等となって昇華する。
　上記１）～４）の反応が持続的に行われ、結果としてエッチングが進行する。
　（７－３）エッチング条件
　Ｓｉ蒸気圧エッチングにおける加熱温度は、１５００～２２００℃であり、より好ましくは１８００～２０００℃である。
　本加工における加工速度（エッチング速度）は、０．１～１０μｍ／ｍｉｎである。
　本加工における本加熱室５１の真空度は、１０－５～１０Ｐａであり、より好ましくは１０－３～１Ｐａである。
　本加工における不活性ガスはＡｒであり、この不活性ガスを導入することによって真空度を調整する。
　本加工における加工時間は特に制限はなく、所望のエッチング量に合わせた任意の時間を採用することができる。例えば、加工速度が１μｍ／ｍｉｎの時に、エッチング量を３μｍとしたい場合には、加工時間は３分となる。
　なお、このエッチング工程Ｓ２１の前に仕上げ研削工程Ｓ２３や仕上げ研磨工程を含んでも良い。このように仕上げ研削工程Ｓ２３や仕上げ研磨工程をエッチング工程Ｓ２１前に行うことにより、エッチング後のＳｉＣウェハ２０の平坦度を向上させることができる。
（８）鏡面加工工程
　鏡面加工工程Ｓ３１としては、研磨パッドの機械的な作用とスラリーの化学的な作用を併用して研磨を行う化学機械研磨（ＣＭＰ）加工を例示することができる。この化学機械研磨加工は、ＳｉＣウェハ２０の主面２１をデバイス製造工程に好ましい表面状態である鏡面に加工する工程である（図３の二点鎖線部分）。
　なお、従来のＳｉＣウェハの製造方法においては、主面２１と裏面２２に化学機械研磨（ＣＭＰ）加工を施し、鏡面化することが行われていた（図２５の二点鎖線部分）。
　本加工は、従来の化学機械研磨加工にて使用される汎用型の加工装置を採用することができ、加工条件は、当業者が通常行う範囲で設定することができる。
〈第２の課題を解決するＳｉＣウェハの製造方法〉
　以下、第２の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造工程について、図２、図３、図５を参照して詳細に説明する。なお、この第２の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造工程において、先の第１の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造工程と基本的に同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を簡略化する。
　第２の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、結晶成長させた単結晶ＳｉＣの塊を円柱状のインゴット１０に加工するインゴット成形工程（ステップＳ１１）と、インゴット１０の結晶方位を示す目印となるよう外周の一部に切欠きを形成する結晶方位成形工程（ステップＳ１２）と、インゴット１０をスライスして薄円板状のＳｉＣウェハ２０に加工するスライス工程（ステップＳ１３）と、ＳｉＣウェハ２０を平坦化する平坦化工程（ステップＳ１４２）と、刻印部２５を形成する刻印形成工程（ステップＳ１５）と、外周部２３を面取りする面取り工程（ステップＳ１６）と、Ｓｉ蒸気圧下で加熱することでＳｉＣウェハ２０の少なくとも裏面２２をエッチングするエッチング工程（ステップＳ２１）と、ＳｉＣウェハ２０の主面２１を鏡面とする鏡面加工工程（ステップＳ３１）と、を含む。
　なお、インゴット成形工程Ｓ１１ないし面取り工程Ｓ１６はウェハ形状形成工程Ｓ１０であり、エッチング工程Ｓ２１は加工変質層除去工程Ｓ２０であり、鏡面加工工程Ｓ３１は鏡面研磨工程Ｓ３０である。
（９）平坦化工程
　平坦化工程Ｓ１４２は、スライス工程Ｓ１３にてＳｉＣウェハ２０に導入されるうねりを除去する工程である。以下、平坦化工程Ｓ１４２において用いる加工方法及び加工条件、砥粒の性質について説明を加える。
　（９－１）加工方法
　平坦化工程Ｓ１４２に好ましい加工方式としては、砥粒をボンド材に埋め込んだ砥石で加工を行う固定砥粒加工（グラインド研削等）や、定盤に微細な砥粒をかけ流しながら加工を行う遊離砥粒加工（ラッピング研磨等）が好適に用いられる。なお、砥粒は水や分散剤と混合された混合液（スラリー）として滴下されることが望ましい。本工程において使用される加工装置としては、従来の固定砥粒加工及び遊離砥粒加工にて使用される汎用型の加工装置を採用することができる。また、両面同時に加工する方式であっても良いし、片面を加工する方式であってもよい。
　なお、この平坦化工程Ｓ１４２では、ＳｉＣウェハ２０の少なくとも裏面２２に梨地面を形成する梨地面形成を同時に行っても良い。
　平坦化工程Ｓ１４２においては、砥粒を破砕しながらＳｉＣウェハ２０を加工することが好ましい。すなわち、平坦化工程Ｓ１４２の加工前の平均砥粒径と加工後の平均砥粒径を比較したとき、加工後は破砕され、砥粒径が細かくなっていることが望ましい。
　ここで、平坦化工程Ｓ１４２において用いる砥粒の平均砥粒径は加工速度に影響を与える。より具体的には、大きい砥粒を用いる場合には大きな加工速度を実現でき、小さい砥粒を用いた場合には加工速度が小さくなる関係にある。
　そのため、砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を行えば、平坦化工程Ｓ１４２の開始段階においては大きな加工速度で迅速にＳｉＣウェハ２０の表面を加工することができる。一方で、加工が進み砥粒が小さくなるにつれて加工速度が漸次小さくなり、工程の最終段階においてはＳｉＣウェハ２０の表面への繊細な加工を実現し、ＳｉＣウェハの表面に導入される梨地面の粗さが大きくなりすぎることを抑制することができる。
　このように形成された梨地面に対してエッチング工程Ｓ２１を実行することにより、デバイス製造工程に適した梨地面を有するＳｉＣウェハ２０を製造することができる。
　なお、後述する脆性を有する砥粒を用いることで、砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を行う形態の発明の実施が可能である。
　また、後述する平坦化工程Ｓ１４２における加工条件にて、砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を行う形態の発明の実施が可能である。
　砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を行う形態にあっては、加工前の砥粒の平均砥粒径は、好ましくは２０μｍ以上であり、より好ましくは４０μｍ以上である。
　加工前の状態で上記範囲の平均砥粒径を有する砥粒を用いることで、平坦化工程Ｓ１４２の開始段階における迅速な加工が可能となる。
　また、本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、少なくとも平坦化工程Ｓ１４２の開始段階において、平均砥粒径が、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下の砥粒を用いることが好ましい。
　平坦化工程Ｓ１４２の開始段階において、用いる砥粒の平均砥粒径の上限を上記範囲に設定することによって、平坦化工程Ｓ１４２によってＳｉＣウェハ２０に導入される加工変質層３０の深さを低減することができる。
　一方、加工後の平均砥粒粒子が、好ましくは２０μｍ未満、より好ましくは１０μｍ以下となるように、砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を行うことが好ましい。
　加工後の平均砥粒粒子が上記範囲となるように、砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を実行することで、ＳｉＣウェハ２０に導入される梨地面の粗さを低減することができ、後述するエッチング工程Ｓ２１に供するに適したＳｉＣウェハ２０の表面状態を実現することができる。
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、少なくとも平坦化工程Ｓ１４２の終盤において、平均砥粒径が、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上の砥粒を用いることが好ましい。
　平坦化工程Ｓ１４２の開始段階において、用いる砥粒の平均砥粒径の下限を上記範囲に設定することによって、ＳｉＣウェハ２０の表面を効率的に加工することができる。
　以下に砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を行う場合の具体例を挙げる。
　平均砥粒径４０μｍのＢ４Ｃ砥粒を用いて、加工圧力１５０ｇ/ｃｍ２、加工時間２０分の条件で平坦化工程Ｓ１４２を実施し、後述するエッチング工程Ｓ２１を施したところ、従来のＳｉウェハと同等の梨地面が形成された。このとき平坦化工程Ｓ１４２の加工後の平均砥粒径は１０μｍ以下であった。この工程におけるＳｉＣウェハ２０の加工深さ２０μｍを加工時間で除することで得られた平均加工速度は１μｍ／分であった。
　（９－２）砥粒の性質
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、遊離砥粒方式下での平坦化工程Ｓ１４２において、砥粒を破砕しながら加工を行うことが望ましい。つまり、本発明で用いる砥粒は、遊離砥粒方式で容易に破砕される程度の脆性を有することが好ましい。
　より具体的には、以下の脆性条件を充足する素材で構成された砥粒を用いることが好ましい。
（脆性条件）加工圧力１５０ｇ/ｃｍ２の条件で、平均砥粒径４０μｍに調整された砥粒を用いて、ＳｉＣウェハの表面を遊離砥粒方式で両面同時に平坦化加工したとき、加工時間２０分経過後に平均砥粒径が２０μｍ以下となる。
　平坦化工程Ｓ１４２においては、好ましくは修正モース硬度１５未満の砥粒を用いる。
　このように、ダイヤモンドの硬度未満の砥粒を用いることで、梨地面の粗さを抑えることができる。すなわち、ダイヤモンド砥粒は加工対象であるＳｉＣウェハ２０と比較して極めて高硬度であるため、平坦化工程Ｓ１４２の過程で小径に破砕され難く、ＳｉＣウェハ２０表面の深い位置まで傷等を導入してしまい梨地面が粗くなる。
　また、本工程において用いられる砥粒は、修正モース硬度１３以上の砥粒であることが望ましい。具体的な砥粒の材料としては、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を例示することができる。
　このように、修正モース硬度１３以上の砥粒を採用することにより、ＳｉＣウェハ２０を効率的に加工することができる。すなわち、加工対象であるＳｉＣウェハ２０と同等若しくはそれ以上の硬度を採用することにより、効率良く加工することができる。
　中でも、砥粒のコストや加工速度を考慮すると、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）砥粒を採用することが望ましい。すなわち、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）砥粒は安価で手に入れることができ、炭化ケイ素砥粒と比較して高速で効率よく加工することができる。
　（９－３）加工条件
　平坦化工程Ｓ１４２における遊離砥粒加工における加工圧力は、１００～３００ｇ/ｃｍ２であり、より好ましくは１５０～２００ｇ/ｃｍ２である。
　また、本加工における定盤の回転数は、５～２０ｒｐｍであり、より好ましくは１０～１５ｒｐｍである。
　さらに、本加工における加工時間は、５～３０分であり、より好ましくは５～１５分である。
　また、スライス工程Ｓ１３にてＳｉＣウェハ２０に導入されるうねりは、通常、片面につき３０～５０μｍである。この平坦化工程Ｓ１４２では、ＳｉＣウェハ２０の平坦化も同時に行うことができ、うねりを除くため、ＳｉＣウェハ２０の主面２１及び裏面２２から３０～５０μｍ深さまで加工を行う。
　また、平坦化工程Ｓ１４２の好ましい形態として、ダイヤモンドの硬度未満の砥粒を用いる場合を示したが、ダイヤモンド砥粒を用いることも可能である。
　また、平坦化工程Ｓ１４２の好ましい形態として、遊離砥粒加工について説明したが、固定砥粒加工を採用することも可能である。加工条件としては、平均砥粒径３～３０μｍのダイヤモンド砥粒を用いて、砥石回転数１０００～１５００ｒｐｍ、切込みピッチ１～３μｍ、前後送り１５０～２５０ｍ／分、左右送り１５～２５ｍ／分、加工速度５０～１５０μｍ／時、という条件を例示できる。
　なお、加工装置としては、従来の固定砥粒加工にて使用される汎用型の加工装置を採用することができる。
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法の好ましい一実施の形態では、刻印形成工程Ｓ１５と面取り工程Ｓ１６を含む（図３及び図５）。
（７）エッチング工程
　エッチング工程Ｓ２１は、先の第１の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造工程と同様に、Ｓｉ蒸気圧下で加熱することでＳｉＣウェハ２０の表面をエッチングすることにより、先行の工程でＳｉＣウェハ２０に導入された加工変質層３０を除去する工程である。
　すなわち、エッチング工程Ｓ２１は、結晶成長させた単結晶ＳｉＣの塊を円柱状のインゴット１０に加工するインゴット成形工程Ｓ１１と、インゴット１０外周の一部に結晶方位を示す切欠き部を形成する結晶方位成形工程Ｓ１２と、インゴット１０をスライスして薄円板状のＳｉＣウェハ２０を得るスライス工程Ｓ１３と、ＳｉＣウェハ２０表面を選択的に除去して刻印部２５を形成する刻印形成工程Ｓ１５と、ＳｉＣウェハ２０の外周部２３に対して面取りを行う面取り工程Ｓ１６よりも、後に行うことが好ましい。これにより、主面２１及び裏面２２のみならず、外周部２３やオリフラ２４、刻印部２５周辺に導入された加工変質層３０をも除去することができ、ＳｉＣウェハ２０の高品質化に貢献することができる。
