CN100385691C - 倒装发光二极管的划片方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种倒装发光二极管的划片方法，具体步骤为：取蓝膜固定在固定环上，绷紧后剪掉边角余料，然后将固定环置于定位用的白色光面纸上；剪一块面积小于固定环的紫外膜贴在蓝膜的中心，再用橡胶推具将紫外膜贴与蓝膜之间的气泡赶出；将晶片的硅片面贴在紫外膜的中心位置，贴好之后将固定环反转，在晶片下面垫上干净的光面纸，将晶片与紫外膜之间的气泡赶出直到晶片粘牢为止。本发明的粘膜方法采用双膜粘片法，即在原有底膜上贴一层晶片大小的紫外膜，晶片粘在紫外膜上，既能满足对膜的粘性、延展性的要求又能降低成本；硅片划开之后加一层保护膜然后再进行扩片，大块保护膜能起到固定较小的紫外膜的作用。
Description
技术领域
本发明涉及光电子信息技术领域，具体涉及倒装发光二极管的划片方法。
背景技术
半导体照明包括特殊照明和普通照明，这将是GaN基超亮度LED发展的方向。要使LED能够应用于照明领域，首先要求的是提高其光通量，更重要的是提高其可靠性。对于提高光通量，最简单的办法是可以直接通过增大芯片尺寸，增加输入电流来实现，但这将增大对后端封装的要求和难度。为了克服以上缺陷，更有效的方法则是从功率型芯片用外延片的生长技术，倒装焊型大功率芯片以及衬底键合的制作技术方面着手，开发出实用的大功率、高亮度LED芯片。
普通的划片包括划片和裂片两步，也就是说划片只是划了一道划痕，还要用裂片机裂开。但是倒装焊型大功率芯片与衬底键合之后，由于硅基板上有100um左右的倒装焊型大功率芯片，无法进行裂片工艺，所以必须采用新的方法。
在整个蓝宝石发光二极管制造过程中，分为外延、前工艺和后工艺。倒装焊型大功率芯片与硅基板衬底键合后，需要将硅基板衬底完全划开。划片属于后工艺，新的后工艺主要工艺流程为：减薄——点测——蓝宝石衬底划片——蓝宝石衬底裂片——植球焊接——划片——点测——分选。本发明的划片方法，是为了满足倒装焊型大功率芯片生产的需要。本方发明采用了划片机，能将硅片完全切开，但也带来诸如扩片、冷却水冲洗、粘膜等一系列问题。
在划片方法的粘膜步骤是指将晶片固定在一张具有一定粘度和延展度的膜上，以起到乘载和保护晶片的目的。但现有的粘膜技术不能满足公司划大功率芯片的要求，主要有以下几点缺陷：1、用划片机划片，晶片完全泡在水中，一般的国产膜遇水粘性下降很快，如完全泡在水中，在水的浮力作用下，很容易离膜，造成坏刀的危险。2、划片机的轴是以30000rps高速旋转，需要冷却水冲洗，在刀刃的带动下，水流的冲力很大，很难保证划开的芯片不被水冲走，造成损失。3、后续工艺的要求：划片之后的扩膜是在60℃下完成的，对膜的延展性和耐高温性有很高的要求；扩片之后用分选机分选，分选必须要求膜粘度不能太高，否则无法分选，他们之间存在矛盾。综上三点，现有国产蓝膜根本无法一一满足，但进口紫外膜虽然性能能满足但成本很高，很难量产。传统的粘膜方法很简单，是将膜粘在不锈钢环上，绷紧剪掉边角，再将晶片固定在不锈钢环中间就可以进行划片。这样的粘膜方法虽然简单实用，但不适于用昂贵的膜，因为晶片的大小只是不锈钢环大小的二十分之一，也就是说整张膜上只有二十分之一发挥了作用，如果使用像紫外膜这样的进口高档膜，浪费显而易见，为解决这一技术问题，要对粘片工艺做一些改进。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种倒装发光二极管的划片方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种倒装发光二极管的划片方法，包括如下步骤：
a)蓝膜固定在固定环上，绷紧后剪掉边角余料，然后将固定环置于定位纸上；
b)将一块面积小于固定环的紫外膜贴在蓝膜的中心，再用橡胶推具将紫外膜与蓝膜之间气泡赶出；
c)将晶片的蓝宝石面朝上、硅片面朝下贴在固定环的中心位置，贴好之后将固定环反转让贴在紫外膜上的晶片朝下，在晶片下面垫上干净的光面纸，再用棉球擦拭蓝膜赶出晶片与紫外膜之间的气泡直到晶片粘牢为止；
d)将经过c)步骤处理的晶片放入划片机中进行划硅片步骤。
