JP3395620B2 - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、青色発光ダイオー
ド、青色レーザダイオード等の発光素子に用いられる、
サファイヤを基板とする半導体発光素子及びその製造方
法に関し、特にサファイヤ基板上に積層された窒化物半
導体層を有する半導体ウエハーを分割して個々の半導体
発光素子を得る製造方法と、該方法により製造された半
導体発光素子に関する。
ド、青色レーザダイオード等の発光素子に用いられる、
サファイヤを基板とする半導体発光素子及びその製造方
法に関し、特にサファイヤ基板上に積層された窒化物半
導体層を有する半導体ウエハーを分割して個々の半導体
発光素子を得る製造方法と、該方法により製造された半
導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体発光素子の製造方法（半導
体ウエハーの分割方法）としては、図４に示すような方
法が知られている。ここで、例えば、半導体ウエハー１
は、基板２と基板２上に積層された窒化物半導体層３か
らなり、基板２は通常３００〜５００μｍの厚さを有
し、窒化物半導体層３は数〜十数μｍの厚さを有する
（図４（ａ））。従来の製造方法においては、まず基板
２は、研磨器を用いて研磨することにより１００〜２５
０μｍの厚さに調整される。次に研磨された基板２を有
する半導体ウエハー１の窒化物半導体層３側にダイサー
により、窒化物半導体層３から基板２の方向に基板２に
達する分割溝４が形成され、島状窒化物半導体層８が形
成される（図４（ｂ））。そしてスクライバーの刃先が
分割溝４に入れられ、スクライバーの往復直線運動によ
り分割溝４の底面にスクライブライン９が形成される
（図４（ｃ））。スクライブライン９が形成された半導
体ウエハー１にローラ等により外力を加えることによ
り、半導体ウエハー１が分割され、半導体発光素子７が
製造される（図４（ｄ））。
体ウエハーの分割方法）としては、図４に示すような方
法が知られている。ここで、例えば、半導体ウエハー１
は、基板２と基板２上に積層された窒化物半導体層３か
らなり、基板２は通常３００〜５００μｍの厚さを有
し、窒化物半導体層３は数〜十数μｍの厚さを有する
（図４（ａ））。従来の製造方法においては、まず基板
２は、研磨器を用いて研磨することにより１００〜２５
０μｍの厚さに調整される。次に研磨された基板２を有
する半導体ウエハー１の窒化物半導体層３側にダイサー
により、窒化物半導体層３から基板２の方向に基板２に
達する分割溝４が形成され、島状窒化物半導体層８が形
成される（図４（ｂ））。そしてスクライバーの刃先が
分割溝４に入れられ、スクライバーの往復直線運動によ
り分割溝４の底面にスクライブライン９が形成される
（図４（ｃ））。スクライブライン９が形成された半導
体ウエハー１にローラ等により外力を加えることによ
り、半導体ウエハー１が分割され、半導体発光素子７が
製造される（図４（ｄ））。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ダイサ
ーにより形成された分割溝４にスクライブライン９を形
成するためには、スクライバーの刃先が分割溝４の底面
に接触しなくてはならず、そのためにはスクライバーの
刃先が十分分割溝４の中に入るようにスクライバーの刃
巾より分割溝４の巾を広くする必要がある。そのため
に、分割溝４の幅が広くなる分、半導体ウエハー１から
製造できる半導体チップの数が減るという問題があっ
た。また、研磨により基板２の厚さにバラツキが生じた
場合、スクライブライン９と基板２の下面との距離が場
所により一定でなくなるため、外力を受けた時、半導体
ウエハー１の分割される断面にクラックを生じ易くなる
ため、分割して得られる半導体発光素子の幅にバラツキ
を生じ、所望の形状や大きさに分割できないという問題
もあった。
ーにより形成された分割溝４にスクライブライン９を形
成するためには、スクライバーの刃先が分割溝４の底面
に接触しなくてはならず、そのためにはスクライバーの
刃先が十分分割溝４の中に入るようにスクライバーの刃
巾より分割溝４の巾を広くする必要がある。そのため
に、分割溝４の幅が広くなる分、半導体ウエハー１から
製造できる半導体チップの数が減るという問題があっ
た。また、研磨により基板２の厚さにバラツキが生じた
場合、スクライブライン９と基板２の下面との距離が場
所により一定でなくなるため、外力を受けた時、半導体
ウエハー１の分割される断面にクラックを生じ易くなる
ため、分割して得られる半導体発光素子の幅にバラツキ
を生じ、所望の形状や大きさに分割できないという問題
もあった。
【０００４】したがって、本発明は基板上に窒化物半導
