JPH08274371A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及びその製造方法Info
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- JPH08274371A JPH08274371A JP10015495A JP10015495A JPH08274371A JP H08274371 A JPH08274371 A JP H08274371A JP 10015495 A JP10015495 A JP 10015495A JP 10015495 A JP10015495 A JP 10015495A JP H08274371 A JPH08274371 A JP H08274371A
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- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体発光素子の発光輝度及び歩留りを良く
し、発光時に生じる熱を起因とする半導体層の劣化, 低
寿命化を克服すること。 【構成】サファイア基板1 と少なくとも窒素とガリウム
を含み, 窒化ガリウム系化合物半導体のｎ層とｐ層が積
層して発光素子を形成した, 窒化ガリウム系化合物半導
体から成る半導体層2 とから成る半導体ウエハ100((a)
図) に対し, ダイサーによりサファイア基板1 の下面1a
に溝部3 を, その底面3aとサファイア基板1 の上面1bと
の間隔がほぼ100 μｍとなるように形成((b)図) 。次
に, スクライバーにより, 溝部3 の底面3aにスクライブ
ライン4 を形成((c)図) 。続いて, スクライブライン4
に沿って, ローラにより荷重を加え, 半導体ウエハ100
を切断することにより, 半導体層2 の表面2aの面積がサ
ファイア基板1 の下面1aの面積より大きい半導体チップ
10を形成((d)図) 。
し、発光時に生じる熱を起因とする半導体層の劣化, 低
寿命化を克服すること。 【構成】サファイア基板1 と少なくとも窒素とガリウム
を含み, 窒化ガリウム系化合物半導体のｎ層とｐ層が積
層して発光素子を形成した, 窒化ガリウム系化合物半導
体から成る半導体層2 とから成る半導体ウエハ100((a)
図) に対し, ダイサーによりサファイア基板1 の下面1a
に溝部3 を, その底面3aとサファイア基板1 の上面1bと
の間隔がほぼ100 μｍとなるように形成((b)図) 。次
に, スクライバーにより, 溝部3 の底面3aにスクライブ
ライン4 を形成((c)図) 。続いて, スクライブライン4
に沿って, ローラにより荷重を加え, 半導体ウエハ100
を切断することにより, 半導体層2 の表面2aの面積がサ
ファイア基板1 の下面1aの面積より大きい半導体チップ
10を形成((d)図) 。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、青色発光ダイオード、
青色レーザダイオード等の発光素子に用いられるサファ
イアを基板とする半導体発光素子及びその製造方法に関
し、特に、サファイア基板上に積層された窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子及びその製造方法に関する。
青色レーザダイオード等の発光素子に用いられるサファ
イアを基板とする半導体発光素子及びその製造方法に関
し、特に、サファイア基板上に積層された窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体発光素子の製造方法として
は、図３に示される方法が知られている（特開平５−３
１５６４６号公報）。この方法では、まず、サファイア
基板１１上に窒化ガリウム系化合物半導体層１２が形成
された半導体ウエハ１０１（図３（ａ））に対して、半
導体層１２の側からダイサーにより１００μｍ以下の溝
１３を形成する（図３（ｂ））。次に、サファイア基板
１１側を研磨し、基板１１の厚さを１５０μｍに調整す
る（図３（ｃ））。続いて、溝１３に対して、スクライ
バーにより基板１１の厚さの５％以上の深さのスクライ
ブライン１４を形成する（図３（ｄ））。このスクライ
