KR100863804B1 - 질화물 발광소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

질화물 발광소자 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR100863804B1
KR100863804B1 KR20070038179A KR20070038179A KR100863804B1 KR 100863804 B1 KR100863804 B1 KR 100863804B1 KR 20070038179 A KR20070038179 A KR 20070038179A KR 20070038179 A KR20070038179 A KR 20070038179A KR 100863804 B1 KR100863804 B1 KR 100863804B1
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thin film
semiconductor layer
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김태근
임시종
신영철
한철구
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고려대학교 산학협력단
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Abstract

본 발명은 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 실리콘등의 기판에 돌출부 및 홈부가 형성되도록 기판을 패터닝하고, 기판상의 돌출부 또는 홈부에 선택적으로 박막을 형성하며, 박막의 상부에 일정한 공간이 형성되도록 질화물층을 형성한다. 이렇게 기판과 질화물층이 접하는 면에 공간을 형성하여, 기판과 질화물층이 접하는 면적을 감소시킴으로써, 기판과 질화물층간의 격자 상수 차이로 인해서 발생하는 결함을 감소시킬 수 있고 기판과 질화물층간의 열팽창 계수의 차이로 인해서 발생하는 크랙(crack)을 현저하게 감소시킬 수 있는 효과 및 크랙이 전체 웨이퍼로 확산되는 것을 막는 효과가 있다.
또한, 기판에 형성된 패턴은 활성층에서 발생한 빛이 기판에서 흡수되지 않고 반사되도록 하여, 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있고, 특히, 기판에 메탈 재질의 박막을 형성하는 경우에는, 박막이 반사층으로 작용하여 발광 효율을 높일 수 있는 효과가 있다. 또한, 기판에 EuO계, CeO계, 또는 다른 박막 포스포(phosphor)로 박막을 형성하는 경우에는 빛의 파장을 변환하여 광변환 LED 또는 화이트 LED를 구현할 수 있는 효과가 있다.

Description

질화물 발광소자 및 그 제조 방법{Gallium nitride light emitting diode and method for manufacturing the same}
도 1a 및 도 1b 는 종래기술에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
도 2a 및 도 2b 는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
도 3a 및 도 3b 는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
본 발명은 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 실리콘 기판상에 GaN계 물질을 형성시킨 발광 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
청색, 녹색, UV광을 방출하는 GaN계 발광 다이오드(LED)는 소형 및 대형 전광판 뿐만 아니라, Indicator, LCD 장치의 백라이트, 및 휴대폰 키패드의 백라이트 등 사회 전반에 걸쳐 그 응용범위가 점차 넓어지고 있다.
현재는 청록색 LED 가 기존 신호등을 대체하고 있고, 다양한 LED가 자동차용 및 간접조명용 광원으로 사용되고 있으며, 광효율이 더 높은 백색 LED가 개발되면 현재 사용되는 전등도 LED로 대체될 수 있을 것이다.
이렇게 다양한 분야에 이용되는 LED를 제조하기 위해서, 종래에는 GaN 물질로 LED를 구성하기 위해 박막을 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)등의 방식으로 사파이어 기판위에 형성하였다. 그러나, 절연체인 사파이어 기판으로 LED를 제조하는 경우에는 Top-Down 전극을 형성하기 어려운 문제점이 존재하였고, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 실리콘 기판상에 LED를 형성하는 방법이 제안되었다.
도 1a 및 도 1b는 종래의 실리콘 기판을 이용하여 LED를 제조하는 방법을 설명하는 도면이다. 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 종래의 방식은 실리콘 기판(11) 위에 MOCVD 방식에 의해 버퍼층(AlN, n-AlGaN, n-AlN/GaN SLS;12)을 형성하고, 버퍼층(12) 위에 N-GaN 층(13), 활성층(InxGa1-xN(x=0~1);14), P-GaN층(15)을 차례로 형성한다(도 1a의 (a) 참조).
그 후, P-GaN층(15)의 불순물의 활성화를 위해서 약 600℃에서 약 20분간 열처리를 수행한 후, P-GaN층(15)의 전면에 얇은 ohmic contact 용 메탈(또는 투명 전도 박막;16)을 형성하고(도 1a의 (b) 참조), 그 위에 P형 ohmic contact(17)을 형성한다(도 1a의 (c) 참조).
