JP3663100B2 - 半導体装置およびその製造方法、並びに、無線通信システム - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、チップ分離工程において有効な半導体装置およびその半導体装置を用いた無線通信システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
特開平９‐２７５１６４号公報には、基板上にベンゾシクロブテンを塗布形成して成る半導体装置が開示されている。この公報においては、上記半導体装置におけるスクライブライン上のベンゾシクロブテンを除去することが記載されている。そして、その理由として、上記ベンゾシクロブテンがスクライブ領域に残っている場合には、チップ分離工程において行うダイシングの際にベンゾシクロブテンがダイシングブレードに巻き込まれるために、ダイシングブレードの寿命を縮めるからであることが記載されている。
【０００３】
ところで、無線通信システムにおいては、電力効率が低く、５０％近くが熱となって放出されてしまう。したがって、大きな出力を得るためには大量に発生する熱の速やかな放出が問題となる。そこで、半導体装置の基板を薄くした薄い半導体チップを用いることによって、放熱性を高め、搭載されている素子の熱抵抗を下げたり、実装時に付けるワイヤの長さを短くして電気信号の損失を小さくしたりしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の基板上にベンゾシクロブテンを塗布形成して成る半導体装置には、以下のような問題がある。
【０００５】
すなわち、上記半導体装置においては、ダイシングの際にベンゾシクロブテンがダイシングブレードに巻き込まれないようにするために、スクライブライン上のベンゾシクロブテンを除去するようにしている。ところが、ガリウム砒素等の化合物半導体基板はシリコン基板に比べてダイシングが難しく、チップ周辺が欠ける「チッピング」という不具合が生じる。図５に示すように、このチッピング１は、ダイシングした部分２の周辺に発生して、チップ３の一部を欠けさせてしまう。そこで、ダイシングに際しては、チッピング１によって欠けるエリアを考慮する必要が生じるため、スクライブ領域４を必要以上に広く取る必要が生じる。
【０００６】
尚、上述のごとく上記化合物半導体基板をダイシングする際に生じるチッピングは、ダイシングのスピードを減ずる方法や、ダイシングブレードを研磨して鋭くする方法等によって減らすことは可能である。しかしながら、上述のチッピング減少方法は、ダイシングブレードの寿命を縮め、円滑にダイシングができなくなるという問題を発生させることになり、結局はダイシングブレード寿命の延命を図ることはできないのである。
【０００７】
さらには、上記ダイシングによって分割されたチップのダイシング端においては、上記ベンゾシクロブテンが除去されているため、化合物半導体基板が露出している。したがって、放熱性を高めると共に、素子の熱抵抗や電気信号の損失の低減を図るために、上記化合物半導体基板を薄くする際に、冶具によるハンドリング中にダイシング端が破壊されてしまうという問題がある。
【０００８】
そこで、この発明の目的は、ダイシング時におけるチッピングおよびハンドリング時におけるエッジの損傷を防止できる半導体装置およびその製造方法、並びに、上記半導体装置を用いた無線通信システムを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、第１の発明は、有機絶縁材料によって半導体の表面が覆われて成る半導体装置において、上記半導体は,素子が形成されている複数の素子領域と個々の素子領域の間におけるスクライブ領域を有し、上記スクライブ領域における表面は,上記有機絶縁材料によって覆われており、上記スクライブ領域の表面を覆っている上記有機絶縁材料の厚みは、上記素子領域の表面を覆っている上記有機絶縁材料の厚みよりも薄いことを特徴としている。
【００１０】
上記構成によれば、半導体におけるスクライブ領域の表面は有機絶縁材料によって補強されている。したがって、上記スクライブ領域においてダイシングを行って半導体チップに分割される際に、半導体チップの周囲にチッピングが発生することが防止される。その際に、上記スクライブ領域の表面を覆っている上記有機絶縁材料の厚みは素子領域の表面を覆っている有機絶縁材料よりも薄くなっている。したがって、上記ダイシング時におけるダイシングブレードに対するダメージが低減される。さらに、上記スクライブ領域で分割された半導体チップにおけるダイシング端は、上記有機絶縁材料によって補強されている。したがって、上記半導体チップに対するハンドリングの際に、上記ダイシング端が冶具によって損傷されることはない。そして、半導体チップの厚みを薄くすることが容易に可能になる。