ブライン１４に沿って、基板１１側からローラーにより
圧力を加え、半導体ウエハ１０１の分離を行い（図３
（ｅ））、半導体チップ２０を製造するというものであ
る。このようにして形成された半導体チップ２０の平面
図を図４（ａ）に、その正面断面図を図４（ｂ）にそれ
ぞれ示す。
は、図３に示される方法が知られている（特開平５−３
１５６４６号公報）。この方法では、まず、サファイア
基板１１上に窒化ガリウム系化合物半導体層１２が形成
された半導体ウエハ１０１（図３（ａ））に対して、半
導体層１２の側からダイサーにより１００μｍ以下の溝
１３を形成する（図３（ｂ））。次に、サファイア基板
１１側を研磨し、基板１１の厚さを１５０μｍに調整す
る（図３（ｃ））。続いて、溝１３に対して、スクライ
バーにより基板１１の厚さの５％以上の深さのスクライ
ブライン１４を形成する（図３（ｄ））。このスクライ
ブライン１４に沿って、基板１１側からローラーにより
圧力を加え、半導体ウエハ１０１の分離を行い（図３
（ｅ））、半導体チップ２０を製造するというものであ
る。このようにして形成された半導体チップ２０の平面
図を図４（ａ）に、その正面断面図を図４（ｂ）にそれ
ぞれ示す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法により製造された半導体チップ２０は、半導体層１２
の側からスクライバーにより溝１３が形成されるため
に、半導体層１２の面積が小さくなり、発光輝度が低く
なると共に、半導体チップ２０の製品歩留りも良くない
という問題がある。また、上記方法でチップ２０の半導
体層１２の面積を大きくしようとすれば、半導体層１２
の発光に伴い熱が発生し、半導体層１２が温度上昇する
ため、チップ２０が劣化し、その寿命が低下し、著しく
製品の信頼性が低下する。半導体層１２の温度上昇を防
止するために、半導体チップ２０の体積を大きくする必
要がある。そのためには板厚の厚いサファイア基板１１
を用いねばならないが、溝１３を深く形成する際に半導
体層１２に欠けやキズ等の損傷を生じるためにサファイ
ア基板１１の板厚を厚くすることは実用上問題があっ
た。加えて、溝１３を形成する際に、その深さが限定さ
れるために、溝１３にスクライブライン１４をを形成し
ただけでは、板厚が厚いとウエハ１０１を切断すること
ができず、溝１３の形成の後にサファイア基板１１を研
磨してサファイア基板１１を所定の板厚に形成する必要
があった。
法により製造された半導体チップ２０は、半導体層１２
の側からスクライバーにより溝１３が形成されるため
に、半導体層１２の面積が小さくなり、発光輝度が低く
なると共に、半導体チップ２０の製品歩留りも良くない
という問題がある。また、上記方法でチップ２０の半導
体層１２の面積を大きくしようとすれば、半導体層１２
の発光に伴い熱が発生し、半導体層１２が温度上昇する
ため、チップ２０が劣化し、その寿命が低下し、著しく
製品の信頼性が低下する。半導体層１２の温度上昇を防
止するために、半導体チップ２０の体積を大きくする必
要がある。そのためには板厚の厚いサファイア基板１１
を用いねばならないが、溝１３を深く形成する際に半導
体層１２に欠けやキズ等の損傷を生じるためにサファイ
ア基板１１の板厚を厚くすることは実用上問題があっ
た。加えて、溝１３を形成する際に、その深さが限定さ
れるために、溝１３にスクライブライン１４をを形成し
ただけでは、板厚が厚いとウエハ１０１を切断すること
ができず、溝１３の形成の後にサファイア基板１１を研
磨してサファイア基板１１を所定の板厚に形成する必要
があった。
【０００４】従って、本発明の目的は、半導体ウエハの
サファイア基板側から溝及びスクライブラインを形成す
ることにより、半導体層の面積を大きくし、発光輝度が
高く、製品歩留りの良い半導体発光素子及びその製造方
法を提供することである。合わせて、サファイア基板の
板厚が厚くても、半導体層に損傷を与えることなく、溝
を形成することにより、半導体発光素子の体積を大きく
して、発光に伴って生じる半導体層の熱を移動させ、熱
による製品の劣化及び低寿命化を克服し、信頼性の高い
半導体発光素子及びその製造方法を提供することであ
る。
サファイア基板側から溝及びスクライブラインを形成す
ることにより、半導体層の面積を大きくし、発光輝度が