体層を有する半導体ウエハーを分割し半導体発光素子を
製造するに際し、歩留まり良く、容易に所望の形状及び
大きさに分割できる半導体発光素子の製造方法と該方法
により製造された半導体発光素子を提供することを目的
とした。
体層を有する半導体ウエハーを分割し半導体発光素子を
製造するに際し、歩留まり良く、容易に所望の形状及び
大きさに分割できる半導体発光素子の製造方法と該方法
により製造された半導体発光素子を提供することを目的
とした。
【０００５】上記の課題を解決するため、本発明の半導
体発光素子の製造方法は、基板上にｎ型窒化物半導体層
とｐ型窒化物半導体層を備えた半導体ウエハーを分割し
て半導体発光素子を製造する方法であって、上記基板の
半導体層面側から上記基板方向に基板に達する第１の分
割溝を形成する工程と、上記第１の分割溝に平行な第２
の分割溝を上記基板の下面側から半導体層方向に、かつ
上記第１の分割溝の底面の一部が上記第２の分割溝の底
面の一部と対向するように上記第１の分割溝からずらし
て形成し、上記第１と第２の分割溝で挟まれ上記第１と
第２の分割溝の底面の幅より幅狭の薄肉部を基板に形成
する工程と、上記薄肉部において分割する工程とを含む
ことを特徴とする。基板の半導体層面側から基板方向に
基板に達する第１の分割溝と、第１の分割溝の底面に一
部が対向する底面を有しかつ第１の分割溝に平行な第２
の分割溝を上記基板の下面側から半導体層方向に形成す
ることで、基板の厚さが比較的厚くても上記薄肉部にお
いて半導体ウエハーを容易に分割することができる。
体発光素子の製造方法は、基板上にｎ型窒化物半導体層
とｐ型窒化物半導体層を備えた半導体ウエハーを分割し
て半導体発光素子を製造する方法であって、上記基板の
半導体層面側から上記基板方向に基板に達する第１の分
割溝を形成する工程と、上記第１の分割溝に平行な第２
の分割溝を上記基板の下面側から半導体層方向に、かつ
上記第１の分割溝の底面の一部が上記第２の分割溝の底
面の一部と対向するように上記第１の分割溝からずらし
て形成し、上記第１と第２の分割溝で挟まれ上記第１と
第２の分割溝の底面の幅より幅狭の薄肉部を基板に形成
する工程と、上記薄肉部において分割する工程とを含む
ことを特徴とする。基板の半導体層面側から基板方向に
基板に達する第１の分割溝と、第１の分割溝の底面に一
部が対向する底面を有しかつ第１の分割溝に平行な第２
の分割溝を上記基板の下面側から半導体層方向に形成す
ることで、基板の厚さが比較的厚くても上記薄肉部にお
いて半導体ウエハーを容易に分割することができる。
【０００６】 また、上記製造方法では、第１の分割溝
の底面の一部を第２の分割溝の底面に対向させるように
第１と第２の分割溝をずらして形成する。第１の分割溝
の底面の一部を第２の分割溝の底面に対向させ、該対向
している比較的狭い範囲で割ることができるので、分割
して得られる個々の半導体発光素子の幅のバラツキが少
ない所定の幅の半導体発光素子が製造され、製造できる
半導体発光素子の数を多くすることができる。
の底面の一部を第２の分割溝の底面に対向させるように
第１と第２の分割溝をずらして形成する。第１の分割溝
の底面の一部を第２の分割溝の底面に対向させ、該対向
している比較的狭い範囲で割ることができるので、分割
して得られる個々の半導体発光素子の幅のバラツキが少
ない所定の幅の半導体発光素子が製造され、製造できる
半導体発光素子の数を多くすることができる。
【０００７】また、上記製造方法では、第１の分割溝を
形成する工程において、第１の分割溝を形成する部分の
窒化物半導体層を除去して基板面を露出させ、露出させ
た基板面に第１の分割溝を形成させることが好ましい。
第１の分割溝が、あらかじめ窒化物半導体層が除去され
た基板面に形成されることで、第１の分割溝形成におい
て半導体層への損傷がなく、半導体発光素子の信頼性を
向上させることが可能となる。
形成する工程において、第１の分割溝を形成する部分の
窒化物半導体層を除去して基板面を露出させ、露出させ
た基板面に第１の分割溝を形成させることが好ましい。
第１の分割溝が、あらかじめ窒化物半導体層が除去され
た基板面に形成されることで、第１の分割溝形成におい
て半導体層への損傷がなく、半導体発光素子の信頼性を
向上させることが可能となる。
【０００８】また、上記製造方法では、第２の分割溝の
巾を、第１の分割溝の巾より広くするように形成しても
よい。第２の分割溝の巾を、第１の分割溝の巾より広く
することで、第２の分割溝の形成精度の許容範囲を大き
くとることができ、加工に要する時間を短縮することが
可能となる。
巾を、第１の分割溝の巾より広くするように形成しても
よい。第２の分割溝の巾を、第１の分割溝の巾より広く
