CN203774284U - 一种用于半导体封装的划片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种用于半导体封装的划片，在晶圆的划片街区内贴附有薄膜，该薄膜宽度小于划片街区，且与芯片边缘的密封圈不重叠，同时，该划片街区内还设有至少一个通孔。该薄膜降低正面崩角和背面崩角的出现率，且防止晶圆切割时正面崩角和背面崩角进入芯片边缘的密封圈。该薄膜可贯通整个划片街区，也可与芯片的宽度相同。通孔的设置，可进一步方便切割晶圆。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体器件制造领域，具体涉及一种半导体封装的划片，尤其是SOT-23（贴片式双二极管）的划片结构。
背景技术
在一个晶圆上，通常有几百个至数千个芯片连在一起。它们之间留有80μm至150μm的间隙，此间隙被称之为划片街区（Saw Street）。将每一个具有独立电气性能的芯片分离出来的过程叫做划片或切割（Dicing Saw）。目前，机械式金刚石切割是划片工艺的主流技术。在这种切割方式下，金刚石刀片（Diamond Blade）以每分钟3万转到4万转的高转速切割晶圆的街区部分，同时，承载着晶圆的工作台以一定的速度沿刀片与晶圆接触点的切线方向呈直线运动，切割晶圆产生的硅屑被去离子水（DI water）冲走。
现有技术中，晶圆划片工艺具有很多的质量缺陷，例如崩角，因为硅材料的脆性，机械切割方式会对晶圆的正面和背面产生机械应力，结果在芯片的边缘产生正面崩角及背面崩角。正面崩角和背面崩角会降低芯片的机械强度，初始的芯片边缘裂隙在后续的封装工艺中或在产品的使用中会进一步扩散，从而可能引起芯片断裂，导致电性实效。
实用新型内容
因此，针对上述的问题，本实用新型提出一种用于半导体封装的划片，对现有的划片街区的结构进行改进，降低正面崩角或背面崩角的出现概率，从而解决现有技术之不足。
为了解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是，一种用于半导体封装的划片，在晶圆的划片街区内贴附有薄膜，该薄膜宽度小于划片街区，且与芯片边缘的密封圈不重叠，同时，该划片街区内还设有至少一个通孔。该薄膜降低正面崩角和背面崩角的出现率，且防止晶圆切割时正面崩角和背面崩角进入芯片边缘的密封圈。该薄膜可贯通整个划片街区，也可与芯片的宽度相同。通孔的设置，可进一步方便切割晶圆。
进一步的，所述薄膜是硅薄膜，所述通孔为硅通孔。使用硅薄膜，可起到保护层的作用；使用硅通孔，芯片的一侧的电极可通过该硅通孔引至另一侧。
更进一步的，所述薄膜包括叠放的硅薄膜和硅胶薄膜，硅胶薄膜位于硅薄膜的上层，从而减少切割晶圆时产生的硅屑。
更进一步的，所述通孔的直径等于薄膜的宽度，且通孔设于薄膜上。这样，更方便了晶圆的切割，降低了正面崩角或背面崩角的出现概率。
本实用新型通过上述结构，对现有的划片街区的结构进行改进，通过硅薄膜的设置，金刚石刀片在进行晶圆划片时，降低正面崩角或背面崩角的出现概率；通过硅胶薄膜的设置，减少切割晶圆时产生的硅屑；通过通孔的设置，方便了晶圆的切割，且该通孔为硅通孔时，芯片的一侧的电极可通过该硅通孔引至另一侧，大大提高了板子的利用率。
附图说明
图1为本实用新型的实施例1的划片示意图；
图2为本实用新型的实施例2的划片示意图；
图3为本实用新型的实施例3的划片示意图；
图4为SOT-23的管脚示意图；
图5为SOT-23的管脚原理图；
图6为现有技术中SOT-23的内部结构示意图。
具体实施方式
现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。
实施例1
参见图1，本实施例中，本实用新型的方案如下：一种用于半导体封装的划片，在晶圆1的划片街区内贴附有薄膜2，该薄膜2宽度小于划片街区，且与芯片边缘的密封圈不重叠，同时，该划片街区内还设有至少一个通孔3。
本实施例中，该薄膜2的设置与芯片的宽度相同，防止划片街区交叉贴敷时出现层叠。另外，通孔3设置在相邻两个芯片之间的划片街区的中间部位。
实施例2
参见图2，本实施例中，薄膜2的设置是贯通整个划片街区，两个纵横划片街区的相交处，薄膜2也同样相交，该制作方法简单，节省工艺步骤。本实施例中，通孔3设置在相邻两个芯片之间的划片街区的中间部位。
实施例3
