JP7230746B2 - 単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法 - Google Patents
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Description
10a トップ部
10b 直胴部
10c テイル部
11 シリコンブロック
12 サンプルウェーハ
13 サンプル片
20 片面平面研削盤
21 吸着ステージ
22 研削ヘッド
22a 砥石
Claims (21)
- 単結晶シリコンインゴットを径方向に切断してサンプルウェーハを切り出す工程と、
前記サンプルウェーハからサンプル片を切り出す工程と、
前記サンプル片の表面を研削加工する工程と、
前記研削加工後の前記サンプル片の酸素濃度又は炭素濃度を測定する工程とを備え、
前記サンプル片の表面を研削加工する工程は、
前記サンプル片の光沢度が500以上850以下となるように研削する工程であることを特徴とする単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。 - 前記サンプル片の表面を研削加工する工程は、
前記サンプル片の平坦度TTVが6.0μm以下となるように研削する工程である、請求項1に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。 - 前記サンプル片の表面を研削加工する工程は、
#500以上#3000以下の低番手の砥石を用いた粗研削と、#6000以上の高番手の砥石を用いた仕上げ研削とを順に行う二段階の研削加工である、請求項1又は2に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。 - 前記サンプル片の酸素濃度を測定する前に、前記サンプル片にドナーキラー熱処理を行う工程をさらに備える、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。
- 前記サンプル片の表面を研削加工した後に前記ドナーキラー熱処理を行う、請求項4に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。
- 前記サンプルウェーハを切り出す工程は、
バンドソー、内周刃又は外周刃を用いて前記単結晶シリコンインゴットからシリコンブロックを切り出す工程と、
前記シリコンブロックの端部から前記サンプルウェーハを切り出す工程とを含む、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。 - 前記サンプル片を切り出す工程は、
ダイシングにより前記サンプルウェーハを分割する工程を含む、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。 - 前記サンプル片の酸素濃度又は炭素濃度を測定する工程は、前記サンプル片の酸素濃度又は炭素濃度をFTIR法により測定する、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。
- 単結晶シリコンインゴットを径方向に切断してサンプルウェーハを切り出す工程と、
前記サンプルウェーハからサンプル片を切り出す工程と、
前記サンプル片の表面を研削加工する工程と、
前記研削加工後の前記サンプル片の酸素濃度又は炭素濃度を測定する工程とを備え、
前記サンプル片の表面を研削加工する工程は、
前記サンプル片の平坦度TTVが6.0μm以下となるように研削する工程であることを特徴とする単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。 - 前記サンプル片の表面を研削加工する工程は、
#500以上#3000以下の低番手の砥石を用いた粗研削と、#6000以上の高番手の砥石を用いた仕上げ研削とを順に行う二段階の研削加工である、請求項9に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。 - 前記サンプル片の酸素濃度を測定する前に、前記サンプル片にドナーキラー熱処理を行う工程をさらに備える、請求項9又は10に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。
- 前記サンプル片の表面を研削加工した後に前記ドナーキラー熱処理を行う、請求項11に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。
- 前記サンプルウェーハを切り出す工程は、
バンドソー、内周刃又は外周刃を用いて前記単結晶シリコンインゴットからシリコンブロックを切り出す工程と、
前記シリコンブロックの端部から前記サンプルウェーハを切り出す工程とを含む、請求項9乃至12のいずれか一項に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。 - 前記サンプル片を切り出す工程は、
ダイシングにより前記サンプルウェーハを分割する工程を含む、請求項9乃至13のいずれか一項に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。 - 前記サンプル片の酸素濃度又は炭素濃度を測定する工程は、前記サンプル片の酸素濃度又は炭素濃度をFTIR法により測定する、請求項9乃至14のいずれか一項に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。
- 単結晶シリコンインゴットを径方向に切断してサンプルウェーハを切り出す工程と、
前記サンプルウェーハからサンプル片を切り出す工程と、
前記サンプル片の表面を研削加工する工程と、
前記研削加工後の前記サンプル片の酸素濃度又は炭素濃度を測定する工程とを備え、
前記サンプル片の表面を研削加工する工程は、
#500以上#3000以下の低番手の砥石を用いた粗研削と、#6000以上の高番手の砥石を用いた仕上げ研削とを順に行う二段階の研削加工であることを特徴とする単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。 - 前記サンプル片の酸素濃度を測定する前に、前記サンプル片にドナーキラー熱処理を行う工程をさらに備える、請求項16に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。
- 前記サンプル片の表面を研削加工した後に前記ドナーキラー熱処理を行う、請求項17に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。
- 前記サンプルウェーハを切り出す工程は、
バンドソー、内周刃又は外周刃を用いて前記単結晶シリコンインゴットからシリコンブロックを切り出す工程と、
前記シリコンブロックの端部から前記サンプルウェーハを切り出す工程とを含む、請求項16乃至18のいずれか一項に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。 - 前記サンプル片を切り出す工程は、
ダイシングにより前記サンプルウェーハを分割する工程を含む、請求項16乃至19のいずれか一項に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。 - 前記サンプル片の酸素濃度又は炭素濃度を測定する工程は、前記サンプル片の酸素濃度又は炭素濃度をFTIR法により測定する、請求項16乃至20のいずれか一項に記載の単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019159627A JP7230746B2 (ja) | 2019-09-02 | 2019-09-02 | 単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法 |
TW109118945A TWI742711B (zh) | 2019-09-02 | 2020-06-05 | 單結晶矽的氧濃度或碳濃度的測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019159627A JP7230746B2 (ja) | 2019-09-02 | 2019-09-02 | 単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021040006A JP2021040006A (ja) | 2021-03-11 |
JP7230746B2 true JP7230746B2 (ja) | 2023-03-01 |
Family
ID=74849086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019159627A Active JP7230746B2 (ja) | 2019-09-02 | 2019-09-02 | 単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7230746B2 (ja) |
TW (1) | TWI742711B (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001118902A (ja) | 1999-10-15 | 2001-04-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 検査用ウェーハ、その作成方法、及びそれを用いた検査方法 |
JP2018093086A (ja) | 2016-12-05 | 2018-06-14 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE05806093T1 (de) * | 2005-07-27 | 2008-08-21 | Sumco Corp. | Siliziumwafer und prozess zu seiner herstellung |
JP6528710B2 (ja) * | 2016-04-11 | 2019-06-12 | 株式会社Sumco | シリコン試料の炭素濃度測定方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 |
-
2019
- 2019-09-02 JP JP2019159627A patent/JP7230746B2/ja active Active
-
2020
- 2020-06-05 TW TW109118945A patent/TWI742711B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001118902A (ja) | 1999-10-15 | 2001-04-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 検査用ウェーハ、その作成方法、及びそれを用いた検査方法 |
JP2018093086A (ja) | 2016-12-05 | 2018-06-14 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202111171A (zh) | 2021-03-16 |
TWI742711B (zh) | 2021-10-11 |
JP2021040006A (ja) | 2021-03-11 |
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