JP2006237056A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 この半導体装置の製造方法では、半導体基板1の主面S1に切断すべき部分1hを露出する様にしてマスク7を形成し、そのマスク7に基づき前記切断すべき部分1hをエッチングにより切断することにより、半導体基板1を個々の半導体チップに分割する。
【選択図】図5
Description
この実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、トランジスタ等の半導体装置を製造する方法である。以下では、半導体装置として例えば窒化物半導体からなる高周波トランジスタを製造する場合で説明する。
上記の実施の形態1では、マスク7を、切断隙にする部分1hが碁盤目状になる様に形成したが、図12の様に任意の形状・大きさに形成してもよい。これにより、同一基板1から大きさ・形状の異なる半導体チップ1tを製造できる。
上記の実施の形態1では、マスク7を、各半導体チップ1tの角部が残る様に形成したが、図13の様に半導体チップ1tの角部1mを落として丸みを帯びる様にしてもよい(即ち各半導体チップ1tの角部1mが丸みを帯びる様にマスク7を形成し、そのマスク7に基づき半導体基板1をエッチングにより切断してもよい)。
上記の実施の形態1では、裏面メッキ工程(図8参照)において、半導体基板1の裏面S2側全体にメッキ給電層9を形成した後に切断隙1jの側面(チップ側面)全体にマスク11を形成したが、メッキ給電層9とマスク11の形成順序を逆にしてもよい。即ち、図14の様に先に切断隙1jの側面を被覆する様に切断隙1jをマスク11(第1マスク11a)で被覆した後に、図15の様に半導体基板1の裏面S2側全体にメッキ給電層9を形成し、そのメッキ給電層9のうち、第1マスク11aに重畳する部分を第2マスク11bで被覆し、そして図16の様にその被覆状態でメッキ給電層9上にメッキ層13を形成し、そして図17の様にその形成後に第1マスク11aおよび第2マスク11bを除去し、図18の様に、支持基板5から半導体チップ1tを取り外して、個々の半導体チップ(高周波トランジスタ)1tに分離してもよい。
上記の実施の形態1では、図10および図11の様に、メッキ層13を半導体基板1の切断隙1jの側面(チップ側面)には全く形成せずに半導体基板1の裏面S2およびバイアホール1iだけに形成したが、図22の様に、メッキ層13を半導体基板1の裏面S2、バイアホール1iおよび半導体基板1の切断隙1jの側面の一部(例えば前記側面のうちの主面(素子形成面)S1側の周縁S3を除く部分)S4に渡って形成してもよい。
上記の実施の形態5では、裏面メッキ工程(図19参照)において、半導体基板1の裏面S2側全体にメッキ給電層9を形成した後に切断隙1jの側面(チップ側面)の一部(前記側面のうちの素子形成面S1側の周縁)S3にマスク11を形成したが、メッキ給電層9とマスク11の形成順序を逆にしてもよい。即ち、図23の様に先に切断隙1jの側面の一部S3にマスク(第1マスク)11aを被覆形成した後に、図24の様に半導体基板1の裏面S2側全体にメッキ給電層9を形成し、そのメッキ給電層9のうち、第1マスク11aに重畳する部分に第2マスク11bを被覆形成し、そして図25の様にその被覆状態でメッキ給電層9上にメッキ層13を形成し、そして図26の様にその形成後に第1マスク11aおよび第2マスク11bを除去してもよい。
上記の実施の形態1では、図10および図11の様に支持基板5から半導体チップ1tを取り外すことにより個々の半導体チップ1tに分離したが、そうする代わりに、図10の様に半導体基板1の表面S1側を支持基板5に貼着した状態で、図28の様に連結材15を用いて一体的に連結し(ここでは連結材15として例えば貼着テープを用い、その貼着テープを前記個々の半導体チップ1tの裏面(他方主面)S2に渡って貼着することにより、前記個々の半導体チップ1tを一体的に連結し)、図29の様にその連結状態で前記個々の半導体チップ1tを支持基板5から取り外し、そして図30の様に個々の半導体チップ1tを連結材15から取り外して分離してもよい。
上記の実施の形態7では、連結材15として貼着テープを用いたが、上記の実施の形態4および6の場合には、貼着テープの代わりにマスク11,11a,11bを連結材15として用いてもよい。即ち、連結材15として、個々の半導体チップ1tの裏面(他方主面)S2にメッキ給電層9およびメッキ層13を形成する際に事前に個々の半導体チップ1tのチップ側面(切断隙の側面)1jに被覆形成されるマスク11,11a,11bを用い、そのマスク11,11a,11bを、隣接する半導体チップ1tを連結する様に個々の半導体チップ1tのチップ側面(切断隙の側面)1jに被覆形成することにより、前記分割した半導体チップ1tをマスク11,11a,11bにより一体的に連結しておく。
Claims (8)
- 半導体基板の一方主面側に、切断すべき部分を露出する様にしてマスクを形成し、そのマスクに基づき前記切断すべき部分をエッチングにより切断することにより、前記半導体基板を個々の半導体チップに分割することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップがバイアホールを有する場合において、バイアホールをエッチング形成する際のエッチングにより前記半導体基板の前記切断すべき部分を切断することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップの角部が丸みを帯びる様に前記マスクを形成し、そのマスクに基づき前記半導体基板の前記切断すべき部分をエッチングにより切断することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップにおける素子形成面と反対側の主面に順にメッキ給電層およびメッキ層を形成する場合において、前記半導体チップのチップ側面のうち、少なくとも前記素子形成面側の周縁に第1マスクを被覆形成し、その被覆状態で前記反対側の主面および前記チップ側面にメッキ給電層を形成し、そのメッキ給電層のうち、前記第1マスクに重畳する部分に第2マスクを被覆形成し、その被覆状態で前記メッキ給電層上にメッキ層を形成し、その形成後に前記第1および第2マスクを除去することを特徴とする請求項1〜請求項3の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップにおける素子形成面と反対側の主面とチップ側面の少なくとも一部とに渡ってメッキ層を形成することを特徴とする請求項1〜請求項4の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の他方主面を支持基板に貼着した状態で前記半導体基板を前記個々の半導体チップに前記エッチングにより分割し、それら個々の半導体チップを連結材を用いて一体的に連結し、その連結状態で前記個々の半導体チップを前記支持基板から取り外し更に前記連結材から取り外して分離することを特徴とする請求項1〜請求項5の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記連結材として貼着テープを用いることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記連結材として、前記個々の半導体チップの他方主面にメッキ給電層およびメッキ層を形成する際に前記個々の半導体チップのチップ側面に被覆形成されるマスクを用いることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
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