することで、第２の分割溝の形成精度の許容範囲を大き
くとることができ、加工に要する時間を短縮することが
可能となる。
【０００９】また、上記製造方法では、第１と第２の分
割溝の両方又はいずれか一つが、レーザ加工により形成
するようにしても良い。溝をレーザ加工で形成すること
で、基板と非接触で加工できるため、刃先の消耗等によ
る加工精度のバラツキや刃先の交換によるコスト高を低
減でき、また溝巾を狭くできるため半導体ウエハーから
分割できる半導体発光素子の数を増加させることができ
る。
割溝の両方又はいずれか一つが、レーザ加工により形成
するようにしても良い。溝をレーザ加工で形成すること
で、基板と非接触で加工できるため、刃先の消耗等によ
る加工精度のバラツキや刃先の交換によるコスト高を低
減でき、また溝巾を狭くできるため半導体ウエハーから
分割できる半導体発光素子の数を増加させることができ
る。
【００１０】また、上記製造方法では、第１と第２の分
割溝で挟まれたサファイヤ層の薄肉部の厚みが３０μｍ
以上１００μｍ以下であることが好ましい。第１と第２
の分割溝で挟まれたサファイヤ層の薄肉部の厚みを３０
μｍ以上１００μｍ以下の所定の値とすることにより、
サファイヤ基板の厚さに左右されずに、容易に半導体ウ
エハーを分割することができる。
割溝で挟まれたサファイヤ層の薄肉部の厚みが３０μｍ
以上１００μｍ以下であることが好ましい。第１と第２
の分割溝で挟まれたサファイヤ層の薄肉部の厚みを３０
μｍ以上１００μｍ以下の所定の値とすることにより、
サファイヤ基板の厚さに左右されずに、容易に半導体ウ
エハーを分割することができる。
【００１１】また、本発明にかかる半導体発光素子は、
基板上にｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層を備
えた半導体ウエハを分割してなる半導体発光素子であっ
て、基板の半導体層面側から基板方向に基板に達する第
１の分割溝と、上記第１の分割溝に平行に上記基板の下
面側から半導体層方向に、かつ上記第１の分割溝の底面
の一部が上記第２の分割溝の底面の一部と対向するよう
に上記第１の分割溝からずらして形成された第２の分割
溝と、上記第１と第２の分割溝で挟まれ上記第１と第２
の分割溝の底面の幅よりも幅狭の薄肉部を有する半導体
ウエハーを、上記薄肉部において分割して得られること
を特徴とする。
基板上にｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層を備
えた半導体ウエハを分割してなる半導体発光素子であっ
て、基板の半導体層面側から基板方向に基板に達する第
１の分割溝と、上記第１の分割溝に平行に上記基板の下
面側から半導体層方向に、かつ上記第１の分割溝の底面
の一部が上記第２の分割溝の底面の一部と対向するよう
に上記第１の分割溝からずらして形成された第２の分割
溝と、上記第１と第２の分割溝で挟まれ上記第１と第２
の分割溝の底面の幅よりも幅狭の薄肉部を有する半導体
ウエハーを、上記薄肉部において分割して得られること
を特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる実施の形態
について、図面を参照して説明する。 ＜第１の実施形態＞図１は本発明の第１の実施の形態に
おける半導体ウエハー１の分割方法を示した模式図であ
る。半導体ウエハー１は、基板（サファイヤ基板）２と
その基板上に少なくとも窒素とガリウムを含む窒化ガリ
ウム系化合物半導体のｎ型層とｐ型層を積層してなる窒
化物半導体層３からなる（図１（ａ））。ここで、サフ
ァイヤ基板は例えば、２００μｍの厚さに設定され、窒
化物半導体層３は例えば、１０μｍの厚さに形成され
る。本発明の第１の実施の形態の製造方法では、以上の
ように構成された半導体ウエハーにおいて、ダイサーに
より窒化物半導体層面側からサファイヤ基板２方向に基
板２に達する第１の分割溝４を形成し、島状窒化物半導
体層８が形成される（図１（ｂ））。次に、ダイサーに
より、基板２の下面側から島状窒化物半導体層８方向に
分割溝４に平行で、かつ底面の一部が分割溝４の底面と
対向する分割溝５を形成する（図１（ｃ））。ここで、
分割溝４と分割溝５で挟まれたサファイヤ基板２の薄肉
部の厚み６が３０〜１００μｍになるように、ダイサー
により、分割溝５を形成する。そして、基板２の下面側
から半導体ウエハー１を軽くローラで押さえる。これに
よって、図１の（ｄ）において分割溝４と分割溝５の間
の分割線Ｌで示すように半導体ウエハー１を分割でき、
半導体発光素子が製造される（図１（ｅ））。
について、図面を参照して説明する。 ＜第１の実施形態＞図１は本発明の第１の実施の形態に
おける半導体ウエハー１の分割方法を示した模式図であ
