CN111993615A - 单晶小硅块的拼接切割方法 - Google Patents

单晶小硅块的拼接切割方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了单晶小硅块的拼接切割方法，将单晶边皮切割出长方体状单晶小硅块，将单晶小硅块拼接后再切片出单晶硅片。本发明将单晶小硅块拼接处理后再进行切片，可提高加工效率，提高产能。本发明将单晶小硅块拼接后再进行切片，使得无需投入大量设备的前提下，就可以满足硅片加工，同时提高产能，大大降低了固定资产的投入。本发明将加工单晶小硅块的方式由单排改进为拼接，单刀产能提升50%，设备投入数量相应降低50%，同时加工硅片过程中所使用的辅材、耗能、人工成本也降低。

Description

单晶小硅块的拼接切割方法
技术领域
本发明涉及单晶小硅块的拼接切割方法。
背景技术
“降本增效”一直是光伏制造的最大主题，单晶硅棒开方后产生单晶边皮，如果将单晶边皮料进一步加工切片，可达到废物利用的目的。
可先将单晶边皮切割出长方体状单晶小硅块，再对单晶小硅块进行切片，但目前对单晶小硅块的加工效率不高，产能低。
发明内容
为解决现有技术的缺陷，本发明提供一种单晶小硅块的拼接切割方法，将单晶边皮切割出长方体状单晶小硅块，将单晶小硅块拼接后再切片出单晶硅片。
优选的，将至少两个单晶小硅块层叠粘接后再切片。
具体的，将至少两个单晶小硅块层叠拼接，且各单晶小硅块的长度方向相互平行，相邻两单晶小硅块的接触处采用胶水粘接固定，使单晶小硅块拼接为长方体状单晶大硅块，便于切割，提升产能，对单晶大硅块进行切片，切片方向与各单晶小硅块的长度方向垂直，切片得到单晶硅片。
优选的，将至少两个单晶小硅块并排粘接后再切片。
具体的，将至少两个单晶小硅块水平拼接，且各单晶小硅块的长度方向相互平行，相邻两单晶小硅块的接触处采用胶水粘接固定，使单晶小硅块拼接为长方体状单晶大硅块，便于切割，提升产能，对单晶大硅块进行切片，切片方向与各单晶小硅块的长度方向垂直，切片得到单晶硅片。
优选的，将单晶小硅块拼接之前，先对单晶小硅块进行磨面处理。
优选的，将单晶小硅块拼接之前，先对单晶小硅块进行倒角处理。
优选的，对切片出的单晶硅片进行脱胶清洗。
优选的，单晶小硅块的拼接切割方法，包括如下步骤：
1）将单晶边皮截断成边皮小段；
2）切除边皮小段两侧的尖角部；
3）切除边皮小段的弧形凸起部，得到长方体状单晶小硅块；
4）对步骤3）所得单晶小硅块进行磨面和倒角：步骤3）所得单晶小硅块的表面并不平整，且单晶小硅块的尺寸也不够精确，通过磨面可以降低单晶小硅块表面粗糙度并获得更为精确的尺寸；并将单晶小硅块四个角税利边修整成三角形，防止切割后硅片边缘破裂及晶格缺陷产生碎片；
5）对步骤4）处理后的单晶小硅块进行粘棒切片：将至少两个单晶小硅块层叠拼接，且各单晶小硅块的长度方向都与切片机主辊的长度方向平行，相邻两单晶小硅块的接触处采用胶水粘接固定，使单晶小硅块拼接为长方体状单晶大硅块，单晶大硅块的长度方向与切片机主辊的长度方向平行，且单晶大硅块被胶水粘在工件板上，便于切割，提升产能，采用金刚线对单晶大硅块进行切片，切片方向与切片机主辊的长度方向垂直，切片得到单晶硅片，且单晶硅片粘在工件板上；
6）对步骤5）所得单晶硅片进行脱胶清洗：通过加热使胶水软化，使单晶硅片从工件板上脱离，然后把单晶硅片上的杂物清洗干净，再将单晶硅片烘干后装入片盒内。
优选的，单晶小硅块的拼接切割方法，包括如下步骤：
1）将单晶边皮截断成边皮小段；
2）切除边皮小段两侧的尖角部；
3）切除边皮小段的弧形凸起部，得到长方体状单晶小硅块；
4）对步骤3）所得单晶小硅块进行磨面和倒角：步骤3）所得单晶小硅块的表面并不平整，且单晶小硅块的尺寸也不够精确，通过磨面可以降低单晶小硅块表面粗糙度并获得更为精确的尺寸；并将单晶小硅块四个角税利边修整成三角形，防止切割后硅片边缘破裂及晶格缺陷产生碎片；
5）对步骤4）处理后的单晶小硅块进行粘棒切片：将至少两个单晶小硅块水平拼接，且各单晶小硅块的长度方向都与切片机主辊的长度方向平行，相邻两单晶小硅块的接触处采用胶水粘接固定，使单晶小硅块拼接为长方体状单晶大硅块，单晶大硅块的长度方向与切片机主辊的长度方向平行，且单晶大硅块被胶水粘在工件板上，便于切割，提升产能，采用金刚线对单晶大硅块进行切片，切片方向与切片机主辊的长度方向垂直，切片得到单晶硅片，且单晶硅片粘在工件板上；