　一方、図２４及び図２５に示すように、従来のＳｉＣウェハの製造方法にて行われていた粗研削工程Ｓ２２及び仕上げ研削工程Ｓ２３においては、外周部２３やオリフラ２４、刻印部２５周辺に導入された加工変質層３０を除去することができず、ＳｉＣウェハ２０の品質を低下させる要因となっていた。
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、インゴット成形工程Ｓ１１～面取り工程Ｓ１６後にエッチング工程Ｓ２１を施すことにより、主面２１及び裏面２２のみならず、今まで加工ができなかった外周部２３やオリフラ２４、刻印部２５周辺に導入された加工変質層３０をも除去することができ、ＳｉＣウェハ２０の高品質化に貢献することができる顕著な効果を有する。
　また、本発明のＳｉＣウェハの製造方法にて採用するエッチング工程Ｓ２１では、両面同時にエッチングすることが可能であるため、トワイマン効果によるウェハの反りが発生しない。
　また、このエッチング工程Ｓ２１は、平坦化工程Ｓ１４２にてＳｉＣウェハ２０に導入された梨地面を、Ｓｉ蒸気圧下で加熱しエッチングすることで、デバイス製造工程に好ましい状態（うねり、凹凸形状、粗さ等を含む）とする工程である。
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、平坦化工程Ｓ１４２とエッチング工程Ｓ２１を組み合わせることにより、難加工材料であるＳｉＣウェハ２０に加工変質層３０を有さないデバイス製造工程に好ましい梨地面を形成することができる顕著な効果を有する。
　エッチング工程Ｓ２１においてＳｉＣウェハ２０の片面につき、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、エッチングすることが望ましい。
　エッチング量を上記範囲内とすることで、平坦化工程Ｓ１４２にて生じたバリ等が除去されることにより、より好ましい梨地面を形成することができる。
　また、エッチング工程Ｓ２１においてエッチングを進行させるほど（エッチング量を大きくするほど）、梨地面の算術平均粗さＲａ及び最大高さＲｚを低減させることができる。すなわち、このエッチング工程Ｓ２１は、エッチング量を制御することで前記梨地面の粗さを調整する粗さ調整工程を有している。これにより、難加工材料であるＳｉＣウェハ２０の少なくとも裏面２２に、所望の粗さの梨地面を形成することができるという顕著な効果を有する。
　具体的には、エッチング工程Ｓ２１においてＳｉＣウェハ２０の片面につき、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは６μｍ以上、さらに好ましくは９μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上、さらに好ましくは１２μｍ以上エッチングしてもよい。
　エッチング量を上記範囲とすることにより、梨地面の算術平均粗さＲａ及び最大高さＲｚを好ましい範囲とすることができる。
〈第３の課題ないし第５の課題を解決するＳｉＣウェハの製造方法〉
　以下、第３の課題ないし第５の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造工程について、図２、図６、図７を参照して詳細に説明する。なお、この第３の課題ないし第５の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造工程において、先の第１の課題及び第２の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造工程と基本的に同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を簡略化する。
　通常ＳｉＣウェハ２０は、ウェハの形状を整えるウェハ形状形成工程（ステップＳ１０）と、このウェハ形状形成工程Ｓ１０にてウェハ表面に導入された加工変質層３０を低減する加工変質層除去工程（ステップＳ２０）と、ウェハ表面を鏡面化する鏡面研磨工程（ステップＳ３０）と、を経て厚さＤを有するＳｉＣウェハ２０が製造される（図２６及び図２７）。
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法においても、図２、図６及び図７に示すように、ウェハ形状形成工程Ｓ１０、加工変質層除去工程Ｓ２０及び鏡面研磨工程Ｓ３０を含む形態とすることが好ましい。
　以下、図２、図６及び図７に示した一実施の形態の工程順序に沿って本発明のＳｉＣウェハの製造方法について説明を加える。
＜１＞ウェハ形状形成工程
　第３の課題ないし第５の課題を解決する本発明の一実施の形態において、ウェハ形状形成工程Ｓ１０は、結晶成長させた単結晶ＳｉＣの塊を円柱状のインゴット１０に加工するインゴット成形工程Ｓ１１と、インゴット１０の結晶方位を示す目印となるよう、外周の一部に切欠きを形成する結晶方位成形工程Ｓ１２と、単結晶ＳｉＣのインゴット１０をスライスして薄円板状のＳｉＣウェハ２０に加工するスライス工程Ｓ１３と、修正モース硬度１５未満の砥粒を用いてＳｉＣウェハ２０を平坦化する平坦化工程Ｓ１４２と、刻印部２５を形成する刻印形成工程Ｓ１５と、外周部２３を面取りする面取り工程Ｓ１６と、を含む。
　以下、各工程について説明を加える。
（１）インゴット成形工程
　インゴット成形工程Ｓ１１は、先の第１及び第２の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造工程と同様に、結晶成長させた単結晶ＳｉＣの塊を円柱状のインゴット１０に加工する工程である。このインゴット１０は、通常、円柱の長手方向が＜０００１＞方向となるよう加工される。
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、後行の工程である平坦化工程Ｓ１４２とエッチング工程Ｓ２１との組み合わせにより、このインゴット成形工程Ｓ１１にて導入されたＳｉＣウェハの歪や傷を除去することができる。
（２）結晶方位成形工程
　結晶方位成形工程Ｓ１２は、先の第１及び第２の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造工程と同様に、インゴット成形工程Ｓ１１にて形成したインゴット１０の結晶方位を示す目印となるよう、外周の一部に切欠きを形成する工程である。この切欠きとしては、＜１１－２０＞方向と平行な平面（オリエンテーションフラット（オリフラ）２４）や、＜１１－２０＞方向の両端に設けられる溝（ノッチ）等を例示することができ、ＳｉＣ単結晶の結晶方位を特定することができるよう形成される。
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、後行の工程である平坦化工程Ｓ１４２とエッチング工程Ｓ２１との組み合わせにより、この結晶方位成形工程Ｓ１２にて導入されたＳｉＣウェハの歪や傷を除去することができる。
（３）スライス工程
　スライス工程Ｓ１３のスライス手段としては、先の第１及び第２の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造工程と同様に、複数本のワイヤーを往復運動させることでインゴット１０を所定の間隔で切断するマルチワイヤーソー切断や、プラズマ放電を断続的に発生させて切断する放電加工法、インゴット１０中にレーザーを照射・集光させて切断の基点となる層を形成するレーザーを用いた切断、等を例示できる。
　このスライス工程Ｓ１３にて切断される間隔により、ＳｉＣウェハ２０の加工前厚さＤ１が決定される。この加工前厚さＤ１は、今後の工程で除去される単結晶ＳｉＣ（素材ロス）を考慮した厚さに設定する。このように、加工前厚さＤ１は全ての加工工程を経た後の素材ロス量を考慮して設定されるため、その具体的な数値については、全ての加工工程についての説明を行った後に説明する。
（９）平坦化工程
　平坦化工程Ｓ１４２は、先の第２の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造工程と同様に、スライス工程Ｓ１３にてＳｉＣウェハ２０に導入されるうねりを除去し、ＳｉＣウェハ２０を平坦化する工程である。以下、平坦化工程Ｓ１４２において用いる砥粒の性質、加工方法及び加工条件について説明を加える。
　なお、砥粒の性質については、各課題にそれぞれ対応する砥粒の性質について説明する。
　（９－１－１）砥粒の性質
　図２６に示すように、従来法では、従来法の平坦化工程Ｓ１７において修正モース硬度１５のダイヤモンド砥粒を用いる。
　一方、第３の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、修正モース硬度１５未満の砥粒の存在下でＳｉＣウェハ２０を平坦化する平坦化工程Ｓ１４２（以下、ダイヤモンドレス研磨ともいう）を含むことを特徴とする。
　このように、修正モース硬度１５未満の硬度を有する砥粒を採用することにより、後述するエッチング工程Ｓ２１（Ｓｉ蒸気圧エッチング）にて除去される加工変質層３０を薄く形成することができる。すなわち、加工対象であるＳｉＣウェハ２０との硬度差を小さくすることにより、ＳｉＣウェハ２０表面深くに傷が導入されることを抑制し、Ｓｉ蒸気圧エッチングを施すのに適した表面を形成することができる。
　また、本工程において用いられる砥粒は、修正モース硬度１３以上の砥粒であることが望ましい。具体的な砥粒の材料としては、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を例示することができる。
　このように、修正モース硬度１３以上の砥粒を採用することにより、ＳｉＣウェハ２０を効率的に削ることができる。すなわち、加工対象であるＳｉＣウェハ２０と同等若しくはそれ以上の硬度を採用することにより、効率良く加工することができる。
　中でも、砥粒のコストや加工速度を考慮すると、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）砥粒を採用することが望ましい。すなわち、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）砥粒は安価で手に入れることができ、炭化ケイ素砥粒と比較して高速で効率よく加工することができる。
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、少なくとも平坦化工程Ｓ１４２の開始段階において、平均砥粒径が、好ましくは２０μｍ以上、より好ましくは４０μｍ以上の砥粒を用いることが好ましい。
　平坦化工程Ｓ１４２の開始段階において、用いる砥粒の平均砥粒径の下限を上記範囲に設定することによって、大きな加工速度で迅速にＳｉＣウェハ２０の表面を加工することができる。
　また、本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、少なくとも平坦化工程Ｓ１４２の開始段階において、平均砥粒径が、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下の砥粒を用いることが好ましい。
　平坦化工程Ｓ１４２の開始段階において、用いる砥粒の平均砥粒径の上限を上記範囲に設定することによって、平坦化工程Ｓ１４２によってＳｉＣウェハ２０に導入される加工変質層の深さを低減することができる。
　また、本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、少なくとも平坦化工程Ｓ１４２の終盤、すなわち終了直前から終了時にかけて、平均砥粒径が、好ましくは２０μｍ未満、より好ましくは１０μｍ以下の砥粒を用いることが好ましい。
　平坦化工程Ｓ１４２の終盤において、用いる砥粒の平均砥粒径の上限を上記範囲に設定することによって、平坦化工程Ｓ１４２によってＳｉＣウェハ２０に導入される加工変質層の深さを低減することができる。
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、少なくとも平坦化工程Ｓ１４２の終盤において、平均砥粒径が、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上の砥粒を用いることが好ましい。
　平坦化工程Ｓ１４２の開始段階において、用いる砥粒の平均砥粒径の下限を上記範囲に設定することによって、ＳｉＣウェハ２０の表面を効率的に加工することができる。
　また、本発明においては、平坦化工程Ｓ１４２において破砕される程度の脆性を有する砥粒を用いることが好ましい。より具体的には、以下の脆性条件を充足する素材で構成された砥粒を用いることが好ましい。
（脆性条件）加工圧力１５０ｇ/ｃｍ２の条件で、平均砥粒径４０μｍに調整された砥粒を用いて、ＳｉＣウェハの表面を遊離砥粒方式で両面同時に平坦化したとき、加工時間２０分経過後に平均砥粒径が２０μｍ以下となる。
　このような脆性条件を充足する砥粒は平坦化工程Ｓ１４２において破砕され、平均砥粒径が小さくなる性質を示す。
　ここで、平坦化工程Ｓ１４２において用いる砥粒の平均砥粒径は加工速度に影響を与える。より具体的には、大きい砥粒を用いる場合には大きな加工速度を実現でき、小さい砥粒を用いた場合には加工速度が小さくなる関係にある。
　そのため、上記脆性条件を充足する砥粒を用いることにより、平坦化工程Ｓ１４２の開始段階においては大きな加工速度で迅速にＳｉＣウェハ２０の表面を加工することができる一方、加工が進むと砥粒が破砕され、加工速度が漸次小さくなり、工程の最終段階においてはＳｉＣウェハ２０の表面への繊細な加工を実現し、加工変質層３０の深さを最低限まで抑えることができる。
