CN107738370A - 一种多晶硅片制备工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种多晶硅片制备工艺，包括以下步骤：(1)铸锭：将多晶硅原料放入铸锭炉中，使多晶硅原料生长成多晶硅锭；(2)切方：采用金刚线开方机将多晶小方棒切割成小方棒；(3)硅块加工：将切好的小方棒进行倒角和磨面；(4)粘胶：先将树脂板与晶托粘接在一起，再将小方棒与树脂板粘接在一起；(5)切片：使用金刚线切片机对粘好的小方棒进行切片；(6)脱胶；(7)硅片加工：将脱胶后的硅片进行抛光然后对硅片表面进行腐蚀；(8)插片清洗：将加工后的硅片放入片篮内，然后进行清洗；(9)热处理：将清洗干净的硅片进行热处理以消除晶体内热施主对电阻率的影响。该制备工艺既能保证硅片的质量又能提高生产效率。

Description

一种多晶硅片制备工艺
技术领域
本发明涉及对多晶硅片生产工艺技术领域，具体涉及一种多晶硅片制备工艺。
背景技术
多晶硅是制造半导体器件和太阳能电池等产品的主要原材料，还可以制备单晶硅，其深加工产品被广泛用于半导体工业中，作为人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等器件的基础材料。同时，由于能源危机和低碳经济的呼吁，全球正在积极开发利用可再生能源。太阳能由于其清洁、安全、资源丰富，在可再生能源中最引人关注。利用太阳能的一种方法是通过光电效应将太阳能转化为电能。硅太阳能电池是普遍采用的基于光电效应的装置。此外，由于半导体工业和太阳能电池的发展，对高纯度多晶硅的需求正在不断增加。
目前生产多晶硅片的工艺存在的主要问题是生产工艺较复杂，生产周期长，并且多晶硅的纯度达不到要求。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种纯净度好且效率高的多晶硅片的制备工艺。
为解决以上技术问题，本发明提供的技术方案是一种多晶硅片制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)铸锭：将多晶硅原料放入铸锭炉中，使多晶硅原料生长成多晶硅锭，所述铸锭炉为G7气制冷、水冷半溶高效铸锭炉；
(2)切方：采用金刚线开方机将多晶硅锭切割成小方棒；
(3)小方棒加工：将切好的小方棒进行倒角和抛光；
(4)粘胶：将3根不同长度的小方棒配成一组，使每组总长度相同，将每组小方棒摆放在一起并进行标记，将标记好小方棒与树脂板用单组份厌氧胶在常温下牢固地粘接在一起；
(5)切片：使用金刚线切片机对固定好的小方棒进行切片，切速为1.2～1.7mm/min；
(6)脱胶：将硅片与树脂板分离，硅片取出后放入水槽内，将硅片上的单组份厌氧胶清洗干净；
(7)硅片加工：将脱胶后的硅片进行倒角抛光然后对硅片表面进行腐蚀；
(8)插片清洗：将加工后的硅片放入片篮内，然后进行清洗；将片篮放入超声清洗槽中进行清洗；
(9)热处理：将清洗干净的硅片进行热处理以消除晶体内热施主对电阻率的影响；
优选的，所述步骤(2)中切割速度为1.1～1.5mm/min，小方棒尺寸为156.75×156.75mm，每次切割49个小方棒。
更优选的，所述步骤(2)中切割速度为1.2～1.5mm/min，小方棒尺寸为156.75×156.75mm，每次切割49个小方棒。
其中，本发明所用铸锭设备为采用全新G7气制冷、水冷半溶高效铸锭炉生产半溶高效锭，本发明所用的开方机为金刚线开方机其独有的侧面切割开方技术具有无需粘胶固定、取块方便；线弓小，切割速度快，线耗量低等优点，因此，本发明的制备过程中省略了粘胶步骤，提高了生产效率。
优选的，所述步骤(3)对小方棒进行倒角和抛光具体为将切方后的小方棒通过滚磨使其四个顶角的直径尺寸达到220±0.5mm，滚磨机装置有粗，中，细三种尺寸不同的粒径的砂轮，依次进行加工。这样既可获得比较高的滚磨速度，又可保证加工表面粗糙度和损伤层均比较小的结果；磨倒一体机采用三工位磨面、倒角同步作业，可以节省工作时间，提高加工效率。
在本发明中，对小方棒进行切片采用的设备为金刚线切片机，因金刚线较传统砂线小，同样的长度硅块可切割出产品多，即产量增高成本降低，同时金刚线切割无需含聚乙二醇等物料的切割液，环保风险较小。