그 후, 웨이퍼를 단위 칩으로 자르기 위해서 기판(11)의 뒷면을 래 핑(Lapping)/연마(polishing)하여 약 100μm이하로 얇게 가공하고(도 1b의 (d) 참조), 가공된 면에 N형 ohmic contact 및 pad 로 동시에 사용될 전극층(18)을 형성한다(도 1b의 (e) 참조).
도 1 의 (e) 와 같이 완성된 LED 칩은 패키징과 몰딩 과정을 거쳐 SMD, lamp, 고출력 LED PKG 의 형태로 만들어 진다.
한편, LED 의 구동과정을 설명하면, N 및 P 형 전극을 통해서 전압이 인가되면, N-GaN층(13) 및 P-GaN층(15)으로부터 전자 및 정공이 활성층(14)으로 유입되고, 활성층(14)에서 전자와 정공의 결합이 일어나면서 발광하게 된다.
활성층(14)에서 발생된 빛은 활성층(14)의 위와 아래로 진행하게 되고, 위로 진행된 빛은 P-GaN층(15)위에 얇게 형성된 투명전극을 통해서 밖으로 방출되고, 아래로 진행된 빛의 일부분은 칩의 외부로 방출되고, 나머지는 기판 아래쪽으로 진행하여 LED 칩의 조립시에 이용되는 솔더(solder)에 흡수되거나, 반사되어 다시 위쪽으로 진행하여 일부는 활성층(14)에 다시 흡수되기도 하고, 다른 일부는 활성층(14)을 지나 투명전극을 통해서 칩 외부로 방출된다.
상술한 바와 같은 종래 방식의 LED 제조 방법에 따라서 제조된 LED 는 다음과 같은 문제점이 나타난다.
첫 번째로, 실리콘 기판(11)과 버퍼층(12)인 AlGaN 층은 격자 상수가 서로 상이하여 결함 밀도인 전위 밀도(Dislocation Density)가 1010/㎤ 정도로 매우 크므로 LED 의 광출력 및 신뢰성에 문제가 발생한다.
두 번째로, 실리콘 기판(11)과 버퍼층(12)간의 격자 상수의 차이로 인한 격자 결함이 발생하고, 실리콘 기판(11)과 버퍼층(12)간의 열팽창계수가 서로 상이하여, 기판(11)과 버퍼층(12)의 접촉면에 열팽창 계수 차이로 인한 스트레스 및 그로 인한 크랙(crack)이 발생하고, 이러한 크랙이 전체 웨이퍼상으로 전파되는 문제점이 발생한다. 특히, 이러한 문제점을 보완하기 위해서 활성층(14) 아래에 복수의 층을 형성하는데, 이 경우에는 이러한 층들에 의해서 전기적 특성이 나빠져 Top-Down 전극을 형성할 수 없는 경우도 발생할 뿐만 아니라, 활성층(14) 아래의 다수의 층들의 두께 제어에도 한계가 있어, 고품질의 활성층(14) 구현이 어렵게 되고, 따라서 광출력 및 소자의 신뢰성에 문제가 발생한다.
세 번째로, 활성층(14)에서 발생한 빛의 상당부분은 불투명한 실리콘기판(11)에 흡수되어 광효율이 저하되는 문제점이 발생한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술에 따른 문제점을 해결하는, 고품질의 높은 발광효율을 갖는 고 신뢰성의 발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상술한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 질화물 발광 소자 제조 방법은, (a) 소정의 기판에 돌출부 및 홈부가 형성되도록 패터닝하는 단계; (b) 기판의 돌출부 또는 홈부의 상부에 박막을 형성하는 단계; 및 (c) 박막이 형성된 기판위에 질화물층을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 상술한 (c) 단계는, 박막이 형성된 돌출부 또는 홈부의 상부에 공간이 형성되도록 질화물층을 형성할 수 있다.
또한, 상술한 (c) 단계는, 박막이 형성된 기판위에 제 1 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 제 1 질화물 반도체층 상부에 활성층을 형성하는 단계; 및 활성층 상부에 제 2 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상술한 제 1 질화물 반도체층은 측면 성장법에 의해서 형성될 수 있다.
한편, 상술한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 질화물 발광 소자는, 돌출부 및 홈부가 형성되도록 패터닝된 기판; 돌출부 또는 홈부의 상부에 형성된 박막; 박막이 형성된 기판위에 형성된 질화물층을 포함한다.
또한, 상술한 질화물층은 박막이 형성된 돌출부 또는 홈부의 상면에 공간이 형성된 것이 바람직하다.