　これにより平坦化工程Ｓ１４２の時短化と、後述するエッチング工程Ｓ２１に供するに適したＳｉＣウェハ２０の表面状態を実現することができる。
　このような脆性条件を充足する砥粒としては、上述した修正モース硬度１５未満の砥粒を挙げることができる。
　（９－１－２）砥粒の性質
　図２６に示すように、従来法では、従来法の平坦化工程Ｓ１７において修正モース硬度１５のダイヤモンド砥粒を用いる。ダイヤモンド砥粒は加工対象であるＳｉＣウェハ２０よりも高硬度であるため、従来法の平坦化工程Ｓ１７の過程で小径に破砕され難く、ＳｉＣウェハ２０表面に加工変質層３０を深い位置まで導入してしまう。
　一方、第３の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、遊離砥粒方式下での平坦化工程Ｓ１４２において、砥粒を破砕しながら加工を行う。つまり、本発明で用いる砥粒は、遊離砥粒方式で容易に破砕される程度の脆性を有することが必要である。
　より具体的には、以下の脆性条件を充足する素材で構成された砥粒を用いることが好ましい。
（脆性条件）加工圧力１５０ｇ/ｃｍ２の条件で、平均砥粒径４０μｍに調整された砥粒を用いて、ＳｉＣウェハの表面を遊離砥粒方式で両面同時に平坦化したとき、加工時間２０分経過後に平均砥粒径が２０μｍ以下となる。
　平坦化工程Ｓ１４２においては、好ましくは修正モース硬度１５未満の砥粒を用いる。
　このように、修正モース硬度１５未満の硬度を有する砥粒を採用することにより、後述するエッチング工程Ｓ２１（Ｓｉ蒸気圧エッチング）にて除去される加工変質層３０を薄く形成することができる。すなわち、加工対象であるＳｉＣウェハ２０との硬度差を小さくすることにより、ＳｉＣウェハ２０表面深くに傷（すなわち加工変質層３０）が導入されることを抑制し、Ｓｉ蒸気圧エッチングを施すのに適した表面を形成することができる。
　また、本工程において用いられる砥粒は、修正モース硬度１３以上の砥粒であることが望ましい。具体的な砥粒の材料としては、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を例示することができる。
　このように、修正モース硬度１３以上の砥粒を採用することにより、ＳｉＣウェハ２０を効率的に削ることができる。すなわち、加工対象であるＳｉＣウェハ２０と同等若しくはそれ以上の硬度を採用することにより、効率良く加工することができる。
　中でも、砥粒のコストや加工速度を考慮すると、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）砥粒を採用することが望ましい。すなわち、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）砥粒は安価で手に入れることができ、炭化ケイ素砥粒と比較して高速で効率よく加工することができる。
　（９－１－３）砥粒の性質
　第４の課題及び第５の課題を解決する本発明の平坦化工程Ｓ１４２において用いる砥粒の種類は限定されない。図６に示す本発明の一実施の形態で用いる修正モース硬度１５未満の砥粒、または平坦化工程Ｓ１４２において破砕される程度の脆性を有する砥粒を用いることが好ましいが、図２６に示した従来法の平坦化工程Ｓ１７においても用いられている、ダイヤモンド砥粒のような修正モース硬度１５の砥粒を用いても良い。
　本発明の好ましい実施の形態では、図６に示すように、平坦化工程Ｓ１４２においては、好ましくは修正モース硬度１５未満の砥粒を用いる。
　このように、修正モース硬度１５未満の硬度を有する砥粒を採用することにより、後述するエッチング工程Ｓ２１（Ｓｉ蒸気圧エッチング）にて除去される加工変質層３０を３μｍ以下の深さで形成することができる。すなわち、加工対象であるＳｉＣウェハ２０との硬度差を小さくすることにより、ＳｉＣウェハ２０表面深くに傷が導入されることを抑制し、Ｓｉ蒸気圧エッチングを施すのに適した表面を形成することができる。
　修正モース硬度１５未満の硬度を有する砥粒を用いる場合、少なくとも平坦化工程Ｓ１４２の開始段階において、平均砥粒径が、好ましくは２０μｍ以上、より好ましくは４０μｍ以上の砥粒を用いることが好ましい。
　平坦化工程Ｓ１４２の開始段階において、用いる砥粒の平均砥粒径の下限を上記範囲に設定することによって、大きな加工速度で迅速にＳｉＣウェハ２０の表面を加工することができる。
　また、修正モース硬度１５未満の硬度を有する砥粒を用いる場合、少なくとも平坦化工程Ｓ１４２の開始段階において、平均砥粒径が、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下の砥粒を用いることが好ましい。
　平坦化工程Ｓ１４２の開始段階において、用いる砥粒の平均砥粒径の上限を上記範囲に設定することによって、平坦化工程Ｓ１４２によってＳｉＣウェハ２０に導入される加工変質層の深さを低減することができる。
　また、修正モース硬度１５未満の硬度を有する砥粒を用いる場合、少なくとも平坦化工程Ｓ１４２の終盤、すなわち終了直前から終了時にかけて、平均砥粒径が、好ましくは２０μｍ未満、より好ましくは１０μｍ以下の砥粒を用いることが好ましい。
　平坦化工程Ｓ１４２の終盤において、用いる砥粒の平均砥粒径の上限を上記範囲に設定することによって、平坦化工程Ｓ１４２によってＳｉＣウェハ２０に導入される加工変質層の深さを低減することができる。
　また、修正モース硬度１５未満の硬度を有する砥粒を用いる場合、少なくとも平坦化工程Ｓ１４２の終盤において、平均砥粒径が、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上の砥粒を用いることが好ましい。
　平坦化工程Ｓ１４２の開始段階において、用いる砥粒の平均砥粒径の下限を上記範囲に設定することによって、ＳｉＣウェハ２０の表面を効率的に加工することができる。
　また、本発明で用いる砥粒は、遊離砥粒方式で破砕される程度の脆性を有することが好ましい。
　より具体的には、以下の脆性条件を充足する素材で構成された砥粒を用いることが好ましい。
（脆性条件）加工圧力１５０ｇ/ｃｍ２の条件で、平均砥粒径４０μｍに調整された砥粒を用いて、ＳｉＣウェハの表面を遊離砥粒方式で両面同時に平坦化したとき、加工時間２０分経過後に平均砥粒径が２０μｍ以下となる。
　このような脆性条件を充足する砥粒を用いて、遊離砥粒方式で平坦化工程Ｓ１４２を実行することで、導入される加工変質層３０の深さを３μｍ以下とすることができる。
　また、平坦化工程Ｓ１４２においてはダイヤモンド砥粒を用いても良い。
　平坦化工程Ｓ１４２においてダイヤモンド砥粒を用いる場合、その砥粒径と同程度の深さの加工変質層３０が導入されると考えられている。そのため、後行の加工変質層除去工程Ｓ２０において除去することを考慮して、平均砥粒径が好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ以下のダイヤモンド砥粒を用いることが好ましい。
　この場合には、平坦化工程Ｓ１４２において、好ましい形態では１０μｍ以下、より好ましい形態では５μｍ以下、さらに好ましい形態では３μｍ以下の加工変質層がＳｉＣウェハ２０に導入される。
　（９－２）加工方法
　平坦化工程Ｓ１４２に適用可能な方式としては、定盤に微細な砥粒をかけ流しながら加工を行う遊離砥粒方式（ラッピング研磨等）や、砥粒をボンド材に埋め込んだ砥石で加工を行う固定砥粒方式（グラインド研削等）がある。より好ましくは、遊離砥粒方式が好適に用いられる。なお、砥粒は水や分散剤と混合された混合液（スラリー）として滴下されることが望ましい。
　本工程において使用される加工装置としては、従来の固定砥粒方式及び遊離砥粒方式で使用される汎用型の加工装置を採用することができる。また、両面同時に加工する方式であっても良いし、片面を加工する方式であってもよい。
　平坦化工程Ｓ１４２においては、砥粒を破砕しながらＳｉＣウェハ２０を加工することが望ましい。すなわち、加工前の平均砥粒径と加工後の平均砥粒径を比較したとき、加工後は破砕され、砥粒径が細かくなっていることが望ましい。
　また、本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、平坦化工程Ｓ１４２にてＳｉＣウェハ２０に導入される加工変質層３０が、好ましくは１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下となるように、ＳｉＣウェハ２０を平坦化する。
　このような薄い加工変質層３０は、後行の工程であるエッチング工程Ｓ２１によって、余分な素材ロスを生じることなく除去することができる。
　そのため、平坦化工程Ｓ１４２における加工変質層３０の深さを上記数値範囲内に抑え、その後エッチング工程Ｓ２１を実行することで、素材ロスを低減することができ、これにより1つのインゴット１０からより多くのＳｉＣウェハ２０を製造することができる。
　なお、上述した範囲に加工変質層の深さを調整する具体的手段については、上の「砥粒の性質」で述べた事項を適用できる。
　平坦化工程Ｓ１４２においては、砥粒を破砕しながらＳｉＣウェハ２０を加工することが好ましい。すなわち、平坦化工程Ｓ１４２の加工前の平均砥粒径と加工後の平均砥粒径を比較したとき、加工後は破砕され、砥粒径が細かくなっていることが望ましい。
　上述した通り、平坦化工程Ｓ１４２において用いる砥粒の平均砥粒径は加工速度に影響を与える。
　そのため、砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を行う実施の形態とすれば、平坦化工程Ｓ１４２の開始段階においては大きな加工速度で迅速にＳｉＣウェハ２０の表面を加工することができる。一方で、加工が進み砥粒が小さくなるにつれて加工速度が漸次小さくなり、工程の最終段階においてはＳｉＣウェハ２０の表面への繊細な加工を実現し、加工変質層３０の深さを最低限まで抑えることができる。
　これにより平坦化工程Ｓ１４２の時短化と、後述するエッチング工程Ｓ２１に供するに適したＳｉＣウェハ２０の表面の表面状態を実現することができる。
　言い換えれば、平坦化工程Ｓ１４２において用いる砥粒の平均砥粒径は加工速度に影響を与える。より具体的には、大きい砥粒を用いる場合には大きな加工速度を実現でき、小さい砥粒を用いた場合には加工速度が小さくなる関係にある。
　そのため、砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を行えば、平坦化工程Ｓ１４２の開始段階においては大きな加工速度で迅速にＳｉＣウェハ２０の表面を加工することができる。一方で、加工が進み砥粒が小さくなるにつれて加工速度が漸次小さくなり、工程の最終段階においてはＳｉＣウェハ２０の表面への繊細な加工を実現し、ＳｉＣウェハの表面に導入される加工変質層３０を薄く均一に形成することができる。
　このような薄く均一な加工変質層３０に対してエッチング工程Ｓ２１を実行することにより、少ない素材ロスをもって高品質のＳｉＣウェハ２０を製造することができる。
　ダイヤモンド砥粒を用いる従来法の平坦化工程Ｓ１７においては、加工変質層３０が、局所的に表面深くまで導入され、均一な深さの加工変質層３０とはならない。そのため、後行の加工変質層除去工程Ｓ２０においてＳｉＣウェハ２０の加工変質層３０を全て除去するために、加工変質層３０が形成されていない部分までも除去する必要があり、素材ロス量が多かった。
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、従来法に比べて素材ロス量が少なく有利である。
　また、ダイヤモンド砥粒を用いる従来法の平坦化工程Ｓ１７においては、深いスクラッチがランダムに生じるため、品質管理の面で問題があった。
　一方、本発明における平坦化工程Ｓ１４２では、このようなスクラッチが生じにくく、品質管理の面で非常に有利である。
　また、砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を行うことで、平坦化工程Ｓ１４２の開始段階における迅速な表面加工と、工程の最終段階における繊細な加工を実現できるため、加工変質層３０の深さを最低限まで抑えることができる。
　これにより平坦化工程Ｓ１４２の時短化と、後述するエッチング工程Ｓ２１に供するに適したＳｉＣウェハ２０の表面の表面状態を実現することができる。
　なお、上で説明した修正モース硬度１５未満の砥粒を用いることで、砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を行う形態の発明の実施が可能である。
　また、後述する平坦化工程Ｓ１４２における加工条件にて、砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を行う形態の発明の実施が可能である。
　また、前述した脆性を有する砥粒を用いることで、砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を行う形態の発明の実施が可能である。
　すなわち、上述した修正モース硬度１５未満の砥粒又は脆性を有する砥粒を用いることで、砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を行う形態の発明の実施が可能である。
　砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を行う形態にあっては、加工前の砥粒の平均砥粒径は、好ましくは２０μｍ以上であり、より好ましくは４０μｍ以上である。
　加工前の状態で上記範囲の平均砥粒径を有する砥粒を用いることで、平坦化工程Ｓ１４２の開始段階における迅速な加工が可能となる。