【００１１】
また、上記第１の発明の半導体装置は、上記有機絶縁材料をベンゾシクロブテンで構成することが望ましい。
【００１２】
上記構成によれば、上記スクライブ領域の表面が、上記有機絶縁材料としてのベンゾシクロブテンによってより強固に補強される。こうして、上記ダイシング時におけるチッピングの発生や、ハンドリング時における上記ダイシング端の損傷が、より確実に防止される。
【００１３】
また、上記第１の発明の半導体装置は、上記素子領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みを５μm以上とすることが望ましい。
【００１４】
上記構成によれば、上記素子領域の表面は５μm以上の厚みのベンゾシクロブテンで覆われている。したがって、上記素子は、上記ベンゾシクロブテンによって確実に保護される。
【００１５】
また、上記第１の発明の半導体装置は、上記有機絶縁材料によって表面が覆われている半導体を、ガリウム砒素,アルミニウムガリウム砒素,インジウムリン,インジウムガリウム砒素,インジウムガリウムリン,ガリウムナイトライド,ジンクセレナイド,シリコンカーバイド等の化合物半導体とすることが望ましい。
【００１６】
上記構成によれば、シリコンウェハやガラス基板よりもチッピングが生じ易い上記化合物半導体を用いる場合に、上記ダイシング時におけるチッピングの発生が効果的に防止される。
【００１７】
また、第２の発明の半導体装置は、ベンゾシクロブテンによって半導体の表面が覆われて成る半導体装置において、上記半導体におけるスクライブ領域の表面は、厚みが１０μm未満のベンゾシクロブテンによって覆われており、上記スクライブ領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みは、上記半導体における素子領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みよりも薄いことを特徴としている。
【００１８】
上記構成によれば、半導体におけるスクライブ領域の表面はベンゾシクロブテンによって補強されている。したがって、上記スクライブ領域においてダイシングを行って半導体チップに分割される際に、半導体チップの周囲にチッピングが発生することが防止される。その際に、上記スクライブ領域の表面を覆っている上記ベンゾシクロブテンの厚みは１０μm未満であり、上記スクライブ領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みは、上記半導体における素子領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みよりも薄い。したがって、上記ダイシング時におけるダイシングブレードに対するダメージが低減される。さらに、上記スクライブ領域で分割された半導体チップにおけるダイシング端は、上記ベンゾシクロブテンで補強されている。したがって、上記半導体チップに対するハンドリングの際に、上記ダイシング端が冶具によって損傷されることはない。そして、半導体チップの厚みを薄くすることが容易に可能になる。
【００１９】
また、上記第２の発明の半導体装置は、上記ベンゾシクロブテンによって表面が覆われる半導体を、ガリウム砒素,アルミニウムガリウム砒素,インジウムリン,インジウムガリウム砒素,インジウムガリウムリン,ガリウムナイトライド,ジンクセレナイド,シリコンカーバイド等の化合物半導体とすることが望ましい。
【００２０】
上記構成によれば、シリコンウェハやガラス基板よりもチッピングが生じ易い上記化合物半導体を用いる場合に、上記ダイシング時におけるチッピングの発生が効果的に防止される。
【００２１】
また、第３の発明の半導体装置の製造方法は、素子が形成されている半導体の表面をベンゾシクロブテンで覆い、複数の素子領域の間におけるスクライブ領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みを、上記素子領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みよりも薄くして、上記スクライブ領域に対して,当該スクライブ領域を覆っているベンゾシクロブテンごとダイシングを行って半導体チップに分割することを特徴としている。
【００２２】
