CN112809949A - 一种适用于单晶小硅块的拼棒方法及应用 - Google Patents

一种适用于单晶小硅块的拼棒方法及应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种适用于单晶小硅块的拼棒方法和应用，所述拼棒方法为利用拼棒胶膜将单晶小硅块沿厚度方向拼接形成一定长度的方棒，再对方棒进行高温固化。本发明拼棒方法所用的拼棒胶膜，具备超强的粘接力和耐磨性，较小的固化收缩率，易于存储，可粘接不同厚度的小硅块，而且胶缝密封且平整。本发明拼棒方法的施胶工艺简单易操作。本发明拼棒方法实现了不分线网切割小硅块，解决了现有分线网切割所产生的厚片多，分线网切割布线复杂，操作时间长的问题。本发明制备硅片的方法提高了单晶硅棒边皮料和单晶硅棒头尾料的利用率，提高了切片产能。

Description

一种适用于单晶小硅块的拼棒方法及应用
技术领域
本发明涉及硅棒切片领域，尤其涉及一种适用于单晶小硅块的拼棒方法及应用。
背景技术
目前国内外通用的硅棒切割技术为金刚石线切割技术，该技术采用切削液替代砂浆以及采用金刚石线替代钢线升级换代的切割技术，虽然在硅棒切割领域取得了很大的突破和进步，但在单晶硅棒边皮料或头尾料切割形成的小硅块拼接方面，该技术依然存在着如下缺陷：一是现有的单晶硅棒边皮料或头尾料切割形成的单晶小硅块的切片方法，是将多个单晶小硅块垂直叠加或水平拼接在一起形成方棒，相邻两个单晶小硅块的缝隙处未施加任何胶状物，切割线网只能采用分线网的方式切割，导致布线操作复杂，耗时长，严重影响生产效率；二是分线网切割方棒时，相邻两个单晶小硅块的缝隙两侧形成的厚片较多，导致硅片产能较低。
发明内容
发明目的：本发明提出一种适用于单晶小硅块的拼棒方法，能够提高单晶小硅块拼接缝隙两侧的厚片利用率，进一步提高硅片产能。
本发明的另一目的是提出一种基于上述拼棒方法的应用。
技术方案：本发明所采用的技术方案是一种适用于单晶小硅块的拼棒方法，利用拼棒胶膜将单晶小硅块沿厚度方向拼接形成一定长度的方棒，再对方棒进行高温固化。
优选的，所述拼棒胶膜选自双组份氧化铜无机胶、耐高温陶瓷胶、双组份常温固化陶瓷胶、双组份耐磨陶瓷胶、有机粘接固体胶、酚醛丁腈类树脂、双马结构胶、氰酸脂类胶、环氧结构胶和丙烯酸改性环氧胶中的一种。
优选的，所述拼棒胶膜的厚度为50~200um。
优选的，所述高温固化的温度为120~160℃，所述高温固化的时间为30~120min。
优选的，利用拼棒胶膜将至少两个所述单晶小硅块沿厚度方向拼接形成一定长度的方棒之前，还包括对拼棒胶膜进行预处理。
进一步优选的，所述预处理包括将拼棒胶膜常温放置0.5~1h或使用热风设备对拼棒胶膜进行预热。
优选的，在利用拼棒胶膜将至少两个单晶小硅块沿厚度方向拼接形成一定长度的方棒之前，还包括对所述单晶小硅块的拼接面进行打磨。
优选的，将所述单晶小硅块拼接形成方棒之后，还包括对方棒进行加压固定。
进一步优选的，所述加压固定的压力为45~150N，时间为30~120min。
进一步优选的，加压固定后所述单晶小硅块之间的拼接缝厚度≤10um。
优选的，所述高温固化将单晶小硅块之间的拼棒胶膜固化成胶层。
进一步优选的，所述胶层的硬度为70~85邵氏D，拉伸强度为12~18KPa。
本发明还提供了一种制备硅片的方法，包括如下步骤：
（1）制备单晶小硅块：对单晶硅棒的边皮料或头尾料进行切割，制得单晶小硅块；
（2）拼接方棒：利用上述拼棒方法将单晶小硅块拼接成方棒；
（3）切片：将方棒粘贴在树脂板上，切割时线网采用不分线网的方式对方棒进行切割，制得硅片。
有益效果：与现有技术相比，本发明具有如下优点：
本发明拼棒方法所用的拼棒胶膜，具备超强的粘接力和耐磨性，较小的固化收缩率，易于存储，可粘接不同厚度的小硅块，而且胶缝密封且平整。
本发明拼棒方法的施胶工艺简单易操作。
本发明拼棒方法实现了不分线网切割单晶硅块，解决了现有分线网切割所产生的厚片多，分线网切割布线复杂，操作时间长的问题。
本发明制备硅片的方法提高了单晶硅棒边皮料和头尾料的利用率，提高了切片产能。
附图说明
图1是现有技术单晶小硅块水平拼接后形成方棒的结构示意图；
图2是现有技术分线网切割单晶小硅块的结构示意图；
图3是现有技术分线网切割单晶小硅块所产生的厚片的结构示意图；
图4是本发明单晶小硅块拼接后形成方棒的结构示意图；
图5是本发明不分线网切割单晶小硅块的结构示意图；
图6是本发明不分线网切割单晶小硅块所产生的残胶片的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的技术方案作进一步的说明。
本发明所述的单晶小硅块，是指将单晶硅棒的边皮料或单晶硅棒的头尾料切割成长方体状单晶小硅块或正方体状单晶小硅块。
如图1，单晶小硅块100具有截面S1和厚度D，现有技术切割单晶小硅块100时，先将至少两个单晶小硅块100沿厚度D方向竖直叠加或水平拼接后形成长度L的方棒200，此时L=ND（N为单晶小硅块的数量，D为单晶小硅块的厚度），方棒200的截面S2与单晶小硅块100的截面S1大小一致；再将方棒200或将方棒200双拼后粘贴在树脂板400上进行切割，方棒200的截面S2与树脂板400垂直。由于相邻两个单晶小硅块的缝隙处未施加有任何胶状物质，因此线网500切割时需避开该缝隙，采用分线网方式布线，如图2，防止线网500切割时在该区域因拉力不足而发生跳线和断线现象。切割完成后缝隙两侧会形成两片厚度大约4mm的厚片700，如图3，该厚片700无法利用，严重影响了硅片产能。
