JPS6164176A - 発光ダイオ−ドの分割方法 - Google Patents
発光ダイオ−ドの分割方法Info
- Publication number
- JPS6164176A JPS6164176A JP59186013A JP18601384A JPS6164176A JP S6164176 A JPS6164176 A JP S6164176A JP 59186013 A JP59186013 A JP 59186013A JP 18601384 A JP18601384 A JP 18601384A JP S6164176 A JPS6164176 A JP S6164176A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- division
- dividing
- emitting diode
- light
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は１端面を光放出面とする発光ダイオードの製造
方法に関する。
方法に関する。
（口）従来の技術
従来投光用等の発光ダイオードは特開昭５７−１２２５
８５号公報等に示されているが、これは第４図に示すよ
うに主面（又は底面）に略平行な全面のＰＮ接合｛１）
を有しているが、特定の１端面（２）を光放出面として
いる。このような発光ダイオードにおいて光強度分布は
、ＰＮ接合（１）を含む面にピークを有し、主面又は底
面側に向って単調に減少する分布特性が要求されるが、
そのためにはこの１端面１２）は鏡面でかつ平坦である
必要がある。これはこの端面が粗面であれば乱反射によ
って光強度分布が歪になり，また、例えば底部が欠けて
平坦度が失われると光強度分布に２次ピークが発生する
からである、 ところがウェハから素子を分割する揚台、スクライブ法
とダイシング法があるが、後者は切断面が粗面となるの
で前者によりへき関する。そしてへき開面は鏡面となり
やすいとはいうものの，発光ダイオードの素材であるＧ
ａＡｓやＧａＡＳＰは結晶が脆いので、欠けが発生しや
すく、ウェハからの分割歩留は５０９６以下であった。
８５号公報等に示されているが、これは第４図に示すよ
うに主面（又は底面）に略平行な全面のＰＮ接合｛１）
を有しているが、特定の１端面（２）を光放出面として
いる。このような発光ダイオードにおいて光強度分布は
、ＰＮ接合（１）を含む面にピークを有し、主面又は底
面側に向って単調に減少する分布特性が要求されるが、
そのためにはこの１端面１２）は鏡面でかつ平坦である
必要がある。これはこの端面が粗面であれば乱反射によ
って光強度分布が歪になり，また、例えば底部が欠けて
平坦度が失われると光強度分布に２次ピークが発生する
からである、 ところがウェハから素子を分割する揚台、スクライブ法
とダイシング法があるが、後者は切断面が粗面となるの
で前者によりへき関する。そしてへき開面は鏡面となり
やすいとはいうものの，発光ダイオードの素材であるＧ
ａＡｓやＧａＡＳＰは結晶が脆いので、欠けが発生しや
すく、ウェハからの分割歩留は５０９６以下であった。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
本発明は上記欠点を改めろためになされたものであり、
分割される素子の大きさが大きい程欠けや割れが発生し
にくい事が判明したのでこの点に着目してなされたもの
で、分割歩留りのよい発光ダイオードの分割方法を提供
するものである。
分割される素子の大きさが大きい程欠けや割れが発生し
にくい事が判明したのでこの点に着目してなされたもの
で、分割歩留りのよい発光ダイオードの分割方法を提供
するものである。
に）問題点？解決するための手段
本発明は光放出面を得るためのスクライブ法を先に行い
、他の面はその工程後に分割処理するもので、さらに好
ましくは後の分割をダイシング法にて行うものである。
、他の面はその工程後に分割処理するもので、さらに好
ましくは後の分割をダイシング法にて行うものである。
（ホ）作 用
このように行うことで、光放出面の鏡面性と平坦度を確
実に得ることができる。
実に得ることができる。
（へ）実施例
第１図乃至第３図は本発明実施例の発光ダイオードの分
割方法を説明するための工程図である。
割方法を説明するための工程図である。
本発明の説明において、斯る発光ダイオード（第４囚参
照）は、光放出面となる１端而（２ンを特徴づけるため
、主面の電極（３）は中心（Ｓ）より１端面（２）側に
偏位しているので、ウェハの分割において電極の極めて
近傍を分割するのが光放出面を得るための分割となる。
照）は、光放出面となる１端而（２ンを特徴づけるため
、主面の電極（３）は中心（Ｓ）より１端面（２）側に
偏位しているので、ウェハの分割において電極の極めて
近傍を分割するのが光放出面を得るための分割となる。
まず第１図（ａ）（ｂ）において、ＰＮ接合Ｃ１１ｌ、
電極α４α、’１ａ３１・・・の形成が終ったウェハ（
１０）に対し、このウェハ（１１を薄膜シート任りに貼
着して、光放出面を得る゛ ためのスクライブ溝ａ６１
ａ６１・・・を設ける。この場合、図では光放出面が同
一方向に整列しであるのでスクライブ溝０６）Ｃ１６１
・・・は発光ダイオードの大きさと等しいピッチである
が、より好ましくは１つおきに逆方向として列毎に光放
出面が対向するように配置すれば、発光ダイオードの大
