CN113320036A - 条状硅材的开方截断工艺及其应用 - Google Patents

条状硅材的开方截断工艺及其应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种条状硅材的开方截断工艺，包括如下步骤：将条状硅材切割成条状硅板；将多个条状硅板层叠粘接成硅板组；沿各切割参考面将硅板组切割成多个硅板组小段；对硅板组小段进行倒角处理，使硅板组小段中各硅板小段的四角形成倒角。本发明还提供一种条状硅材的切片前处理工艺，其将完成倒角处理的硅板组小段层叠粘接成棒状硅块。本发明还提供一种条状硅材的切片工艺，其对棒状硅块进行切片，将棒状硅块切割出硅片。本发明能提高半圆柱体状小硅锭的开方截断效率，进而提高半圆柱体状小硅锭的切片效率，最终提高半圆柱体状小硅锭制备硅片的产能。

Description

条状硅材的开方截断工艺及其应用
技术领域
本发明涉及光伏领域，具体涉及一种条状硅材的开方截断工艺及其应用。
背景技术
光伏发电是太阳能能源利用中最重要的组成部分，它是一种环保的，用之不竭的可再生能源，符合光伏行业高效率、低成本的追求。
对于单晶硅片，在单晶硅片的生产中需要先将进厂的硅锭进行开方截断处理，但是对于半圆柱体状小硅锭来说，需得先进行截断再开方，工序只能一块一块进行，这样提高不了产能，且这种工艺得到的硅块平整度不一，一致性差，导致崩边隐裂等问题，在后续切割时有断线的隐患。
发明内容
为解决现有技术中的缺陷，本发明提供一种条状硅材的开方截断工艺，包括如下步骤：
将条状硅材切割成条状硅板，使条状硅板的延伸方向与条状硅材的延伸方向一致；
将多个条状硅板层叠粘接成硅板组；使硅板组中各条状硅板的延伸方向一致；使硅板组中相邻的两个条状硅板通过一排粘接材料连接，使该排粘接材料沿条状硅板的延伸方向间隔排布；以同一排中相邻两个粘接材料之间的间隙为切割参考间隙；使相邻两排粘接材料的切割参考间隙一一对应，使对应的切割参考间隙对齐，且使对齐的切割参考间隙位于同一平面，以该平面为切割参考面；
沿各切割参考面将硅板组切割成多个硅板组小段，使硅板组中的条状硅板被切割成多个硅板小段；硅板组小段包括层叠的多个硅板小段，相邻两个硅板小段由粘接材料连接；
对硅板组小段进行倒角处理，使硅板组小段中各硅板小段的四角形成倒角。
优选的，层叠粘接前，对条状硅板的外表面进行打磨。
优选的，所述切割参考面与条状硅板的延伸方向垂直。
优选的，所述粘接材料为双面胶。
优选的，所述条状硅材为半圆柱体状小硅锭；所述条状硅板为长方形；所述双面胶为长方形，且双面胶的长度方向与条状硅板的长度方向一致；所述硅板小段为长方形，且硅板小段的长度方向与条状硅板的长度方向一致。
本发明还提供一种条状硅材的切片前处理工艺，其包括上述的开方截断工艺，还包括完成开方截断工艺后的如下步骤：将完成倒角处理的硅板组小段层叠粘接成棒状硅块，使棒状硅块中各硅板小段相互平行，使棒状硅块的延伸方向与各硅板小段垂直。
本发明还提供一种条状硅材的切片工艺，其包括上述的切片前处理工艺，还包括完成切片前处理工艺后的如下步骤：对棒状硅块进行切片，切片方向与棒状硅块的延伸方向垂直，将棒状硅块切割出硅片。
本发明的优点和有益效果在于：提供一种条状硅材的开方截断工艺，其能提高半圆柱体状小硅锭的开方截断效率，进而提高半圆柱体状小硅锭的切片效率，最终提高半圆柱体状小硅锭制备硅片的产能。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明具体实施的技术方案是：
本发明提供一种条状硅材的开方截断工艺，包括如下步骤：
取条状硅材，条状硅材可以选用半圆柱体状小硅锭；将条状硅材切割成条状硅板，使条状硅板的延伸方向与条状硅材的延伸方向一致，且对条状硅板的外表面进行打磨；具体的，切割出的条状硅板可以是长方形；
将多个条状硅板层叠粘接成硅板组；使硅板组中各条状硅板的延伸方向一致；使硅板组中相邻的两个条状硅板通过一排粘接材料连接，使该排粘接材料沿条状硅板的延伸方向间隔排布；以同一排中相邻两个粘接材料之间的间隙为切割参考间隙；使相邻两排粘接材料的切割参考间隙一一对应，使对应的切割参考间隙对齐，且使对齐的切割参考间隙位于同一平面，以该平面为切割参考面，使切割参考面与条状硅板的延伸方向垂直；具体的，粘接材料可以选用长方形双面胶，且使双面胶的长度方向与条状硅板的长度方向一致；
沿各切割参考面将硅板组切割成多个硅板组小段，使硅板组中的条状硅板被切割成多个硅板小段；硅板组小段包括层叠的多个硅板小段，相邻两个硅板小段由粘接材料连接；具体的，切割出的硅板小段为长方形，且硅板小段的长度方向与条状硅板的长度方向一致；
对硅板组小段进行倒角处理，使硅板组小段中各硅板小段的四角形成倒角。
更具体的：
可以选用长度为830-880mm、宽度为160-170mm、厚度为38-45mm的半圆柱体形小硅锭；