本发明提供了一种适合单晶小硅块100的拼棒方法，如图4，包括利用拼棒胶膜300将至少两个单晶小硅块100沿厚度D方向拼接形成长度L的方棒200，此时L=ND+Nd（N为单晶小硅块的数量，D为单晶小硅块的厚度，d为拼棒胶膜的厚度），方棒200的截面S2与单晶小硅块100的截面S1大小一致；再对方棒200进行高温固化。
进一步地，本发明还提供了一种硅片的制备方法，如图5，包括如下步骤：
（1）获取单晶小硅块100：对单晶硅棒的边皮料或头尾料进行切割，制得单晶小硅块100；
（2）拼接方棒200：采用上述单晶小硅块100的拼棒方法，也就是利用拼棒胶膜300将至少两个单晶小硅块100沿厚度D方向拼接形成长度L的方棒200，再对方棒200进行高温固化；
（3）切片：将方棒200或将方棒200双拼后粘贴在树脂板400上，方棒200的截面S2与树脂板400垂直，切割时线网500采用不分线网的方式对方棒200进行切割，制得硅片。
在本发明中，所述拼棒胶膜300是通过试验筛选出适合粘接不同厚度的单晶小硅块100的拼棒胶膜，该拼棒胶膜300具备超强的粘接力、超强的耐磨性及较小的固化收缩率，而且粘接后胶缝密封且平整。所述拼棒胶膜的厚度为50~200um，更优选为150um。
在本发明中，所述拼棒胶膜300选自双组份氧化铜无机胶、耐高温陶瓷胶、双组份常温固化陶瓷胶、双组份耐磨陶瓷胶、有机粘接固体胶、酚醛丁腈类树脂、双马结构胶、氰酸脂类胶、环氧结构胶和丙烯酸改性环氧胶中的一种，更优选为环氧结构胶。
在本发明中，所述酚醛丁腈类树脂的类型包括但不限于丁腈橡胶和酚醛树脂。
在本发明中，所述环氧结构胶的类型包括但不限于E51环氧树脂胶、E44环氧树脂胶和E10环氧树脂胶，更优选为E51环氧树脂胶。
在本发明中，所述丙烯酸改性环氧胶的类型包括但不限于羟基改性胶、有机硅改性胶和氨基改性胶。
实施例1
一种适合单晶小硅块的拼棒方法，具体包括如下步骤：
（S1）获取单晶小硅块100：取单晶硅棒切方后形成的边皮料，切割后获得单晶小硅块100，要求单晶小硅块100中相邻两面的垂直角度控制在90°±0.3°，厚度D的误差控制在±0.1mm；清洁单晶小硅块100表面脏污；对单晶小硅块的拼接面进行打磨；并标注好施胶面和方向。
（S2）拼棒胶膜300预处理：选取厚度150um的E51环氧树脂胶。由于E51环氧树脂胶的存储温度在-18℃以下，直接施胶会导致凝胶翘边现象，因此需要对其进行预处理，常温放置0.5~1h或使用热风设备于温度23~27℃下预热，提升施胶效果；本实施例采用常温放置1h的方式对E51环氧树脂胶进行预处理。
（S3）施胶拼接：根据单晶小硅块100的施胶面裁剪拼棒胶膜300，将拼棒胶膜300粘贴于单晶小硅块100的待施胶面，如图4，沿单晶小硅块100的厚度D方向将两个单晶小硅块100拼接在一起；再依次拼接形成长度L的方棒200，方棒200的截面S2同单晶小硅块100的截面S1大小一致。
（S4）加压固定：对方棒200进行加压固定，防止产生气泡、堆胶、空胶或错位现象，压力为45~150N，时间为30~120min，确保相邻两个单晶小硅块100之间的拼接缝宽度≤10um。
（S5）高温固化：将方棒200于120~160℃下高温固化30~120min，此时单晶小硅块100之间的拼棒胶膜300固化成胶层310，其中固化温度和固化时间依拼棒胶膜性能和工艺可进行适当调整，本实施例高温固化温度优选150℃，时间优选120min。高温固化结束之后再对方棒200进行表面处理，去除方棒200表面的残留溢胶。
（S6）性能测试：将高温固化后的方棒200的胶层310进行性能测试，要求胶层310的硬度为70~85邵氏D，拉伸强度为12~18KPa，无剥离现象。本实施例胶层310的硬度为75邵氏D，拉伸强度为15KPa，无剥离现象。
实施例2
一种单晶硅片的制备方法，将实施例1制得的方棒200粘贴在树脂板400上，方棒200的截面S2与树脂板400垂直，切割时线网500采用不分线网方式对方棒200进行切割，如图5，制得厚度180um的硅片。切片完成后相邻两个单晶小硅块100之间会产生五片残胶片600，每片厚度仍为180um，如图6，该五片残胶片600上的残胶拼接在一起正好形成一个整面胶层310。
对比例
一种单晶硅片的制备方法，采用现有的制备方法，先将单晶小硅块100沿厚度D方向水平拼接形成长度L的方棒200，方棒200的截面S2与单晶小硅块100的截面S1大小一致，相邻两个单晶小硅块的缝隙未施加有任何胶状物质；再将方棒200沿长度L方向的一面粘贴在树脂板400上，方棒200的截面S2与树脂板400垂直；切割时线网500采用现有分线网方式对方棒200进行切片，如图2，制得厚度180um的硅片。切片完成后相邻两个单晶小硅块100之间会产生两片厚度大约4mm的厚片700，如图3。
分别以十个单晶小硅块拼接形成方棒，统计实施例2和对比例的过程参数，计算硅片产出率，具体数据见表1。
表1 实施例2和对比例的过程参数及硅片产出率
切割方式 布线耗时 硅片产出率
实施例2 不分线网 1.5h 95.53%
对比例 分线网 3h 85.71%
由表1可以看出，本发明制备硅片的方法，利用高性能的拼棒胶膜将单晶小硅块拼接在一起形成方棒，再对方棒采用不分线网的方式进行切割制得硅片，其硅片产出率提高了9.82%，解决了现有单晶小硅块拼接区域的厚片问题，提高了厚片利用率，提高硅片产能的同时也提高了生产效率。

