DE05806093T1 - Siliziumwafer und prozess zu seiner herstellung - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines Siliciumwafers, umfassend:
Ziehen eines Silicium-Einkristalls durch die Czochralski-Methode in einer inerten Atmosphäre, die eine gasförmige Substanz beinhaltet, die Wasserstoffatome enthält;
Schneiden eines Wafers aus dem Silicium-Einkristall;
Durchführen einer Wärmebehandlung des Wafers bei hoher Temperatur in einer nicht-oxidierenden Atmosphäre bei einer Temperatur von nicht unter 1000°C, jedoch nicht höher als 1300°C; und
vor der Wärmebehandlung bei hoher Temperatur Durchführen einer Wärmebehandlung des Wafers bei tiefer Temperatur bei einer Temperatur unter der bei der Wärmebehandlung bei hoher Temperatur verwendeten Temperatur.

Claims (8)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumwafers, umfassend: Ziehen eines Silicium-Einkristalls durch die Czochralski-Methode in einer inerten Atmosphäre, die eine gasförmige Substanz beinhaltet, die Wasserstoffatome enthält; Schneiden eines Wafers aus dem Silicium-Einkristall; Durchführen einer Wärmebehandlung des Wafers bei hoher Temperatur in einer nicht-oxidierenden Atmosphäre bei einer Temperatur von nicht unter 1000°C, jedoch nicht höher als 1300°C; und vor der Wärmebehandlung bei hoher Temperatur Durchführen einer Wärmebehandlung des Wafers bei tiefer Temperatur bei einer Temperatur unter der bei der Wärmebehandlung bei hoher Temperatur verwendeten Temperatur.
  2. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumwafers, umfassend: Ziehen eines Silicium-Einkristalls durch die Czochralski-Methode in einer inerten Atmosphäre, die eine gasförmige Substanz beinhaltet, die Wasserstoffatome enthält; Schneiden eines Wafers aus dem Silicium-Einkristall; Durchführen einer Donator-Vernichtungs-Wärmebehandlung des Wafers, um eine Fluktuation des spezifischen Widerstands in dem Wafer zu verhindern; und vor der Donator-Vernichtungs-Wärmebehandlung Durchführen einer Wärmebehandlung des Wafers bei tiefer Temperatur bei einer Temperatur unter einer bei der Donator-Vernichtungs-Wärmebehandlung verwendeten Temperatur.
  3. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumwafers gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Temperatur bei der Wärmebehandlung bei tiefer Temperatur nicht niedriger als 400°C, jedoch nicht höher als 650°C ist und die Temperatur mit einer Rate von nicht weniger als 0,2°C/min, jedoch nicht höher als 2,0°C/min erhöht wird.
  4. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumwafers gemäß Anspruch 3, wobei die Wärmebehandlung bei tiefer Temperatur durch kontinuierlich ansteigende Wärmebehandlung durchgeführt wird.
  5. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumwafers gemäß Anspruch 1, wobei die Wärmebehandlung bei tiefer Temperatur dazu verwendet wird, eine Differenz in einer Sauerstoffkonzentration vor und nach der Wärmebehandlung bei hoher Temperatur auf Basis eines Werts, der gemäß ASTM-F121 1979 gemessen worden ist, auf nicht weniger als 1,5 × 1017 Atome/cm3 zu kontrollieren.
  6. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumwafers gemäß Anspruch 1, wobei die Wasserstoffkonzentration in der inerten Atmosphäre bei einem atmosphärischen Druck von 1,3 bis 13,3 kPa in dem Ofen nicht weniger als 0,1 Volumen-%, jedoch nicht mehr als 20 Volumen beträgt.
  7. Verfahren zur Herstellung eines Siliciumwafers gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Oxidpräzipitat-Dichte nach der Wärmebehandlung bei hoher Temperatur nicht weniger als 1,0 × 1010 Kerne/cm3 betragt.
