JP3498049B2

JP3498049B2 - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP3498049B2
Application number: JP2000285351A
Authority: JP
Inventors: 信之松本; 輝幸中西
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2000-09-20
Filing date: 2000-09-20
Publication date: 2004-02-16
Anticipated expiration: 2020-09-20
Also published as: JP2002093832A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や半導
体集積回路などの半導体装置、特に無線通信装置などに
チップ状態で実装する際の取扱いを考慮した半導体装置
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば第２９１７８６７号特許公報に
は、図２として、シリコンウエハなどの基材上に、ベン
ゾシクロブテン（Benzocyclobutene）樹脂絶縁膜を塗布
して形成する半導体装置の概略的な構成が記載されてい
る。シリコンウエハなどの半導体基材上に、ベンゾシク
ロブテン等の有機材料を塗布形成するのは、信頼性の向
上を図るためである。さらに半導体基板として、ガリウ
ム砒素などの化合物半導体を用いるときには、有機絶縁
膜によって化合物半導体基板の脆さを補うことができ
る。有機絶縁膜１によって脆さが補われるので、化合物
半導体基板の厚さを薄くすることも可能となり、良好な
高周波特性を得ることができる。

【０００３】図８は、有機絶縁膜１が半導体基板２の表
面に形成されている半導体チップ３を角錐コレット４で
吸着して取扱っている状態を示す。角錐コレット４に
は、真空吸引孔５が設けられ、真空ポンプなどに連通し
て真空吸引が行われる。角錐コレット４の先端には、半
導体チップ３を吸着するための凹部６が設けられる。凹
部６の形状は、半導体チップ３の上部の形状に適合し、
半導体チップ３の上部の外形よりも広い開口部と、半導
体チップ３の上部よりも狭い底部との間に、傾斜した接
触面７が形成される。真空吸着される半導体チップ３
は、有機絶縁膜１のトップエッジ部８が角錐コレット４
の接触面７に当接し、有機絶縁膜１の表面と角錐コレッ
ト４の凹部６の底面とは間隔があいた状態で吸着され
る。

【０００４】半導体チップ３の有機絶縁膜１のトップエ
ッジ部８は、半導体チップ３をウエハの状態から分離す
るダイシング工程において、有機絶縁膜１ごと半導体チ
ップ３を切断したり、エッチングによって事前に有機絶
縁膜１を除去する際に、必然的に生じる。角錐コレット
４の接触面７が、半導体チップ３の表面に平行な平面か
ら傾斜している角度θは、たとえば１２０度程度であ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】図８に示すように、従
来の有機絶縁膜１を半導体基板２の表面に有する半導体
チップ３では、トップエッジ部８がダイシング工程での
機械的な切断や、エッチングによる化学的な切断の状態
のまま、表面に対して側壁面が９０度に近い角度で形成
されている。このため、トップエッジ部８は、角錐コレ
ット４の接触面７に対し、非常に狭い面積で接触し、半
導体チップ３が強く真空吸着されるときには、トップエ
ッジ部８に大きな接触圧が加わる。このため、トップエ
ッジ部８から有機絶縁膜１にクラックが生じる恐れがあ
る。このようなクラックが生じると、クラックを通じて
外部の湿気が入り込み、半導体基板２上に形成される素
子や集積回路の信頼性を低下させるので、製造工程上好
ましくない。

【０００６】さらに、半導体基板２の厚みが薄い場合に
は、有機絶縁膜１のトップエッジ部８と角錐コレット４
の接触面７とが線接触するため、大きな力が半導体基板
２に加わり、半導体基板２を破壊させてしまう恐れも生
じる。特に、ガリウム砒素などの化合物半導体を用いる
半導体基板２では、結晶が脆く、薄い半導体基板２のハ
ンドリングが難しいので、真空吸着の際に破壊が生じる
問題は顕著になる。

【０００７】角錐コレット４を用いる半導体チップ３の
ハンドリングは、半導体ウエハ上に複数個半導体チップ
３を形成した後で、ダイシング工程で分離した後のダイ
シング装置からの取出しや、配線基板上に半導体チップ
３を実装マウントするダイボンドの際などに広く行われ
る。半導体チップ３の角錐コレット４によるハンドリン
グが難しいと、半導体チップ３にダメージを与え、後半
歩留りを低下させたり、ダメージを避けるために真空吸
着力を弱める結果、確実な真空吸着が困難になり、生産
性が低下するなどの問題を生じる。