上記構成によれば、半導体におけるスクライブ領域の表面はベンゾシクロブテンによって補強されている。したがって、上記スクライブ領域においてダイシングを行って半導体チップに分割される際に、半導体チップの周囲にチッピングが発生することが防止される。その際に、上記スクライブ領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みを、上記半導体における素子領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みよりも薄くしている。したがって、上記ダイシング時におけるダイシングブレードに対するダメージが低減される。さらに、上記スクライブ領域で分割された半導体チップにおけるダイシング端は、上記ベンゾシクロブテンで補強されている。したがって、上記半導体チップに対するハンドリングの際に、上記ダイシング端が冶具によって損傷されることはない。そして、半導体チップの厚みを薄くすることが容易に可能になる。
【００２３】
また、上記第３の発明の半導体装置の製造方法は、上記ベンゾシクロブテンによって表面が覆われている半導体を、ガリウム砒素,アルミニウムガリウム砒素,インジウムリン,インジウムガリウム砒素,インジウムガリウムリン,ガリウムナイトライド,ジンクセレナイド,シリコンカーバイド等の化合物半導体で形成することが望ましい。
【００２４】
上記構成によれば、シリコンウェハやガラス基板よりもチッピングが生じ易い化合物半導体を用いる場合に、上記ダイシング時におけるチッピングの発生が効果的に防止される。
【００２５】
また、第４の発明の無線通信システムは、上記第１の発明の半導体装置を上記スクライブ領域で上記ベンゾシクロブテンごと分割して得られた半導体チップを用いたことを特徴としている。
【００２６】
上記構成によれば、上記素子領域およびダイシング端が上記ベンゾシクロブテンによって補強されてハンドリング性が向上された半導体チップを用いることによって、半導体チップの厚みを薄くすることが容易に可能になる。したがって、放熱性を高めると共に、搭載されている素子の熱抵抗や信号の損失の低下が図られて、高信頼性,高効率の無線通信システムが容易に得られる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。図１は、本実施の形態の半導体装置における縦断面図である。本半導体装置は、化合物半導体基板１１上に層間絶縁膜としてのベンゾシクロブテン膜１２が形成されている。そして、このベンゾシクロブテン膜１２は、素子領域１３と、その周辺に在るスクライブ領域１４と、このスクライブ領域１４を介して素子領域１３に隣接する素子領域１５に別れている。ここで、スクライブ領域１４におけるベンゾシクロブテン膜１２の厚みは、素子領域１３,１５におけるベンゾシクロブテン膜１２の厚みよりも薄く形成されている。尚、素子領域１３における化合物半導体基板１１上には、素子１６が形成されている。
【００２８】
上記断面形状を有する半導体装置は以下のようにして形成される。すなわち、化合物半導体基板１１としてのガリウム砒素基板やインジウムリン基板に、ベンゾシクロブテンの６３％メシチレン溶液を、２０００rpmで６０秒間スピンコートする。その後、窒素雰囲気中において、９０℃で３０分間、１５０℃で１０分間、２８０℃で５分間、３００℃で５分間の４回の熱処理を行う。こうして形成されたベンゾシクロブテンの厚みは、２０μmであった。
【００２９】
次に、得られた半導体積層基板にノボラックフォトレジストを１０μmから２０μmの厚みになるように塗布する。そして、このノボラックフォトレジストにスクライブラインのパターンをフォトリソグラフィ技術によって形成し、ＳＦ₆と酸素との混合ガス中において、７Ｐaの圧力,１５０ＷのＲＦパワーで、平行平板型ドライエッチング装置によって、リアクティブエッチングを３０分間施す。こうして、ベンゾシクロブテン膜１２におけるスクライブ領域１４の境界に１５μmの段差が形成される。その結果、スクライブ領域１４におけるベンゾシクロブテン膜１２の厚みは５μmとなる。その後、半導体積層基板を薄く研磨して２００μmの厚みにする。
【００３０】
上述のように形成された半導体装置は、上記スクライブ領域１４をダイシングソーでダイシングすることによって、個々のチップに分割される。その際におけるダイシングの条件は、ダイシングソーのカットスピードを３mm/秒〜５mm/秒として行う。尚、実際にカットされる部分はスクライブ領域１４よりも狭く、ダイシング後におけるチップの形状は、図２に示すような形状となる。
【００３１】
図２において、スクライブ領域における化合物半導体基板２１は、ベンゾシクロブテン膜２２によってカバーされている。そして、素子(図示せず)上におけるベンゾシクロブテン膜２３の厚みは２０μmであり、スクライブ領域におけるベンゾシクロブテン膜２２の厚みは５μmである。