　一方、加工後の平均砥粒粒子が、好ましくは２０μｍ未満、より好ましくは１０μｍ以下となるように、砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を行うことが好ましい。
　加工後の平均砥粒粒子が上記範囲となるように、砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を実行することで、ＳｉＣウェハ２０に導入される加工変質層３０の深さを低減することができる。これにより、後述するエッチング工程Ｓ２１に供するに適したＳｉＣウェハ２０の表面状態を実現することができる。
　以下に砥粒を破砕しながら平坦化工程Ｓ１４２を行う場合の具体例を挙げる。
　平均砥粒径４０μｍのＢ４Ｃ砥粒を用いて、加工圧力１５０ｇ/ｃｍ２、加工時間２０分の条件で平坦化工程Ｓ１４２を実施したところ、ＳｉＣウェハ２０の加工変質層３０深さは約３μｍとなった。このとき加工後の平均砥粒径は１０μｍ以下であった。この工程におけるＳｉＣウェハ２０の加工深さ２０μｍを加工時間で除することで得られた平均加工速度は１μｍ／分であった。
　（９－３）加工条件
　平坦化工程Ｓ１４２において遊離砥粒方式を採用する場合には、加工圧力は、１００～３００ｇ/ｃｍ２であり、より好ましくは１５０～２００ｇ/ｃｍ２である。
　また、遊離砥粒方式を採用する場合、本加工における定盤の回転数は、５～２０ｒｐｍであり、より好ましくは１０～１５ｒｐｍである。
　一方、固定砥粒方式を採用する場合には、従来法における粗研削工程Ｓ２２及び仕上げ研削工程Ｓ２３と同様の加工条件で、平坦化工程Ｓ１４２を実施することができる。具体的には砥石回転数１０００～１５００ｒｐｍ、切込みピッチ１～３μｍ、前後送り１５０～２５０ｍ／分、左右送り１５～２５ｍ／分、加工速度５０～１５０μｍ／時、という条件を例示できる。
　通常、スライス工程Ｓ１３にてＳｉＣウェハ２０に導入されるうねりは片面につき３０～５０μｍである。そのため、この平坦化工程Ｓ１４２では、うねりを除くためにＳｉＣウェハ２０の主面２１及び裏面２２から３０～５０μｍ深さまで加工を行う。そのため、平坦化工程Ｓ１４２に伴うウェハ一枚当たりの素材ロス量は、両面で６０～１００μｍである。
　なお、平坦化工程Ｓ１４２における素材ロス量を低減させるため、ＳｉＣウェハ２０に導入されるうねりが３０μｍ以下となるようにスライス工程Ｓ１３を行うことが好ましい。
　この修正モース硬度１５未満の砥粒を用いた平坦化工程Ｓ１４２における加工時間は、遊離砥粒方式にて片面加工を施す場合、好ましくは５～３０分であり、より好ましくは５～１５分である。また、遊離砥粒方式にて両面加工を施す場合、３０～５０分であり、より好ましくは１５～２５分である。
　一方、修正モース硬度１５の砥粒を用いた従来法の平坦化工程Ｓ１７における加工時間は、遊離砥粒方式にて片面加工を施す場合には一般的に３０～５０分であり、両面加工を施す場合には６０～１００分である。
　つまり、加工の時短化の観点においても、修正モース硬度１５未満の砥粒を用いる平坦化工程Ｓ１４２を採用することが好ましい。または、遊離砥粒方式で砥粒を破砕しながら平坦化を行うことが好ましい。
　平坦化工程Ｓ１４２によって前の工程までの加工変質層は除去される一方、ＳｉＣウェハ２０の表面には新たに加工変質層３０が導入される。平坦化工程Ｓ１４２によって導入される加工変質層３０の深さは、従来法の平坦化工程Ｓ１７によって導入される加工変質層３０の深さよりも小さい。以下、具体的に説明する。
　従来法においては、従来法の平坦化工程Ｓ１７において通常、平均砥粒径が１０μｍのダイヤモンド砥粒を使用する（図２６及び図２７）。従来法の平坦化工程Ｓ１７においては、使用したダイヤモンド砥粒の砥粒径と同程度の深さの加工変質層３０が導入されると考えられている。そのため、通常用いられる砥粒径が１０μｍのダイヤモンド砥粒を使用した場合には、従来法の平坦化工程Ｓ１７にて導入される加工変質層３０の深さは、ＳｉＣウェハ２０の片面につき１０μｍ程度となるのが定説である。
　一方、本発明における平坦化工程Ｓ１４２によってＳｉＣウェハ２０の表面に新たに導入される加工変質層３０の深さは、ＳｉＣウェハ２０の片面につき３μｍ以下である。
　この通り、本発明の平坦化工程Ｓ１４２において導入される加工変質層３０の深さは、従来法の平坦化工程Ｓ１７において導入される加工変質層３０と比較して小さい。
　後行の工程である加工変質層除去工程Ｓ２０においては、この平坦化工程Ｓ１４２又は従来法の平坦化工程Ｓ１７にて導入された加工変質層３０を全て除去する必要がある。そのため、ＳｉＣウェハ２０に導入される加工変質層３０の深さが小さい、修正モース硬度１５未満の砥粒を用いた平坦化工程Ｓ１４２を採用することにより、従来法におけるダイヤモンド砥粒を用いた従来法の平坦化工程Ｓ１７を採用した場合に比べ、後行の加工変質層除去工程Ｓ２０における加工量や加工時間を低減させることができる。
　また、ダイヤモンド砥粒を用いる従来法の平坦化工程Ｓ１７においては、深いスクラッチがランダムに生じるため、品質管理の面で問題があった。
　一方、修正モース硬度１５未満の砥粒を用いる本発明における平坦化工程Ｓ１４２では、このようなスクラッチが生じにくく、品質管理の面で非常に有利である。
　さらに、本発明における平坦化工程Ｓ１４２において導入される加工変質層３０の深さは、３μｍ以下と小さく、そして均一である。後行のエッチング工程Ｓ２１で行われるＳｉ蒸気圧エッチングは、このような小さく均一な加工変質層３０を最低限の素材ロス量で除去することに適している。
　つまり、修正モース硬度１５未満の砥粒を用いる平坦化工程Ｓ１４２と、エッチング工程Ｓ２１を組み合わせることにより、素材ロスを顕著に低減できるのである。
＜２＞加工変質層除去工程（エッチング工程）
　加工変質層除去工程Ｓ２０は、先行の工程でＳｉＣウェハ２０に導入された加工変質層３０を除去する工程である。本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、この加工変質層除去工程Ｓ２０においてＳｉ蒸気圧下で加熱することでＳｉＣウェハ２０をエッチングするエッチング工程Ｓ２１を含む。
　上述の通り、加工変質層除去工程Ｓ２０は、先行の工程でＳｉＣウェハ２０に導入された加工変質層３０を除去する工程である。そのため、図６及び図７に示すように、エッチング工程Ｓ２１を含む加工変質層除去工程Ｓ２０は、平坦化工程Ｓ１４２、刻印形成工程Ｓ１５及び面取り工程Ｓ１６を含むウェハ形状形成工程Ｓ１０よりも後に行うことが好ましい。
　第３の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、加工変質層除去工程Ｓ２０における素材ロス量の低減という顕著な効果を有する。以下、詳細に説明する。
　従来法における加工変質層除去工程Ｓ２０は、ダイヤモンド砥粒を用いて粗く研削する粗研削工程（ステップＳ２２）と、粗研削工程Ｓ２２で用いた砥粒よりも粒径が細かいダイヤモンド砥粒を用いて細かく研削する仕上げ研削工程（ステップＳ２３）と、を含む（図２６及び図２７）。
　従来法における粗研削工程Ｓ２２では、ＳｉＣウェハ２０の主面２１及び裏面２２から１０～１５μｍ深さまで加工を行う。そのため、粗研削工程Ｓ２２に伴うウェハ一枚当たりの素材ロス量は、両面で２０～３０μｍである
　また、この粗研削工程Ｓ２２にかかる時間は、通常、両面で１０～１５分である。
　仕上げ研削工程Ｓ２３の研削手段としては、粗研削工程Ｓ２２と同様に、固定砥粒研磨等を例示できる。
　通常、この仕上げ研削工程Ｓ２３では、ＳｉＣウェハ２０の主面２１及び裏面２２から３～１０μｍ深さまで加工を行う。そのため、仕上げ研削工程Ｓ２３に伴うウェハ一枚当たりの素材ロス量は、両面で６～２０μｍである。
　また、この仕上げ研削工程Ｓ２３にかかる時間は、通常、両面で６～２０分である。
　この通り、従来法では、粗研削工程Ｓ２２において２０～３０μｍ、仕上げ研削工程Ｓ２３において６～２０μｍの素材ロスが生じる。つまり、加工変質層除去工程Ｓ２０全体において合計３０～５０μｍの素材ロスが生じる。
　一方、本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、先行するウェハ形状形成工程Ｓ１０における、修正モース硬度１５未満の砥粒を用いる平坦化工程Ｓ１４２において導入される加工変質層３０は、片面につき３μｍ以下と小さく、そして均一である。
　ここで、本発明において採用するエッチング工程Ｓ２１は、薄く均一な加工変質層３０を除去するのに適している。具体的には、Ｓｉ蒸気圧エッチングは、熱分解しやすい不安定サイトから優先的にエッチングし、除去するという特徴がある。そのため、平坦化工程Ｓ１４２にて導入された、上述のごとく薄く均一な加工変質層３０に対してＳｉ蒸気圧エッチングを施すことにより、加工変質層３０を優先的にエッチングできるため、不必要な素材ロスの発生を抑制することができる。
　つまり、片面につき３μｍ、両面で６μｍという、従来法（合計３０～５０μｍの素材ロス）と比較して極めて小さい素材ロスのみをもって、先行のウェハ形状形成工程Ｓ１０において導入された加工変質層３０を除去できるのである。
　この通り、本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、修正モース硬度１５未満の砥粒を用いる平坦化工程Ｓ１４２と、エッチング工程Ｓ２１との組み合わせによって、素材ロス量の顕著な低減を実現するのである。
　必要十分量の加工変質層３０を除去するという観点から、具体的には、エッチング工程Ｓ２１においてＳｉＣウェハ２０の片面につき、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ以下、エッチングすることが望ましい。
　また、エッチング工程Ｓ２１においてＳｉＣウェハ２０の片面につき、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、エッチングすることが望ましい。
　また、本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、加工変質層除去工程Ｓ２０にて要する工程の簡易性においても優れている。以下、具体的に説明する。
　従来法における粗研削工程Ｓ２２では、平均砥粒径３～１０μｍのダイヤモンド砥粒が採用されている。粗研削工程Ｓ２２においては、使用するダイヤモンド砥粒の砥粒と同程度の深さの加工変質層３０が導入される。そのため、平均砥粒径３～１０μｍのダイヤモンド砥粒を使用した場合、粗研削工程Ｓ２２にて導入される加工変質層３０深さは、一般的に３～１０μｍ程度になると考えられている。
　また、従来法における仕上げ研削工程Ｓ２３では、平均砥粒径０．１～３μｍのダイヤモンド砥粒が採用されている。粗研削工程Ｓ２２と同様に、仕上げ研削工程Ｓ２３においても、使用するダイヤモンド砥粒の砥粒と同程度の深さの加工変質層３０が導入される。そのため、平均砥粒径０．１～３μｍのダイヤモンド砥粒を使用した場合、この仕上げ研削工程Ｓ２３にて導入される加工変質層３０深さは、一般的に０．１～３μｍ程度となると考えられている。
　この通り、従来法では、ウェハ形状形成工程Ｓ１０において導入された加工変質層３０を除去するために、まず粗研削工程Ｓ２２を行うが、この工程においても新たに加工変質層３０が導入される。この新たに導入された加工変質層３０を除去するために仕上げ研削工程Ｓ２３を行う。
　つまり、従来法では、ＳｉＣウェハ２０の加工変質層３０を除去するために多段階の工程を要し、工程の簡易性の面で課題があった。
　一方、本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、先行するウェハ形状形成工程Ｓ１０において導入される加工変質層３０の除去を、エッチング工程Ｓ２１の一工程で実現可能としている（図６及び図７）。
　これは、先行するウェハ形状形成工程Ｓ１０における、修正モース硬度１５未満の砥粒を用いる平坦化工程Ｓ１４２において導入される加工変質層３０が、片面につき３μｍ以下という従来法に比べて極めて小さい値であることに起因する。
　つまり、本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、修正モース硬度１５未満の砥粒を用いる平坦化工程Ｓ１４２と、エッチング工程Ｓ２１との組み合わせによって、加工変質層除去工程Ｓ２０の作業効率の大幅な向上を実現するのである。
　さらに、従来法では、粗研削工程Ｓ２２及び仕上げ研削工程Ｓ２３において片面ずつ研削加工を行うことが一般的であるが、ウェハの取付け・取り外し作業等の手間が増大することに加え、トワイマン効果によるウェハの反りが発生してしまうという不具合があった。
　一方、本発明のＳｉＣウェハの製造方法にて採用するエッチング工程Ｓ２１では、両面同時にエッチングすることが可能であるため、トワイマン効果によるウェハの反りが発生しない。
　また、エッチング工程Ｓ２１では、主面２１及び裏面２２以外の箇所（外周部２３や刻印部２５周辺）に導入された加工変質層３０をも除去することができ（図７参照）、ＳｉＣウェハ２０の高品質化に貢献することができる。
　また、第４の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、１インゴットからより多くのＳｉＣウェハを製造することを可能にするという顕著な効果を有する。以下、詳細に説明する。
　上述した通り、従来法では、従来法の平坦化工程Ｓ１７において平均砥粒径１０μｍのダイヤモンド砥粒を用いるが、この工程でＳｉＣウェハ２０には平均砥粒径と同程度、つまり１０μｍの加工変質層３０が導入されるのが定説である。
