JPS6164177A - 発光ダイオ−ドの分割方法 - Google Patents
発光ダイオ−ドの分割方法Info
- Publication number
- JPS6164177A JPS6164177A JP59186882A JP18688284A JPS6164177A JP S6164177 A JPS6164177 A JP S6164177A JP 59186882 A JP59186882 A JP 59186882A JP 18688284 A JP18688284 A JP 18688284A JP S6164177 A JPS6164177 A JP S6164177A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scribing
- light
- electrode
- roller
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は分割端面の良好な発光ダイオードの分割方決に
関する。
関する。
（ロ）従来の技術
従来、第２図にも示しているが特開昭５７−１２２５８
５号公報に示されるようＫ、特定の端面−全光放出面と
する発光ダイオードや、第３図忙示すように端面近傍に
拡散による発光ｆｆＩＭ、（ハ）（至）・・・を設けた
発光ダイオードでは、端面が良好である必要がある。
５号公報に示されるようＫ、特定の端面−全光放出面と
する発光ダイオードや、第３図忙示すように端面近傍に
拡散による発光ｆｆＩＭ、（ハ）（至）・・・を設けた
発光ダイオードでは、端面が良好である必要がある。
ここ（て端面の良好さという意味は、目視上鏡面であっ
て、光学的、物性的に歪のない状態をいう。
て、光学的、物性的に歪のない状態をいう。
例えば第２１２！、ｌの発光ダイオードの場合、ＰＮ接
合αりを含む面内に最大光強度を有し、素子の上面およ
び底面忙向って単調に減少する光取出強度分布を持つも
ので、このためＫｄ特に結晶のわれや欠けを生じてはな
らない。また第３図の発光ダイオードの場合、選択的に
設けられたＰＮ＠合（発光領域〕の近傍に応力が加わっ
て部分的に輝度低下を生じたり、発光領域（イ）（至）
・・・から素子嬬面暖に光洩れを生じたりしないように
するものである。
合αりを含む面内に最大光強度を有し、素子の上面およ
び底面忙向って単調に減少する光取出強度分布を持つも
ので、このためＫｄ特に結晶のわれや欠けを生じてはな
らない。また第３図の発光ダイオードの場合、選択的に
設けられたＰＮ＠合（発光領域〕の近傍に応力が加わっ
て部分的に輝度低下を生じたり、発光領域（イ）（至）
・・・から素子嬬面暖に光洩れを生じたりしないように
するものである。
このような端面を得る方法としてはスクライブ法があり
、針先で溝（引掻傷）をつけたあと実開＋１Ｈ５３−１
５３８５９号公報の如くローラで加圧する。とζろが、
発光ダイオードは脆いので、垂直に割れないで、ひび割
れたり欠けたりする事が多く、特にエピタキシ〒ｌｖ成
長層が２０μｍ以上と厚くなると、エピタキシャル成長
層はきれいに割れるが基板がきれいに割れない事が多い
。
、針先で溝（引掻傷）をつけたあと実開＋１Ｈ５３−１
５３８５９号公報の如くローラで加圧する。とζろが、
発光ダイオードは脆いので、垂直に割れないで、ひび割
れたり欠けたりする事が多く、特にエピタキシ〒ｌｖ成
長層が２０μｍ以上と厚くなると、エピタキシャル成長
層はきれいに割れるが基板がきれいに割れない事が多い
。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
本発明は上述の点を改めるためになされたものであり、
ウェハのスクライブ位置に於てウニへ面に対し垂直な力
が加わる程端面は良好となる事と、端面の良好さを求め
られる発光ダイオードｔｉ電極位置か偏在している亭に
着目してなされたもので、歩留りのよい発光ダイオード
の分割方法ｔ−堤供するものである。
ウェハのスクライブ位置に於てウニへ面に対し垂直な力
が加わる程端面は良好となる事と、端面の良好さを求め
られる発光ダイオードｔｉ電極位置か偏在している亭に
着目してなされたもので、歩留りのよい発光ダイオード
の分割方法ｔ−堤供するものである。
に）問題点を解決するための手段
零発町はスクライブ位置を電極等の凸部の中央でなくＴ
１極側に偏位させ、電極側からスクライブ位置そしてそ
の反対側へと加圧ローラを進めるものである。
１極側に偏位させ、電極側からスクライブ位置そしてそ
の反対側へと加圧ローラを進めるものである。
（ホ）作用
これＫよって加圧ローラは進向方向、加圧方向の合成ベ
ントに、凸部から落下する加速度を加えてスクライブ位
