JP4334321B2 - 窒化物半導体発光ダイオードチップの作製方法 - Google Patents
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Description
図1において、本発明に密接に関連する参考例1によるGaN系化合物半導体発光ダイオードに関するチップ分割法が模式的な断面図で図解されている。すなわち、図1(a)は複数の発光ダイオード構造を含むエピタキシャルウエハを表し、図1(b)はそのウエハから分割された発光ダイオードチップを表している。なお、本願の図面において、種々の層の厚さや幅などの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表してはいない。
図2において、本発明の実施例1によるGaN系化合物半導体発光ダイオードに関するチップ分割法が模式的な断面図で図解されている。この図2における複数層201〜208の作製法は参考例1における複数層101〜108の作製法と同様であるので、その説明は繰り返されない。なお、本実施例1においても、サファイア基板201として、参考例1と同様に430μmの厚さのものが使用された。また、本実施例1においても、参考例1と同様にレーザスクライブを利用して、エピタキシャルウエハから発光ダイオードチップが分割された。
図3と図4において、本発明の実施例2によるGaN系化合物半導体発光ダイオードに関するチップ分割法が模式的な断面図で図解されている。この図3と図4における複数層301〜308の作製法も参考例1における複数層101〜108の作製法と同様であるので、その説明は繰り返されない。なお、本実施例2においても、サファイア基板301として、参考例1と同様に430μmの厚さのものが使用された。また、本実施例2においても、参考例1と同様にレーザスクライブを利用して、エピタキシャルウエハから発光ダイオードチップが分割された。
Claims (5)
- 窒化物半導体発光ダイオードチップを作製方法するための方法であって、
基板の上面上において発光層を含む複数の窒化物半導体層を結晶成長させたエピタキシャルウエハを形成する工程と、
前記ウエハを冶具に固定する工程と、
レーザ光を利用して前記ウエハから前記チップを分割する工程とを含み、
前記ウエハに対する前記レーザ光の入射角度を前記治具で制御することによって、前記チップの分割面の少なくとも一つは前記基板の上面に直交する面に対して傾斜させられていることを特徴とする作製方法。 - 前記チップはその基板の上面に比べて下面が小さな面積を有するように前記ウエハから分割されることを特徴とする請求項1に記載の作製方法。
- 前記レーザ光の光源として固体レーザ装置が利用されることを特徴とする請求項1または2に記載の作製方法。
- 前記基板として絶縁性基板が用いられていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の作製方法。
- 前記基板としてサファイア基板または炭化珪素基板が用いられていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の作製方法。
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