또한, 상술한 질화물층은 박막이 형성된 기판위에 형성된 제 1 질화물 반도체층; 제 1 질화물 반도체층 상부에 형성된 활성층; 및 활성층 상부에 형성된 제 2 질화물 반도체층을 포함할 수 있다.
또한, 상술한 기판은 실리콘 기판일 수 있다.
또한, 상술한 박막은 질화물층에서 발생한 광을 반사할 수 있는 재질로 형성되거나, 질화물층에서 발생한 광의 파장을 변환할 수 있는 재질로 형성될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다.
도 2a 및 도 2b 는 본 발명의 바람직한 제 1 실시예에 따른 질화물 발광 소 자의 제조 방법을 설명하는 도면이다. 이하에서는 질화물 발광 다이오드를 질화물 발광 소자의 예로서 설명한다.
도 2a 및 도 2b 를 참조하면, 먼저, 주지된 다양한 기술을 적용하여 도 2a 의 (a) 에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드가 형성될 기판(21)에 돌출부(21a)와 홈부(21b)가 형성되도록 패터닝한다. 이 때, 기판(21)으로는 실리콘 기판을 이용하는 것이 바람직하고, 실리콘 기판 대신에 GaN 기판 또는 GaO 기판 등을 이용하여도 무방하다.
또한, 기판(21)에 형성되는 패턴의 형태는 스트라입(Stripe) 형태, 직사각형(Rectangular) 형태, 렌즈(Lens) 형태, 및 원형 등 다양하게 적용될 수 있고, 각각의 치수는 스트라입 형태의 경우 돌출부(21a)와 홈부(21b) 각각의 폭이 0.1㎛~1㎜이어야 하고, 20㎛이하인 것이 가장 바람직하다.
직사각형 형태인 경우 패턴의 가로 및 세로의 길이가 0.1㎛~1㎜이어야 하고, 20㎛이하인 것이 가장 바람직하며, 렌즈 형태의 경우에는 0.1㎛~1㎜이어야 하고, 10㎛이하인 것이 가장 바람직하며, 원형의 경우 0.1㎛~1㎜이어야 하고, 20㎛이하인 것이 가장 바람직하다. 또한, 상기 패턴들의 깊이는 0.1㎛~1㎜이어야 하고, 20㎛이하인 것이 가장 바람직하다.
기판(21)에 패턴이 형성된 후, 도 2a 의 (b) 에 도시된 바와 같이, 패턴의 돌출부(21a)에 박막(22)을 형성한다. 이 때, 박막(22)의 재질로는 Oxide 및 Nitride를 포함하는 유전체(dielectric)이거나, 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 등의 금속이거나, EuO계 또는 CeO계의 물질이거나, 박막 포스포(Phospher) 등을 사용할 수 있고, 박막(22)의 두께는 10Å~10㎛ 정도가 적당하며, 1000Å~2000Å 인 것이 가장 바람직하다.
박막(22)이 형성된 후, 도 2a 의 (c) 에 도시된 바와 같이, 제 1 질화물 반도체층(23)을 측면 성장(Lateral growth)시켜 형성한다. 제 1 질화물 반도체층(23)은 Un-doped GaN층 또는 N-doped GaN층으로 형성되는데, 측면 성장이 잘되는 조건에서 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 에피택시얼 성장 방식 등으로 측면 성장시키면, 기판(21)에서 박막(22)이 형성되지 않은 부분에는 제 1 질화물 반도체층(23)이 적층되기 시작하지만, 박막(22)이 형성된 부분에는 제 1 질화물 반도체층(23)이 적층되지 않아 도 2a 의 (c) 에 도시된 바와 같이 박막(22)의 상부에는 일정한 공간(24)이 형성된다.
제 1 질화물 반도체층(23)이 형성되면, 도 2b 의 (d) 에 도시된 바와 같이, 종래 방식과 동일한 방식을 이용하여 제 1 질화물 반도체층(23)위에 활성층(25)을 형성하고, 활성층(25)위에 제 2 질화물 반도체층(26)을 형성한다. 활성층(25)은 InxGa1-xN(x=0~1) 층으로 형성될 수 있고, 제 2 질화물 반도체층(26)은 P-GaN 층인 것이 바람직하다.