置に力が加わるので、力の垂直成分が大きく、良好な端
面が得られる。
ントに、凸部から落下する加速度を加えてスクライブ位
置に力が加わるので、力の垂直成分が大きく、良好な端
面が得られる。
（へ）実施例
ｇＩ；１図は木発Ｆ！４実施例の発光ダイオードの分割
方法の説明図である。ウェハ（１）はＧａＡｓＰ（又は
ＧａＡａ ）からなり、選択拡散によりＰＮ接合１２１
ｔ２１・・・が設けである。そしてＰＮＮ接合２＋ （
２＋・・・忙対し一方向に絶縁被膜＋３１＋３１・・・
を介して電極＋４１ ＋４１・・を設け、発光部＋５１
＋６１・・・忙対しオーミックをとっである。そして発
光部＋５１ｉｎ＋・・・と電極＋４１ （４１・・・と
の中間・電極＋４１ ＋４１・・・寄り忙スクライブ溝
ｔ６０６１・・・を設けである。
方法の説明図である。ウェハ（１）はＧａＡｓＰ（又は
ＧａＡａ ）からなり、選択拡散によりＰＮ接合１２１
ｔ２１・・・が設けである。そしてＰＮＮ接合２＋ （
２＋・・・忙対し一方向に絶縁被膜＋３１＋３１・・・
を介して電極＋４１ ＋４１・・を設け、発光部＋５１
＋６１・・・忙対しオーミックをとっである。そして発
光部＋５１ｉｎ＋・・・と電極＋４１ （４１・・・と
の中間・電極＋４１ ＋４１・・・寄り忙スクライブ溝
ｔ６０６１・・・を設けである。
このウェハ（１）をローラ台（）ｌＫ！置し、スライダ
溝＋６１＋６１・・・の方向と略平行にローラ（８）を
セットする。
溝＋６１＋６１・・・の方向と略平行にローラ（８）を
セットする。
そして電極（４１＋４１・・・側→スクライブ位置→発
光部（６）（６）・・・側にローラ（８）を加圧移動さ
せてスクライブ位置で分割する。この場合、ＰＮ接合の
深さは約５μｍ、電極と絶縁被膜とを合わせた凸部の厚
みは約１〜２μｍで、ローラは直径２５ｍｍのものを１
１０ｍｍ／秒で動かしたが、良好な端面をもつ発光ダイ
オードはウェハ中−の約８１％得られた。
光部（６）（６）・・・側にローラ（８）を加圧移動さ
せてスクライブ位置で分割する。この場合、ＰＮ接合の
深さは約５μｍ、電極と絶縁被膜とを合わせた凸部の厚
みは約１〜２μｍで、ローラは直径２５ｍｍのものを１
１０ｍｍ／秒で動かしたが、良好な端面をもつ発光ダイ
オードはウェハ中−の約８１％得られた。
尚この例＃ｉ第３図に示した型の発光ダイオードの場合
であったが、第２図の場合、ＰＮ接合０匈は主面（又Ｆ
ｉ基底面Ｋ略平行な全面にわたって設けであるものの、
光放出用の端面ＯＩを特定しているため、電極（Ｉ４）
は中心（Ｓ）より端面α呻剣に偏位しである。従って素
子分割においてはローラが電極上からスクライブ位置に
落下するように移動させる事で、従来５８９６程度だっ
た歩留りが約８３９６に向上した。
であったが、第２図の場合、ＰＮ接合０匈は主面（又Ｆ
ｉ基底面Ｋ略平行な全面にわたって設けであるものの、
光放出用の端面ＯＩを特定しているため、電極（Ｉ４）
は中心（Ｓ）より端面α呻剣に偏位しである。従って素
子分割においてはローラが電極上からスクライブ位置に
落下するように移動させる事で、従来５８９６程度だっ
た歩留りが約８３９６に向上した。
（ト）発明の効果
以上の如くクエへを分割する事で、良好な端面を要求さ
れる発光ダイオードが歩留りよく得られる。
れる発光ダイオードが歩留りよく得られる。
第１図は本発Ｆ！４実施例の発光ダイオードの分割方法
の説明図、＠２図と第３図は本発明忙適用される発光ダ
イオードの斜視図と平面図である。 ｉｌｌ、、、ウェハ、＋２１ ＋２１ 、、、αか・・
ＰＮ接合、＋３１ ＋３１−１．・・・絶縁被膜、＋４
１（１，、、（ｎｌ伐４（２４１，、−・・・１ｆｆｉ
、＋６１（６１、、、−ス９ ライブ溝、＋８１ 、、
、ローラ。
の説明図、＠２図と第３図は本発明忙適用される発光ダ
イオードの斜視図と平面図である。 ｉｌｌ、、、ウェハ、＋２１ ＋２１ 、、、αか・・
ＰＮ接合、＋３１ ＋３１−１．・・・絶縁被膜、＋４
１（１，、、（ｎｌ伐４（２４１，、−・・・１ｆｆｉ
、＋６１（６１、、、−ス９ ライブ溝、＋８１ 、、
、ローラ。
Claims (1)
- （１）主面のスクライブ位置の片側近傍に凸部を有する
化合物半導体のウェハに対し、前記凸部のある側からス
クライブ位置を経て他方の側に向って順次加圧していく