　従来法においては、この１０μｍの加工変質層３０を除去するために、加工変質層除去工程Ｓ２０として、ダイヤモンド砥粒を用いて粗く研削する粗研削工程（ステップＳ２２）と、粗研削工程Ｓ２２で用いた砥粒よりも粒径が細かいダイヤモンド砥粒を用いて細かく研削する仕上げ研削工程（ステップＳ２３）と、を含む（図２６及び図２７）。
　従来法における粗研削工程Ｓ２２では、平均砥粒径３～１０μｍのダイヤモンド砥粒を用いてＳｉＣウェハ２０の主面２１及び裏面２２から１０～１５μｍ深さまで加工を行う。そのため、粗研削工程Ｓ２２に伴うウェハ一枚当たりの素材ロス量は、両面で２０～３０μｍである。そして、この工程で新たにダイヤモンド砥粒の平均砥粒径と同程度の３～１０μｍ程度の加工変質層３０が新たに導入される。
　なお、この粗研削工程Ｓ２２にかかる時間は、通常、両面で１０～１５分である。
　これに続く仕上げ研削工程Ｓ２３では、粗研削工程Ｓ２２と同様に、固定砥粒研磨等を例示できる。
　通常、この仕上げ研削工程Ｓ２３では、平均砥粒径０．１～３μｍのダイヤモンド砥粒を用いてＳｉＣウェハ２０の主面２１及び裏面２２から３～１０μｍ深さまで加工を行う。そのため、仕上げ研削工程Ｓ２３に伴うウェハ一枚当たりの素材ロス量は、両面で６～２０μｍである。そして、この過程で新たにダイヤモンド砥粒の平均砥粒径と同程度の０．１～３μｍ程度の加工変質層３０が新たに導入される。
　なお、この仕上げ研削工程Ｓ２３にかかる時間は、通常、両面で６～２０分である。
　この通り、従来法では、従来法の平坦化工程Ｓ１７において導入された１０μｍ程度の加工変質層３０を除去するために、粗研削工程Ｓ２２において２０～３０μｍ、仕上げ研削工程Ｓ２３において６～２０μｍの素材ロスが生じる。つまり、加工変質層除去工程Ｓ２０全体において合計３０～５０μｍの素材ロスが生じる。
　一方、本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、先行する平坦化工程Ｓ１４２において導入される加工変質層３０をエッチング工程Ｓ２１により除く。
　好ましい実施の形態では、平坦化工程Ｓ１４２において導入される加工変質層３０の深さと略同一の量、具体的には、加工変質層３０の深さに対して誤差±１μｍの範囲、より好ましくは誤差±０．５μｍの範囲、さらに好ましくは誤差±０．２μｍの範囲の量をエッチングして除去する。
　このようにエッチング工程Ｓ２１において、素材ロス量を抑えてエッチングすることにより、1つのインゴットからより多くのＳｉＣウェハ２０を製造することができる。
　Ｓｉ蒸気圧エッチングは、熱分解しやすい不安定サイトから優先的にエッチングし、除去するという特徴がある。そのため、平坦化工程Ｓ１４２にて導入された加工変質層３０に対してＳｉ蒸気圧エッチングを施すことにより、加工変質層３０を優先的にエッチングできるため、不必要な素材ロスの発生を抑制することができる。
　つまり、先行のウェハ形状形成工程Ｓ１０において導入された加工変質層３０を、余分な素材ロスを生じることなく優先して除去することができるため、従来法（合計３０～５０μｍの素材ロス）と比較して極めて小さい素材ロスのみをもって、加工変質層３０を除去できるのである。
　この通り、本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、平坦化工程Ｓ１４２において導入される加工変質層３０をエッチング工程Ｓ２１により除去する構成によって、素材ロス量の顕著な低減を実現するのである。
　必要十分量の加工変質層３０を除去するという観点から、具体的には、エッチング工程Ｓ２１においてＳｉＣウェハ２０の片面につき、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ以下、エッチングすることが望ましい。
　また、エッチング工程Ｓ２１においてＳｉＣウェハ２０の片面につき、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、エッチングすることが望ましい。
　また、上述したとおり、従来法の平坦化工程Ｓ１７において導入された加工変質層３０を除去するために多段階の工程を要するが、本発明においては平坦化工程Ｓ１４２において導入された加工変質層３０をエッチング工程Ｓ２１の一工程で除去することができる。
　つまり、本発明によれば、従来法に比べて少ない工程数でＳｉＣウェハ２０を製造することができる。
　さらに、従来法では、粗研削工程Ｓ２２及び仕上げ研削工程Ｓ２３において片面ずつ研削加工を行うことが一般的であるが、ウェハの取付け・取り外し作業等の手間が増大することに加え、トワイマン効果によるウェハの反りが発生してしまうという不具合があった。
　一方、本発明のＳｉＣウェハの製造方法にて採用するエッチング工程Ｓ２１では、両面同時にエッチングすることが可能であるため、トワイマン効果によるウェハの反りが発生しない。
　また、エッチング工程Ｓ２１では、主面２１及び裏面２２以外の箇所（外周部２３や刻印部２５周辺）に導入された加工変質層３０をも除去することができ（図３参照）、ＳｉＣウェハ２０の高品質化に貢献することができる。
　すなわち、加工変質層除去工程Ｓ２０は、先行の工程でＳｉＣウェハ２０に導入された加工変質層３０を除去する工程である。そのため、図６及び図７に示すように、エッチング工程Ｓ２１を含む加工変質層除去工程Ｓ２０は、平坦化工程Ｓ１４２の後に行う。平坦化工程Ｓ１４２の後にエッチング工程Ｓ２１を行うことで、平坦化工程Ｓ１４２によってＳｉＣウェハに導入された加工変質層３０をエッチング工程Ｓ２１で除去することができる。
　エッチング工程Ｓ２１を経たＳｉＣウェハは、表面だけでなく内部の格子歪み（図２２における歪み層３２）も除去されている。このＳｉＣウェハ２０に対して後行の化学機械研磨工程Ｓ３２を行うことで、ウェハ内の格子歪みが除去され、かつ高平坦度を有する高品質なＳｉＣウェハ２０を製造することができる。
　また、平坦化工程Ｓ１４２の他、刻印形成工程Ｓ１５及び面取り工程Ｓ１６もエッチング工程Ｓ２１よりも前に行うことが好ましい。これにより。外周部２３や刻印部２５周辺に導入された加工変質層３０と応力を除去することができ（図７参照）、ＳｉＣウェハ２０の高品質化に貢献することができる。
　また、上述した通り、エッチング工程Ｓ２１を経たＳｉＣウェハ２０の表面（主面２１及び裏面２２）下の結晶格子には、格子歪みが生じていないことが望ましい。このようにＳｉＣウェハ２０内に格子歪みが生じていないことにより、デバイス製造工程に好ましいＳｉＣウェハ２０を提供することができる。
＜３＞鏡面研磨工程
　本発明のＳｉＣウェハの製造方法の一実施の形態は鏡面研磨工程Ｓ３０を含む。
　鏡面研磨工程Ｓ３０は、研磨パッドの機械的な作用とスラリーの化学的な作用を併用して研磨を行う化学機械研磨（ＣＭＰ）工程（ステップＳ３２）を含んでいる。
　第５の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、エッチング工程Ｓ２１の後、より好ましくはエッチング工程Ｓ２１の後に他の工程（より具体的には加工変質層３０を導入し得る工程）を挟まずに、化学機械研磨工程Ｓ３２を行う。
　この化学機械研磨工程Ｓ３２は、後のデバイス製造工程に好ましい表面状態である鏡面に加工する工程である。なお、図７ではＳｉＣウェハ２０の主面２１を鏡面化する様子を示しているが（二点鎖線部分）、主面２１及び裏面２２の両面を鏡面化しても良いし、裏面２２のみを鏡面化しても良い。
　なお、製品管理上の観点では主面２１のみに化学機械研磨工程Ｓ３２を実施し、鏡面と梨地面を有するＳｉＣウェハ２０を製造することが好ましい。化学機械研磨工程Ｓ３２を施された主面２１は、加工変質層３０を有さず、かつ、平坦度の高い表面である一方、残る裏面２２も加工変質層３０を有さない優れた表面を有している。つまり、本発明のＳｉＣウェハの製造方法によれば、鏡面と梨地面を有する高品質なＳｉＣウェハ２０を製造することができる。
　通常、化学機械研磨工程Ｓ３２では、ＳｉＣウェハ２０の表面から０．５～１．５μｍ深さまで加工を行う。そのため、化学機械研磨工程Ｓ３２に伴うウェハ一枚当たりの素材ロス量は、片面加工の場合０．５～１．５μｍであり、両面加工の場合１～３μｍである。
　また、この化学機械研磨工程Ｓ３２にかかる時間は、通常、片面の研磨で１５～４５分、両面の研磨で３０～９０分である。
　なお、従来法における化学機械研磨工程Ｓ３２は、加工変質層除去工程Ｓ２０における仕上げ研削工程Ｓ２３にて新たに導入された加工変質層３０を除去する技術的意義を有する（図２６及び図２７）。一方、本発明のＳｉＣウェハの製造方法においては、先行のエッチング工程Ｓ２１において加工変質層３０を全て除去することが可能である。そのため、本発明のＳｉＣウェハの製造方法における化学機械研磨工程Ｓ３２においては、加工変質層３０を除去するという技術的な意義は従来法に比べて薄い。
＜４＞まとめ
　表１に従来法と第３の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造方法の各工程における素材ロス量、導入される加工変質層３０の深さについてまとめる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、従来法においては合計で８７～１５２μｍの素材ロスが生じる。特に従来法では加工変質層３０を確実に除去するため、ＳｉＣウェハ２０一枚当たり１００μｍ以上を除去するのが一般的である。
　一方、本発明のＳｉＣウェハの製造方法における素材ロス量は６１～１０８μｍである。この通り、本発明によれば、ＳｉＣウェハの製造における素材ロス量を大幅に低減することが可能である。
　また、スライス工程Ｓ１３においてインゴット１０から切り出すＳｉＣウェハ２０の加工前厚さＤ１は、この素材ロス量を指標に設定される。つまり最終的に得たいＳｉＣウェハ２０の厚さＤ（表面加工終了時おけるＳｉＣウェハ２０の厚さ）に素材ロス量を加算した厚みを加工前厚さＤ１に設定する。
　この通り、表面加工の終了後におけるＳｉＣウェハの厚みに素材ロス量を加算して、加工前厚さＤ１を決定する。ここでいう「表面加工」とは、平坦化工程Ｓ１４２、エッチング工程Ｓ２１及び化学機械研磨工程Ｓ３２のように、ＳｉＣウェハ２０の厚さを減少させる加工のことをいう。
　つまり、後行の工程により厚さがそれ以上減少しない時点にまで至ったＳｉＣウェハ２０の厚さに対して、素材ロス量を加算して、加工前厚さＤ１を設定する。
　したがって、ＳｉＣウェハ２０の厚みＤに、下限として６１μｍ以上、より好ましくは６２μｍ以上、さらに好ましくは６３μｍ以上の厚みを加算したものを加工前厚さＤ１に設定することが好ましい。
　また、ＳｉＣウェハ２０の厚みＤに、上限として１０８μｍ以下、より好ましくは１０６μｍ以下、さらに好ましくは９６μｍ以下の厚みを加算したものを加工前厚さＤ１に設定することで、一つのインゴット１０からより多くのＳｉＣウェハ２０を製造することができる。
　また、上述の通り、従来法ではＳｉＣウェハ２０一枚当たり１００μｍ以上を除去するのが一般的である。そのため、ＳｉＣウェハ２０の厚みＤに、上限として１００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ未満の厚みを加算したものを加工前厚さＤ１に設定することが好ましい。これにより、一般的に行われる従来法を使用したときに比べて、多くのＳｉＣウェハ２０を製造することができる。
　さらに、表１に示すように、従来法では素材ロス量の下限が８７μｍである。そのため、ＳｉＣウェハ２０の厚みＤに、上限として８７μｍ以下、より好ましくは８７μｍ未満、より好ましくは８０μｍ以下の厚みを加算したものを加工前厚さＤ１に設定することが好ましい。これにより、従来法では実現困難な高い取り量でＳｉＣウェハ２０を製造することができる。
　なお、スライス工程Ｓ１３から鏡面研磨工程Ｓ３０までを経たＳｉＣウェハ２０の厚みＤは、典型的には１００～６００μｍ、より典型的には１５０～５５０μｍ、さらに典型的には２００～５００μｍ、さらに典型的には２５０～４５０μｍ、さらに典型的には３００～４００μｍを例示することができる。
　つまり、これら典型的なＳｉＣウェハ２０の厚みに、本発明のＳｉＣウェハの製造方法による素材ロス量を加算して、加工前厚さＤ１を設定することが好ましい。
　具体的には、本発明のＳｉＣウェハの製造方法によって厚さＤが３５０μｍであるＳｉＣウェハ２０を最終生産物として得たい場合には、加工前厚さＤ１が下限として４１１μｍ以上、より好ましくは４１２μｍ以上、さらに好ましくは４１３μｍ以上であるＳｉＣウェハ２０をスライス工程Ｓ１３において得ることが好ましい。
　また、加工前厚さＤ１が上限として４５８μｍ以下、より好ましくは４５６μｍ以下、さらに好ましくは４５０μｍ以下、さらに好ましくは４５０μｍ未満、さらに好ましくは４４６μｍ以下、さらに好ましくは４３７μｍ以下、さらに好ましくは４３７μｍ未満であるＳｉＣウェハ２０をスライス工程Ｓ１３において得ることが好ましい。
　また、従来法においては、スライス工程Ｓ１３後～化学機械研磨工程Ｓ３２後までの総加工時間は、９１～１８０分である。
　一方、本発明においては、スライス工程Ｓ１３後～化学機械研磨工程Ｓ３２後までの総加工時間は、２３～６３分である。
　このように、本発明のＳｉＣウェハの製造方法は、加工時間の短縮の観点からも有効である。
　次に、表２に従来法と第４及び第５の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造方法の各工程における素材ロス量、導入される加工変質層３０の深さについてまとめる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示すように、従来法においては合計で８７～１５２μｍの素材ロスが生じる。特に従来法では各工程で導入される加工変質層３０を確実に除去するため、ＳｉＣウェハ２０一枚当たり１００μｍ以上を除去するのが一般的である。
