CN102286784A - 一种电阻率异常太阳能多晶硅片的处理方法 - Google Patents
一种电阻率异常太阳能多晶硅片的处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102286784A CN102286784A CN201110239343XA CN201110239343A CN102286784A CN 102286784 A CN102286784 A CN 102286784A CN 201110239343X A CN201110239343X A CN 201110239343XA CN 201110239343 A CN201110239343 A CN 201110239343A CN 102286784 A CN102286784 A CN 102286784A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon chip
- resistivity
- temperature
- polycrystalline
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种电阻率异常太阳能多晶硅片的处理方法,其工艺步骤为:先清洗、烘干,摆放,然后检漏,恒温处理,冷却,最后合格后重新清洗并包装。处理方法简单、简便;所需设备简单,整个过程主要的设备只需要一台多晶铸锭炉,及一只多晶石英坩埚;处理效果明显,经过处理后,电阻率分布不均及偏高的现象可以彻底消除;优点在于,不仅解决了硅片因金属杂质元素轻微超标而导致电阻率出现分布不均的疑难问题,消除此类异常硅片电阻率分布不均匀的现象,使硅片符合太阳能电池片生产要求。
Description
技术领域
本发明涉及一种电阻率异常太阳能多晶硅片的处理方法,特别是一种针对电阻率分布不均匀的多晶硅片的简便、有效的处理方法。
背景技术
近年来,由于原生硅料市场的异常紧俏,硅料价格高涨,多晶硅片生产企业一方面为了降低成本另一方面解决原料不足的问题,纷纷采用电子级回收料(次级料、重掺料)、单晶头尾料、锅底料,多晶头尾及边皮料进行铸锭。这些回收的硅料中往往含有较多的金属及其他杂质。在我国多晶硅片制造企业当中,几经没有几个太阳能公司用纯的原生多晶硅来制作太阳能硅片了。近期,物理法提纯的硅料(即UMG硅料)也纷纷被用于铸锭生产多晶硅片。这种硅料的杂质的成分则更为复杂,特别是金属杂质及磷的含量较改良西门子法生产的原生多晶硅料要高出很多。这样导致所铸硅锭中经常会出现金属及磷杂质含量偏高,经过切片后所得的硅片常常会出现同一块硅片电阻率分部不均匀,局部出现电阻率偏高的现象。这种硅片由于不符合太阳能电池片生产要求,即使电阻率稍微超过客户所要求的电阻率范围,也必须回炉进行重新铸锭及切片,给硅片制造企业造成较大的经济损失,也造成较大的能源损耗。
发明内容
本发明为克服以上缺陷而提供一种电阻率异常太阳能多晶硅片的处理方法,解决了硅片因金属杂质元素轻微超标而导致电阻率出现分布不均的疑难问题,目的是消除此类异常硅片电阻率分布不均匀的现象,使硅片符合太阳能电池片生产要求。
本发明为了实现上述目的而所采取的技术方案为:
一种电阻率异常太阳能多晶硅片的处理方法,其具体工艺步骤如下:
1、先将异常的硅片经过硅片全自动清洗机进行清洗并烘干;
2、将清洗并烘干的异常硅片竖立于喷涂并烧结好的多晶铸锭用坩埚内,摆放过
程中应该注意在硅片与坩埚、硅片与硅片之间留一定的空隙,将硅片按50-100片为一摞竖立放置于喷涂并烧结好的石英坩埚内,摞与摞之间用平整的石英坩埚片隔开;
3、将坩埚按正常多晶铸锭工艺置于多晶铸锭炉内,并进行抽真空和检漏,待检
漏通过后,将运行程序设定为:温度控制模式,温度为600~800℃,隔热笼位置为0,炉内压力为200mba左右,出气控制模式,使炉内保持600~800摄氏度进行恒温处理,处理时间为2~4小时;
4、恒温处理2~4小时后,关闭加热器,保持隔热笼关闭的状态,待温度降到500
度以下时,将隔热笼打开到8cm,使硅片随炉冷却至300度以下,然后进行开炉,将硅片取出进行自然冷却至室温;
5、将硅片取出并重新清洗及包装。
与现有技术相比,本发明的有益效果有以下特点:
1、处理方法简单、简便;
2、所需设备简单,整个过程主要的设备只需要一台多晶铸锭炉,及一只多晶石英坩埚;
3、处理效果明显,经过处理后,电阻率分布不均及偏高的现象可以彻底消除;
4、处理成本低,平均每块硅片的处理成本不超过0.1元。
具体实施方式
实施例一:
取5片经Hennecke硅片自动分选机分选出的电阻率出现分布不均匀且平均电阻率在3~6左右的异常硅片,做如下处理:
1.经过硅片自动清洗机清洗及烘干后,平放于真空炉内;
2.将真空炉的温度调至600~800摄氏度,当炉内温度达到600~800摄氏度时,维持该温度两个小时;
3.两小时后让硅片随炉冷却,当硅片冷却至100度以下时,将硅片取出,让其自然冷却至室温;
将处理后的硅片再次过Hennecke硅片自动分选机,测得硅片电阻率分布曲线波动现象消失,平均电阻率变为1.5~1.6。各项指标完全符合正常硅片标准。
实施例二:
取1000片经Hennecke硅片自动分选机分选出的电阻率分布不均匀且平均电阻率在3~6范围内的异常硅片,做如下处理:
1.按正常工艺对异常硅片进行清洗及烘干;
2.将硅片按50片为一摞竖立放置于喷涂并烧结好的石英坩埚内,摞与摞之间用平整的石英坩埚片隔开;
3.将装有硅片的坩埚置于多晶铸锭炉的DISS-BLOCK正中央,合炉后按正常工艺进行抽真空和检漏;
4.检漏通过后,将运行程序设定为:温度控制模式,温度为600~700℃,隔热笼位置为0,炉内温度为100~300mba,出气控制模式。运行2~4小时;
5.运行2~4小时后,关闭加热器;
6.待炉内TC1温度降到500℃以下时,将隔热笼提升至8cm;
7.继续冷却,直至TC1温度降至300℃以下进行开炉,将硅片取出进行自然冷却;
冷却至室温后,再次过Hennecke硅片自动分选机进行检测,发现所有硅片电阻率分布不均现象消失,硅片平均电阻率均在1-3范围内。
Claims (1)
1. 一种电阻率异常太阳能多晶硅片的处理方法,其特征在于,
所述的具体工艺步骤如下:
1)先将异常的硅片经过硅片全自动清洗机进行清洗并烘干;
2)将清洗并烘干的异常硅片竖立于喷涂并烧结好的多晶铸锭用坩埚内,摆放过
程中应该注意在硅片与坩埚、硅片与硅片之间留一定的空隙,将硅片按50-100片为一摞竖立放置于喷涂并烧结好的石英坩埚内,摞与摞之间用平整的石英坩埚片隔开;
3)将坩埚按正常多晶铸锭工艺置于多晶铸锭炉内,并进行抽真空和检漏,待检
漏通过后,将运行程序设定为:温度控制模式,温度为600~800℃,隔热笼位置为0,炉内压力为200mba左右,出气控制模式,使炉内保持600~800摄氏度进行恒温处理,处理时间为2~4小时;
4)恒温处理2~4小时后,关闭加热器,保持隔热笼关闭的状态,待温度降到500