高く、製品歩留りの良い半導体発光素子及びその製造方
法を提供することである。合わせて、サファイア基板の
板厚が厚くても、半導体層に損傷を与えることなく、溝
を形成することにより、半導体発光素子の体積を大きく
して、発光に伴って生じる半導体層の熱を移動させ、熱
による製品の劣化及び低寿命化を克服し、信頼性の高い
半導体発光素子及びその製造方法を提供することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の構成は、サファイア基板上に半導体層が積
層形成された半導体ウエハから半導体発光素子を製造す
る方法であって、サファイア基板の下面側から、半導体
層に達しない深さで溝部を形成する工程と、溝部の形成
の後に、その溝部にスクライブラインを形成する工程
と、スクライブラインの形成の後に、そのスクライブラ
インに沿って半導体ウエハを切断する工程とから構成さ
れたことを特徴とする。
め、本発明の構成は、サファイア基板上に半導体層が積
層形成された半導体ウエハから半導体発光素子を製造す
る方法であって、サファイア基板の下面側から、半導体
層に達しない深さで溝部を形成する工程と、溝部の形成
の後に、その溝部にスクライブラインを形成する工程
と、スクライブラインの形成の後に、そのスクライブラ
インに沿って半導体ウエハを切断する工程とから構成さ
れたことを特徴とする。
【０００６】また、第二の発明の構成は、溝部の底とサ
ファイア基板の上面との間隔は、７０μｍ以上１００μ
ｍ以下であることを特徴とする。
ファイア基板の上面との間隔は、７０μｍ以上１００μ
ｍ以下であることを特徴とする。
【０００７】第三の発明の構成は、サファイア基板上に
半導体層が積層形成された半導体ウエハから切り出され
ることにより形成された半導体発光素子であって、サフ
ァイア基板の下面側から、半導体層に達しない深さで溝
部が形成され、溝部が形成された後に、その溝部にスク
ライブラインが形成され、スクライブラインが形成され
た後に、そのスクライブラインに沿って半導体ウエハが
切断されることにより、半導体層側の面積が、サファイ
ア基板側の面積より大きく形成されたことを特徴とす
る。
半導体層が積層形成された半導体ウエハから切り出され
ることにより形成された半導体発光素子であって、サフ
ァイア基板の下面側から、半導体層に達しない深さで溝
部が形成され、溝部が形成された後に、その溝部にスク
ライブラインが形成され、スクライブラインが形成され
た後に、そのスクライブラインに沿って半導体ウエハが
切断されることにより、半導体層側の面積が、サファイ
ア基板側の面積より大きく形成されたことを特徴とす
る。
【０００８】第四の発明の構成は、溝部の底とサファイ
ア基板の上面との間隔は、７０μｍ以上１００μｍ以下
に形成されたことを特徴とする。
ア基板の上面との間隔は、７０μｍ以上１００μｍ以下
に形成されたことを特徴とする。
【０００９】
【作用及び効果】上記構成から成る本発明の第一の作用
は、サファイア基板上に半導体層が積層形成された半導
体ウエハのサファイア基板の下面側から、半導体層に達
しない深さで溝部を形成し、その溝部にスクライブライ
ンを形成し、スクライブラインに沿って半導体ウエハを
切断することであり、その効果は、半導体層の面積を大
きくすることができ、発光輝度が高く、製品歩留りの良
い半導体チップを製造できることである。また、サファ
イア基板側から溝部を形成するために、溝部の形成時に
半導体層に損傷を与えることがない。さらに、サファイ
ア基板の板厚を大きくし、溝部を深く形成して、半導体
チップを製造することにより、半導体チップの体積を大
きくすることができるため、半導体層の発光に伴って発
生する熱を半導体層からサファイア基板側に移動するこ
とができ、半導体層の温度上昇を防止することができ
る。これにより、半導体発光素子は、素子の劣化や寿命
の低下を生じることなく、その品質が向上する。加え
て、溝部の形成時に、その深さが限定されないため、半
導体発光素子の製造の自由度が向上する。（請求項１、
請求項３）
は、サファイア基板上に半導体層が積層形成された半導
体ウエハのサファイア基板の下面側から、半導体層に達
しない深さで溝部を形成し、その溝部にスクライブライ
ンを形成し、スクライブラインに沿って半導体ウエハを
切断することであり、その効果は、半導体層の面積を大