　一方、本発明のＳｉＣウェハの製造方法における素材ロス量は、表２に示すように６１～１２２μｍである。この通り、本発明によれば、ＳｉＣウェハの製造における素材ロス量を大幅に低減することが可能である。
　また、スライス工程Ｓ１３においてインゴット１０から切り出すＳｉＣウェハ２０の加工前厚さＤ１は、この素材ロス量を指標に設定される。つまり、最終的に得たいＳｉＣウェハ２０の厚さＤ（表面加工終了時おけるＳｉＣウェハ２０の厚さ）に、素材ロス量を加算した厚みを加工前厚さＤ１に設定する。
　この通り、表面加工の終了後におけるＳｉＣウェハの厚みに素材ロス量を加算して、加工前厚さＤ１を決定する。ここでいう「表面加工」とは、平坦化工程Ｓ１４２、エッチング工程Ｓ２１及び化学機械研磨工程Ｓ３２のように、ＳｉＣウェハ２０の厚さを減少させる加工のことをいう。
　つまり、後行の工程により厚さがそれ以上減少しない時点にまで至ったＳｉＣウェハ２０の厚さに対して、素材ロス量を加算して、加工前厚さＤ１を設定する。
　したがって、ＳｉＣウェハ２０の厚みＤに、下限として６１μｍ以上、より好ましくは６２μｍ以上、さらに好ましくは６３μｍ以上の厚みを加算したものを加工前厚さＤ１に設定することが好ましい。
　また、ＳｉＣウェハ２０の厚みＤに、上限として１２２μｍ以下、より好ましくは１２０μｍ以下、さらに好ましくは１１０μｍ以下の厚みを加算したものを加工前厚さＤ１に設定することが好ましい。これにより、1つのインゴット１０からより多くのＳｉＣウェハ２０を製造することができる。
　また、上述の通り、従来法ではＳｉＣウェハ２０一枚当たり１００μｍ以上を除去するのが一般的である。そのため、ＳｉＣウェハ２０の厚みＤに、上限として１００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ未満の厚みを加算したものを加工前厚さＤ１に設定することが好ましい。これにより、一般的に行われる従来法を使用したときに比べて、多くのＳｉＣウェハ２０を製造することができる。
　さらに、表２に示すように、従来法では素材ロス量の下限が８７μｍである。そのため、ＳｉＣウェハ２０の厚みＤに、上限として８７μｍ以下、より好ましくは８７μｍ未満、より好ましくは８０μｍ以下の厚みを加算したものを加工前厚さＤ１に設定することで、従来法では実現困難な高い取り量でＳｉＣウェハ２０を製造することができる。
　なお、スライス工程Ｓ１３から鏡面研磨工程Ｓ３０までを経たＳｉＣウェハ２０の厚みＤは、典型的には１００～６００μｍ、より典型的には１５０～５５０μｍ、さらに典型的には２００～５００μｍ、さらに典型的には２５０～４５０μｍ、さらに典型的には３００～４００μｍを例示することができる。
　つまり、これら典型的なＳｉＣウェハ２０の厚みに、本発明のＳｉＣウェハの製造方法による素材ロス量を加算して、加工前厚さＤ１を設定することが好ましい。
　具体的には、本発明のＳｉＣウェハの製造方法によって厚さＤが３５０μｍであるＳｉＣウェハ２０を最終生産物として得たい場合には、加工前厚さＤ１が下限として４１１μｍ以上、より好ましくは４１２μｍ以上、さらに好ましくは４１３μｍ以上であるＳｉＣウェハ２０をスライス工程Ｓ１３において得ることが好ましい。
　また、この場合、加工前厚さＤ１が上限として４７２μｍ以下、より好ましくは４７０μｍ以下、さらに好ましくは４６０μｍ以下、さらに好ましくは４５０μｍ以下、さらに好ましくは４５０μｍ未満、さらに好ましくは４３７μｍ以下、さらに好ましくは４３７μｍ未満であるＳｉＣウェハ２０をスライス工程Ｓ１３において得ることが好ましい。
　また、平坦化工程Ｓ１４２において、修正モース硬度１５未満の砥粒を用いる場合や、砥粒を破砕しながら平坦化を行う場合には、この工程で導入される加工変質層３０の深さを３μｍ以下に抑えることができる。
　この場合の各工程における素材ロス量、導入される加工変質層３０の深さは以下の表３に示す通りである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表３に示すように、平坦化工程Ｓ１４２において導入される加工変質層３０の深さを３μｍ以下に抑える好ましい形態とした場合、素材ロス量は、６１～１０８μｍである。この通り、本発明によれば、ＳｉＣウェハの製造における素材ロス量を大幅に低減することが可能である。
　したがって、本発明の好ましい形態では、好ましくは１０８μｍ以下、より好ましくは１０６μｍ以下、さらに好ましくは９６μｍ以下の厚みを加算したものを加工前厚さＤ１に設定することで、1つのインゴット１０からより多くのＳｉＣウェハ２０を製造することができる。
　具体的には、本発明の好ましい形態によって厚さＤが３５０μｍであるＳｉＣウェハ２０を最終生産物として得たい場合には、加工前厚さＤ１が上限として４５８μｍ以下、より好ましくは４５６μｍ以下、さらに好ましくは４５０μｍ以下、さらに好ましくは４５０μｍ未満、さらに好ましくは４４６μｍ以下、さらに好ましくは４３７μｍ以下、さらに好ましくは４３７μｍ未満であるＳｉＣウェハ２０をスライス工程Ｓ１３において得ることが好ましい。
　なお、エッチング工程Ｓ２１におけるエッチング量が２０μｍ以下及び６μｍ以下の場合である場合の数値を表２及び表３にまとめ、この数値に基づき加工前厚さＤ１についての具体的な数値を記載したが、本発明の実施の形態は当然これに限定されない。
　エッチング工程Ｓ２１におけるエッチング量が別の数値を取る場合には、その数値に基づき合計素材ロス量を計算し、加工前厚さＤ１を設定することができる。エッチング量が別の数値を取る場合における加工前厚さＤ１の具体的な数値は本明細書に記載しないが、簡易な計算により求めることができるため、本明細書に記載されているも同然であるといえる。
　なお、エッチング工程Ｓ２１の前に平坦化工程Ｓ１４２を行うことによって、平坦化工程Ｓ１４２によって導入される加工変質層３０（クラック層及び歪み層）をエッチング工程Ｓ２１により除去することができる。このエッチング工程Ｓ２１の後に化学機械研磨工程Ｓ３２を行うことにより、加工変質層３０がなく、高い平坦度を有する高品質なＳｉＣウェハ２０を製造することができる。
　以下、実施例を示しながら、本発明をより詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されないことはいうまでもない。
《第１の課題及び第２の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造とその観察と評価》
　以下の方法で実施例１及び実施例２のＳｉＣウェハを製造した。
〈実施例１〉
（スライス工程）
　平均砥粒径１０μｍのダイヤモンド砥粒を含むスラリーを用いて、単結晶ＳｉＣインゴットをスライスし、６インチ径のＳｉＣウェハを得た。
（梨地加工工程）及び（平坦化工程）
　このＳｉＣウェハについて、平均砥粒径４０μｍのＢ４Ｃ砥粒を含むスラリーを用いた遊離砥粒方式で、加工圧力を１５０ｇ／ｃｍ２、定盤回転数は１５ｒｐｍ、ヘッド回転数は５ｒｐｍ、加工時間は２０分、加工速度は約１．０μｍ／分、の条件で梨地加工を施した。
　このとき、梨地加工工程の終了時におけるＢ４Ｃ砥粒の平均砥粒径は１０μｍであった。
（エッチング工程）
　平坦化工程後のＳｉＣウェハに対し、エッチング量３μｍ（加工時間約３ｍｉｎ、加工速度１μｍ/ｍｉｎ）、エッチング量６μｍ（加工時間約６ｍｉｎ、加工速度１μｍ/ｍｉｎ）、エッチング量９μｍ（加工時間約９ｍｉｎ、加工速度１μｍ/ｍｉｎ）の条件でＳｉ蒸気圧エッチングを施した。エッチング工程後のＳｉＣウェハの厚みは、３５０μｍであった。
〈実施例２〉
（スライス工程）
　実施例１と同じ条件でスライス工程を実施し６インチ径のＳｉＣウェハを得た。
（梨地加工工程）及び（平坦化工程）
　このＳｉＣウェハについて、平均砥粒径３０μｍのダイヤモンド砥粒を含む砥石（ビトリファイトボンド）を用いた固定砥粒方式で、以下の条件で平坦化を行った。
砥石回転数:１２５０ｒｐｍ
切込みピッチ:２μｍ
前後送り:１９０ｍ／分
左右送り:２１ｍ／分
加工速度:１００ｕｍ／時間
（エッチング工程）
　実施例１と同じ条件でＳｉ蒸気圧エッチングを施した。エッチング工程後のＳｉＣウェハの厚みは、３５０μｍであった。
〈梨地の観察と評価〉
　実施例１及び実施例２のＳｉＣウェハの裏面を、白色干渉顕微鏡を用いて観察した。その結果を図８及び図９に示す。
　図８は実施例１の白色干渉顕微鏡像（９５μｍ×７５μｍ）であり、図８（ａ）はエッチング工程前を、図８（ｂ）はエッチング工程後（エッチング量３μｍ）をそれぞれ示している。
　図９は実施例２の白色干渉顕微鏡像（９５μｍ×７５μｍ）であり、図９（ａ）はエッチング工程前を、図９（ｂ）はエッチング工程後（エッチング量３μｍ）をそれぞれ示している。
　図８及び図９に示すように、実施例１及び実施例２のＳｉＣウェハの裏面には梨地面が形成されている。具体的には、図８に示すように、実施例１のＳｉＣウェハの裏面には、不定形で微細な斑点状の凹凸が方向性なく無秩序に組み合わせた梨地面が形成されている。また、図９に示すように、実施例２のＳｉＣウェハの裏面には、一方向に向かって伸びる筋状の凹凸が配列した梨地面が形成されている。また、この図８及び図９からわかるように、エッチング後の梨地面は、微細なバリが除去され、滑らかなエッジを有した表面構造となっていることがわかる。
　表４に実施例１及び実施例２の、エッチング量に対する算術平均粗さＲａ及び最大高さＲｚについてまとめる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表４に示すように、エッチング量を大きくすることで、算術平均粗さＲａ及び最大高さＲｚが低下している傾向を確認することができる。特に実施例１においては、算術平均粗さＲａ及び最大高さＲｚが低減する傾向が見て取れる。
　この結果は、エッチング量を調整することにより、難加工材料であるＳｉＣウェハの梨地面粗さを制御できるという顕著な効果を得られることを示している。
　この実施例１及び実施例２のＳｉＣウェハの梨地面は、搬送時や装置内で滑りにくく、静電チャック方式の試料台から剥がしやすい。また、パーティクルの付着は起こりにくく、試料台へのチャッキング時に、ウェハの平坦度を悪化させたりするなどの不具合が生じない梨地面粗さに設定することが可能である。
　なお、ＳｉＣウェハの主面を公知の方法により主面２１を鏡面とすれば、光学センサによる検知が可能であり、デバイス製造工程において利点のあるＳｉＣウェハを得ることができる。
〈ＳｉＣウェハの反射率と透過率〉
　実施例１のＳｉＣウェハの反射率及び外部透過率を、分光光度計（U-4000形分光光度計）を用いて測定した。図１０に反射率を測定した結果を、図１１に外部透過率を測定した結果をそれぞれ示す。なお、比較例として主面及び裏面が鏡面であるＳｉＣウェハの反射率及び外部透過率を図１０及び図１１に示している。
　図１０（ａ）は、ＳｉＣウェハの主面側から波長３００～１５００ｎｍの電磁波を入射し、主面側に反射した反射率を測定した結果である。両面が鏡面である比較例の反射率は、可視光領域での波長毎にバラツキがあり、反射率１９～２７％の間で変位しているのがわかる。一方、裏面が梨地面である実施例１の反射率は、比較例の反射率を全ての波長領域で下回っており、可視光領域での波長毎の差は小さく、反射率１９～２３％の間で変位しているのがわかる。
　図１０（ｂ）は、ＳｉＣウェハの裏面側から波長３００～１５００ｎｍの電磁波を入射し、裏面側に反射した反射率を測定した結果である。図１０（ａ）の実施例１の主面側の結果では、可視光の波長領域で１９％以上の反射率が測定されているのに対し、図１０（ｂ）の裏面側の結果では、可視光の波長領域で３％以下の反射率が測定されている。
　このように、実施例１は主面と裏面とで大きく反射率が異なるため、主面・裏面の識別が容易となる。
　図１１は、ＳｉＣウェハの主面側から波長３００～１５００ｎｍの電磁波を入射し、ＳｉＣウェハを透過した透過率を測定した結果である。裏面が梨地面である実施例１の透過率は、両面が鏡面に形成されたＳｉＣウェハの透過率を全ての波長領域で下回っている。
　特に、実施例１の結果では、全ての波長領域で２５％以下の透過率が測定されている。そのため、裏面に梨地面が形成された実施例１は、可視光の透過を抑制することができ、光学式センサの検知率を向上させることができる。
〈ＳＥＭ－ＥＢＳＤによる加工変質層の測定〉
　エッチング工程の前後の実施例１及び実施例２のＳｉＣウェハに存在する応力をＳＥＭ－ＥＢＳＤ法により観察した。その結果を図１２及び図１３に示す。実施例１及び実施例２のＳｉＣウェハを劈開した断面を、走査型電子顕微鏡を用いて、以下の条件で測定を行った。
ＳＥＭ装置：Ｚｅｉｓｓ製Ｍｅｒｌｉｎｅ
ＥＢＳＤ解析：ＴＳＬソリューションズ製ＯＩＭ結晶方位解析装置
加速電圧：１５ｋＶ
プローブ電流：１５ｎＡ
ステップサイズ：２００ｎｍ
基準点Ｒ深さ:２０～２５μｍ
　図１２は実施例１の断面ＳＥＭ－ＥＢＳＤイメージング画像であり、図１３は実施例２の断面ＳＥＭ－ＥＢＳＤイメージング画像である。
　この図１２（ａ）及び図１３（ａ）に示すように、エッチング工程の前においては、実施例１及び実施例２共にＳｉＣウェハ内に格子歪みが観察された。これは、梨地加工工程等により導入された格子歪みである。なお、いずれも圧縮応力が観測されている。
　一方、図１２（ｂ）及び図１３（ｂ）に示すように、エッチング工程の後においては、表面下の結晶格子は、基準結晶格子に対する格子歪みが０．００１％以下であり、実施例１及び実施例２のＳｉＣウェハ内に格子歪みは観察されなかった。
　この結果により、ＳｉＣウェハ２０内に応力がほとんど生じておらず、加工変質層３０の中でも除去が難しい歪み層を除去されていることがわかる。つまり、平坦化工程等により導入されたＳｉＣウェハ内の応力をエッチング工程により除去できることを示している。