【００３２】
この場合、上述したように、ダイシング端における化合物半導体基板２１は、スクライブ領域のベンゾシクロブテン膜２２によって表面がカバーされているために、上記ダイシングの際にチッピングは生じないのである。尚、チッピングの現象は、シリコンウェハやガラス基板においては発生し難く、２種類以上の元素から構成される化合物半導体、具体的には、ガリウム砒素,アルミニウムガリウム砒素,インジウムリン,インジウムガリウム砒素,インジウムガリウムリン,ガリウムナイトライド,ジンクセレナイド,シリコンカーバイト等において発生する。ところが、本実施の形態においては、スクライブ領域において、化合物半導体基板２１上には厚みが５μmのベンゾシクロブテン膜２２が存在しているため、ダイシングによって生ずるチッピングが抑制されるのである。２４は、素子上のベンゾシクロブテン膜２３上に形成されて上記素子と電気的に接続された電極である。
【００３３】
また、上記ベンゾシクロブテン膜１２,２２,２３の代りに、ポリキノリン膜やポリイミド膜等の所謂有機絶縁材料の膜を形成しても上記チッピングを抑制する効果は見られる。しかしながら、樹脂のストレスや密着性等の問題もあり、化合物半導体基板１１上に全く樹脂層が無い場合に比してチッピングの発生は改善されるが、ベンゾシクロブテン膜１２,２２,２３を用いた場合ほどの抑制効果はない。
【００３４】
化合物半導体の場合、一般に基板を薄くしてダイシングを行うことが多い。こうして得られる薄いチップは、素子の熱抵抗を下げたり、実装時に付けるワイヤの長さを短くしたりして電気信号の損失を小さくできる等の効果を呈する。ところが、例えば、チップ厚みが１００μm以下である場合には、チップのハンドリング性が著しく損なわれ、ハンドリング中にチップを破壊してしまう場合があるという問題がある。
【００３５】
図３は、チップ厚みを５０μmから２００μmまで５０μmずつ変えた場合におけるハンドリング時のチップ破壊による歩留りの変化を示す。尚、図中、ベンゾシクロブテンが塗布されているものは、スクライブ領域に、素子領域におけるベンゾシクロブテン厚みより薄くベンゾシクロブテンが残っている状態でダイシングしたものである。ここで、図中に記されたベンゾシクロブテンの厚みは、素子領域におけるベンゾシクロブテン厚みである。
【００３６】
図３によれば、上記ベンゾシクロブテンを塗布しない従来の半導体装置の場合には、チップ厚みが１００μm以下では、ハンドリングによって５０％以上のチップを破壊してしまうことが分かる。これに対して、ベンゾシクロブテンがチップ表面に塗布されている場合は、ベンゾシクロブテンがチップを補強するためにハンドリング性が著しく向上することが分かる。つまり、ベンゾシクロブテンの厚みが５μmであれば、チップ厚みが５０μmであっても、ハンドリングによる歩留りを６０％に保つことができ、大きく低下させることはない。そして、ベンゾシクロブテン厚みが１０μmの場合には更に歩留りが改善され、２０μmの場合には歩留りを損なうことは無くなる。したがって、２０μm以上の膜厚でベンゾシクロブテンが素子領域に存在することによって、ハンドリングによる歩留りを低下することはないと考えられる。
【００３７】
そして、この効果は、上記スクライブ領域にベンゾシクロブテンを残すことによってさらに強められるのである。すなわち、特開平９‐２７５１６４号公報に開示されているように、２０μmの膜厚で上記素子領域に存在するベンゾシクロブテンをスクライブ領域において全部除去した場合には、「発明が解決しようとする課題」で述べたように、チップ端面にチッピングが発生する。そして、チッピングが生じているチップ端面をコレットやピンセットで触れるためにチップが破壊されやすくなり、ベンゾシクロブテンの塗布による歩留り向上の効果を大きくは望めない。図３に示すように、上記素子領域は２０μm厚のベンゾシクロブテンでカバーされているにも拘わらず、ハンドリング歩留りは、ベンゾシクロブテンの塗布なしに比して１５％程度の小さな改善しかされないのである。これに対して、図２に示すごとく、上記スクライブ領域におけるベンゾシクロブテン２２を５μm程度の厚みで残すだけで、ハンドリング歩留りを１００％に改善できるのである。
【００３８】