きくすることができ、発光輝度が高く、製品歩留りの良
い半導体チップを製造できることである。また、サファ
イア基板側から溝部を形成するために、溝部の形成時に
半導体層に損傷を与えることがない。さらに、サファイ
ア基板の板厚を大きくし、溝部を深く形成して、半導体
チップを製造することにより、半導体チップの体積を大
きくすることができるため、半導体層の発光に伴って発
生する熱を半導体層からサファイア基板側に移動するこ
とができ、半導体層の温度上昇を防止することができ
る。これにより、半導体発光素子は、素子の劣化や寿命
の低下を生じることなく、その品質が向上する。加え
て、溝部の形成時に、その深さが限定されないため、半
導体発光素子の製造の自由度が向上する。（請求項１、
請求項３）
【００１０】また、第二の作用は、溝部の底とサファイ
ア基板の上面との間隔を、７０μｍ以上１００μｍ以下
となるように溝部を形成することであり、その効果は、
スクライブラインに沿って半導体ウエハを容易に良好に
切断できることである。（請求項２、請求項４）
ア基板の上面との間隔を、７０μｍ以上１００μｍ以下
となるように溝部を形成することであり、その効果は、
スクライブラインに沿って半導体ウエハを容易に良好に
切断できることである。（請求項２、請求項４）
【００１１】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は、本発明の第一実施例における半導体ウ
エハ１００（半導体ウエハに相当）の切断方法を示した
模式図である。半導体ウエハ１００は、サファイア基板
１（サファイア基板に相当）と少なくとも窒素とガリウ
ムを含む窒化ガリウム系化合物半導体のｎ層とｐ層を積
層して発光素子を形成した半導体層２（半導体層に相
当）とから成り、厚さ２５０μｍのサファイア基板１上
に、積層全体で厚さ１０μｍの窒化ガリウム系化合物半
導体から成る半導体層２が積層形成されている（図１
（ａ））。
明する。図１は、本発明の第一実施例における半導体ウ
エハ１００（半導体ウエハに相当）の切断方法を示した
模式図である。半導体ウエハ１００は、サファイア基板
１（サファイア基板に相当）と少なくとも窒素とガリウ
ムを含む窒化ガリウム系化合物半導体のｎ層とｐ層を積
層して発光素子を形成した半導体層２（半導体層に相
当）とから成り、厚さ２５０μｍのサファイア基板１上
に、積層全体で厚さ１０μｍの窒化ガリウム系化合物半
導体から成る半導体層２が積層形成されている（図１
（ａ））。
【００１２】まず、ダイサーにより、サファイア基板１
の下面１ａに溝部３（溝部に相当）を形成する（図１
（ｂ））。この溝部３は、その底面３ａ（溝部の底に相
当）とサファイア基板１の上面１ｂ（サファイア基板の
上面に相当）との間隔がほぼ１００μｍとなるように形
成される。
の下面１ａに溝部３（溝部に相当）を形成する（図１
（ｂ））。この溝部３は、その底面３ａ（溝部の底に相
当）とサファイア基板１の上面１ｂ（サファイア基板の
上面に相当）との間隔がほぼ１００μｍとなるように形
成される。
【００１３】溝部３の形成の後、スクライバーにより、
溝部３の底面３ａにスクライブライン４を形成する（図
１（ｃ））。続いて、スクライブライン４に沿って、ロ
ーラにより荷重を作用させ、半導体ウエハ１００を切断
し、半導体チップ１０（半導体発光素子に相当）を切り
出す（図１（ｄ））。
溝部３の底面３ａにスクライブライン４を形成する（図
１（ｃ））。続いて、スクライブライン４に沿って、ロ
ーラにより荷重を作用させ、半導体ウエハ１００を切断
し、半導体チップ１０（半導体発光素子に相当）を切り
出す（図１（ｄ））。
【００１４】上記に示される方法によって形成された半
導体チップ１０の正面断面図を図２（ａ）に、その下面
図を図２（ｂ）にそれぞれ示す。図２に示されるよう
に、本実施例により形成された半導体チップ１０は、半
導体層２の表面２ａの面積をサファイア基板１の下面１
ａの面積より大きく形成することができる。
導体チップ１０の正面断面図を図２（ａ）に、その下面
図を図２（ｂ）にそれぞれ示す。図２に示されるよう
に、本実施例により形成された半導体チップ１０は、半
導体層２の表面２ａの面積をサファイア基板１の下面１
ａの面積より大きく形成することができる。
【００１５】尚、本実施例では、サファイア基板１に形
