JP2003218065A5 - - Google Patents

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  1. 基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、
    前記半導体ウェハー(100)は基板(101)上に単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造をした窒化物半導体層を含有する窒化物半導体(102)が形成された窒化物半導体積層側である第１の主面(121)と前記第１の主面(121)とは対向する基板露出面側である第２の主面(111)とを有しており、少なくとも該第１の主面側及び／又は第２の主面側からレーザー照射によりブレイク・ライン(104)を形成する工程と、
    前記ブレイク・ライン(104)に沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
  2. 前記基板は、サファイア、スピネル、炭化珪素、酸化亜鉛や窒化ガリウムから選択される請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。
  3. 前記レーザー照射はＹＡＧレーザー、ＣＯ2レーザー、エキシマ・レーザーから選択される少なくとも１種によって行う請求項１に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
  4. 前記半導体ウェハーは前記基板(201)内部に加工変質部(204)を形成している請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。
  5. 前記半導体ウェハー(100)は前記第１の主面側及び／又は第２の主面側の基板(101)に溝部(103)を形成している請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。
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