可以切割出长度为830mm-850mm、宽度为83mm-105mm、厚度为24-28mm的长方形条状硅板；
可以选用长度为166-210mm、宽度为83-105mm的长方形双面胶；
同一排中相邻两个双面胶之间的间隙可以是1-10mm；
可以切割出长度为166-210mmmm、宽度为83mm-105mm、厚度为24-28mm的长方形硅板小段；
可以使倒角的边长为1.56mm。
在一个可行的具体实施例中，可以将长度为880mm、宽度为160mm、厚度为38mm的半圆柱体形小硅锭切割并打磨出长度为840mm、宽度为84mm、厚度为25mm的长方形条状硅板；再将6层平置的条状硅板层叠粘接成硅板组，相邻两层条状硅板之间通过5个长度为166mm、宽度为83mm的长方形双面胶连接，该5个双面胶沿长方形条状硅板的延伸方向/长度方向等间隔排布，且相邻两个长方形双面胶的间隙为10mm；再将硅板组切割出5个硅板组小段，使各条状硅板分别切割出5个长度为166mm、宽度为83mm、厚度为25mm的长方形硅板小段，每个硅板组小段由6层硅板小段组成，硅板组中相邻两层硅板小段由双面胶连接；再对硅板组小段进行倒角处理，使各硅板小段四角的倒角边长为1.56mm。
本发明还提供一种条状硅材的切片前处理工艺，其包括上述的开方截断工艺，还包括完成开方截断工艺后的如下步骤：将完成倒角处理的硅板组小段层叠粘接成棒状硅块，使棒状硅块中各硅板小段相互平行，使棒状硅块的延伸方向与各硅板小段垂直。
本发明还提供一种条状硅材的切片工艺，其包括上述的切片前处理工艺，还包括完成切片前处理工艺后的如下步骤：对棒状硅块进行切片，切片方向与棒状硅块的延伸方向垂直，将棒状硅块切割出硅片。
本发明能提高半圆柱体状小硅锭的开方截断效率，进而提高半圆柱体状小硅锭的切片效率，最终提高半圆柱体状小硅锭制备硅片的产能。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.条状硅材的开方截断工艺，其特征在于，包括如下步骤：
将条状硅材切割成条状硅板，使条状硅板的延伸方向与条状硅材的延伸方向一致；
将多个条状硅板层叠粘接成硅板组；使硅板组中各条状硅板的延伸方向一致；使硅板组中相邻的两个条状硅板通过一排粘接材料连接，使该排粘接材料沿条状硅板的延伸方向间隔排布；以同一排中相邻两个粘接材料之间的间隙为切割参考间隙；使相邻两排粘接材料的切割参考间隙一一对应，使对应的切割参考间隙对齐，且使对齐的切割参考间隙位于同一平面，以该平面为切割参考面；
沿各切割参考面将硅板组切割成多个硅板组小段，使硅板组中的条状硅板被切割成多个硅板小段；硅板组小段包括层叠的多个硅板小段，相邻两个硅板小段由粘接材料连接；
对硅板组小段进行倒角处理，使硅板组小段中各硅板小段的四角形成倒角。
2.根据权利要求1所述的条状硅材的开方截断工艺，其特征在于，层叠粘接前，对条状硅板的外表面进行打磨。
3.根据权利要求2所述的条状硅材的开方截断工艺，其特征在于，所述切割参考面与条状硅板的延伸方向垂直。
4.根据权利要求3所述的条状硅材的开方截断工艺，其特征在于，所述粘接材料为双面胶。
5.根据权利要求4所述的条状硅材的开方截断工艺，其特征在于，所述条状硅材为半圆柱体状小硅锭；
所述条状硅板为长方形；
所述双面胶为长方形，且双面胶的长度方向与条状硅板的长度方向一致；
所述硅板小段为长方形，且硅板小段的长度方向与条状硅板的长度方向一致。
6.根据权利要求5所述的条状硅材的开方截断工艺，其特征在于，同一排中相邻两个双面胶之间的间隙为1-10mm。
7.根据权利要求6所述的条状硅材的开方截断工艺，其特征在于，所述半圆柱体形小硅锭的长度为830-880mm，宽度为160-170mm，厚度为38-45mm；
所述条状硅板的长度为830mm-850mm，宽度为83mm-105mm，厚度为24mm-28mm；
所述双面胶的长度为166-210mm，宽度为83-105mm；
所述硅板小段的长度为166-210mmmm，宽度为83mm-105mm。
8.根据权利要求7所述的条状硅材的开方截断工艺，其特征在于，所述倒角的边长为1.56mm。
9.条状硅材的切片前处理工艺，其包括权利要求1至8所述的开方截断工艺，还包括完成开方截断工艺后的如下步骤：
将完成倒角处理的硅板组小段层叠粘接成棒状硅块，使棒状硅块中各硅板小段相互平行，使棒状硅块的延伸方向与各硅板小段垂直。
10.条状硅材的切片工艺，其包括权利要求9所述的切片前处理工艺，还包括完成切片前处理工艺后的如下步骤：
对棒状硅块进行切片，切片方向与棒状硅块的延伸方向垂直，将棒状硅块切割出硅片。
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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3276105A (en) * 1961-04-18 1966-10-04 Alsacienne Constr Meca Method for making thermocouples