Claims (13)

1.一种适用于单晶小硅块的拼棒方法，其特征在于：利用拼棒胶膜将至少两个单晶小硅块沿厚度方向拼接形成一定长度的方棒，再对方棒进行高温固化。
2.根据权利要求1所述的拼棒方法，其特征在于：所述拼棒胶膜选自双组份氧化铜无机胶、耐高温陶瓷胶、双组份常温固化陶瓷胶、双组份耐磨陶瓷胶、有机粘接固体胶、酚醛丁腈类树脂、双马结构胶、氰酸脂类胶、环氧结构胶和丙烯酸改性环氧胶中的一种。
3.根据权利要求1所述的拼棒方法，其特征在于：所述拼棒胶膜的厚度为50~200um。
4.根据权利要求1所述的拼棒方法，其特征在于：所述高温固化的温度为120~160℃，所述高温固化的时间为30~120min。
5.根据权利要求1所述的拼棒方法，其特征在于：利用拼棒胶膜将至少两个所述单晶小硅块沿厚度方向拼接形成一定长度的方棒之前，还包括对拼棒胶膜进行预处理。
6.根据权利要求5所述的拼棒方法，其特征在于：所述预处理是将拼棒胶膜常温放置0.5~1h或使用热风设备对拼棒胶膜进行预热。
7.根据权利要求1所述的拼棒方法，其特征在于：在利用拼棒胶膜将至少两个单晶小硅块沿厚度方向拼接形成一定长度的方棒之前，还包括对所述单晶小硅块的拼接面进行打磨。
8.根据权利要求7所述的拼棒方法，其特征在于：将所述单晶小硅块拼接形成方棒之后，还包括对方棒进行加压固定。
9.根据权利要求8所述的拼棒方法，其特征在于：所述加压固定的压力为45~150N，时间为30~120min。
10.根据权利要求9所述的拼棒方法，其特征在于：加压固定后所述单晶小硅块之间的拼接缝厚度≤10um。
11.根据权利要求1所述的拼棒方法，其特征在于：所述高温固化是将单晶小硅块之间的拼棒胶膜固化成胶层。
12.根据权利要求11所述的拼棒方法，其特征在于：所述胶层的硬度为70~85邵氏D，拉伸强度为12~18KPa。
13.一种制备硅片的方法，其特征在于：包括如下步骤：
（1）制备单晶小硅块：对单晶硅棒的边皮料或头尾料进行切割，制得单晶小硅块；
（2）拼接方棒：利用权利要求1-12中任一项所述的拼棒方法将至少两个单晶小硅块拼接成方棒；
（3）切片：将方棒粘贴在树脂板上，切割时线网采用不分线网的方式对方棒进行切片，制得硅片。
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