【０００８】本発明の目的は、有機絶縁膜にクラック
を生じさせたり半導体チップを破壊させたりすることな
く、角錐コレットなどを用いた真空吸着を容易に行い、
信頼性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法
を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、表面に電子素
子または電子回路が形成されている半導体基板と、該半
導体基板の表面を有機絶縁材料で覆って形成される有機
絶縁膜とを含み、該有機絶縁膜の表面のエッジ部に、面
取りが施されている半導体装置を製造する方法であっ
て、半導体基板の表面を有機絶縁材料で覆って、有機絶
縁膜を形成する成膜工程と、成膜工程で形成された有機
絶縁膜の表面に、レジストを塗布する塗布工程と、塗布
工程で塗布されたレジストをパターニングするパターニ
ング工程と、パターニング工程でパターニングされたレ
ジストのエッジ部を、面取りする面取り工程と、面取り
工程でエッジ部が面取りされたレジストと有機絶縁膜と
を、エッチングするエッチング工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法である。

【００１０】本発明に従えば、半導体基板の表面に有
機絶縁膜が形成され、有機絶縁膜のエッジ部に面取りが
施される半導体装置を、成膜工程と、塗布工程と、パタ
ーニング工程と、面取り工程と、エッチング工程とを含
んで製造する。成膜工程では、半導体基板の表面を有機
絶縁材料で覆って有機絶縁膜を形成する。塗布工程で
は、有機絶縁膜の表面にレジストを塗布する。パターニ
ング工程では、レジストを所定の形状パターンにパター
ニングする。面取り工程では、パターニング工程でパタ
ーニングされたレジストのエッジ部を面取りする。エッ
チング工程では、面取りされたレジストと有機絶縁膜と
をエッチングする。レジストの面取りされたエッジ部で
は、レジストのエッジ部も面取り工程で周辺部分の厚み
が薄くなっているので、エッチング工程でエッチングさ
れる有機絶縁膜の表面も、周辺部分が面取りされた形状
でエッチングが終了する。製造される半導体装置は、半
導体基板の表面を覆う有機絶縁膜の周縁のエッジ部に面
取りが施されているので、角錐コレットなどを用いて真
空吸着して取扱う際の信頼性の低下や破損を避けること
ができる。

【００１１】また本発明で前記有機絶縁材料は、ベンゾ
シクロブテンであることを特徴とする。

【００１２】本発明に従えば、半導体基板の表面をベン
ゾシクロブテンで覆うので、半導体装置としての電気的
特性を向上させ、信頼性を高めることができる。

【００１３】

【００１４】

【００１５】

【００１６】

【００１７】

【００１８】

【００１９】

【００２０】

【００２１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施形態として
の半導体装置の概略的な断面構成を示す。図１（Ａ）は
実施の一形態としての半導体装置の形状を示し、図１
（Ｂ）は実施の他の形態としての半導体装置の断面形状
を示す。

【００２２】図１（Ａ）に示す実施形態では、素子１０
を覆うように有機絶縁膜１１を半導体基板１２の表面に
形成して、半導体装置である半導体チップ１３が形成さ
れる。有機絶縁膜１１は、有機絶縁材料であるベンゾシ
クロブテンで半導体基板１２の表面を覆って形成する。
半導体基板１２の表面は、素子領域１４、スクライブ領
域１５および素子領域１４に隣接する他の素子領域１６
に分かれている。有機絶縁膜１１は、素子領域１４およ
び素子領域１６をそれぞれ覆うように形成され、素子領
域１４と他の素子領域１６との間のスクライブ領域１５
では除去されている。各素子領域１４，１６を覆う有機
絶縁膜１１のトップエッジ部１７は、面取り処理が施さ
れてテーパ面１８を有する。テーパ面１８は、有機絶縁
膜１１の表面に対してφの角度だけ傾斜している。トッ
プエッジ部１７の断面長さＬは、３〜１０μｍの範囲で
ある。好ましくは、５〜８μｍであればよい。３μｍに
満たない場合には、角錐コレットとの接触部分が小さく
なるので、ベンゾシクロブテンによる有機絶縁膜１１の
トップエッジ部１７が破損しやすくなってしまう。ま
た、断面長さＬが１０μｍを超える場合には、テーパ面
１８が素子領域１４にかかるようになることがあり、信
頼性の点で好ましくない。また、素子１０が能動素子で
あれば、能動素子上に存在する誘電体部分の厚みが変化
することにもなるので、高周波特性の劣化の恐れも生じ
て好ましくない。