さらに、上記スクライブ領域に残されたベンゾシクロブテン膜は、ダイシングされて個々に分離されたチップを治具で挟んだり真空吸着して取り扱う際に、チップの周辺部を傷めてしまう問題を解決する効果も有する。通常、個々に分離されたチップを治具で取り扱う場合には、治具のエッジがチップのエッジに当ってチップの周辺部を傷めてしまう。そのために、ウェハ基板上に形成された半導体装置をチップにスクライブする際にチップエッジの面取りを行うベベルカットのようなダイシング方法が開発されている。このダイシング方法では、特殊なダイシングブレードを使用する必要があり、手間も増える。ところが、図２に示すごとく、スクライブ領域がベンゾシクロブテン２２で覆われている場合は、治具のエッジのダメージをベンゾシクロブテンが吸収するため、チップのエッジを傷めることはないのである。
【００３９】
図４に、上記チップを取り扱う際の例を示す。上記ベンゾシクロブテン３２で覆われたチップ３１は、冶具３３の減圧穴３４を介して治具３３とチップ３１との間の空間が減圧されて、冶具３３に真空吸着されている。この場合、チップ３１の上面全体がベンゾシクロブテン３２で覆われている。したがって、治具３３におけるチップ３１のエッジが当接する領域３５には、常にベンゾシクロブテン３２が接触することになる。したがって、チップ３１のエッジが傷められることはないのである。
【００４０】
尚、上述したように、上記チップを治具で取り扱う場合にチップエッジが傷められることは、化合物半導体においては顕著に見られる。それにも拘わらず、従来においては根本的な解決法が無かったのである。しかしながら、本実施の形態によれば、化合物半導体装置をダイシングによってチップに分割する際に、スクライブ領域に５μm程度の厚みでベンゾシクロブテンを残してチップエッジをベンゾシクロブテンで補強している。したがって、治具３３にはベンゾシクロブテン３２が接触することになり、チップ３１のエッジが傷められることを解決できるのである。
【００４１】
尚、その場合、上記スクライブ領域におけるベンゾシクロブテンの厚みは、１０μmより薄い(０.５μm〜５μm)ことが望ましい。スクライブライン領域に１０μm以上のベンゾシクロブテンが残されている場合は、特開平９‐２７５１６４号公報において指摘されているように、ダイシングブレードの寿命を縮めるという問題が生じるのである。上記スクライブ領域におけるベンゾシクロブテンの厚みは、図１の説明で述べたように５μm程度であれば、十分にチップのハンドリングによる歩留り低下を防ぎ、チップエッジのダメージを防ぐ効果を奏することができるのである。
【００４２】
上述のように、素子領域にベンゾシクロブテン膜を残し、スクライブ領域にもベンゾシクロブテン膜を上記素子領域の厚みより薄く残して形成した半導体装置を、上記スクライブ領域でダイシングを行って得られたチップは、上記ベンゾシクロブテン膜による補強効果によって、薄く加工することが容易に可能になる。そして、チップの厚みを薄くすることによって、放熱性を高めると共に、上述した素子の熱抵抗や信号の損失をハンドリング歩留りを低下させることなく下げることができる。
【００４３】
したがって、本実施の形態によって形成された半導体チップを無線通信システムに適用することによって、高信頼性および高効率を有する無線通信システムを実現することができるのである。
【００４４】
【発明の効果】
以上より明らかなように、請求項１に係る発明の半導体装置は、スクライブ領域における表面が、素子領域の表面を覆っている有機絶縁材料の厚みよりも薄く上記有機絶縁材料によって覆われているので、上記スクライブ領域の表面を有機絶縁材料によって補強することができる。したがって、上記スクライブ領域に対してダイシングを行って半導体チップに分割する際に、上記半導体チップの周囲にチッピングが発生することを防止できる。
【００４５】
その際に、上記スクライブ領域の表面を覆っている上記有機絶縁材料の厚みは素子領域の表面を覆っている有機絶縁材料よりも薄くなっている。したがって、ダイシング時におけるダイシングブレードのダメージを低減できる。さらに、上記スクライブ領域で分割された半導体チップのダイシング端を、上記有機絶縁材料によって補強することができる。したがって、上記半導体チップに対するハンドリングの際に、上記ダイシング端が冶具によって損傷されることを防止して、ハンドリング性を向上できる。そして、半導体チップの厚みを薄くすることが容易に可能になる。
【００４６】
また、上記第１の発明の半導体装置は、上記有機絶縁材料をベンゾシクロブテンで構成すれば、上記スクライブ領域の表面を上記ベンゾシクロブテンによってより強固に補強できる。したがって、上記ダイシング時におけるチッピングの発生やハンドリング時における上記ダイシング端の損傷を、より確実に防止できるのである。
【００４７】
また、上記第１の発明の半導体装置は、上記素子領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みを５μm以上とすれば、上記半導体中の素子を、上記ベンゾシクロブテンによって確実に保護できる。
