JP5075815B2 - 半導体ダイの分離方法 - Google Patents
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Description
本発明の下記の詳細な説明は本来単なる代表例であり、かつ本発明の適用および用途を限定しようとするものではない。さらに、先の発明の背景または下記の発明の詳細な説明に示されるいかなる理論によっても拘束される意図は全くない。
Claims (2)
- 活性面と非活性面とを有する基板から半導体デバイスを製造する方法であって、
基材を前記基板の非活性面上に一定のパターンで堆積する工程であって、前記パターンは一平面上に形成されるとともに、少なくとも第1のダイセクション、該第1のダイセクションに隣接する第2のダイセクション、および第1のダイセクションと第2のダイセクションとを接続する帯状接続片を有し、前記帯状接続片が前記第1及び第2のダイセクションの対向する縁部に対して交差するように延びる、工程と、
前記基板の非活性面において前記基材が堆積されていない部分から材料を除去することによって、前記堆積された基材からなる帯状接続片により前記第1及び第2のダイセクションを介して互いに接続されている第1のダイと第2のダイとに前記基板を部分的に分離する工程と、
前記帯状接続片を破断して前記第1のダイセクションを第2のダイセクションから分離することにより、前記第1のダイを第2のダイから分離する工程とを備える方法。 - 基板からダイを製造する方法であって、
ハンドルウエハを前記基板の活性面に接着する工程と、
前記基板の非活性面の厚さを減少させる工程と、
基材を前記基板の非活性面上に一定のパターンで堆積する工程であって、前記パターンは一平面上に形成されるとともに、少なくとも第1のダイセクション、該第1のダイセクションに隣接する第2のダイセクション、および前記第1のダイセクションと前記第2のダイセクションとを接続する帯状接続片を有し、前記帯状接続片が前記第1及び第2のダイセクションの対向する縁部に対して交差するように延びる、工程と、
前記基板の非活性面において前記基材が堆積されていない部分から材料を化学的に除去することによって、前記堆積された基材からなる帯状接続片により前記第1及び第2のダイセクションを介して互いに接続されている第1のダイと第2のダイとに前記基板を部分的に分離する工程と、
前記ハンドルウエハを基板から除去する工程と、
前記堆積された基材を接着テープに結合する工程と、
前記帯状接続片を破断して前記第1のダイセクションを第2のダイセクションから分離することにより、前記第1のダイを第2のダイから分離する工程とを備える方法。
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