【００２３】図１（Ｂ）では、本発明の実施の他の形態
として、素子２０を覆うように有機絶縁膜２１を半導体
基板２２の表面に形成される半導体チップ２３で、有機
絶縁膜２１を素子領域２４の表面を覆うように残し、ス
クライブ領域２５では除去し、隣接する素子領域２６上
には形成する際に、トップエッジ部２７に丸みを帯びた
凸曲面２８による面取りを施す状態を示す。丸みを帯び
た凸曲面２８をトップエッジ部２７に形成することによ
って、角錐コレットなどで真空吸着する際の接触部分に
かかる力が分散し、トップエッジ部２７のクラックや半
導体基板２２の破損などを防ぐことができる。丸みを有
する凸曲面２８の範囲としては、曲率半径ｒが２μｍ以
上であれば良い。好ましい状態では、曲率半径ｒが３μ
ｍ〜６μｍの範囲であれば良い。曲率半径ｒが大きすぎ
ると、凸曲面２８の部分が素子領域２４，２６にかかる
ようになり、図１（Ａ）と同様に、信頼性や高周波特性
の劣化の点で好ましくなくなる。

【００２４】図２は、図１に示す半導体チップ１３，２
３を図８の角錐コレット４と同等な角錐コレット３４で
真空吸引する状態を示す。図２（Ａ）は図１（Ａ）の半
導体チップ１３を真空吸引する状態を示し、図２（Ｂ）
は図１（Ｂ）の半導体チップ２３を真空吸引する状態を
示す。半導体チップ１３，２３のトップエッジ部１７，
２７には、テーパ面１８または凸曲面２８が形成されて
いるので、角錐コレット３４を真空吸引孔３５を介して
吸引する際の凹部３６の側壁の接触面３７には、比較的
広い面積で接触することができる。これによって接触圧
を分散し、トップエッジ部１７，２７からのクラックの
発生や、半導体基板１２，２２の破損を防ぐことができ
る。なお、半導体チップ１３では、テーパ面１８の角度
φを、角錐コレット３４の接触面３７の傾斜角θと合わ
せることが好ましい。角錐コレット３４の接触面３７の
傾斜角θは、図８で説明したように、たとえば１２０度
となる。

【００２５】図３は、図１（Ａ）に示すような半導体チ
ップ１３を製造する主要な工程を示す。図３（Ａ）は、
半導体基板１２の表面に素子領域１４などを形成し、さ
らにその上に有機絶縁膜１１を均一に形成している状態
を示す。均一な有機絶縁膜１１は、たとえばベンゾシク
ロブテンの６３％メシチレン（Mesitylene）溶液を、２
０００ｒｐｍで６０秒スピンコートすることによって塗
布し、その後、窒素雰囲気中で９０℃で３０分、１５０
℃で１０分、２８０℃で５分および３００℃で５分の熱
処理を加えることによって得られる。このようにして形
成されるベンゾシクロブテンによる有機絶縁膜１１の厚
みは、たとえば２０μｍである。

【００２６】図３（Ｂ）は、図３（Ａ）で形成した有機
絶縁膜１１の表面に、１０μｍから２０μｍの厚みにな
るようにノボラック（novolak）のフォトレジスト４０
を塗布し、スクライブパターン４１および電極引出し孔
４２の部分でフォトレジスト４０を除去するフォトリソ
グラフを行い、さらにハードベークによってレジストエ
ッジにテーパ４３を形成している状態を示す。