  8. Siliciumwafer, hergestellt durch das Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4432458B2 (ja) * 2003-10-30 2010-03-17 信越半導体株式会社 単結晶の製造方法
JP5217245B2 (ja) * 2007-05-23 2013-06-19 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法
US20080292523A1 (en) * 2007-05-23 2008-11-27 Sumco Corporation Silicon single crystal wafer and the production method
US8916425B2 (en) 2010-07-26 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming microcrystalline semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
CN101942701A (zh) * 2010-09-03 2011-01-12 浙江碧晶科技有限公司 一种太阳能级硅晶体的热处理方法
CN102286784A (zh) * 2011-08-19 2011-12-21 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 一种电阻率异常太阳能多晶硅片的处理方法
CN102304764A (zh) * 2011-09-19 2012-01-04 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 一种单晶硅片降低电阻值的处理方法
JP2013163598A (ja) * 2012-01-10 2013-08-22 Globalwafers Japan Co Ltd シリコンウェーハの製造方法
CN102634850A (zh) * 2012-03-31 2012-08-15 江苏鑫和泰光电科技有限公司 一种蓝宝石晶片的退火方法
US9945048B2 (en) * 2012-06-15 2018-04-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor structure and method
JP6260100B2 (ja) * 2013-04-03 2018-01-17 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
KR101472349B1 (ko) * 2013-05-21 2014-12-12 주식회사 엘지실트론 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 및 웨이퍼
US20150294868A1 (en) * 2014-04-15 2015-10-15 Infineon Technologies Ag Method of Manufacturing Semiconductor Devices Containing Chalcogen Atoms
CN105543951B (zh) * 2016-01-21 2019-01-01 浙江金瑞泓科技股份有限公司 一种在高COP硅单晶衬底上制备200mm-300mm低缺陷外延片的方法
WO2018008561A1 (ja) * 2016-07-06 2018-01-11 株式会社トクヤマ 単結晶シリコン板状体およびその製造方法
JP6699620B2 (ja) * 2017-05-26 2020-05-27 株式会社Sumco シリコン単結晶の製造方法
EP3623801B1 (de) * 2018-09-14 2022-11-02 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Verfahren zur bestimmung der wärmespenderkonzentration einer halbleiterprobe
JP7230746B2 (ja) * 2019-09-02 2023-03-01 株式会社Sumco 単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法
JP7359241B2 (ja) * 2022-03-15 2023-10-11 株式会社Sumco シリコン単結晶の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4437922A (en) * 1982-03-26 1984-03-20 International Business Machines Corporation Method for tailoring oxygen precipitate particle density and distribution silicon wafers
JPS61178495A (ja) * 1985-01-31 1986-08-11 Fujitsu Ltd 単結晶の成長方法
JPH04298042A (ja) * 1991-03-27 1992-10-21 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体の熱処理方法
US6045610A (en) * 1997-02-13 2000-04-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of manufacturing monocrystalline silicon ingots and wafers by controlling pull rate profiles in a hot zone furnance
JP4460671B2 (ja) * 1999-03-26 2010-05-12 シルトロニック・ジャパン株式会社 シリコン半導体基板及びその製造方法
JP3861524B2 (ja) * 1999-09-06 2006-12-20 信越半導体株式会社 シリコンウエーハ及びその製造方法
DE10014650A1 (de) * 2000-03-24 2001-10-04 Wacker Siltronic Halbleitermat Halbleiterscheibe aus Silicium und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe
US6835245B2 (en) * 2000-06-22 2004-12-28 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Method of manufacturing epitaxial wafer and method of producing single crystal as material therefor
JP4718668B2 (ja) * 2000-06-26 2011-07-06 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウェーハの製造方法
JP2004111722A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Toshiba Corp 半導体装置
JP4699675B2 (ja) * 2002-10-08 2011-06-15 信越半導体株式会社 アニールウェーハの製造方法

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