在本发明所述的倒装发光二极管的划片方法中，将晶片放入划片机中进行划硅片后，还包括如下步骤：
e)划硅片完成后，将晶片从划片机中取出，用压缩空气将晶片吹干；
f)将晶片连膜从固定环上取下，将晶片朝上，膜平放在工作台上，剪一块保护膜盖贴在原膜中心，再用棉球均匀擦拭保护膜将气泡赶出后再进行扩片步骤。
在本发明所述的倒装发光二极管的划片方法中，所述划硅片步骤是使用高速旋转的金刚石刀具，在纯净水(纯净度为11兆)的冷却下以30mm/s的进刀速度切割硅片，将硅片完全切开，并且透切到紫外膜表面。
在本发明所述的倒装发光二极管的划片方法中，所述保护膜为正方形，边长为150mm。
在本发明所述的倒装发光二极管的划片方法中，所述紫外膜为正方形，边长为55mm。
在本发明所述的倒装发光二极管的划片方法中，所述固定环为圆形，其直径为200mm。
在本发明所述的倒装发光二极管的划片方法中，所述定位纸为白色光面纸，光面上设有可帮助找到固定环的中心的图案。
本发明的有益效果是，为解决粘度、延展度和划片之间的矛盾，本发明的划片方法采用双膜粘片，在原有底膜上贴一层晶片大小的紫外膜，晶片粘在紫外膜上，既能满足对膜的粘性、延展性的要求又能降低成本；硅片划开之后，因为紫外膜太小，扩片时无法固定，被加热后会连同晶粒一起翘起，在原有膜上再加一层保护膜，大块保护膜能起到固定较小的紫外膜的作用。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1是粘好保护膜后的晶片和膜的截面结构示意图。
具体实施方式
本发明的倒装发光二极管的划片方法的步骤包括：粘膜-划硅片-加保护膜-扩膜。其具体步骤包括：
a)将蓝膜固定在固定环上，绷紧后剪掉边角余料，然后将固定环置于定位纸的光面上；固定环为圆形，其直径为200mm。所述定位纸为白色光面纸，光面上设有可帮助找到固定环的中心的图案。
b)剪一块面积小于固定环的紫外膜贴在蓝膜的中心，再用橡胶推具将紫外膜与蓝膜之间气泡赶出。所述紫外膜为正方形，边长为是55mm。紫外膜的型号为HUO-120K。
c)将硅片面贴在固定环的中心位置，贴好之后将固定环反转，这时贴在紫外膜上的晶片朝下，在晶片下面垫上干净的光面纸，用棉球同方向擦拭蓝膜，将晶片与紫外膜之间的气泡赶出直到晶片粘牢为止；为了不使晶片受到污染，所述的光面纸为一次性的。
d)在显微镜下观察晶片有无异常，确认完好后将晶片放入划片机中进行划硅片步骤。在本实施例中，该划硅片步骤是使用高速旋转的金刚石刀具，在纯净水(纯净度为11兆)的冷却下以30mm/s的进刀速度切割硅片，将硅片完全切开，并且透切到紫外膜表面。
e)划硅片完成后，将晶片从划片机中取出，用压缩空气将晶片吹干；
f)将划好的晶片连膜从固定环上取下，将晶片朝上，膜平放在工作台上，此时注意要将膜展开放好，不要将膜粘在一起，然后剪一块保护膜盖贴在原膜中心，用棉球均匀擦拭将气泡赶出后进行扩片步骤。保护膜的型号为ELECTRON TAPE，是白色透明薄膜。所述保护膜为正方形，边长为150mm。
如图1所示为晶片完成划硅片步骤后再粘上保护膜的截面结构示意图。蓝膜1在最下层，紫外膜2粘贴在蓝膜1的中心位置，硅片固定在紫外膜2的中心位置，晶片固定在硅片4上，蓝宝石衬底5朝上，硅片4紧贴在紫外膜2上，最后保护膜3盖在晶片、原膜(原膜为蓝膜1和紫外膜2)上，保护膜3紧贴在紫外膜2和蓝膜1上，这样贴上保护膜后再进行扩片步骤时紫外膜2就不会再翘起。
Claims (7)
1.一种倒装发光二极管的划片方法，其特征在于，包括如下步骤：
a)将蓝膜固定在固定环上，绷紧后剪掉边角余料，然后将固定环置于定位纸上；
b)将一块面积小于固定环的紫外膜贴在蓝膜的中心，再用橡胶推具将紫外膜与蓝膜之间气泡赶出；
c)将晶片的蓝宝石面朝上、硅片面朝下贴在固定环的中心位置，贴好之后将固定环反转让贴在紫外膜上的晶片朝下，在晶片下面垫上干净的光面纸，再用棉球擦拭蓝膜赶出晶片与紫外膜之间的气泡直到晶片粘牢为止；
d)将经过c)步骤处理的晶片放入划片机中进行划硅片步骤。
2.根据权利要求1所述倒装发光二极管的划片方法，其特征在于，将晶片放入划片机中进行划硅片后还包括如下步骤：