【００２７】ハードベークでは、露光現象を行ってパタ
ーンを形成したレジストに対して、１２０℃から２００
℃の範囲で数分から数十分、熱処理を施す。本実施形態
に用いられているノボラック系レジストのように、熱硬
化性樹脂からなるレジストであれば、本目的に使用でき
る。原理は、もともとパターンが形成されたレジストが
内部にストレスをもっているため、熱処理が加わること
によって、安定化するため表面積を最少にする方向に樹
脂が変化することに基づく。この原理を用いたものがハ
ードベークで、樹脂（レジスト）の硬化が促進されるだ
けでなく、樹脂（レジスト）の表面が丸くなる。本実施
形態では、１４０℃のベークを用いているけれども、１
２０℃、１３０℃、１４０℃、１６０℃と温度を変化さ
せることによって、レジストの形状を制御できるので、
このレジストをエッチングした際、その形状が、下地の
ベンゾシクロブテンに反映されてベンゾシクロブテンの
エッジ形状を制御できることになる。なお、レジストの
ハードベークは、窒素中でも、大気中でも可能であるけ
れども、下地が、ベンゾシクロブテンの場合、露出して
いる部分が酸素の存在下の熱処理によって劣化する可能
性が有るので、窒素中での熱処理が必要になる。

【００２８】図３（Ｃ）は、図３（Ｂ）の状態からドラ
イエッチングでフォトレジスト４０と有機絶縁膜１１と
をスクライブパターン４１および電極引出し孔４２の部
分で除去した状態を示す。ドライエッチングは、六フッ
化硫黄（ＳＦ₆）と酸素との混合ガスの圧力を７Ｐａと
し、１５０Ｗの高周波電力中で、平行平板形のドライエ
ッチング装置によるリアクティブエッチング４４として
３０分間施す。ドライエッチングの際にフォトレジスト
４０もベンゾシクロブテンの有機絶縁膜１１と同等のエ
ッチングレートでエッチングを受ける。また、フォトレ
ジスト４０のエッジ部分がテーパ４３を有しているの
で、ベンゾシクロブテンの有機絶縁膜１１のエッチング
形状に、フォトレジスト４０の形状が反映され、有機絶
縁膜１１のトップエッジ部１７にテーパ面１８を形成す
ることが可能になる。この後、残っているフォトレジス
ト４０を有機溶剤によって剥離し、ベンゾシクロブテン
による有機絶縁膜１１のみを残し、半導体基板１２を薄
く研磨して３０μｍ〜２００μｍの厚みにする。さらに
スクライブ領域１５を、ダイシング層で切断するダイシ
ングを行う。ダイシングの条件は、ダイシングソーのカ
ットスピードが３〜５ｍｍ／秒となるように行う。ダイ
シングソーでカットされる部分は、スクライブ領域１５
の幅全体ではなく、スクライブ領域の幅よりは狭くな
る。

【００２９】図４は、ダイシング後の個別の半導体チッ
プ１３の外観形状を示す。半導体チップ１３の周囲に
は、スクライブ領域１５のダイシングソーによる切断部
分の残りが存在し、スクライブ領域１５の内側に有機絶
縁膜１１が形成されている。有機絶縁膜１１のトップエ
ッジ部１７にはテーパ面１８が形成されている。有機絶
縁膜１１の表面には、図３の電極引出し孔４２に対応す
る電極取出し口４５が形成される。

【００３０】本実施形態では、半導体基板１２としてガ
リウム砒素を用い、さらに厚みを薄くしているので、高
周波特性を良好にすることができる。このような化合物
半導体の半導体基板１２としては、ガリウム砒素ばかり
ではなく、インジウムリン、インジウムガリウムリン、
インジウムガリウム砒素、アルミニウムガリウム砒素等
を用いることができる。このような化合物半導体は、薄
くした場合に脆くなり、実装時に半導体チップ１３を破
壊しやすくなるけれども、本発明を適用することによっ
て、薄くしても破壊しにくくなるので、本発明による改
善効果は高い。

【００３１】化合物半導体の場合、一般に半導体基板１
２を薄くしてダイシングを行うことが多い。薄くなった
半導体チップ１３は、素子の熱抵抗を下げたり、実装時
に付けるワイヤの長さを短くして電気信号の損失を小さ
くすることができる効果を有する。しかしながら、たと
えば１００μｍ以下の厚みの場合、半導体基板１２の強
度が不足し、従来の技術に関連して説明した図８のよう
な角錐コレット４を使ってダイボンドなどを行うと、半
導体チップ１３の周囲に大きな力が加わり、半導体チッ
プ１３を破壊せしめるような問題が多く生じてしまう。
本発明の半導体チップ１３では、表面にベンゾシクロブ
テンなどの有機絶縁膜１１が存在するので、その保護効
果によっても、表面に何も存在しない場合に比べて改善
を図ることができる。

