JP2008544549A - 化学的ダイ単一化技法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の下記の詳細な説明は本来単なる代表例であり、かつ本発明の適用および用途を限定しようとするものではない。さらに、先の発明の背景または下記の発明の詳細な説明に示されるいかなる理論によっても拘束される意図は全くない。
Claims (20)
- 活性面と非活性面とを有する基板から半導体デバイスを製造する方法であって、
基材を前記基板の非活性面上に一定のパターンで堆積する工程であって、前記パターンは、少なくとも第1のダイセクション、該第1のダイセクションに隣接する第2のダイセクション、および第1のダイセクションと第2のダイセクションとを接続する帯状部分を有する工程と、
前記基板の非活性面において前記基材が堆積されていない部分から材料を除去し、それにより前記基板を、前記堆積された基材の帯状部分により互いに接続されている第1のダイと第2のダイとに部分的に分離する工程と、
帯状接続部を破断して前記第1のダイを第2のダイから分離する工程とを備える方法。 - 前記堆積工程は、
中に形成される前記パターンの輪郭を有するシャドーマスクを前記基板の非活性面上に載置する工程と、
前記基材を前記シャドーマスクおよび前記基板の非活性面上に堆積し、それにより前記パターンを基板上に形成する工程とを備える請求項1に記載の方法。 - 前記堆積工程は金属を堆積する工程を備える請求項1に記載の方法。
- 前記堆積工程は非金属を堆積する工程を備える請求項1に記載の方法。
- 前記堆積工程は、
前記基材を前記基板の非活性面上に堆積する工程と、
前記堆積された基材上にフォトレジストを前記パターンで堆積する工程であって、堆積された基材の少なくとも一部分が露出する工程と、
前記露出した基材をエッチングする工程とを備える請求項1に記載の方法。 - 前記第1のダイセクションは円形である請求項1に記載の方法。
- 前記第1のダイセクションは、丸または鋭い隅部を有する多角形である請求項1に記載の方法。
- ハンドルウエハを前記基板の活性面に接着する工程をさらに備える請求項1に記載の方法。
- 前記基板の活性面をハンドルウエハに接着する工程後に前記基板の厚さを減少させる工程をさらに備える請求項8に記載の方法。
- 前記基板を前記ハンドルウエハから除去する工程と、
前記除去工程後に前記基板を接着テープに結合する工程をさらに備える請求項9に記載の方法。 - 前記基板の非活性面において前記基材が堆積されていない部分から材料を除去する工程後に、前記基板を接着テープに結合する工程をさらに備える請求項1に記載の方法。
- 前記基板の非活性面において前記基材が堆積されていない部分から材料を除去する工程は前記基板をエッチングする工程を備える請求項1に記載の方法。
- 前記基板をエッチングする工程は前記基板をドライエッチングする工程を備える請求項12に記載の方法。
- 前記基板をエッチングする工程は前記基板をウエットエッチングする工程を備える請求項12に記載の方法。
- 前記帯状接続部を破断する工程は、前記帯状接続部をのこ引きする工程を備える請求項1に記載の方法。
- 基板からダイを製造する方法であって、
ハンドルウエハを前記基板の活性面に接着する工程と、
前記基板の非活性面の厚さを減少させる工程と、
基材を前記基板の非活性面上に一定のパターンで堆積する工程であって、前記パターンは、少なくとも第1のダイセクション、該第1のダイセクションに隣接する第2のダイセクション、および前記第1のダイセクションと前記第2のダイセクションとを接続する帯状部分を有する工程と、
前記基板の非活性面において前記基材が堆積されていない部分から材料を化学的に除去し、それにより前記基板を、前記堆積された基材の帯状部分により互いに接続されている第1のダイと第2のダイとに部分的に分離する工程と、
前記ハンドルウエハを基板から除去する工程と、
前記堆積された基材を接着テープに結合する工程と、
前記帯状部分を破断して前記第1のダイを第2のダイから分離する工程とを備える方法。 - 前記化学的に除去する工程は、前記基板の露出した部分をエッチングする工程を含む請求項16に記載の方法。
- 前記第1のダイセクションは円形である請求項16に記載の方法。
- 前記第1のダイセクションは、丸または鋭い隅部を有する多角形である請求項16に記載の方法。
- 基板からダイを製造する方法であって、
基材層を前記基板の活性面上に一定のパターンで堆積する工程であって、前記パターンは、少なくとも第1のダイセクション、該第1のダイセクションに隣接する第2のダイセクション、および前記第1のダイセクションと第2のダイセクションとを接続する帯状部分を有する工程と、
前記基板の活性面において基材層が堆積されていない部分をエッチングして、前記第1のダイと第2のダイとが帯状部分により互いに接続されることを維持しながら、前記基板を前記第1のダイと前記第2のダイとに部分的に分離する工程と、
前記帯状部分を破断して前記第1のダイを第2のダイから分離する工程とを備える方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/159,553 US7332414B2 (en) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | Chemical die singulation technique |
US11/159,553 | 2005-06-22 | ||
PCT/US2006/023120 WO2007001854A2 (en) | 2005-06-22 | 2006-06-13 | Chemical die singulation technique |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008544549A true JP2008544549A (ja) | 2008-12-04 |
JP2008544549A5 JP2008544549A5 (ja) | 2009-07-09 |
JP5075815B2 JP5075815B2 (ja) | 2012-11-21 |
Family
ID=37568085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008518237A Expired - Fee Related JP5075815B2 (ja) | 2005-06-22 | 2006-06-13 | 半導体ダイの分離方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7332414B2 (ja) |
JP (1) | JP5075815B2 (ja) |
CN (1) | CN101203938B (ja) |
TW (1) | TWI411027B (ja) |
WO (1) | WO2007001854A2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8609512B2 (en) * | 2009-03-27 | 2013-12-17 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method for laser singulation of chip scale packages on glass substrates |
US8072044B2 (en) * | 2009-09-17 | 2011-12-06 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die containing lateral edge shapes and textures |
US11488923B2 (en) | 2019-05-24 | 2022-11-01 | Wolfspeed, Inc. | High reliability semiconductor devices and methods of fabricating the same |
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US5904546A (en) | 1996-02-12 | 1999-05-18 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for dicing semiconductor wafers |
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JP3447602B2 (ja) | 1999-02-05 | 2003-09-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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US7042103B2 (en) | 2002-12-30 | 2006-05-09 | Motorola, Inc. | Low stress semiconductor die attach |
TWI234842B (en) * | 2003-09-09 | 2005-06-21 | Ind Tech Res Inst | Manufacturing method of chemical sensors |
-
2005
- 2005-06-22 US US11/159,553 patent/US7332414B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-13 WO PCT/US2006/023120 patent/WO2007001854A2/en active Application Filing
- 2006-06-13 JP JP2008518237A patent/JP5075815B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-13 CN CN2006800225032A patent/CN101203938B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-15 TW TW095121340A patent/TWI411027B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI411027B (zh) | 2013-10-01 |
CN101203938A (zh) | 2008-06-18 |
WO2007001854A2 (en) | 2007-01-04 |
US20060292827A1 (en) | 2006-12-28 |
JP5075815B2 (ja) | 2012-11-21 |
WO2007001854A3 (en) | 2007-12-06 |
TW200705559A (en) | 2007-02-01 |
CN101203938B (zh) | 2012-07-11 |
US7332414B2 (en) | 2008-02-19 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090520 |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111108 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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