る。半導体ウエハー１は、基板（サファイヤ基板）２と
その基板上に少なくとも窒素とガリウムを含む窒化ガリ
ウム系化合物半導体のｎ型層とｐ型層を積層してなる窒
化物半導体層３からなる（図１（ａ））。ここで、サフ
ァイヤ基板は例えば、２００μｍの厚さに設定され、窒
化物半導体層３は例えば、１０μｍの厚さに形成され
る。本発明の第１の実施の形態の製造方法では、以上の
ように構成された半導体ウエハーにおいて、ダイサーに
より窒化物半導体層面側からサファイヤ基板２方向に基
板２に達する第１の分割溝４を形成し、島状窒化物半導
体層８が形成される（図１（ｂ））。次に、ダイサーに
より、基板２の下面側から島状窒化物半導体層８方向に
分割溝４に平行で、かつ底面の一部が分割溝４の底面と
対向する分割溝５を形成する（図１（ｃ））。ここで、
分割溝４と分割溝５で挟まれたサファイヤ基板２の薄肉
部の厚み６が３０〜１００μｍになるように、ダイサー
により、分割溝５を形成する。そして、基板２の下面側
から半導体ウエハー１を軽くローラで押さえる。これに
よって、図１の（ｄ）において分割溝４と分割溝５の間
の分割線Ｌで示すように半導体ウエハー１を分割でき、
半導体発光素子が製造される（図１（ｅ））。
【００１３】以上のように、本第１の実施の形態によれ
ば、第１の分割溝の底面の一部と第２の分割溝の底面が
対向しており、外力により上記の対向している比較的狭
い部分で半導体ウエハー１が分割されるため、分割して
得られる個々の半導体発光素子の幅のバラツキが少ない
所定の幅の半導体発光素子が形成される。そのため半導
体ウエハー１から製造される所定の形状及び大きさの半
導体発光素子の数を増やすことができる。また、基板の
厚さにばらつきがあっても、第１と第２の分割溝で挟ま
れたサファイヤ基板２の薄肉部の厚み６を所定の値に調
整することにより、基板の分割される距離にバラツキを
なくし、かつその距離を短くできるため、半導体ウエハ
ー１を容易に分割でき、製造される所定の形状及び大き
さの半導体発光素子の数を増やすことができる。
ば、第１の分割溝の底面の一部と第２の分割溝の底面が
対向しており、外力により上記の対向している比較的狭
い部分で半導体ウエハー１が分割されるため、分割して
得られる個々の半導体発光素子の幅のバラツキが少ない
所定の幅の半導体発光素子が形成される。そのため半導
体ウエハー１から製造される所定の形状及び大きさの半
導体発光素子の数を増やすことができる。また、基板の
厚さにばらつきがあっても、第１と第２の分割溝で挟ま
れたサファイヤ基板２の薄肉部の厚み６を所定の値に調
整することにより、基板の分割される距離にバラツキを
なくし、かつその距離を短くできるため、半導体ウエハ
ー１を容易に分割でき、製造される所定の形状及び大き
さの半導体発光素子の数を増やすことができる。
【００１４】＜第２の実施の形態＞図２は、本発明の第
２の実施の形態における第１の分割溝と第２の分割溝の
位置関係を示す模式図である。第２の分割溝５の幅を第
１の分割溝４の幅より広くするように形成する点以外
は、第１の実施の形態の製造方法と同様である。第２の
実施の形態の製造方法では、例えば、ダイサーによりま
ず第１の分割溝４を形成し、次に分割溝４を形成するの
に用いたダイサーの刃を刃幅の大きい刃に交換後、第２
の分割溝５を形成することにより、分割溝５の幅を分割
溝４の幅より広くできる。また、上記の方法の代わり
に、レーザを用いて分割溝４を形成後、ダイサーを用い
て分割溝５を形成しても良い。
２の実施の形態における第１の分割溝と第２の分割溝の
位置関係を示す模式図である。第２の分割溝５の幅を第
１の分割溝４の幅より広くするように形成する点以外
は、第１の実施の形態の製造方法と同様である。第２の
実施の形態の製造方法では、例えば、ダイサーによりま
ず第１の分割溝４を形成し、次に分割溝４を形成するの
に用いたダイサーの刃を刃幅の大きい刃に交換後、第２
の分割溝５を形成することにより、分割溝５の幅を分割
溝４の幅より広くできる。また、上記の方法の代わり
に、レーザを用いて分割溝４を形成後、ダイサーを用い
て分割溝５を形成しても良い。
【００１５】以上のように、分割溝５の幅を分割溝４の
幅より広くすることで、第２の分割溝の形成精度の許容
範囲を大きくとることができ、加工に要する時間を短縮
することが可能となる。
幅より広くすることで、第２の分割溝の形成精度の許容
範囲を大きくとることができ、加工に要する時間を短縮
することが可能となる。
【００１６】＜第３の実施の形態＞図３は、本発明の第
３の実施の形態における半導体ウエハー１の分割方法を
示す模式図である。本第３の実施の形態の製造方法で
は、第１の実施の形態と同様に構成された半導体ウエハ