きさの２倍のピッチとすることができる。またスクライ
ブ針（通常ダイヤモンドポイント）面はウェハα１の切
りはじめの所で跳ねることがあり、この場合端部１０同
程度はスクライブ溝（１６１ｕ６１・・・が直線状にな
らないで破線上になる。この場合にはスクライブ針（１
７１の運針速度を変化させればよＡ０具体的には初速２
０ｍ／秒で運針させ、ウェハの端部にかかり、その後０
．５秒程度経過した後１１０１１８７秒で運針させれば
スクライブ！ｔ１６１ｃｌｆ；ｌ・・・を直線状にでき
るっさらに、ウェハ（１１がエピタキシャル等の条件で
表面が波打つ場合があり、この場合もスクライブ溝ｑ６
１ｔＩｅ・・−が均一な深さにならず、時として破線状
になるつこれを防ぐには第１図（ｂｌに示すように底面
にクツシ四ン材（１８１を敷いて運針させればよい。ク
ツシ言ン材酩としては、ウヱノ−αｌの厚みが５００μ
ｍ前後の時、厚さ５ｆｆ、反撥弾性６７％程度のスポン
ジなどが利用できる。
電極α４α、’１ａ３１・・・の形成が終ったウェハ（
１０）に対し、このウェハ（１１を薄膜シート任りに貼
着して、光放出面を得る゛ ためのスクライブ溝ａ６１
ａ６１・・・を設ける。この場合、図では光放出面が同
一方向に整列しであるのでスクライブ溝０６）Ｃ１６１
・・・は発光ダイオードの大きさと等しいピッチである
が、より好ましくは１つおきに逆方向として列毎に光放
出面が対向するように配置すれば、発光ダイオードの大
きさの２倍のピッチとすることができる。またスクライ
ブ針（通常ダイヤモンドポイント）面はウェハα１の切
りはじめの所で跳ねることがあり、この場合端部１０同
程度はスクライブ溝（１６１ｕ６１・・・が直線状にな
らないで破線上になる。この場合にはスクライブ針（１
７１の運針速度を変化させればよＡ０具体的には初速２
０ｍ／秒で運針させ、ウェハの端部にかかり、その後０
．５秒程度経過した後１１０１１８７秒で運針させれば
スクライブ！ｔ１６１ｃｌｆ；ｌ・・・を直線状にでき
るっさらに、ウェハ（１１がエピタキシャル等の条件で
表面が波打つ場合があり、この場合もスクライブ溝ｑ６
１ｔＩｅ・・−が均一な深さにならず、時として破線状
になるつこれを防ぐには第１図（ｂｌに示すように底面
にクツシ四ン材（１８１を敷いて運針させればよい。ク
ツシ言ン材酩としては、ウヱノ−αｌの厚みが５００μ
ｍ前後の時、厚さ５ｆｆ、反撥弾性６７％程度のスポン
ジなどが利用できる。
スクライブ溝（Ｉ呵ｅ・・・の形成が終ったウエノ１（
ＩＧは第２図に示すようにローラ（１１で加圧して分割
する。
ＩＧは第２図に示すようにローラ（１１で加圧して分割
する。
分割された面は短冊状で＠面であり、欠けや割れはほと
んど発生しない。
んど発生しない。
次に、発光ダイオードを略さいころ状にするため残りの
分割をするが、これは第６図（ａｌ（ｂ）に示すように
、ダイシング法により、充分な深さの切溝（２０１（２
１・・・を設けるか又は切断してしまう。これは、一方
向に即に分割されているので北方向へはスクライブ針が
桃ねやすいとか、へき開をさせるとき、略さいころ状の
角部分が欠けやすいので光放出面へも影響がでやすい等
の理由により、スクライブ法よりダイシング法の方が好
ましい。
分割をするが、これは第６図（ａｌ（ｂ）に示すように
、ダイシング法により、充分な深さの切溝（２０１（２
１・・・を設けるか又は切断してしまう。これは、一方
向に即に分割されているので北方向へはスクライブ針が
桃ねやすいとか、へき開をさせるとき、略さいころ状の
角部分が欠けやすいので光放出面へも影響がでやすい等
の理由により、スクライブ法よりダイシング法の方が好
ましい。
（ト）発明の効果
上述の如く、まず光放出面を得るため、１分割体が大き
くなるようにスクライブすることにより、光放出面とな
る１端面が良好な発光ダイオードは分割歩留り７９〜８
４％に向上できた。
くなるようにスクライブすることにより、光放出面とな
る１端面が良好な発光ダイオードは分割歩留り７９〜８
４％に向上できた。
第１図乃至第３図は本発明実施例の発光り°イオードの
分割方法を説明するための工程図、第４図は本発明が対
象としている発光ダイオードの斜視図である。
分割方法を説明するための工程図、第４図は本発明が対
象としている発光ダイオードの斜視図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）１端面を光放出面とする発光ダイオードをウェハか
ら切出すにあたり、光放出面を得るためのスクライブを
光放出面とならない面の切出処理より先に行う事を特徴
とする発光ダイオードの分割方法。 ２）前記光放出面とならない面の切出処理はダイシング
法である事を特徴とする前記特許請求の範囲第１項記載
の発光ダイオードの分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186013A JPS6164176A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 発光ダイオ−ドの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186013A JPS6164176A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 発光ダイオ−ドの分割方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6164176A true JPS6164176A (ja) | 1986-04-02 |