e)划硅片完成后，将晶片从划片机中取出，用压缩空气将晶片吹干；
f)将晶片连蓝膜和紫外膜从固定环上取下，将晶片朝上，蓝膜和紫外膜平放在工作台上，剪一块保护膜盖贴在蓝膜和紫外膜中心，再用棉球均匀擦拭保护膜将气泡赶出后再进行扩片步骤。
3.根据权利要求1所述倒装发光二极管的划片方法，其特征在于，所述划硅片步骤是使用高速旋转的金刚石刀具，在纯净水的冷却下，以30mm/s的进刀速度切割硅片，将硅片完全切开，并且透切到紫外膜表面。
4.根据权利要求2所述的倒装发光二极管的划片方法，其特征在于，所述保护膜为正方形，边长为150mm。
5.根据权利要求1-4中任何一项所述倒装发光二极管的划片方法，其特征在于，所述紫外膜为正方形，边长为55mm。
6.根据权利要求1-4中任何一项所述倒装发光二极管的划片方法，其特征在于，固定环为圆形，其直径为200mm。
7.根据权利要求6所述倒装发光二极管的划片方法，其特征在于，所述定位纸为白色光面纸，光面上设有可帮助找到固定环的中心的图案。
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20070810 Address after: 518055 Guangdong city of Shenzhen province Nanshan District Xili Town, Longjing Fangda Applicant after: Shenzhen Fangda Guoke Optical Electronic Technology Co., Ltd. Address before: 518055 Guangdong city of Shenzhen province Nanshan District Xili Town, Longjing Fangda industrial city Applicant before: Fangda Group Co., Ltd. |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SHENYANG FANGDA SEMICONDUCTOR LIGHTING CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SHENZHEN FANGDA GUOKE PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20110908 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 518055 SHENZHEN, GUANGDONG PROVINCE TO: 110168 SHENYANG, LIAONING PROVINCE |
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| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20110908 Address after: 110168 Shenyang Hunnan New District Wende Street No. 6 Patentee after: Shenzhen Fangda Guoke Optoelectronic Technology Co., Ltd. Address before: 518055 Guangdong city of Shenzhen province Nanshan District Xili Town, Longjing Fangda Patentee before: Shenzhen Fangda Guoke Optical Electronic Technology Co., Ltd. |
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20080430 Termination date: 20191208 |
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |