JPS62101030A - 半導体ウエハの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明のＩＩ￥■１ど目的１ 本発明は、半導体ウェハの製造方法に係り、特にボー１
−成長法により生成された半導体結晶のインゴットから
所定形状のウェハを得るための半導体ウェハの製造方法
に関り゛るものである。

従来のこの種の半導体製造方法は、第１図に示すように
、ボート成長法により生成された断面半円形状の化合物
半導体結晶インゴット１を斜めにスライスしてウニハシ
を４５１だ後に、スライスされたウェハ２の外周面を面
取研削機により個々に研削加工して第５図の点線部分に
示′？ｌＪ：うな円形状等の所望のウェハを得るもので
あった。

しかしながら、このような半導体製造方法によれば、研
削量が比較的多いウェハの研削加工を、スライスされた
薄板状のウェハ２の外周部に施すために、ウェハが割れ
たり、欠けたりする等の不具合が生じ易く、また製品に
ばらつきが生じ易いので、不良品の発生率が高かった。

また、上記実情を配慮して、研削加工を行う前に、超音
波加工機等を用いて、スライスされたウェハを製品仕上
寸法よりも１〜２厘程度、その外径を大きく加工し、そ
の後、研削加工を施す方法が行われているが、この加工
方法によれば一度に一枚づつ研削加工を施すために、加
工作業の能率が低下する問題を有していた。

本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、その
目的とするところは、半導体ウェハの作業能率を向上さ
Ｕ、しかも加工精度のばらつきや損傷等の不具合をなく
して、品質の向上を図り得る半導体ウェハの製造方法を
提供することにある。

［発明の概要］ 本発明は、上記目的を達成するめたに、ボート成長法に
より生成された半導体結晶インゴットをスライスして得
られたウェハを、多数枚重ね合せて接着剤で接着した後
に、一括して円形・ウェハ。

角形ウェハ等の所定の形状に研削加工し、前記研削加工
の終了後に前記多数のウェハを接着する接着剤を溶剤で
除去して前記多数のウェハを個々のウェハに分離し所定
形状のウェハを得るようにしたものである。

このような構成よりなる本発明によれば、スライスされ
たウェハを重ね合せて、多数のウェハを一度に円形ウェ
ハ等の所定の形状に研削加工することが可能となるので
、同一の外形を右するウェハを一括して形成することが
できる。また、多数のウェハを重ね合せるので、ウェハ
の強度が増し研削加工時に各ウェハが割れたり、欠【プ
たすする不具合をなくすことができる。更にｔｉｌｌ削
加工復のウェハの分離作業も、溶剤を用いて簡ル１に行
い１υるので、一連のつ１ハ製造作業を容易に行いｊ！
する。

［実施例１ 本発明の一実施例を第１図ないし第４図に示づ一連の半
導体ウェハ製造工程に基づき説明Ｊる。

第１図は、ボート成長法により生成された化合物半導体
単結晶のインゴットの斜視図を示すものであり、このよ
うな断面半円形状のインゴット１から第４図に示すよう
な円形状の半導体ウェハ３を！Ｉ造するには、次のよう
な作業工程が行われる。

先ず、第１図におりるインゴット１を破線２′に示１よ
うに切断加工機（図示せず）を介して斜方向にスライス
して、第２図に示す如き半円形状のウェハ（以下、スラ
イスウェハと称する）２を多数得る。次いで、第２図に
示すように、スライスウェハ２を多数枚重ね合せて、そ
の接合面同士をワックス４を用いて接着して積層体５を
形成する。積層体５を構成するスライスウェハ２の枚数
は、研削加工を行なう面取り研削機の研削能力で決めら
れるが、他には特に制限される条件はない。

また、ワックス４は剥離性の良い低融点、低粘度めもの
が用いられている。

次いで、積層体５を構成する多数のスライスウェハ２の
外周面を面取り研削機（図示せず）を用いて一括して円
形状に研削加工する。第３図は多数のスライスウェハ２
を円形状に研削加工した後の状態を示すものである。同
図に示すようにスライスウェハ２が一括して研削加工さ
れることにより、断面半円形状の積層体５が円柱形状の
積層体５′にかわり、また多数のスライスウェハ２が一
括して円形ウェハ３にかわる。

次いで、積層体５′の各接合面を接着するワックスを溶
剤等で溶かせば、積層体５′を構成する多数のウェハ３
が個々に分離され、このようにし第４図に示す如き円形
ウェハ３を得ることができる。

従って、本実施例によれば、従来１枚づつ行なわれてい
たスイライウエハ２の円形加工（研削加工）を、１度に
多数枚まとめて事なうことができる。

その結果、本実施例では、この種研削加工作業の作業能
率を大幅に向上さぼることがＣきる。また、従来の１枚
づつ行なう研削加工方法では、加工後のウェハの外径等
の精度にばらつきが生じることが避けられなかったが、
本例では加工前にスライスウェハを多数枚重ね合Ｖて一
括して研削加工を行なうために、同形状の半導体ウェハ
を多数形成１“ることができ、ばらつきのない製品を得
ることができる。更に、スライスウェハはω］削加工時
に積層体を構成しているので、強度が増し、ωｌ削加工
時に各スライスウェハにひび割れや欠１（１が生じるの
を防止することができる。

なお、上記実施例では、円形つＪハの製造方法を例示し
たが、これに限定されるものではなく、その伯にも本製
造方法を用いて４角形、多角形等の種々の半導体ウェハ
を一括して製造することができる。

また、本製造方法を用いて、Ａリエンテーヨンフラツ１
〜付の半導体ウェハを一括して研削加工することもでき
る。この場合に（よ、第２図に示すようなスライスウェ
ハ１の一辺に予めオリエンテーションフラット（図示往
ず）をつけた後に、その辺を基準にして各スライスウェ
ハ２を蛋ね合せて接着し、次いでオリエンテーションフ
ラットの部分を残して、各スライスウェハ２を円形状等
の所定形状に研削加工ずればよい。また、同様にして、
オリエンテーションフラットが一箇所以上ついたスライ
スウェハを一括して研削加工することもできる。

［発明の効果１ 以上のにうに、本発明によれば、半導体ウェハの作業能
率を向上させ、しかも加工精度のばらつきやｊ０傷等の
不具合をなくして、半導体ウェハの品質の向上を図るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図は本発明の一実施例である半導体ウ
ェハの一連の製造過程を示すものであり、第１図は半導
体結晶インゴットの斜視図、第２図は第１図のインゴッ
トをスライスして多数枚重ね合せた１ク工ハ積層体の斜
視図、第３図は第２図のウェハ積層体に研削加工を施し
た状態を示す斜視図、第４図は本実施例により得られた
円形ウェハを示す斜視図、第５図は従来の半導体ウェハ
の製造方法を示すスライスウェハの斜視図である。 １・・・半導体結晶インゴット。 ２・・・スライスウェハ。 ３・・・円形ウェハ。 ４・・・接　着　剤（ワックス）。 ５・・・積　層　体。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ボート成長法により生成された半導体結晶インゴ
   ットをスライスして得られたウェハを、多数枚重ね合せ
   て接着剤で接着した後に、一括して円形ウェハ、角形ウ
   ェハ等の所定の形状に研削加工し、前記研削加工の終了
   後に前記多数のウェハ同士を接着する前記接着剤を溶剤
   で除去して、前記多数のウェハを個々のウェハに分離し
   所定形状のウェハを得ることを特徴とする半導体ウェハ
   の製造方法。