기판(21) 위에 질화물층(제 1 질화물 반도체층(23), 활성층(25), 및 제 2 질화물 반도체층(26)을 포함하여 칭함)이 형성되면, 제 2 질화물 반도체층(26) 위에 P형 Ohmic Contact(27) 및 메탈 패드(28)를 형성하고(도 2b 의 (e) 참조), 그 후, 웨이퍼를 단위 칩으로 자르기 위해서 기판(21)의 아래면을 래핑(Lapping)/연 마(polishing)하여 약 100μm이하로 얇게 가공하고 가공된 면에 N형 ohmic contact 및 pad 로 동시에 사용될 층(29)을 형성한다(도 2b의 (f) 참조).
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 질화물 발광 소자 제조 방법을 설명하는 도면이다. 도 3a 및 도 3b 에 도시된 실시예는 박막(22)이 형성된 위치와 제 1 질화물 반도체층(23)에 형성된 공간(24)의 위치만이 도 2a 및 도 2b 에 도시된 실시예와 차이가 있고 그 밖의 제조 공정은 동일하다.
따라서, 도 2a 및 도 2b 에 도시된 실시예와의 차이점만을 설명하면, 도 2a 및 도 2b 와 동일한 방식으로 기판(21)에 돌출부(21a)와 홈부(21b)가 형성되도록 기판(21)을 패터닝하고(도 3a의 (a) 참조), 기판(21)의 홈부(21b)에 상술한 박막(22)과 동일한 재질의 박막(22)을 형성한다(도 3a의 (b) 참조).
그 후, 제 1 질화물 반도체층(23)을 측면 성장시켜 형성하면 도 3a 의 (c) 에 도시된 바와 같이, 박막(22)이 형성되지 않은 기판(21)의 상면으로부터 제 1 질화물 반도체층(23)이 형성되고, 박막(22)이 형성된 홈부(21b)의 상면에는 제 1 질화물 반도체층(23)이 형성되지 않아, 제 1 질화물 반도체층(23)은 박막(22)의 상부에 일정한 공간(24)을 포함하도록 형성된다.
그 후, 상술한 바와 동일한 방식으로, 제 1 질화물 반도체층(23) 상부에 활성층(25) 및 제 2 질화물 반도체층(26)을 형성하고(도 3b 의 (d) 참조), 제 2 질화물 반도체층(26) 상부에 P형 Ohmic Contact(27) 및 메탈 패드(28)을 형성하고(도 3b 의 (e) 참조), 그 후, 웨이퍼를 단위 칩으로 자르기 위해서 기판(21)의 아래면을 래핑(Lapping)/연마(polishing)하여 약 100μm이하로 얇게 가공하고 가공된 면 에 N형 ohmic contact 및 pad 로 동시에 사용될 층(29)을 형성한다(도 3b의 (f) 참조).
한편, 상술한 실시예들에서는 박막(22)이 기판(21)상의 돌출부(21a)에 형성되거나 홈부(21b)에 형성되는 것으로 설명하였으나, 돌출부(21a) 및 홈부(21b)에 선택적으로 형성될 수도 있음을 주지하여야 한다.
또한, 상술한 실시예들에서는 박막(22)을 형성함으로써 박막(22)의 상부에 공간(24)이 형성되는 것으로 설명하였으나, 패터닝된 기판(21)에 제 1 질화물 반도체층(23)을 형성할 때, 돌출부(21a) 또는 홈부(21b)의 상면에 공간(24)을 형성할 수 있다면 박막(22) 형성되지 않을 수도 있음을 주지하여야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 실리콘등의 기판(21)에 돌출부(21a) 및 홈부(21b)가 형성되도록 기판(21)을 패터닝하고, 기판(21)상의 돌출부(21a) 또는 홈부(21b)에 선택적으로 박막(22)을 형성하며, 박막(22)의 상부에 일정한 공간(24)이 형성되도록 질화물층을 형성한다.
이렇게 기판(21)과 질화물층이 접하는 면에 공간(24)을 형성하여, 기판(21)과 질화물층이 접하는 면적을 감소시킴으로써, 기판(21)과 질화물층간의 격자 상수 차이로 인해서 발생하는 결함을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 기판(21)과 질화물층이 접하는 면에 공간(24)을 형성하여, 기판(21)과 질화물층이 접하는 면적을 감소시킴과 더불어 공간(24)이 스트레스 버퍼 역할을 수행하게 됨으로써, 기판(21)과 질화물층간의 열팽창 계수의 차이로 인해서 발생하는 크랙(crack)을 현저하게 감소킬 수 있는 효과 및 크랙이 전체 웨이퍼로 확산되는 것을 막는 효과가 있다.