Family
ID=16180851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59186013A Pending JPS6164176A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 発光ダイオ−ドの分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6164176A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5053836A (en) * | 1989-11-21 | 1991-10-01 | Eastman Kodak Company | Cleaving of diode arrays with scribing channels |
| US5300806A (en) * | 1989-11-21 | 1994-04-05 | Eastman Kodak Company | Separation of diode array chips during fabrication thereof |
| EP0617490A2 (en) * | 1993-03-22 | 1994-09-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wafer containing semiconductor laser devices and method of cleaving said wafer |
| SG160200A1 (en) * | 2002-06-14 | 2010-04-29 | Micron Technology Inc | Wafer level packaging |
| US7820484B2 (en) | 2002-06-14 | 2010-10-26 | Micron Technology, Inc | Wafer level packaging |
| US10453704B2 (en) | 2003-05-06 | 2019-10-22 | Micron Technology, Inc. | Method for packaging circuits |
-
1984
- 1984-09-05 JP JP59186013A patent/JPS6164176A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5053836A (en) * | 1989-11-21 | 1991-10-01 | Eastman Kodak Company | Cleaving of diode arrays with scribing channels |
| US5300806A (en) * | 1989-11-21 | 1994-04-05 | Eastman Kodak Company | Separation of diode array chips during fabrication thereof |
| EP0617490A2 (en) * | 1993-03-22 | 1994-09-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wafer containing semiconductor laser devices and method of cleaving said wafer |
| EP0617490A3 (en) * | 1993-03-22 | 1994-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | Plate containing semiconductor lasers and method of cleavage of such a plate. |
| US5418799A (en) * | 1993-03-22 | 1995-05-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element structure |
| SG160200A1 (en) * | 2002-06-14 | 2010-04-29 | Micron Technology Inc | Wafer level packaging |
| US7820484B2 (en) | 2002-06-14 | 2010-10-26 | Micron Technology, Inc | Wafer level packaging |
| US10453704B2 (en) | 2003-05-06 | 2019-10-22 | Micron Technology, Inc. | Method for packaging circuits |
| US10811278B2 (en) | 2003-05-06 | 2020-10-20 | Micron Technology, Inc. | Method for packaging circuits |
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