JPS59152638A - 化合物半導体の切断方法 - Google Patents

化合物半導体の切断方法

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JPS59152638A
JPS59152638A JP58028027A JP2802783A JPS59152638A JP S59152638 A JPS59152638 A JP S59152638A JP 58028027 A JP58028027 A JP 58028027A JP 2802783 A JP2802783 A JP 2802783A JP S59152638 A JPS59152638 A JP S59152638A
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JP
Japan
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compound semiconductor
sheet
grooves
cutting
junction
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JP58028027A
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Inventor
Hiromi Takasu
高須　広海
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Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
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Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
Tottori Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ）産業上の利用分野 本発明は発光素子を形成する化合物半導体の切断方法に
関する。
口）従来技術 従未発元ダイオードは、発光効率を向上させるため、カ
リウム燐（Ｇａｐ）はＣＭ＋）而、カリウム砒累（Ｇａ
’Ａｅ）やガリウム砒素燐（ＧａＡｓＰ）は四面の上に
それぞれＰｎ接合を形成していたか、これら化合品 物半導体のウェハの００１．、ＧＣＰｎ接合を形成した
場合、第１図に示すように（＋　１０）方向（Ａ）（Ａ
）が２つあり、これが完全弁開方向となるので、概ねこ
の方向又はこの方向力・られずかにすれた万ｈ（±１６
°程度）でダイシングをして素子を形成していた。とこ
ろがこの時に切断刃が陳くウェハ（１）に切り込めはで
の取扱いが不便になるばかりでなく、電流分布や光の反
射率や屈折率ｒも影響するので、光取出効率を考慮した
発光効率は著しく低下する。
ハ）発明の目的 本発明は上述の点を考慮してな式れたくので、切断深さ
にほとんど影！＃なく、切断速度を速く出米しかも発光
効率の低下しない化合物半導体の切断方法を提供するも
のである。
二）発明の構成 本発明は化合物半導体ウェハの２方向の先金臂開方向に
はさまれ／と方向に切障１していく方法であり以下本発
明を大施例に基づいて詳細に祝明する。
ホ）実施例 第６図は本発明実施例を祝明する化合物半導体ウェハの
要部側面図でシート（４）上に、−面上にＰｎ接合（５
）を有した化合物半導体ウェハ（６）を載置しダイシン
グ法により溝＋７１　（７＋　、、、を形成する。これ
は第１図における完全性開方向に対し略４５度ずれた方
向（Ｂ）（Ｂ）に添ってダイシング刃を進めることでチ
ッピング（８）はほとんと生じない。その後シート（４
）の興面から加圧して素子を分離するが、従来はこの工
程でのチッピングが切断中の数倍生じていたのに対゛し
、本発明においては切断中の数十分の−しか生じない。
分離後は真空ピンセットを用いる等により素子をシート
（４）から剥離する。
へ）発明の効果 以上のヌロく本発明は、化合物半導体ウェハの四面にＰ
ｎ接合を形成し、結晶の完全へき開方向に対し略４５度
傾けて溝を形成し、その溝に基しいて素子を分離する化
合物半導体の切断方法であるから後工程の作業性もよく
、また発光効率も良好である。
【図面の簡単な説明】
第１図は半導体ウェハの平面図、第２図は従来のウェハ
切断分離時のウェハ要部平面図、第６図は本発明実施例
の半導体ウェハの要部側面図であるＯ ＋４）−・・シート、（５）−Ｐｎ　接合、＋ｉ＋＋６
）−・ウェハ、（７）＋７１　、、、・・・溝。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １）化合物半導体ウェハの（２）面にＰｎ接合を形成し
    、結晶の完全へき開方向に対し略４５度傾けて溝を形成
    し、その溝に基づいて素子を分離する事を特徴とする化
    合物半導体の切断方法。
JP58028027A 1983-02-21 1983-02-21 化合物半導体の切断方法 Granted JPS59152638A (ja)

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62105446A (ja) * 1985-10-31 1987-05-15 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
US4914815A (en) * 1988-02-23 1990-04-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing hybrid integrated circuits
US6829418B2 (en) 2000-09-20 2004-12-07 The Furukawa Electric Co., Ltd. Optical waveguide circuit device
JP2005033196A (ja) * 2003-06-19 2005-02-03 Showa Denko Kk 半導体ウエーハのダイシング方法および発光ダイオードチップ
JP2005167190A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd 半導体ウェハのダイシング方法
JP2008028139A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Ricoh Co Ltd 半導体チップの製造方法、面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置
JP2008235521A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Sanyo Electric Co Ltd 半導体基板の割断方法及び太陽電池の割断方法並びに太陽電池
JP2014238327A (ja) * 2013-06-07 2014-12-18 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ 半導体ウェハをダイシングしてなる放射線検出器及びそのダイシング方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4940671A (ja) * 1972-08-24 1974-04-16

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4940671A (ja) * 1972-08-24 1974-04-16

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62105446A (ja) * 1985-10-31 1987-05-15 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
US4914815A (en) * 1988-02-23 1990-04-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing hybrid integrated circuits
US6829418B2 (en) 2000-09-20 2004-12-07 The Furukawa Electric Co., Ltd. Optical waveguide circuit device
JP2005033196A (ja) * 2003-06-19 2005-02-03 Showa Denko Kk 半導体ウエーハのダイシング方法および発光ダイオードチップ
JP2005167190A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd 半導体ウェハのダイシング方法
JP2008028139A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Ricoh Co Ltd 半導体チップの製造方法、面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置
JP2008235521A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Sanyo Electric Co Ltd 半導体基板の割断方法及び太陽電池の割断方法並びに太陽電池
US8389320B2 (en) 2007-03-20 2013-03-05 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for fracturing semiconductor substrate, method for fracturing solar cell, and the solar cell
US8513047B2 (en) 2007-03-20 2013-08-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for fracturing semiconductor substrate, method for fracturing solar cell, and the solar cell
JP2014238327A (ja) * 2013-06-07 2014-12-18 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ 半導体ウェハをダイシングしてなる放射線検出器及びそのダイシング方法

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JPH0342508B2 (ja) 1991-06-27

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