成された溝部３の底面３ａとサファイア基板１の上面１
ｂとの間隔をほぼ１００μｍとなるように形成したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、溝部３の底面
３ａとサファイア基板１の上面１ｂとの間隔は１００μ
ｍ以下であればよく、望ましくは７０μｍ以上１００μ
ｍ以下であればよい。
成された溝部３の底面３ａとサファイア基板１の上面１
ｂとの間隔をほぼ１００μｍとなるように形成したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、溝部３の底面
３ａとサファイア基板１の上面１ｂとの間隔は１００μ
ｍ以下であればよく、望ましくは７０μｍ以上１００μ
ｍ以下であればよい。
【００１６】上記のように、本実施例によれば、半導体
層２の表面２ａの面積をサファイア基板１の下面１ａの
面積より大きく形成できるため、半導体チップ１０の発
光輝度を大きくすることができる。また、半導体層２側
に溝３を設けず、サファイア基板１側に溝３を設けるた
めに、半導体ウエハ１００を有効に利用することがで
き、半導体チップ１０の製品歩留りが向上する。
層２の表面２ａの面積をサファイア基板１の下面１ａの
面積より大きく形成できるため、半導体チップ１０の発
光輝度を大きくすることができる。また、半導体層２側
に溝３を設けず、サファイア基板１側に溝３を設けるた
めに、半導体ウエハ１００を有効に利用することがで
き、半導体チップ１０の製品歩留りが向上する。
【００１７】さらに、サファイア基板１の板厚を大きく
とることができるためサファイア基板１の体積を大きく
でき、半導体層２の発光に伴って発生する熱をサファイ
ア基板１側に移動させ、半導体層２の熱を除去すること
ができる。これにより、半導体チップ１０は劣化せず、
長寿命化し、半導体チップ１０の品質を向上させること
ができる。加えて、溝部３は、サファイア基板１側に設
けられるために、溝部３を深く形成しても半導体層２に
損傷を与えることがなく、よりチップ１０の品質を高め
ることができると共に、サファイア基板１は板厚が厚く
ても溝部３を形成することができるため、製造の自由度
が向上する。
とることができるためサファイア基板１の体積を大きく
でき、半導体層２の発光に伴って発生する熱をサファイ
ア基板１側に移動させ、半導体層２の熱を除去すること
ができる。これにより、半導体チップ１０は劣化せず、
長寿命化し、半導体チップ１０の品質を向上させること
ができる。加えて、溝部３は、サファイア基板１側に設
けられるために、溝部３を深く形成しても半導体層２に
損傷を与えることがなく、よりチップ１０の品質を高め
ることができると共に、サファイア基板１は板厚が厚く
ても溝部３を形成することができるため、製造の自由度
が向上する。
【００１８】尚、本実施例では、半導体ウエハの半導体
層として窒化ガリウム系化合物半導体層を用いたが、本
発明はこれに限定されるものではなく、サファイアを基
板とした半導体ウエハであれば、他の組成の半導体層を
用いてもよい。
層として窒化ガリウム系化合物半導体層を用いたが、本
発明はこれに限定されるものではなく、サファイアを基
板とした半導体ウエハであれば、他の組成の半導体層を
用いてもよい。
【００１９】上記に示されるように、本発明によれば、
半導体ウエハのサファイア基板側に溝部を形成し、その
溝部にスクライブラインを形成し、形成されたスクライ
ブラインに沿ってウエハを切断することにより、発光輝
度が高く、製品歩留りの良い半導体発光素子を製造する
ことができる。また、本発明によれば、半導体発光素子
のサイズを大きくできるため、半導体層の発光に伴って
生じる熱を半導体層からサファイア基板側に移動できる
ために、チップの劣化、低寿命化を防止でき、半導体発
光素子の品質を向上させることができる。さらに、溝部
はサファイア基板側に形成されるため、溝部の形成に際
して半導体層に損傷を与えることがなく、半導体発光素
子の信頼性が向上する。加えて、溝部の深さが限定され
ないために、サファイア基板の板厚が限定されることが
なく、半導体発光素子の製造の自由度が向上する。
半導体ウエハのサファイア基板側に溝部を形成し、その
溝部にスクライブラインを形成し、形成されたスクライ