度以下时,将隔热笼打开到8cm,使硅片随炉冷却至300度以下,然后进行开炉,将硅片取出进行自然冷却至室温;
5)将硅片取出并重新清洗及包装。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110239343XA CN102286784A (zh) | 2011-08-19 | 2011-08-19 | 一种电阻率异常太阳能多晶硅片的处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110239343XA CN102286784A (zh) | 2011-08-19 | 2011-08-19 | 一种电阻率异常太阳能多晶硅片的处理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102286784A true CN102286784A (zh) | 2011-12-21 |
Family
ID=45333526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110239343XA Pending CN102286784A (zh) | 2011-08-19 | 2011-08-19 | 一种电阻率异常太阳能多晶硅片的处理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102286784A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105780109A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-07-20 | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 | 一种多晶铸锭炉改善边缘晶粒倾斜生长的装置及其方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101238557A (zh) * | 2005-07-27 | 2008-08-06 | 胜高股份有限公司 | 硅晶片及其制造方法 |
CN101942701A (zh) * | 2010-09-03 | 2011-01-12 | 浙江碧晶科技有限公司 | 一种太阳能级硅晶体的热处理方法 |
-
2011
- 2011-08-19 CN CN201110239343XA patent/CN102286784A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101238557A (zh) * | 2005-07-27 | 2008-08-06 | 胜高股份有限公司 | 硅晶片及其制造方法 |
CN101942701A (zh) * | 2010-09-03 | 2011-01-12 | 浙江碧晶科技有限公司 | 一种太阳能级硅晶体的热处理方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105780109A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-07-20 | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 | 一种多晶铸锭炉改善边缘晶粒倾斜生长的装置及其方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Yang et al. | Development of high‐performance multicrystalline silicon for photovoltaic industry | |
CN101331615B (zh) | 制造n型多晶硅太阳能电池的方法 | |
CN109216508A (zh) | 一种抑制晶硅太阳能电池激光切半后效率降低的方法 | |
CN104505427A (zh) | 改善晶体硅太阳能电池片lid和pid的方法及装置 | |
CN107738370A (zh) | 一种多晶硅片制备工艺 | |
CN100387761C (zh) | InP单晶锭退火处理方法 | |
CN103144024A (zh) | 使用高温热处理的300mm硅抛光片制造工艺 | |
CN101857972B (zh) | 一种用于制造太阳电池的硅片磷扩散吸杂工艺 | |
CN107364870B (zh) | 一种半熔底部籽晶的高效除杂破碎工艺 | |
CN102969229A (zh) | 一种重掺磷单晶硅晶圆片高致密性二氧化硅背封工艺 | |
CN104409345B (zh) | 一种大功率pin器件硅外延片的制造方法 | |
CN101942701A (zh) | 一种太阳能级硅晶体的热处理方法 | |
Pollock et al. | Detailed investigation of surface passivation methods for lifetime measurements on p-type silicon wafers | |
CN102330156A (zh) | 太阳能电池中多晶硅腐蚀液及多晶硅腐蚀工艺 | |
CN102153089B (zh) | 一种冶金法n型多晶硅片磷吸杂方法 | |
CN105200526A (zh) | 一种氧化镓晶片去应力退火方法 | |
CN103173867A (zh) | 一种消除太阳能单晶头部热施主导致电阻失真的方法 | |
CN102163549A (zh) | 一种晶体硅镀膜后不良片的处理液及其处理方法 | |
CN102286784A (zh) | 一种电阻率异常太阳能多晶硅片的处理方法 | |
CN102336409A (zh) | 降低多晶硅金属杂质的方法 | |
CN103643220B (zh) | 一种减少低压炉管内杂质颗粒的方法 | |
García-Tabarés et al. | Impact of a metal–organic vapor phase epitaxy environment on silicon substrates for III–V-on-Si multijunction solar cells | |
CN101087006B (zh) | 一种晶体硅太阳电池热扩散制备pn结的方法 | |
CN103579411B (zh) | 改良的太阳能硅晶圆的制造方法以及太阳能硅晶圆 | |
Shaw et al. | Saw damage gettering for industrially relevant mc‐Si feedstock |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20111221 |