〈ＴＥＭによる加工変質層の測定〉
　実施例１及び実施例２のＳｉＣウェハについて、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて断面を観察した。その結果を図１４及び図１５に示す。
　図１４は実施例１の断面ＴＥＭ像（５０ｎｍ×５０ｎｍ）であり、（ａ）はエッチング量３μｍの（０００１）面側を、（ｂ）はエッチング量３μｍの（０００－１）面側を、（ｃ）はエッチング量６μｍの（０００１）面側を、（ｄ）はエッチング量６μｍの（０００－１）面側をそれぞれ示している。
　図１５は実施例２の断面ＴＥＭ像（５０ｎｍ×５０ｎｍ）であり、（ａ）はエッチング量３μｍの（０００１）面側を、（ｂ）はエッチング量３μｍの（０００－１）面側を、（ｃ）はエッチング量６μｍの（０００１）面側を、（ｄ）はエッチング量６μｍの（０００－１）面側をそれぞれ示している。
　この断面ＴＥＭ像に基づき、以下の方法により変質層の有無及びその深さを評価した。
［評価方法］断面ＴＥＭ像を数ｎｍの加工変質層が確認できる倍率まで拡大し、表面側とバルク側のコントラストを比較し、コントラスト差がある場合には「加工変質層がある」と評価し、コントラスト差が無い場合には「加工変質層が無い」と評価する。
　「加工変質層がある」場合には、断面ＴＥＭ像に基づきその深さを計測した。
　その結果、実施例１のＳｉＣウェハは、エッチング量３μｍ時もエッチング量６μｍ時も加工変質層は観察されなかった。
　一方、実施例２のＳｉＣウェハは、エッチング量３μｍ時に（０００１）面側にて１０ｎｍの加工変質層が、（０００－１）面側にて４３ｎｍの加工変質層が観察された。しかしながら、エッチング量６μｍ時には、加工変質層は観察されなかった。
　以上のＳＥＭ－ＥＢＳＤによる加工変質層の測定及びＴＥＭによる加工変質層の測定により、Ｓｉ蒸気圧エッチングを施すことで、実施例１及び実施例２には加工変質層が実質的にないことが分かった。
　実施例１及び実施例２のＳｉＣウェハのように加工変質層が除去された状態のＳｉＣウェハに対して化学機械研磨加工を施せば、内部にはクラック（傷）や格子歪みがなく、かつ高度な平坦度を有する高品質なＳｉＣウェハを得ることができる。
《第３の課題及び第４の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造とその観察と評価》
　以下の方法で実施例３、実施例４、比較例１及び比較例２のＳｉＣウェハを製造した。
〈実施例３〉
　（スライス工程）
　平均砥粒径１０μｍのダイヤモンド砥粒を含むスラリーを用いて、単結晶ＳｉＣインゴットをスライスし、６インチ径のＳｉＣウェハを得た。
（平坦化工程）
　このＳｉＣウェハについて、平均砥粒径４０μｍのＢ４Ｃ砥粒を含むスラリーを用いた遊離砥粒方式で、加工圧力を１５０ｇ／ｃｍ２、定盤回転数は１５ｒｐｍ、ヘッド回転数は５ｒｐｍ、加工時間は２０分、加工速度は約１．０μｍ／分、の条件で平坦化した。
　このとき、平坦化工程の終了時におけるＢ４Ｃ砥粒の平均砥粒径は１０μｍであった。
（エッチング工程）
　平坦化工程後のＳｉＣウェハに対し、エッチング量３μｍ（加工時間約３ｍｉｎ、加工速度１μｍ/ｍｉｎ）の条件でＳｉ蒸気圧エッチングを施した。
〈実施例４〉
（スライス工程）
　実施例３と同じ条件でスライス工程を実施し６インチ径のＳｉＣウェハを得た。
（平坦化工程）
　このＳｉＣウェハについて、平均砥粒径３０μｍのダイヤモンド砥粒を含む砥石（ビトリファイトボンド）を用いた固定砥粒方式で、以下の条件で平坦化を行った。
砥石回転数：１２５０ｒｐｍ
切込みピッチ：２μｍ
前後送り：１９０ｍ／分
左右送り：２１ｍ／分
加工速度：１００ｕｍ／時間
（エッチング工程）
　加工時間を６ｍｉｎとした以外は、実施例３と同じ条件でＳｉ蒸気圧エッチングを施した。エッチング量は６μｍであった。
〈比較例１〉
（スライス工程）
　実施例３と同じ条件でスライス工程を実施し６インチ径のＳｉＣウェハを得た。
（エッチング工程）
　得られたＳｉＣウェハについて実施例３と同じ条件でＳｉ蒸気圧エッチングを施した。
〈比較例２〉
（スライス工程）
　実施例３と同じ条件でスライス工程を実施し６インチ径のＳｉＣウェハを得た。
（平坦化工程）
　このＳｉＣウェハについて、平均砥粒径３０μｍのダイヤモンド砥粒を含む砥石（ビトリファイトボンド）を用いた固定砥粒方式で、以下の条件で平坦化を行った。
砥石回転数：１２５０ｒｐｍ
切込みピッチ：２μｍ
前後送り：１９０ｍ／分
左右送り：２１ｍ／分
加工速度：１００ｕｍ／時間
（エッチング工程）
　実施例３と同じ条件でＳｉ蒸気圧エッチングを施した。
〈加工変質層の観察と評価〉
　実施例３、実施例４、比較例１及び比較例２のＳｉＣウェハについて、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて断面を観察した。その結果を図１６、図１７、図１８及び図１９に示す。なお、各図面における（ａ）は（０００１）面側を５０ｎｍ角の範囲で拡大した断面ＴＥＭ像であり、（ｂ）は（０００－１）面側を５０ｎｍ角の範囲で拡大した断面ＴＥＭ像である。
　この断面ＴＥＭ像に基づき、以下の方法により変質層の有無及びその深さを評価した。
［評価方法］断面ＴＥＭ像を数ｎｍの加工変質層が確認できる倍率まで拡大し、表面側とバルク側のコントラストを比較し、コントラスト差がある場合には「加工変質層がある」と評価し、コントラスト差が無い場合には「加工変質層が無い」と評価する。
　「加工変質層がある」場合には、断面ＴＥＭ像に基づきその深さを計測した。
　その結果、実施例３及び実施例４のＳｉＣウェハには加工変質層は観察されなかった。
　一方、比較例１のＳｉＣウェハには、（０００１）面側にて１２ｎｍの加工変質層が、（０００－１）面側にて２８ｎｍの加工変質層が、それぞれ観察された。
　また、比較例２のＳｉＣウェハには、（０００１）面側にて１０ｎｍの加工変質層が、（０００－１）面側にて４３ｎｍの加工変質層が、それぞれ観察された。
　これらの結果から、ＳｉＣウェハの製造において、修正モース硬度１５未満の砥粒を用いてＳｉＣウェハを平坦化する平坦化工程と、Ｓｉ蒸気圧下で加熱してＳｉＣウェハをエッチングするエッチング工程を組み合わせることで、片面につき３μｍという少ない素材ロスで加工変質層が除去されたＳｉＣウェハを製造できることが分かった。
　また、これらの結果から、ＳｉＣウェハの製造において、砥粒を破砕しながらＳｉＣウェハを平坦化する平坦化工程と、Ｓｉ蒸気圧下で加熱してＳｉＣウェハをエッチングするエッチング工程を組み合わせることで、片面につき３μｍという少ない素材ロスで加工変質層が除去されたＳｉＣウェハを製造できることが分かった。
　また、実施例３及び実施例４の結果から、エッチング工程によって、平坦化工程にて導入された加工変質層を、１０μｍ以下という従来技術よりも少ない素材ロス量で除去するができることがわかった。
　これらの結果は、平坦化工程にて導入された加工変質層をエッチング工程により除去するという構成にすることによって、素材ロスを低減することができ、これにより1つのインゴットからより多くのＳｉＣウェハを製造することができることを示している。
《第５の課題を解決する本発明のＳｉＣウェハの製造とその観察と評価》
　以下の方法で実施例５及び実施例６のＳｉＣウェハを製造した。
〈実施例５〉
　（スライス工程）
　平均砥粒径１０μｍのダイヤモンド砥粒を含むスラリーを用いて、単結晶ＳｉＣインゴットをスライスし、６インチ径のＳｉＣウェハを得た。
（平坦化工程）
　このＳｉＣウェハについて、平均砥粒径４０μｍのＢ４Ｃ砥粒を含むスラリーを用いた遊離砥粒方式で、加工圧力を１５０ｇ／ｃｍ２、定盤回転数は１５ｒｐｍ、ヘッド回転数は５ｒｐｍ、加工時間は２０分、加工速度は約１．０μｍ／分、の条件で平坦化した。
　このとき、平坦化工程の終了時におけるＢ４Ｃ砥粒の平均砥粒径は１０μｍであった。
（エッチング工程）
　平坦化工程後のＳｉＣウェハに対し、エッチング量３μｍ（加工時間約３ｍｉｎ、加工速度１μｍ/ｍｉｎ）の条件でＳｉ蒸気圧エッチングを施した。
〈実施例６〉
（スライス工程）
　実施例５と同じ条件でスライス工程を実施し６インチ径のＳｉＣウェハを得た。
（エッチング工程）
　得られたＳｉＣウェハについて実施例５と同じ条件でＳｉ蒸気圧エッチングを施した。エッチング量は３．５μｍであった。
<ＳＥＭ－ＥＢＳＤによる応力測定>
　また、エッチング工程の前後の実施例５及び実施例６のＳｉＣウェハに存在する応力をＳＥＭ－ＥＢＳＤ法により観察した。その結果を図２０及び図２１に示す。実施例１及び実施例２のＳｉＣウェハを劈開した断面を、走査型電子顕微鏡を用いて、以下の条件で測定を行った。
ＳＥＭ装置：Ｚｅｉｓｓ製Ｍｅｒｌｉｎｅ
ＥＢＳＤ解析：ＴＳＬソリューションズ製ＯＩＭ結晶方位解析装置
加速電圧：１５ｋＶ
プローブ電流：１５ｎＡ
ステップサイズ：２００ｎｍ
基準点Ｒ深さ：２０～２５μｍ
　図２０は実施例５の断面ＳＥＭ－ＥＢＳＤイメージング画像であり、図２１は実施例６の断面ＳＥＭ－ＥＢＳＤイメージング画像である。
　図２０（ａ）及び図２１（ａ）に示すように、エッチング工程の前においては、実施例５及び実施例６のＳｉＣウェハ内に格子歪みが観察された。これは、粗面加工工程等により導入された格子歪みである。なお、いずれも圧縮応力が観測されている。
　一方、図２０（ｂ）及び図２１（ｂ）に示すように、エッチング工程の後においては、表面下の結晶格子は、基準結晶格子に対する格子歪みが０．００１％以下であり、実施例５及び実施例６のＳｉＣウェハ内に格子歪みは観察されなかった。
　この結果は、エッチング工程により導入されたＳｉＣウェハ内の応力をエッチング工程により除去できることを示している。
　実施例５及び実施例６のＳｉＣウェハのように応力が除去された状態のＳｉＣウェハに対して化学機械研磨加工を施せば、内部には格子歪みがなく、かつ高度な平坦度を有する高品質なＳｉＣウェハを得ることができる。
１０　インゴット
２０　ＳｉＣウェハ
２１　主面
２２　裏面
２３　外周部
２４　オリフラ
２５　刻印部
３０　加工変質層
３１　クラック層
３２　歪み層
３３　バルク層
４０　坩堝
４１　上容器
４２　下容器
４３　支持台
５０　高温真空炉
５１　本加熱室
５２　予備加熱室
５３　移動台
５４　真空形成用バルブ
５５　不活性ガス注入用バルブ
５６　真空計
５７　ヒータ
Ｓ１０　ウェハ形状形成工程
Ｓ１１　インゴット成形工程
Ｓ１２　結晶方位成形工程
Ｓ１３　スライス工程
Ｓ１４１　梨地加工工程
Ｓ１４２　平坦化工程
Ｓ１５　刻印形成工程
Ｓ１６　面取り工程
Ｓ１７　従来法の平坦化工程
Ｓ２０　加工変質層除去工程
Ｓ２１　エッチング工程
Ｓ２２　粗研削工程
Ｓ２３　仕上げ研削工程
Ｓ３０　鏡面研磨工程
Ｓ３１　鏡面加工工程
Ｓ３２　化学機械研磨工程

 

Claims (55)

  1. 　鏡面加工された主面と、
    　梨地加工された裏面と、を備えることを特徴とする、ＳｉＣウェハ。
  2. 　前記裏面は、算術平均偏差Ｒａが５０～３００ｎｍであることを特徴とする、請求項１に記載のＳｉＣウェハ。
  3. 　前記裏面は、最大高さＲｚが０．５～５μｍであることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載のＳｉＣウェハ。
  4. 　前記裏面には、加工変質層が実質的にないことを特徴とする、請求項１～３の何れかに記載のＳｉＣウェハ。
  5. 　ＳｉＣウェハの少なくとも裏面に梨地加工を施した後、
    　Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハの少なくとも裏面をエッチングして得られることを特徴とする、ＳｉＣウェハ。
  6. 　ＳｉＣウェハの少なくとも裏面に梨地加工を施し、
    　Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハの少なくとも裏面をエッチングした後、
    　前記ＳｉＣウェハの主面を鏡面加工して得られることを特徴とする、ＳｉＣウェハ。
  7. 　前記梨地加工は、炭化ホウ素砥粒及び／又は炭化ケイ素砥粒を用いた遊離砥粒加工であることを特徴とする、請求項５又は請求項６に記載のＳｉＣウェハ。
  8. 　ウェハ厚みが１ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１～７の何れかに記載のＳｉＣウェハ。
  9. 　ＳｉＣウェハの少なくとも裏面を梨地加工する梨地加工工程と、
    　前記梨地加工工程の後に、Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハの少なくとも裏面をエッチングするエッチング工程と、を含むことを特徴とする、ＳｉＣウェハの製造方法。
  10. 　前記エッチング工程の後に、前記ＳｉＣウェハの主面を鏡面加工する鏡面加工工程をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  11. 　前記梨地加工工程は、炭化ホウ素砥粒及び／又は炭化ケイ素砥粒を用いた遊離砥粒加工であることを特徴とする、請求項９又は請求項１０に記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  12. 　前記エッチング工程は、エッチング量を制御することで前記裏面の粗さを算術平均偏差Ｒａが５０～３００ｎｍとなるように調整する粗さ調整工程を有していることを特徴とする、請求項９～１１の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  13. 　加工変質層が実質的にないことを特徴とする、ＳｉＣウェハ。