ブラインに沿ってウエハを切断することにより、発光輝
度が高く、製品歩留りの良い半導体発光素子を製造する
ことができる。また、本発明によれば、半導体発光素子
のサイズを大きくできるため、半導体層の発光に伴って
生じる熱を半導体層からサファイア基板側に移動できる
ために、チップの劣化、低寿命化を防止でき、半導体発
光素子の品質を向上させることができる。さらに、溝部
はサファイア基板側に形成されるため、溝部の形成に際
して半導体層に損傷を与えることがなく、半導体発光素
子の信頼性が向上する。加えて、溝部の深さが限定され
ないために、サファイア基板の板厚が限定されることが
なく、半導体発光素子の製造の自由度が向上する。
【図１】本発明に係わる第一実施例における半導体ウエ
ハの切断方法を示した模式図。
ハの切断方法を示した模式図。
【図２】第一実施例の切断方法によって形成された半導
体チップの構成を示した正面断面図（ａ）及び下面図
（ｂ）。
体チップの構成を示した正面断面図（ａ）及び下面図
（ｂ）。
【図３】従来の半導体ウエハの切断方法を示した模式
図。
図。
【図４】従来の切断方法によって形成された半導体チッ
プの構成を示した平面図（ａ）及び正面断面図（ｂ）。
プの構成を示した平面図（ａ）及び正面断面図（ｂ）。
１ サファイア基板 ２ 窒化ガリウム系化合物半導体層 ３ 溝部 ４ スクライブライン １０ 半導体チップ １００ 半導体ウエハ
Claims (4)
- 【請求項１】サファイア基板上に半導体層が積層形成さ
れた半導体ウエハから半導体発光素子を製造する方法で
あって、 前記サファイア基板の下面側から、前記半導体層に達し
ない深さで溝部を形成する工程と、 前記溝部の形成の後に、前記溝部にスクライブラインを
形成する工程と、 前記スクライブラインの形成の後に、前記スクライブラ
インに沿って前記半導体ウエハを切断する工程とから構
成されたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項２】前記溝部の底と前記サファイア基板の上面
との間隔は、７０μｍ以上１００μｍ以下であることを
特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方
法。 - 【請求項３】サファイア基板上に半導体層が積層形成さ
れた半導体ウエハから切り出されることにより形成され
た半導体発光素子であって、 前記サファイア基板の下面側から、前記半導体層に達し
ない深さで溝部が形成され、 前記溝部が形成された後に、前記溝部にスクライブライ
ンが形成され、 前記スクライブラインが形成された後に、前記スクライ
ブラインに沿って前記半導体ウエハが切断されることに
より、 前記半導体層側の面積が、前記サファイア基板側の面積
より大きく形成されたことを特徴とする半導体発光素
子。 - 【請求項４】前記溝部の底と前記サファイア基板の上面
との間隔は、７０μｍ以上１００μｍ以下に形成された
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10015495A JPH08274371A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10015495A JPH08274371A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274371A true JPH08274371A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=14266412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10015495A Pending JPH08274371A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08274371A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1995
- 1995-03-31 JP JP10015495A patent/JPH08274371A/ja active Pending
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