US3355636A (en) * 1965-06-29 1967-11-28 Rca Corp High power, high frequency transistor
JPH08310154A (ja) * 1995-05-24 1996-11-26 Nichiban Co Ltd ホットメルト接着材料及びそれを用いた製本方法、製本機
JP2011108723A (ja) * 2009-11-13 2011-06-02 Toppan Printing Co Ltd Ｉｃチップの製造方法
CN103358407A (zh) * 2011-12-31 2013-10-23 英利能源（中国）有限公司 一种多晶硅片的生产方法
CN107738370A (zh) * 2017-10-27 2018-02-27 四川永祥硅材料有限公司 一种多晶硅片制备工艺
CN109991648A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 北京一轻研究院 一种制作闪烁体阵列的方法
CN110039669A (zh) * 2019-04-24 2019-07-23 晶科能源有限公司 一种硅锭开方和切片方法
CN110741474A (zh) * 2019-08-30 2020-01-31 长江存储科技有限责任公司 具有由粘合层连接的源极触点的三维存储器件及其形成方法
CN111993615A (zh) * 2020-09-10 2020-11-27 常州时创能源股份有限公司 单晶小硅块的拼接切割方法
CN112289879A (zh) * 2020-10-28 2021-01-29 东方日升（常州）新能源有限公司 光伏封装胶膜、光伏组件及其制备方法
CN112602172A (zh) * 2018-09-03 2021-04-02 麦克赛尔控股株式会社 切割用粘着胶带和半导体芯片的制造方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3276105A (en) * 1961-04-18 1966-10-04 Alsacienne Constr Meca Method for making thermocouples
US3355636A (en) * 1965-06-29 1967-11-28 Rca Corp High power, high frequency transistor
JPH08310154A (ja) * 1995-05-24 1996-11-26 Nichiban Co Ltd ホットメルト接着材料及びそれを用いた製本方法、製本機
JP2011108723A (ja) * 2009-11-13 2011-06-02 Toppan Printing Co Ltd Ｉｃチップの製造方法
CN103358407A (zh) * 2011-12-31 2013-10-23 英利能源（中国）有限公司 一种多晶硅片的生产方法
CN107738370A (zh) * 2017-10-27 2018-02-27 四川永祥硅材料有限公司 一种多晶硅片制备工艺
CN109991648A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 北京一轻研究院 一种制作闪烁体阵列的方法
CN112602172A (zh) * 2018-09-03 2021-04-02 麦克赛尔控股株式会社 切割用粘着胶带和半导体芯片的制造方法
CN110039669A (zh) * 2019-04-24 2019-07-23 晶科能源有限公司 一种硅锭开方和切片方法
CN110741474A (zh) * 2019-08-30 2020-01-31 长江存储科技有限责任公司 具有由粘合层连接的源极触点的三维存储器件及其形成方法
CN111993615A (zh) * 2020-09-10 2020-11-27 常州时创能源股份有限公司 单晶小硅块的拼接切割方法
CN112289879A (zh) * 2020-10-28 2021-01-29 东方日升（常州）新能源有限公司 光伏封装胶膜、光伏组件及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
蔡先武;明亮;黄美玲;李小鹏;彭海英;何远湘;: "太阳能用晶体硅片切割技术", 太阳能, no. 10, pages 35 - 41 *

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