  14. 　半導体素子が作られる主面と、
    　前記主面に相対する裏面と、
    　前記主面及び裏面の外縁に接続する外周部と、
    　前記外周部の一部に設けられる切欠き部と、
    　前記主面又は前記裏面に設けられる刻印部と、を備え、
    　前記主面、前記裏面、前記外周部、前記切欠き部、及び、前記刻印部は、加工変質層が実質的にないことを特徴とする、ＳｉＣウェハ。
  15. 　表面再構成由来の格子歪み以外の格子歪みが実質的にないことを特徴とする、ＳｉＣウェハ。
  16. 　半導体素子が作られる主面と、
    　前記主面に相対する裏面と、
    　前記主面及び前記裏面と隣接するバルク層と、を備え、
    　前記バルク層は、基準結晶格子に対する格子歪み量が０．０１％以下であることを特徴とする、ＳｉＣウェハ。
  17. 　１５００～２０００℃の温度範囲で加熱した際にＳＯＲＩ値が変化しないことを特徴とする、１３～１６の何れかに記載のＳｉＣウェハ。
  18. 　ＳｉＣウェハを平坦化する平坦化工程と、
    　前記平坦化工程の後に、Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハの主面及び裏面をエッチングするエッチング工程と、を含むことを特徴とするＳｉＣウェハの製造方法。
  19. 　前記エッチング工程の処理温度は、１５００℃以上であることを特徴とする、請求項１８に記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  20. 　前記エッチング工程に次いで、前記ＳｉＣウェハの主面を鏡面加工する鏡面加工工程を含むことを特徴とする、請求項１８又は請求項１９に記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  21. 　前記エッチング工程の前に、
    　結晶成長させた単結晶ＳｉＣの塊を円柱状のインゴットに加工するインゴット成形工程と、
    　前記インゴット外周の一部に結晶方位を示す切欠き部を形成する結晶方位成形工程と、
    　前記インゴットをスライスして薄円板状のＳｉＣウェハを得るスライス工程と、
    　前記ＳｉＣウェハ表面を選択的に除去して刻印部を形成する刻印形成工程と、
    　前記ＳｉＣウェハの外周部に対して面取りを行う面取り工程と、をさらに含むことを特徴とする、請求項１８～２０の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  22. 　修正モース硬度１５未満の砥粒の存在下でＳｉＣウェハを平坦化する平坦化工程と、
    　Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハをエッチングするエッチング工程と、を含むことを特徴とする、ＳｉＣウェハの製造方法。
  23. 　前記砥粒は、修正モース硬度１３以上の砥粒であることを特徴とする、請求項２２に記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  24. 　前記砥粒は、炭化ホウ素砥粒及び／又は炭化ケイ素砥粒であることを特徴とする、請求項２２又は請求項２３に記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  25. 　前記平坦化工程は、遊離砥粒方式であることを特徴とする、請求項２２～２４の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  26. 　前記エッチング工程によって、前記ＳｉＣウェハがエッチングされる量が、片面につき１０μｍ以下であることを特徴とする、請求項２２～２５の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  27. 　前記ＳｉＣウェハの外周部を面取りする面取り工程と、
    　前記ＳｉＣウェハの表面に刻印を形成する刻印形成工程と、をさらに含み、
    　前記面取り工程と前記刻印形成工程は、前記エッチング工程前に行われることを特徴とする、請求項２２～２６の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  28. 　前記ＳｉＣウェハの外周部を面取りする面取り工程と、
    　前記ＳｉＣウェハの表面に刻印を形成する刻印形成工程と、をさらに含み、
    　前記面取り工程と前記刻印形成工程は、前記平坦化工程後に行われることを特徴とする、請求項２２～２６の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  29. 　遊離砥粒方式で砥粒を破砕しながらＳｉＣウェハを平坦化する平坦化工程と、
    　Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハをエッチングするエッチング工程と、を含むことを特徴とする、ＳｉＣウェハの製造方法。
  30. 　前記平坦化工程において、加工開始時の平均砥粒径が２０μｍ以上、加工終了時の平均砥粒径が２０μｍ未満となるように、砥粒を破砕しながらＳｉＣウェハを平坦化することを特徴とする、請求項２９に記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  31. 　遊離砥粒方式において破砕される脆性を有する砥粒を用いて、遊離砥粒方式でＳｉＣウェハを平坦化する平坦化工程と、
    　Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハをエッチングするエッチング工程と、を含むことを特徴とする、ＳｉＣウェハの製造方法。
  32. 　前記砥粒が以下の脆性条件を充足することを特徴とする、請求項３１に記載のＳｉＣウェハの製造方法。
    （脆性条件）加工圧力１５０ｇ/ｃｍ２の条件で、平均砥粒径４０μｍに調整された砥粒を用いて、ＳｉＣウェハの表面を遊離砥粒方式で両面同時に平坦化したとき、加工時間２０分経過後に平均砥粒径が２０μｍ以下となる。
  33. 　前記砥粒が、炭化ホウ素砥粒及び／又は炭化ケイ素砥粒であることを特徴とする、請求項２９～３２の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  34. 　前記エッチング工程によって、前記ＳｉＣウェハがエッチングされる量が、片面につき１０μｍ以下であることを特徴とする、請求項２９～３３の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  35. 　前記ＳｉＣウェハの外周部を面取りする面取り工程と、
    　前記ＳｉＣウェハの表面に刻印を形成する刻印形成工程と、をさらに含み、
    　前記面取り工程と前記刻印形成工程は、前記エッチング工程前に行われることを特徴とする、請求項２９～３４の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  36. 　前記ＳｉＣウェハの外周部を面取りする面取り工程と、
    　前記ＳｉＣウェハの表面に刻印を形成する刻印形成工程と、をさらに含み、
    　前記面取り工程と前記刻印形成工程は、前記平坦化工程後に行われることを特徴とする、請求項２９～３４の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  37. 　インゴットをスライスしてＳｉＣウェハを得るスライス工程と、
    　前記ＳｉＣウェハを平坦化する平坦化工程と、
    　Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハをエッチングし、前記平坦化工程において導入された加工変質層を除去するエッチング工程と、を含み、
    　前記スライス工程において、前記平坦化工程及び前記エッチング工程を含む表面加工の終了後におけるＳｉＣウェハの厚みに、１２２μｍ以下の厚みを加算した厚みを有するＳｉＣウェハを得ることを特徴とする、ＳｉＣウェハの製造方法。
  38. 　前記スライス工程において、前記平坦化工程及び前記エッチング工程を含む表面加工の終了後におけるＳｉＣウェハの厚みに、１００μｍ未満の厚みを加算した厚みのＳｉＣウェハを得ることを特徴とする、請求項３７に記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  39. 　前記スライス工程において、前記平坦化工程及び前記エッチング工程を含む表面加工の終了後におけるＳｉＣウェハの厚みに、８７μｍ未満の厚みを加算した厚みのＳｉＣウェハを得ることを特徴とする、請求項３７又は請求項３８に記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  40. 　前記スライス工程において、前記平坦化工程及び前記エッチング工程を含む表面加工の終了後におけるＳｉＣウェハの厚みに、６１μｍ以上の厚みを加算した厚みのＳｉＣウェハを得ることを特徴とする、請求項３７～３９の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  41. 　前記表面加工の終了後におけるＳｉＣウェハの厚みが３００～４００μｍであることを特徴とする、請求項３７～４０の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  42. 　前記スライス工程において、４７２μｍ以下の厚みのＳｉＣウェハを得ることを特徴とする、請求項３７～４１の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  43. 　前記エッチング工程におけるエッチング量が、ＳｉＣウェハの片面につき１０μｍ以下であることを特徴とする、請求項３７～４２の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  44. 　前記平坦化工程において、炭化ホウ素砥粒及び／又は炭化ケイ素砥粒を用いることを特徴とする、請求項３７～４３の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  45. 　前記平坦化工程は、遊離砥粒方式であることを特徴とする、請求項３７～４４の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  46. 　前記ＳｉＣウェハの外周部を面取りする面取り工程と、
    　前記ＳｉＣウェハの表面に刻印を形成する刻印形成工程と、をさらに含み、
    　前記面取りと前記刻印形成工程は、前記エッチング工程前に行われることを特徴とする、請求項３７～４５の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  47. 　前記ＳｉＣウェハの外周部を面取りする面取り工程と、
    　前記ＳｉＣウェハの表面に刻印を形成する刻印形成工程と、をさらに含み、
    　前記面取りと前記刻印形成工程は、前記平坦化工程後に行われることを特徴とする、請求項３７～４５の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  48. 　ＳｉＣウェハを平坦化する平坦化工程と、
    　前記平坦化工程の後に、Ｓｉ蒸気圧下で加熱することで前記ＳｉＣウェハをエッチングするエッチング工程と、
    　前記エッチング工程の後に、前記ＳｉＣウェハの表面を化学機械研磨加工する化学機械研磨工程を含むことを特徴とする、ＳｉＣウェハの製造方法。
  49. 　前記ＳｉＣウェハの外周部を面取りする面取り工程と、
    　前記ＳｉＣウェハの表面に刻印を形成する刻印形成工程と、をさらに含み、
    　前記面取り工程と前記刻印形成工程を前記エッチング工程の前に行うことを特徴とする、請求項４８に記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  50. 　前記面取り工程と前記刻印形成工程は、前記平坦化工程後に行われることを特徴とする、請求項４９に記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  51. 　前記エッチング工程の後に、ＳｉＣウェハに新たに加工変質層が導入される工程を含まないことを特徴とする、請求項４８～５０の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  52. 　前記エッチング工程に次いで、前記ＳｉＣウェハの表面を化学機械研磨加工する化学機械研磨工程を含むことを特徴とする、請求項４８～５１の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  53. 　前記化学機械研磨工程において、ＳｉＣウェハの（０００１）面側のみを化学機械研磨加工することを特徴とする、請求項４８～５２の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  54. 　前記平坦化工程において、炭化ホウ素砥粒及び／又は炭化ケイ素砥粒を用いることを特徴とする、請求項４８～５３の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。
  55. 　前記エッチング工程によって、前記ＳｉＣウェハがエッチングされる量が、片面につき１０μｍ以下であることを特徴とする、請求項４８～５４の何れかに記載のＳｉＣウェハの製造方法。

     
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