6）对步骤5）所得单晶硅片进行脱胶清洗：通过加热使胶水软化，使单晶硅片从工件板上脱离，然后把单晶硅片上的杂物清洗干净，再将单晶硅片烘干后装入片盒内。
本发明将单晶小硅块拼接处理后再进行切片，可提高加工效率，提高产能。
本发明将单晶小硅块在粘棒工序拼接处理后再进行切片，使得无需投入大量设备的前提下，就可以满足硅片加工，同时提高产能，大大降低了固定资产的投入。
本发明将加工单晶小硅块的方式由单排改进为拼接，单刀产能提升50%，设备投入数量相应降低50%，同时加工硅片过程中所使用的辅材、耗能、人工成本也降低。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
实施例1
一种单晶小硅块的拼接切割方法，将单晶边皮切割出长方体状单晶小硅块，将至少两个单晶小硅块层叠粘接后再切片；
具体的，将至少两个单晶小硅块层叠拼接，且各单晶小硅块的长度方向相互平行，相邻两单晶小硅块的接触处采用胶水粘接固定，使单晶小硅块拼接为长方体状单晶大硅块，便于切割，提升产能，对单晶大硅块进行切片，切片方向与各单晶小硅块的长度方向垂直，切片得到单晶硅片。
更优的，将单晶小硅块拼接之前，先对单晶小硅块进行磨面处理和倒角处理；对切片出的单晶硅片进行脱胶清洗。
实施例2
一种单晶小硅块的拼接切割方法，将单晶边皮切割出长方体状单晶小硅块，将至少两个单晶小硅块并排粘接后再切片；
具体的，将至少两个单晶小硅块水平拼接，且各单晶小硅块的长度方向相互平行，相邻两单晶小硅块的接触处采用胶水粘接固定，使单晶小硅块拼接为长方体状单晶大硅块，便于切割，提升产能，对单晶大硅块进行切片，切片方向与各单晶小硅块的长度方向垂直，切片得到单晶硅片。
更优的，将单晶小硅块拼接之前，先对单晶小硅块进行磨面处理和倒角处理；对切片出的单晶硅片进行脱胶清洗。
实施例3
一种单晶小硅块的拼接切割方法，包括如下步骤：
1）将单晶边皮截断成边皮小段；
2）切除边皮小段两侧的尖角部；
3）切除边皮小段的弧形凸起部，得到长方体状单晶小硅块；
4）对步骤3）所得单晶小硅块进行磨面和倒角：步骤3）所得单晶小硅块的表面并不平整，且单晶小硅块的尺寸也不够精确，通过磨面可以降低单晶小硅块表面粗糙度并获得更为精确的尺寸；并将单晶小硅块四个角税利边修整成三角形，防止切割后硅片边缘破裂及晶格缺陷产生碎片；
5）采用切片机对步骤4）处理后的单晶小硅块进行粘棒切片：将至少两个单晶小硅块层叠拼接，且各单晶小硅块的长度方向都与切片机主辊的长度方向平行，相邻两单晶小硅块的接触处采用胶水粘接固定，使单晶小硅块拼接为长方体状单晶大硅块，单晶大硅块的长度方向与切片机主辊的长度方向平行，且单晶大硅块被胶水粘在工件板上，便于切割，提升产能，采用金刚线对单晶大硅块进行切片，切片方向与切片机主辊的长度方向垂直，切片得到单晶硅片，且单晶硅片粘在工件板上；
6）对步骤5）所得单晶硅片进行脱胶清洗：通过加热使胶水软化，使单晶硅片从工件板上脱离，然后把单晶硅片上的杂物清洗干净，再将单晶硅片烘干后装入片盒内。
实施例4
一种单晶小硅块的拼接切割方法，包括如下步骤：
1）将单晶边皮截断成边皮小段；
2）切除边皮小段两侧的尖角部；
3）切除边皮小段的弧形凸起部，得到长方体状单晶小硅块；
4）对步骤3）所得单晶小硅块进行磨面和倒角：步骤3）所得单晶小硅块的表面并不平整，且单晶小硅块的尺寸也不够精确，通过磨面可以降低单晶小硅块表面粗糙度并获得更为精确的尺寸；并将单晶小硅块四个角税利边修整成三角形，防止切割后硅片边缘破裂及晶格缺陷产生碎片；
5）采用切片机对步骤4）处理后的单晶小硅块进行粘棒切片：将至少两个单晶小硅块水平拼接，且各单晶小硅块的长度方向都与切片机主辊的长度方向平行，相邻两单晶小硅块的接触处采用胶水粘接固定，使单晶小硅块拼接为长方体状单晶大硅块，单晶大硅块的长度方向与切片机主辊的长度方向平行，且单晶大硅块被胶水粘在工件板上，便于切割，提升产能，采用金刚线对单晶大硅块进行切片，切片方向与切片机主辊的长度方向垂直，切片得到单晶硅片，且单晶硅片粘在工件板上；