또한, 기판(21)에 형성된 패턴은 활성층(25)에서 발생한 빛이 기판(21)에서 흡수되지 않고 반사되도록 하며, 특히 렌즈 형태의 패턴은 유입되는 빛을 거의 대부분 반사함으로써, 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 기판(21)에 메탈 재질의 박막(22)을 형성하는 경우에는, 박막(22)이 반사층으로 작용하여 발광 효율을 높일 수 있는 효과가 있을 뿐만 아니라, 박막(22)의 상부에 형성되는 공간(24)도 역시 빛을 반사하므로 발광효율을 한층 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 기판(21)에 EuO계, CeO계, 또는 다른 박막 포스포(phosphor)로 박막(22)을 형성하는 경우에는 빛의 파장을 변환하여 광변환 LED 또는 화이트 LED를 구현할 수 있는 효과가 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 기판과 질화물층이 접하는 면에 공간을 형성하 여, 기판과 질화물층이 접하는 면적을 감소시킴으로써, 기판과 질화물층간의 격자 상수 차이로 인해서 발생하는 결함을 감소시킬 수 있고 기판과 질화물층간의 열팽창 계수의 차이로 인해서 발생하는 크랙(crack)을 현저하게 감소시킬 수 있는 효과 및 크랙이 전체 웨이퍼로 확산되는 것을 막는 효과가 있다.
또한, 기판에 형성된 패턴은 활성층에서 발생한 빛이 기판에서 흡수되지 않고 반사되도록 하여, 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있고, 특히, 기판에 메탈 재질의 박막을 형성하는 경우에는, 박막이 반사층으로 작용하여 발광 효율을 높일 수 있는 효과가 있다. 또한, 기판에 EuO계, CeO계, 또는 다른 박막 포스포(phosphor)로 박막을 형성하는 경우에는 빛의 파장을 변환하여 광변환 LED 또는 화이트 LED를 구현할 수 있는 효과가 있다.

Claims (13)

  1. (a) 소정의 기판에 돌출부 및 홈부가 형성되도록 패터닝하는 단계;
    (b) 상기 기판의 돌출부 또는 홈부의 상부에, 질화물층에서 발생한 광을 반사할 수 있는 재질로, 그 상부에 공간이 형성되도록 질화물층의 성장을 차단하는 박막을 형성하는 단계; 및
    (c) 상기 박막이 형성된 상기 기판위에 광을 발생시키는 상기 질화물층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자 제조 방법.
  2. (a) 소정의 기판에 돌출부 및 홈부가 형성되도록 패터닝하는 단계;
    (b) 상기 기판의 돌출부 또는 홈부의 상부에 질화물층에서 발생한 광의 파장을 변환할 수 있는 재질로, 그 상부에 공간이 형성되도록 질화물층의 성장을 차단하는 박막을 형성하는 단계; 및
    (c) 상기 박막이 형성된 상기 기판위에 광을 발생시키는 상기 질화물층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자 제조 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (c) 단계는
    상기 박막이 형성된 상기 돌출부 또는 홈부의 상부에 공간이 형성되도록 상기 질화물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자 제조 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (c) 단계는
    상기 박막이 형성된 상기 기판위에 제 1 질화물 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 질화물 반도체층 상부에 활성층을 형성하는 단계; 및
    상기 활성층 상부에 제 2 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 질화물 반도체층은 측면 성장법에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 돌출부 및 홈부가 형성되도록 패터닝된 기판;
    그 상부에 질화물층의 성장을 차단하여 공간이 형성되도록 상기 돌출부 또는 상기 홈부의 상부에 질화물층에서 발생한 광을 반사할 수 있는 재질로 형성된 박막; 및
    상기 박막이 형성된 상기 기판위에 형성되어 광을 발생시키는 상기 질화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자.
  9. 돌출부 및 홈부가 형성되도록 패터닝된 기판;
    그 상부에 질화물층의 성장을 차단하여 공간이 형성되도록 상기 돌출부 또는 상기 홈부의 상부에 질화물층에서 발생한 광의 파장을 변환할 수 있는 재질로 형성된 박막; 및
    상기 박막이 형성된 상기 기판위에 형성되어 광을 발생시키는 상기 질화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 질화물층은 상기 박막이 형성된 돌출부 또는 홈부의 상면에 공간이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자.
  11. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 질화물층은
    상기 박막이 형성된 상기 기판위에 형성된 제 1 질화물 반도체층;
    상기 제 1 질화물 반도체층 상부에 형성된 활성층; 및
    상기 활성층 상부에 형성된 제 2 질화물 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자.
  12. 삭제
  13. 삭제
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