参见图3，本实施例中，薄膜2的设置是贯通整个划片街区，两个纵横划片街区的相交处，薄膜2也同样相交。为了进一步方便切割，相邻两个芯片之间可设置有多个通孔，本实施例中，相邻两个芯片之间设置有3个通孔3。
上述实施例中，薄膜2降低正面崩角和背面崩角的出现率，且防止晶圆1切割时正面崩角和背面崩角进入芯片边缘的密封圈。通孔3的设置，可进一步方便切割晶圆1。
另外，作为一个可行的方案，上述实施例中的薄膜2是硅薄膜，所述通孔3为硅通孔。使用硅薄膜，可起到保护层的作用；使用硅通孔，芯片的一侧的电极可通过该硅通孔引至另一侧。
另外，作为另外一个可行的方案，所述薄膜2包括叠放的硅薄膜和硅胶薄膜，硅胶薄膜位于硅薄膜的上层，从而减少切割晶圆时产生的硅屑。
同时，上述实施例中的通孔3的直径等于薄膜2的宽度，且通孔3设于薄膜2上。这样，更方便了晶圆1的切割，降低了正面崩角或背面崩角的出现概率。
本实用新型的结构可应用于二极管或者晶体管。作为一个应用实例，对于贴片式双二极管SOT-23，参照图4和图5，其包括一个阴极管脚11和两个阳极管脚（标号分别为12和13），该贴片式双二极管SOT-23的内部结构图如图6所示，其粘片板14上设有第一芯片15和第二芯片16，在具体制作时，以现有的划片技术，需要在粘片板上贴两次来实现两粒芯片的粘贴，芯片粘贴后，再进行其他封装步骤，其生产效率低，容易造成粘片过程中的不良，给用户带来诸多不便。利用本实用新型的划片结构，同时再配合划片工艺及贴片工艺，采用划双芯片以及粘双芯片最终实现两粒芯片一次性粘片。由此可见，采用本实用新型的上述结构，与现有技术相比，具有如下好处：1、通过两粒芯片一次性粘片，从而使粘片机的生产效率提高200%，同时减少了设备耗材的使用量，为企业实现了可观的经济效益；2、通过两粒芯片一次性粘片，有效的降低了粘片过程中的不良，提高了工艺安全值；3、通过两粒芯片的划片，使划片长度减短，从而有效的减少了划片的成本，并有效的提高了划片的效率。可见，本实用新型的结构具有很好的实用性。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。
Claims (4)
1.一种用于半导体封装的划片，其特征在于：在晶圆的划片街区内贴附有薄膜，该薄膜宽度小于划片街区，且与芯片边缘的密封圈不重叠，同时，该划片街区内还设有至少一个通孔。
2.根据权利要求1所述的用于半导体封装的划片，其特征在于：所述薄膜是硅薄膜，所述通孔为硅通孔。
3.根据权利要求1所述的用于半导体封装的划片，其特征在于：所述薄膜包括叠放的硅薄膜和硅胶薄膜，硅胶薄膜位于硅薄膜的上层。
4.根据权利要求1或2或3所述的用于半导体封装的划片，其特征在于：所述通孔的直径等于薄膜的宽度，且通孔设于薄膜上。
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| CN105836699A (zh) * | 2016-05-26 | 2016-08-10 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种圆形芯片的加工方法及一种半导体晶圆 |
| CN109081303A (zh) * | 2018-08-27 | 2018-12-25 | 无锡芯坤电子科技有限公司 | 一种芯片双面切割工艺 |
| CN110027123A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-07-19 | 李宗杰 | 石英光刻化晶圆及切割技术 |
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| CN109081303A (zh) * | 2018-08-27 | 2018-12-25 | 无锡芯坤电子科技有限公司 | 一种芯片双面切割工艺 |
| CN110027123A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-07-19 | 李宗杰 | 石英光刻化晶圆及切割技术 |
| CN110027123B (zh) * | 2018-12-27 | 2021-03-16 | 李宗杰 | 石英光刻化晶圆及切割技术 |
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