6）对步骤5）所得单晶硅片进行脱胶清洗：通过加热使胶水软化，使单晶硅片从工件板上脱离，然后把单晶硅片上的杂物清洗干净，再将单晶硅片烘干后装入片盒内。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，将单晶边皮切割出长方体状单晶小硅块，将单晶小硅块拼接后再切片出单晶硅片。
2.根据权利要求1所述的单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，将单晶小硅块层叠粘接后再切片。
3.根据权利要求2所述的单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，将至少两个单晶小硅块层叠拼接，且各单晶小硅块的长度方向相互平行，相邻两单晶小硅块的接触处采用胶水粘接固定，使单晶小硅块拼接为长方体状单晶大硅块，对单晶大硅块进行切片，切片方向与各单晶小硅块的长度方向垂直，切片得到单晶硅片。
4.根据权利要求1所述的单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，将单晶小硅块并排粘接后再切片。
5.根据权利要求4所述的单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，将至少两个单晶小硅块水平拼接，且各单晶小硅块的长度方向相互平行，相邻两单晶小硅块的接触处采用胶水粘接固定，使单晶小硅块拼接为长方体状单晶大硅块，对单晶大硅块进行切片，切片方向与各单晶小硅块的长度方向垂直，切片得到单晶硅片。
6.根据权利要求1所述的单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，将单晶小硅块拼接之前，先对单晶小硅块进行磨面处理。
7.根据权利要求1所述的单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，将单晶小硅块拼接之前，先对单晶小硅块进行倒角处理。
8.根据权利要求2至5中任一项所述的单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，对切片出的单晶硅片进行脱胶清洗。
9.根据权利要求1所述的单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）将单晶边皮截断成边皮小段；
2）切除边皮小段两侧的尖角部；
3）切除边皮小段的弧形凸起部，得到长方体状单晶小硅块；
4）对步骤3）所得单晶小硅块进行磨面和倒角；
5）对步骤4）处理后的单晶小硅块进行粘棒切片：将至少两个单晶小硅块层叠拼接，且各单晶小硅块的长度方向都与切片机主辊的长度方向平行，相邻两单晶小硅块的接触处采用胶水粘接固定，使单晶小硅块拼接为长方体状单晶大硅块，单晶大硅块的长度方向与切片机主辊的长度方向平行，且单晶大硅块被胶水粘在工件板上，采用金刚线对单晶大硅块进行切片，切片方向与切片机主辊的长度方向垂直，切片得到单晶硅片，且单晶硅片粘在工件板上；
6）对步骤5）所得单晶硅片进行脱胶清洗：通过加热使胶水软化，使单晶硅片从工件板上脱离，然后把单晶硅片上的杂物清洗干净，再将单晶硅片烘干后装入片盒内。
10.根据权利要求1所述的单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）将单晶边皮截断成边皮小段；
2）切除边皮小段两侧的尖角部；
3）切除边皮小段的弧形凸起部，得到长方体状单晶小硅块；
4）对步骤3）所得单晶小硅块进行磨面和倒角；
5）对步骤4）处理后的单晶小硅块进行粘棒切片：将至少两个单晶小硅块水平拼接，且各单晶小硅块的长度方向都与切片机主辊的长度方向平行，相邻两单晶小硅块的接触处采用胶水粘接固定，使单晶小硅块拼接为长方体状单晶大硅块，单晶大硅块的长度方向与切片机主辊的长度方向平行，且单晶大硅块被胶水粘在工件板上，采用金刚线对单晶大硅块进行切片，切片方向与切片机主辊的长度方向垂直，切片得到单晶硅片，且单晶硅片粘在工件板上；
6）对步骤5）所得单晶硅片进行脱胶清洗：通过加热使胶水软化，使单晶硅片从工件板上脱离，然后把单晶硅片上的杂物清洗干净，再将单晶硅片烘干后装入片盒内。
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