【００４８】
また、上記第１の発明の半導体装置は、上記有機絶縁材料によって表面が覆われている半導体を、ガリウム砒素,アルミニウムガリウム砒素,インジウムリン,インジウムガリウム砒素,インジウムガリウムリン,ガリウムナイトライド,ジンクセレナイド,シリコンカーバイド等の化合物半導体とすれば、シリコンウェハやガラス基板よりもチッピングが生じ易い上記化合物半導体を用いる場合に、上記ダイシング時におけるチッピングの発生を効果的に防止できる。
【００４９】
また、第２の発明の半導体装置は、スクライブ領域における表面が、厚みが１０μm未満のベンゾシクロブテンによって覆われているので、上記スクライブ領域の表面をベンゾシクロブテンによって補強することができる。したがって、上記スクライブ領域においてダイシングを行って半導体チップに分割する際に、半導体チップの周囲にチッピングが発生することを防止できる。
【００５０】
その際に、上記スクライブ領域の表面を覆っている上記ベンゾシクロブテンの厚みは１０μm未満であり、上記スクライブ領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みは、上記半導体における素子領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みよりも薄い。したがって、上記ダイシング時におけるダイシングブレードに対するダメージを低減できる。さらに、上記スクライブ領域で分割された半導体チップにおけるダイシング端を、上記ベンゾシクロブテンによって補強することができる。したがって、上記半導体チップに対するハンドリングの際に、上記ダイシング端が冶具によって損傷されることを防止して、ハンドリング性を向上できる。そして、半導体チップの厚みを薄くすることが容易に可能になる。
【００５１】
尚、上記スクライブ領域上のベンゾシクロブテンの厚みは０.５μm〜５μmであることが望ましく、その場合には上記チッピングが防がれると供に、ダイシングブレードの寿命も効果的に延ばされる。
【００５２】
また、上記第２の発明の半導体装置は、上記ベンゾシクロブテンによって表面が覆われる半導体を、ガリウム砒素,アルミニウムガリウム砒素,インジウムリン,インジウムガリウム砒素,インジウムガリウムリン,ガリウムナイトライド,ジンクセレナイド,シリコンカーバイド等の化合物半導体とすれば、シリコンウェハやガラス基板よりもチッピングが生じ易い上記化合物半導体を用いる場合に、上記ダイシング時におけるチッピングの発生を効果的に防止できる。
【００５３】
また、第３の発明の半導体装置の製造方法は、素子が形成されている半導体の表面をベンゾシクロブテンで覆い、複数の素子領域の間におけるスクライブ領域に対して当該スクライブ領域を覆っているベンゾシクロブテンごとダイシングを行って半導体チップに分割するので、上記スクライブ領域の表面をベンゾシクロブテンで補強することができ、上記スクライブ領域においてダイシングを行う際に半導体チップの周囲にチッピングが発生することを防止できる。
【００５４】
その際に、上記スクライブ領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みを、上記半導体における素子領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みよりも薄くしている。したがって、上記ダイシング時におけるダイシングブレードに対するダメージが低減される。さらに、上記スクライブ領域で分割された半導体チップにおけるダイシング端を、上記ベンゾシクロブテンによって補強することができる。したがって、上記半導体チップをハンドリングする際に、上記ダイシング端が冶具によって損傷されることを防止して、ハンドリング性を向上できる。そして、半導体チップの厚みを薄くすることが容易に可能になる。
【００５５】
また、上記第３の発明の半導体装置の製造方法は、上記ベンゾシクロブテンによって表面が覆われている半導体を、ガリウム砒素,アルミニウムガリウム砒素,インジウムリン,インジウムガリウム砒素,インジウムガリウムリン,ガリウムナイトライド,ジンクセレナイド,シリコンカーバイド等の化合物半導体で形成すれば、シリコンウェハやガラス基板よりもチッピングが生じ易い上記化合物半導体を用いる場合に、上記ダイシング時におけるチッピングの発生を防止できる。
【００５６】