【００３２】図５は、ベンゾシクロブテンを有機絶縁膜
１１の材料として用いるときに、半導体基板１２のチッ
プ厚みとダイボンドによる歩留りとの関係を調査した結
果を示す。有機絶縁膜１１を用いる場合には、トップエ
ッジ部１７のテーパ面１８の角度φを、９０度、１００
度、１５０度および１６０度に変えてみた結果も示す。
ダイボンドに用いる角錐コレット３４は、図２に示すよ
うに、接触面３７の傾斜角度θとして１２０度を有す
る。半導体チップ１３のトップエッジ部１７のテーパ面
１８のテーパ角度が１２０度であれば、チップ厚みが３
０μｍまで薄くなっても、２００μｍのときと歩留りが
変わらないことが判る。実装時のダイボンド圧力は、４
９０３ｋＰａ（５００ｇｆ／ｍｍ²）であり、錫２０％
を含有する金錫ダイボンド材を使用して、３００℃でダ
イボンドを行っている。なお、何れのテーパ角度でも、
テーパ部分の断面長さＬは５〜１０μｍになるようにし
ている。この断面長さＬの範囲では、同じテーパ角度で
ある限り、歩留りに差は生じないことが確認された。歩
留りの判定は、ダイボンド後の半導体チップ１３に破損
が生じているかいないかによって行っている。

【００３３】図５の結果で、ベンゾシクロブテンによる
有機絶縁膜１１が無い場合に比べて、存在する方がテー
パ面１８を設けない一点鎖線で示す従来の状態でも歩留
りが改善されることが判る。ただしチップ厚みが１００
μｍよりも薄くなると、歩留りが低下するので充分では
ない。テーパ角度が１００度〜１２０度に増加するにつ
れて、大きな改善効果が得られる。ただし１６０度まで
増加すると歩留りを少し減ずるけれども、テーパ面１８
を設けない状態よりは充分な効果が認められる。このよ
うにベンゾシクロブテンによる有機絶縁膜１１のトップ
エッジ部１７にテーパ面１８を設けることによって、ダ
イボンド時のチップ割れを防ぐことが可能になり、大幅
な歩留り改善に効果があることが判明している。

【００３４】図６は、本発明を適用してマイクロ波の増
幅や発信や混合などを目的にした半導体集積回路である
ＭＭＩＣ（Microwave Monolithic Integrated Cirqui
t）５０を形成し、無線通信システムに適用している実
施形態を示す。ＭＭＩＣ５０には、送信用高周波回路５
１、受信用高周波回路５２、スイッチ回路５３などが含
まれる。ＭＭＩＣ５０に本発明を適用すると、半導体基
板１２，２２を覆う有機絶縁膜１１，２１のトップエッ
ジ部１７，２７に実装時に無理な力が加わらないので、
半導体基板１２，２２のチップ厚みを薄くすることが可
能になる。チップ厚みが薄くなることによって、送信用
高周波回路５１などの熱抵抗を、実装歩留りを低下させ
ることなく下げることが可能になる。また、配線に用い
るワイヤなどの長さも短くなるので、受信用高周波回路
５２などの特性も改善することができる。

【００３５】送信用高周波回路５１と受信用高周波回路
５２は、スイッチ回路５３でフィルタ５４およびアンテ
ナ５５に切換えて接続される。送信用高周波回路５１に
は、送信回路５６から増幅してアンテナ５５から送信す
べき高周波信号が入力される。受信用高周波回路５２か
らは、アンテナ５５に受信された高周波信号を増幅した
出力が、受信回路５７に与えられる。制御回路５８は、
各部を制御し、たとえば形態電話装置５９として動作す
るように制御する。本発明をＭＭＩＣ５０に適用して携
帯電話装置５９としての無線通信システムを構成するこ
とによって、高信頼性を有し、しかも高効率な高周波無
線通信システムの実現が可能になる。