优选的，所述步骤(7)硅片加工具体为对硅片四个角进行倒角和抛光然后用酸溶液或碱溶液对硅片表面进行腐蚀以溶解硅片表面的损伤部分。
当切片完成后，硅片有比较尖利的边缘，需要进行倒角从而形成光滑的边缘，倒角后的硅片边缘有较低的中心应力，因而使之更加牢固，这个硅片边缘的强化能够使之在以后的硅片加工过程中，降低硅片碎裂的风险，由于切片对硅片表面也有一定程度的损伤，要将这些损伤去除但尽可能低的引起附加的损伤，最有效的方法就是化学方法，可以使用酸溶液或碱溶液对硅片表面进行腐蚀用于溶解硅片表面的损伤部分。
优选的，所述步骤(8)中所述清洗具体为将片篮放到超声波清洗槽中用去离子水对硅片进行清洗；这一步骤是为了将硅片表面的有机物及金属沾污进行清除，如果有金属残留在硅片表面在进入加热过程时，温度升高，金属灰进入硅体内，对硅片的性能产生影响。
优选的，所述热处理前还需要对硅片进行烘干，具体为将片篮放在干燥炉内加热3～5分钟，在70℃热风下吹烤将硅片烘干。
优选的，所述步骤(9)热处理具体为将硅片在650～750℃温度下加热20～40分钟，然后取出后用风扇快速冷却到室温。硅片在炉内高浓度的氧氛围里生长，因为绝大部分的氧是惰性的，然而仍有少数的氧会形成小基团，这些基团会扮演n-施主的角色，就会使硅片的电阻率测试不准确，要防止这一现象，就需要对硅片进行热处理以消除氧施主对其的影响。
优选的，所述硅片热处理后还需要进行检测，检测合格后进行包装。
优选的，所述检测具体为检测硅片的厚度、尺寸和电阻率的指标是否满足生产要求，检测合格的进行包装，不合格的继续进行加工。
本申请与现有技术相比，其详细说明如下：本发明提供了一种多晶硅片的制备方法，该方法采用独特的切方以及切片方法，减少了生产工序，缩短了生产流程，最大程度减少了流程复杂带来的产品质量问题，同时提高了生产效率，提高了产能，并且对每次切割后的小方棒或硅片都进行了倒角和腐蚀处理，确保了硅片的质量。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合具体实施例对本发明作进一步的详细说明。
实施例1
一种多晶硅片制备工艺，包括以下步骤：
(1)铸锭：将多晶硅原料放入G7气制冷、水冷半溶高效铸锭炉中，使多晶硅原料生长成多晶硅锭；
(2)切方：采用金刚线开方机将多晶小方棒切割成小方棒，切割速度为1.1～1.5mm/min，小方棒尺寸为156.75×156.75mm，每次切割49个小方棒；
(3)小方棒加工：将切方后的小方棒通过滚磨使其四个顶角的直径尺寸达到220±0.5mm，滚磨机装置有粗，中，细三种尺寸不同的粒径的砂轮，依次进行加工。
(4)粘胶：将3根不同长度的小方棒配成一组，使每组总长度相同，将每组小方棒摆放在一起并进行标记，将标记好的规定的喷砂面与树脂板用单组份厌氧胶在常温下牢固地粘接在一起；
(5)切片：使用金刚线切片机对固定好的小方棒进行切片，切速为1.2～1.7mm/min；
(6)脱胶：将硅片与树脂板分离，硅片取出后放入水槽内，将硅片上的单组份厌氧胶清洗干净；
(7)硅片加工：对硅片四个角进行倒角和抛光然后用酸溶液或碱溶液对硅片表面进行腐蚀以溶解硅片表面的损伤部分；
(8)插片清洗：将加工后的硅片放入片篮内，将片篮放到超声波清洗槽中用去离子水对硅片进行清洗；
(9)热处理：将片篮放在干燥炉内加热3分钟，在70℃热风下吹烤将硅片烘干，然后将清洗干净的硅片在650℃温度下加热40分钟，然后取出后用风扇快速冷却到室温。
(10)检测硅片的厚度、尺寸和电阻率的指标是否满足生产要求，检测合格的进行包装，不合格的继续进行加工。
实施例2
一种多晶硅片制备工艺，包括以下步骤：
(1)铸锭：将多晶硅原料放入G7气制冷、水冷半溶高效铸锭炉中，使多晶硅原料生长成多晶硅锭；
(2)切方：采用金刚线开方机将多晶硅锭切割成小方棒，切割速度为1.1～1.5mm/min，小方棒尺寸为156.75×156.75mm，每次切割49个小方棒；
(3)小方棒加工：将切方后的小方棒通过滚磨使其四个顶角的直径尺寸达到220±0.5mm，滚磨机装置有粗，中，细三种尺寸不同的粒径的砂轮，依次进行加工。