ーにおいて、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等によ
り、第１の分割溝を形成する部分のサファイヤ基板２の
面上の窒化物半導体層３が除去されて基板面が露出さ
れ、島状窒化物半導体層８が形成される（図３
（ｂ））。次に、レーザとしてたとえば３５５又は２６
６ｎｍのＹＡＧレーザを用い、島状窒化物半導体層８側
から基板２方向に基板２に達する第１の分割溝４を形成
する（図３（ｃ））。そして、基板２の下面側から島状
窒化物半導体層８方向にダイサーにより、分割溝４の底
面に一部が対向する底面を有しかつ分割溝４に平行な第
２の分割溝５を形成する（図３（ｄ））。ここで、分割
溝４と分割溝５に挟まれたサファイヤ基板２の薄肉部の
厚み６が３０〜１００μｍになるように分割溝５を形成
する。そして、基板２の下面側から半導体ウエハー１を
軽くローラで押さえる。これによって、図３（ｅ）にお
いて分割溝４と分割溝５の間の分割線Ｌで示すように半
導体ウエハー１を分割でき、半導体発光素子７を製造さ
れる（図３（ｆ））。
３の実施の形態における半導体ウエハー１の分割方法を
示す模式図である。本第３の実施の形態の製造方法で
は、第１の実施の形態と同様に構成された半導体ウエハ
ーにおいて、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等によ
り、第１の分割溝を形成する部分のサファイヤ基板２の
面上の窒化物半導体層３が除去されて基板面が露出さ
れ、島状窒化物半導体層８が形成される（図３
（ｂ））。次に、レーザとしてたとえば３５５又は２６
６ｎｍのＹＡＧレーザを用い、島状窒化物半導体層８側
から基板２方向に基板２に達する第１の分割溝４を形成
する（図３（ｃ））。そして、基板２の下面側から島状
窒化物半導体層８方向にダイサーにより、分割溝４の底
面に一部が対向する底面を有しかつ分割溝４に平行な第
２の分割溝５を形成する（図３（ｄ））。ここで、分割
溝４と分割溝５に挟まれたサファイヤ基板２の薄肉部の
厚み６が３０〜１００μｍになるように分割溝５を形成
する。そして、基板２の下面側から半導体ウエハー１を
軽くローラで押さえる。これによって、図３（ｅ）にお
いて分割溝４と分割溝５の間の分割線Ｌで示すように半
導体ウエハー１を分割でき、半導体発光素子７を製造さ
れる（図３（ｆ））。
【００１７】以上のように、本実施の形態によれば、第
１の分割溝が形成される部分の半導体層が前もって除去
され、基板面が露出しているため、第１の分割溝形成の
際における半導体層の損傷がなく、半導体ウエハーを分
割して得られる半導体発光素子の数を増加させ、かつ信
頼性を向上させることが可能である。また、レーザを用
いると、基板に非接触で分割溝を形成できるため、ダイ
サーを用いた場合の刃先の消耗等による加工精度のばら
つきや刃先の交換等によるコストの上昇を抑制でき、か
つ分割溝を狭くできるため半導体ウエハーから製造でき
る半導体発光素子の数を増やすことができる。
１の分割溝が形成される部分の半導体層が前もって除去
され、基板面が露出しているため、第１の分割溝形成の
際における半導体層の損傷がなく、半導体ウエハーを分
割して得られる半導体発光素子の数を増加させ、かつ信
頼性を向上させることが可能である。また、レーザを用
いると、基板に非接触で分割溝を形成できるため、ダイ
サーを用いた場合の刃先の消耗等による加工精度のばら
つきや刃先の交換等によるコストの上昇を抑制でき、か
つ分割溝を狭くできるため半導体ウエハーから製造でき
る半導体発光素子の数を増やすことができる。
【００１８】 以上のように本発明は、基板の半導体層
面側から基板方向に達する第１の分割溝と、基板の下面
側から半導体層側に第１の分割溝の底面に一部が対向す
る底面を有しかつ第１の分割溝に平行な第２の分割溝
と、第１と第２の分割溝で挟まれた薄肉部を基板に形成
することで、分割に際し容易に半導体ウエハーを分割で
きる。
面側から基板方向に達する第１の分割溝と、基板の下面
側から半導体層側に第１の分割溝の底面に一部が対向す
る底面を有しかつ第１の分割溝に平行な第２の分割溝
と、第１と第２の分割溝で挟まれた薄肉部を基板に形成
することで、分割に際し容易に半導体ウエハーを分割で
きる。
【００１９】また、第１の分割溝を形成する部分の半導
体層を除去して、基板面を露出させることにより、溝を
形成するときの半導体層の損傷を防ぐことができ、半導
体発光素子の信頼性を向上できる。
体層を除去して、基板面を露出させることにより、溝を
形成するときの半導体層の損傷を防ぐことができ、半導
体発光素子の信頼性を向上できる。
【００２０】また、第２の分割溝の幅を第１の分割溝の