また、第４の発明の無線通信システムは、上記第１の発明の半導体装置を上記スクライブ領域で上記ベンゾシクロブテンごと分割して得られた半導体チップを用いるので、上記素子領域およびダイシング端が上記ベンゾシクロブテンによって補強されてハンドリング性が向上された半導体チップを用いることによって、半導体チップの厚みを薄くすることが容易に可能になる。したがって、放熱性を高めると共に、搭載されている素子の熱抵抗や信号の損失の低下を図って、高信頼性,高効率の無線通信システムを容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の半導体装置における縦断面図である。
【図２】 図１におけるスクライブ領域をダイシングして得られたチップの斜視図である。
【図３】 チップ厚みを変えた場合におけるハンドリング歩留りの変化を示す図である。
【図４】 図２に示すチップを冶具で取り扱う場合の状態を示す図である。
【図５】 従来の化合物半導体をダイシングする際に生ずるチッピングの説明図である。
【符号の説明】
１１,２１…化合物半導体基板、
１２,２２,２３,３２…ベンゾシクロブテン膜、
１３,１５…素子領域、
１４…スクライブ領域、
１６…素子、
２４…電極、
３１…チップ、
３３…冶具、
３４…減圧穴、
３５…当接領域。

Claims (8)

1. 有機絶縁材料によって半導体の表面が覆われて成る半導体装置において、
   上記半導体は、素子が形成されている複数の素子領域と、個々の素子領域の間におけるスクライブ領域を有し、
   上記スクライブ領域における表面は、上記有機絶縁材料によって覆われており、
   上記スクライブ領域の表面を覆っている上記有機絶縁材料の厚みは、上記素子領域の表面を覆っている上記有機絶縁材料の厚みよりも薄いことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置において、
   上記有機絶縁材料はベンゾシクロブテンであることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２に記載の半導体装置において、
   上記素子領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みは５μm以上であることを特徴とする半導体装置。
4. ベンゾシクロブテンによって半導体の表面が覆われて成る半導体装置において、
   上記半導体におけるスクライブ領域の表面は、厚みが１０μm未満のベンゾシクロブテンによって覆われており、
   上記スクライブ領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みは、上記半導体における素子領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みよりも薄いことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項２乃至請求項４の何れか一つに記載の半導体装置において、
   上記ベンゾシクロブテンによって表面が覆われている半導体は、ガリウム砒素,アルミニウムガリウム砒素,インジウムリン,インジウムガリウム砒素,インジウムガリウムリン,ガリウムナイトライド,ジンクセレナイド,シリコンカーバイド等の化合物半導体であることを特徴とする半導体装置。
6. 素子が形成されている半導体の表面をベンゾシクロブテンで覆い、
   複数の素子領域の間におけるスクライブ領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みを、上記素子領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚みよりも薄くして、
   上記スクライブ領域に対して、当該スクライブ領域を覆っているベンゾシクロブテンごとダイシングを行って半導体チップに分割することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
   上記ベンゾシクロブテンによって表面が覆われている半導体を、ガリウム砒素,アルミニウムガリウム砒素,インジウムリン,インジウムガリウム砒素,インジウムガリウムリン,ガリウムナイトライド,ジンクセレナイド,シリコンカーバイド等の化合物半導体で形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項２乃至請求項５の何れか一つに記載の半導体装置を上記スクライブ領域で上記ベンゾシクロブテンごと分割して得られた半導体チップを用いたことを特徴とする無線通信システム。

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