(4)粘胶：将3根不同长度的小方棒配成一组，使每组总长度相同，将每组小方棒摆放在一起并进行标记，将标记好的规定的喷砂面与树脂板用单组份厌氧胶在常温下牢固地粘接在一起；
(5)切片：使用金刚线切片机对固定好的小方棒进行切片，切速为1.2～1.7mm/min；
(6)脱胶：将硅片与树脂板分离，硅片取出后放入水槽内，将硅片上的单组份厌氧胶清洗干净；
(7)硅片加工：对硅片四个角进行倒角和抛光然后用酸溶液或碱溶液对硅片表面进行腐蚀以溶解硅片表面的损伤部分；
(8)插片清洗：将加工后的硅片放入片篮内，将片篮放到超声波清洗槽中用去离子水对硅片进行清洗；
(9)热处理：将片篮放在干燥炉内加热4分钟，在70℃热风下吹烤将硅片烘干，然后将清洗干净的硅片在700℃温度下加热30分钟，然后取出后用风扇快速冷却到室温。
(10)检测硅片的厚度、尺寸和电阻率的指标是否满足生产要求，检测合格的进行包装，不合格的继续进行加工。
实施例3
一种多晶硅片制备工艺，包括以下步骤：
(1)铸锭：将多晶硅原料放入G7气制冷、水冷半溶高效铸锭炉中，使多晶硅原料生长成多晶硅锭；
(2)切方：采用金刚线开方机将多晶硅锭切割成小方棒，切割速度为1.1～1.5mm/min，小方棒尺寸为156.75×156.75mm，每次切割49个小方棒；
(3)小方棒加工：将切方后的小方棒通过滚磨使其四个顶角的直径尺寸达到220±0.5mm，滚磨机装置有粗，中，细三种尺寸不同的粒径的砂轮，依次进行加工。
(4)粘胶：将3根不同长度的小方棒配成一组，使每组总长度相同，将每组小方棒摆放在一起并进行标记，将标记好的规定的喷砂面与树脂板用单组份厌氧胶在常温下牢固地粘接在一起；
(5)切片：使用金刚线切片机对固定好的小方棒进行切片，切速为1.2～1.7mm/min；
(6)脱胶：将硅片与树脂板分离，硅片取出后放入水槽内，将硅片上的单组份厌氧胶清洗干净；
(7)硅片加工：对硅片四个角进行倒角和抛光然后用酸溶液或碱溶液对硅片表面进行腐蚀以溶解硅片表面的损伤部分；
(8)插片清洗：将加工后的硅片放入片篮内，将片篮放到超声波清洗槽中用去离子水对硅片进行清洗；
(9)热处理：将片篮放在干燥炉内加热5分钟，在70℃热风下吹烤将硅片烘干，然后将清洗干净的硅片在750℃温度下加热20分钟，然后取出后用风扇快速冷却到室温。
(10)检测硅片的厚度、尺寸和电阻率的指标是否满足生产要求，检测合格的进行包装，不合格的继续进行加工。
以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出的是，上述优选实施方式不应视为对本发明的限制，本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的精神和范围内，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种多晶硅片制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)铸锭：将多晶硅原料放入铸锭炉中，使多晶硅原料生长成多晶硅锭，所述铸锭炉为G7气制冷、水冷半溶高效铸锭炉；
(2)切方：采用金刚线开方机将多晶硅锭切割成小方棒；
(3)小方棒加工：将切好的小方棒进行倒角和抛光；
(4)粘胶：将三根不同长度的小方棒配成一组，使每组总长度相同，将每组小方棒摆放在一起并进行标记，将标记好小方棒与树脂板用单组份厌氧胶在常温下牢固地粘接在一起；
(5)切片：使用金刚线切片机对固定好的小方棒进行切片，切速为1.2-1.7mm/min；
(6)脱胶：将硅片与树脂板分离，硅片取出后放入水槽内，将硅片上的单组份厌氧胶清洗干净；
(7)硅片加工：将脱胶后的硅片进行倒角抛光然后对硅片表面进行腐蚀；
(8)插片清洗：将加工后的硅片放入片篮内，然后进行清洗；
(9)热处理：将清洗干净的硅片进行热处理以消除晶体内热施主对电阻率的影响。
2.根据权利要求1所述的多晶硅片制备工艺，其特征在于，所述步骤(2)中切割速度为1.1～1.5mm/min，小方棒尺寸为156.75×156.75mm，每次切割49个小方棒。
3.根据权利要求1所述的多晶硅片制备工艺，其特征在于，所述步骤(3)对小方棒进行倒角和抛光具体为将切方后的小方棒通过滚磨使其四个顶角的直径尺寸达到220±0.5mm，滚磨机装置有粗，中，细三种尺寸不同的粒径的砂轮，依次进行加工。