事を特徴とする発光ダイオードの分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186882A JPS6164177A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 発光ダイオ−ドの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186882A JPS6164177A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 発光ダイオ−ドの分割方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6164177A true JPS6164177A (ja) | 1986-04-02 |
Family
ID=16196329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59186882A Pending JPS6164177A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 発光ダイオ−ドの分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6164177A (ja) |
-
1984
- 1984-09-06 JP JP59186882A patent/JPS6164177A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3230572B2 (ja) | 窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び半導体発光素子 | |
| US7008861B2 (en) | Semiconductor substrate assemblies and methods for preparing and dicing the same | |
| US4080245A (en) | Process for manufacturing a gallium phosphide electroluminescent device | |
| JP3904585B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| KR20080106377A (ko) | 반도체 발광소자의 제조방법 | |
| JPH1044139A (ja) | 基板分割方法およびその基板分割を用いた発光素子製 造方法 | |
| JP2008198845A (ja) | 化合物半導体素子の製造方法および化合物半導体素子 | |
| JP3395620B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| US4997793A (en) | Method of improving cleaving of diode arrays | |
| JPH10214997A (ja) | ウエハーの分割方法 | |
| JPH07142763A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法 | |
| JPS6164177A (ja) | 発光ダイオ−ドの分割方法 | |
| JPH0279480A (ja) | Ｌｅｄチツプ装置の分断方法 | |
| JPS60144985A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JPS6164176A (ja) | 発光ダイオ−ドの分割方法 | |
| TWI381558B (zh) | Method of laser emitting peeling of light emitting diodes | |
| JP2002111049A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| US20210327710A1 (en) | Gallium nitride semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JPS5630777A (en) | Manufacture of light emitting diode chip | |
| US20240186298A1 (en) | Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods | |
| JPH01195068A (ja) | 光プリントヘッド | |
| JPH06310755A (ja) | Ｌｅｄアレイチップおよびその製造方法 | |
| JPS62207Y2 (ja) | ||
| JPH04116162U (ja) | 発光ダイオード | |
| GB2172141A (en) | Single heterostructure laser chip manufacture |