幅より広くすることで、基板の下面からの分割溝形成の
精度を上げる必要がなく、加工に要する時間を短縮でき
生産性を向上させることが可能である。
幅より広くすることで、基板の下面からの分割溝形成の
精度を上げる必要がなく、加工に要する時間を短縮でき
生産性を向上させることが可能である。
【００２１】また、分割溝をレーザで形成することで、
基板と非接触で加工できるため、刃先の交換等によるコ
スト高を低減でき、さらに分割溝の幅を狭くできるた
め、半導体ウエハーを分割して得られる半導体発光素子
の数を増加させることが可能となる。
基板と非接触で加工できるため、刃先の交換等によるコ
スト高を低減でき、さらに分割溝の幅を狭くできるた
め、半導体ウエハーを分割して得られる半導体発光素子
の数を増加させることが可能となる。
【００２２】また、２つの分割溝に挟まれた基板の薄肉
部の厚さを所定の厚さに調整することで、基板の分割さ
れる距離のバラツキをなくし、かつその距離を短くでき
るため、基板の厚さが厚くまたバラツキがあっても、容
易に半導体発光素子を製造できる。
部の厚さを所定の厚さに調整することで、基板の分割さ
れる距離のバラツキをなくし、かつその距離を短くでき
るため、基板の厚さが厚くまたバラツキがあっても、容
易に半導体発光素子を製造できる。
【図１】 本発明の第１の実施形態における半導体ウエ
ハーの分割方法を示した模式断面図である。
ハーの分割方法を示した模式断面図である。
【図２】 本発明の第２の実施形態における分割溝の拡
大模式断面図である。
大模式断面図である。
【図３】 本発明の第３の実施形態における半導体ウエ
ハーの分割方法を示した模式断面図である。
ハーの分割方法を示した模式断面図である。
【図４】 従来の半導体ウエハーの分割方法を示した模
式断面図である。
式断面図である。
１：半導体ウエハー、
２：基板（サファイヤ基板）、
３：窒化物半導体層、
４：半導体層面側から基板方向へ形成した第１の分割
溝、 ４ａ：第１の分割溝の幅、 ５：基板の下面より半導体層方向へ形成した第２の分割
溝、 ５ａ：第２の分割溝の幅、 ６：２つの分割溝で挟まれたサファイヤ基板の厚み、 ７：半導体発光素子、 ８：島状窒化物半導体層、 ９：スクライブライン、 Ｌ：半導体ウエハーの分割線。
溝、 ４ａ：第１の分割溝の幅、 ５：基板の下面より半導体層方向へ形成した第２の分割
溝、 ５ａ：第２の分割溝の幅、 ６：２つの分割溝で挟まれたサファイヤ基板の厚み、 ７：半導体発光素子、 ８：島状窒化物半導体層、 ９：スクライブライン、 Ｌ：半導体ウエハーの分割線。
─────────────────────────────────────────────────────
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(56)参考文献 特開 平７−131069（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−142763（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上にｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化
物半導体層を備えた半導体ウエハーを分割して半導体発
光素子を製造する方法であって、 上記基板の半導体層面側から上記基板方向に基板に達す
る第１の分割溝を形成する工程と、上記第１の分割溝に
平行な第２の分割溝を上記基板の下面側から半導体層方
向に、かつ上記第１の分割溝の底面の一部が上記第２の
分割溝の底面の一部と対向するように上記第１の分割溝
からずらして形成し、上記第１と第２の分割溝で挟まれ
上記第１と第２の分割溝の底面の幅よりも幅狭の薄肉部
を基板に形成する工程と、上記薄肉部において分割する
工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方
法。 - 【請求項２】 上記第１の分割溝を形成する工程におい
て、上記第１の分割溝を形成する部分の窒化物半導体層
を除去して基板面を露出させ、露出させた基板面に上記
第１の分割溝を形成することを特徴とする請求項１記載
の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項３】 上記第２の分割溝の巾を、上記第１の分
割溝の巾より広くすることを特徴とする請求項１又は２
に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項４】 上記第１と第２の分割溝の両方又はいず
れか一つが、レーザ加工により形成されることを特徴と