4.根据权利要求1所述的多晶硅片制备工艺，其特征在于，所述步骤(7) 硅片加工具体为对硅片四个角进行倒角和抛光然后用酸溶液或碱溶液对硅片表面进行腐蚀以溶解硅片表面的损伤部分。
5.根据权利要求1所述的多晶硅片制备工艺，其特征在于，所述步骤(8)中所述清洗具体为将片篮放到超声波清洗槽中用去离子水对硅片进行清洗。
6.根据权利要求1所述的多晶硅片制备工艺，其特征在于，所述热处理前还需要对硅片进行烘干，具体为将片篮放在干燥炉内加热3～5分钟，在70℃热风下吹烤将硅片烘干。
7.根据权利要求1所述的多晶硅片制备工艺，其特征在于，所述步骤(9)热处理具体为将硅片在650～750℃温度下加热20～40分钟，然后取出后用风扇快速冷却到室温。
8.根据权利要求1所述的多晶硅片制备工艺，其特征在于，所述硅片热处理后还需要进行检测，检测合格后进行包装。
9.根据权利要求8所述的多晶硅片制备工艺，其特征在于，所述检测具体为检测硅片的厚度、尺寸和电阻率的指标是否满足生产要求，检测合格的进行包装，不合格的继续进行加工。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108301043A (zh) * 2018-04-03 2018-07-20 湖州五石科技有限公司 一种多晶硅片的制备方法
CN108389783A (zh) * 2018-05-29 2018-08-10 顾雨彤 一种多晶硅片制备工艺
CN108748740A (zh) * 2018-05-29 2018-11-06 顾雨彤 一种太阳能单晶硅片生产工艺
CN108748743A (zh) * 2018-06-12 2018-11-06 山东大海新能源发展有限公司 一种晶托降温装置及多晶硅片制备工艺
CN110518092A (zh) * 2019-08-13 2019-11-29 安徽晶天新能源科技有限责任公司 一种太阳能电池片用硅片生产加工工艺
CN111015983A (zh) * 2019-12-12 2020-04-17 扬州荣德新能源科技有限公司 一种多晶切割镂空塑料板粘棒方式
CN111497045A (zh) * 2020-04-24 2020-08-07 江苏晶科天晟能源有限公司 一种经过优化的太阳能单晶硅片的生产工艺
CN113320036A (zh) * 2021-06-18 2021-08-31 常州时创能源股份有限公司 条状硅材的开方截断工艺及其应用
WO2023226643A1 (zh) * 2022-05-26 2023-11-30 高景太阳能股份有限公司 一种实时自动控制的硅片生产方法、系统、介质及设备

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09254008A (ja) * 1996-03-22 1997-09-30 Kenichi Ishikawa 固定砥粒ワイヤの製造方法及び螺旋コーティング装置
CN101241939A (zh) * 2008-03-21 2008-08-13 常州有则科技有限公司 超薄太阳能级硅片及其切割工艺
CN102285011A (zh) * 2011-08-07 2011-12-21 江西金葵能源科技有限公司 一种使用金刚石线切割的太阳能级多晶硅片的方法
CN102343538A (zh) * 2011-08-14 2012-02-08 上海合晶硅材料有限公司 硅片边缘倒角方法
CN102825670A (zh) * 2012-09-17 2012-12-19 金坛正信光伏电子有限公司 一种太阳能硅棒的切片方法
CN103144024A (zh) * 2011-12-06 2013-06-12 有研半导体材料股份有限公司 使用高温热处理的300mm硅抛光片制造工艺
CN103358407A (zh) * 2011-12-31 2013-10-23 英利能源（中国）有限公司 一种多晶硅片的生产方法
CN104972570A (zh) * 2015-05-29 2015-10-14 阳光硅峰电子科技有限公司 一种多晶硅片的制作工艺
CN105720134A (zh) * 2016-02-22 2016-06-29 成都振中电气有限公司 太阳能电池板生产工艺
CN106475878A (zh) * 2016-11-25 2017-03-08 浙江晶盛机电股份有限公司 一种全自动单晶硅棒滚磨一体设备
CN107030907A (zh) * 2017-03-17 2017-08-11 浙江好亚能源股份有限公司 多晶硅片的加工方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09254008A (ja) * 1996-03-22 1997-09-30 Kenichi Ishikawa 固定砥粒ワイヤの製造方法及び螺旋コーティング装置
CN101241939A (zh) * 2008-03-21 2008-08-13 常州有则科技有限公司 超薄太阳能级硅片及其切割工艺
CN102285011A (zh) * 2011-08-07 2011-12-21 江西金葵能源科技有限公司 一种使用金刚石线切割的太阳能级多晶硅片的方法
CN102343538A (zh) * 2011-08-14 2012-02-08 上海合晶硅材料有限公司 硅片边缘倒角方法
CN103144024A (zh) * 2011-12-06 2013-06-12 有研半导体材料股份有限公司 使用高温热处理的300mm硅抛光片制造工艺
CN103358407A (zh) * 2011-12-31 2013-10-23 英利能源（中国）有限公司 一种多晶硅片的生产方法
CN102825670A (zh) * 2012-09-17 2012-12-19 金坛正信光伏电子有限公司 一种太阳能硅棒的切片方法
CN104972570A (zh) * 2015-05-29 2015-10-14 阳光硅峰电子科技有限公司 一种多晶硅片的制作工艺
CN105720134A (zh) * 2016-02-22 2016-06-29 成都振中电气有限公司 太阳能电池板生产工艺
CN106475878A (zh) * 2016-11-25 2017-03-08 浙江晶盛机电股份有限公司 一种全自动单晶硅棒滚磨一体设备
CN107030907A (zh) * 2017-03-17 2017-08-11 浙江好亚能源股份有限公司 多晶硅片的加工方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108301043A (zh) * 2018-04-03 2018-07-20 湖州五石科技有限公司 一种多晶硅片的制备方法
CN108389783A (zh) * 2018-05-29 2018-08-10 顾雨彤 一种多晶硅片制备工艺
CN108748740A (zh) * 2018-05-29 2018-11-06 顾雨彤 一种太阳能单晶硅片生产工艺
CN108748743A (zh) * 2018-06-12 2018-11-06 山东大海新能源发展有限公司 一种晶托降温装置及多晶硅片制备工艺
CN110518092A (zh) * 2019-08-13 2019-11-29 安徽晶天新能源科技有限责任公司 一种太阳能电池片用硅片生产加工工艺
CN111015983A (zh) * 2019-12-12 2020-04-17 扬州荣德新能源科技有限公司 一种多晶切割镂空塑料板粘棒方式
CN111497045A (zh) * 2020-04-24 2020-08-07 江苏晶科天晟能源有限公司 一种经过优化的太阳能单晶硅片的生产工艺
CN113320036A (zh) * 2021-06-18 2021-08-31 常州时创能源股份有限公司 条状硅材的开方截断工艺及其应用
CN113320036B (zh) * 2021-06-18 2024-02-13 常州时创能源股份有限公司 条状硅材的开方截断工艺及其应用
WO2023226643A1 (zh) * 2022-05-26 2023-11-30 高景太阳能股份有限公司 一种实时自动控制的硅片生产方法、系统、介质及设备

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