する請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項５】 上記基板の薄肉部の厚みが３０μｍ以上
１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１から４
のいずれか一つに記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項６】 基板上にｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化
物半導体層を備えた半導体ウエハを分割してなる半導体
発光素子であって、 上記基板の半導体層面側から上記基板方向に基板に達す
る第１の分割溝と、上記第１の分割溝に平行に上記基板
の下面側から半導体層方向に、かつ上記第１の分割溝の
底面の一部が上記第２の分割溝の底面の一部と対向する
ように上記第１の分割溝からずらして形成された第２の
分割溝と、上記第１と第２の分割溝で挟まれ上記第１と
第２の分割溝の底面の幅よりも幅狭の薄肉部を有する半
導体ウエハーを、上記薄肉部において分割して得られる
ことを特徴とする半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36399397A JP3395620B2 (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36399397A JP3395620B2 (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11177139A JPH11177139A (ja) | 1999-07-02 |
| JP3395620B2 true JP3395620B2 (ja) | 2003-04-14 |
Family
ID=18480718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36399397A Expired - Lifetime JP3395620B2 (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3395620B2 (ja) |
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| JP4687838B2 (ja) * | 2000-04-04 | 2011-05-25 | 株式会社ディスコ | 半導体チップの製造方法 |
| JP3616872B2 (ja) | 2000-09-14 | 2005-02-02 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンドウエハのチップ化方法 |
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| JP4594707B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2010-12-08 | 昭和電工株式会社 | 半導体チップ製造方法 |
| JP2005252245A (ja) * | 2004-02-03 | 2005-09-15 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー |
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| JP5773050B1 (ja) * | 2014-11-10 | 2015-09-02 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体片の製造方法 |
| US9385268B2 (en) | 2014-11-10 | 2016-07-05 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor chips |
| DE102015120755A1 (de) * | 2015-11-30 | 2017-06-01 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Vereinzeln von einer Vielzahl von Chips |
-
1997
- 1997-12-16 JP JP36399397A patent/JP3395620B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11177139A (ja) | 1999-07-02 |
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