【００３６】図７は、図６の実施形態に用いるＭＭＩＣ
５０を形成し、携帯電話装置５９として実装するまでの
概略的な製造工程を示す。ステップｓ１から製造を開始
し、ステップｓ２ではウエハ処理を行う。ウエハ処理の
工程では、各種半導体プロセスで、ＭＭＩＣ５０として
必要な素子や回路を形成する。次にステップｓ３で、図
３（Ａ）と同様に、ウエハの表面に有機絶縁膜１１，２
１を形成する。ステップｓ４では、有機絶縁膜１１，２
１の表面にフォトレジスト４０を塗布するレジスト塗布
を行う。ステップｓ５では、フォトリソグラフィ工程
で、フォトレジスト４０にパターニングを行う。ステッ
プｓ６で、パターニングされたフォトレジスト４０にハ
ードベークを行い、図３（Ｂ）に示すようにフォトレジ
スト４０のエッジ部にテーパ４３を形成する。

【００３７】ステップｓ７では、図３（Ｃ）と同様にド
ライエッチングを行い、有機絶縁膜１１，２１の一部と
フォトレジスト４０とを同時に除去する。ステップｓ８
では、ドライエッチングでフォトレジスト４０および有
機絶縁膜１１，２１を除去したスクライブパターン４１
の部分を切断するダイシングを行う。ダイシングによっ
て切り離された個々の半導体チップ１３，２３は、ステ
ップｓ９で携帯電話装置５９のプリント配線基板に、図
２に示すような角錐コレット３４を用いて実装する基板
マウントが行われ、ステップｓ１０で製造工程を終了す
る。本実施形態では、前述のように、ダイシング前に半
導体基板１２，２２の厚みを薄くしても、基板マウント
工程での歩留りの低下を防ぐことができる。

【００３８】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、レジスト
をパターニングする際にエッジ部の面取りを行ってお
き、エッチングでレジストとともに有機絶縁膜を部分的
に除去する際に、レジストのエッジ部の面取りに対応し
て有機絶縁膜にも面取りを施すことができる。以上のよ
うに本発明によれば、半導体基板の表面を覆う有機絶縁
膜の周縁のエッジ部は、予め定める範囲で面取りが施さ
れているので、角錐コレットなどに真空吸着する際に、
接触部分からのクラックの発生や半導体基板の破損など
を防ぐことができ、半導体装置の信頼性を向上させるこ
とができる。

【００３９】また本発明によれば、有機絶縁材料として
ベンゾシクロブテンを用い、半導体基板の表面に形成さ
れる電子素子や集積回路などの保護を確実に行わせるこ
とができる。

【００４０】

【００４１】

【００４２】

【００４３】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態および他の形態による半
導体チップ１３，２３の概略的な構成を示す断面図であ
る。

【図２】図１の各実施形態の半導体チップ１３，２３を
角錐コレット３４で真空吸着している状態を示す簡略化
した断面図である。

【図３】図１（Ａ）の半導体チップ１３の主要な製造工
程を示す簡略化した断面図である。

【図４】図１（Ａ）の実施形態の半導体チップ１３の外
観を示す簡略化した斜視図である。

【図５】図１（Ａ）の実施形態の半導体チップ１３で、
テーパ面１８を設ける効果を示すグラフである。

【図６】本発明の実施のさらに他の形態として、携帯電
話装置５９の無線通信システムに用いるＭＭＩＣ５０に
関連する概略的な電気的構成を示すブロック図である。

【図７】図６の実施形態のＭＭＩＣ５０を製造して実装
するまでの概略的な製造工程を示すフローチャートであ
る。

【図８】従来の半導体チップ３を角錐コレット４で真空
吸着する状態を示す簡略化した断面図である。

【符号の説明】

１０，２０素子１１，２１有機絶縁膜１２，２２半導体基板１３，２３半導体チップ１４，１６，２４，２６素子領域１５，２５スクライブ領域１７，２７トップエッジ部１８テーパ面３４角錐コレット３７接触面４０フォトレジスト４１スクライブパターン４２電極引出し孔４３テーパ４５電極取出し口５０ＭＭＩＣ５９携帯電話装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/56 H01L 21/3065 H01L 21/52 H01L 23/28

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】表面に電子素子または電子回路が形成さ
れている半導体基板と、該半導体基板の表面を有機絶縁材料で覆って形成される
有機絶縁膜とを含み、該有機絶縁膜の表面のエッジ部に、面取りが施されてい
る半導体装置を製造する方法であって、半導体基板の表面を有機絶縁材料で覆って、有機絶縁膜
を形成する成膜工程と、成膜工程で形成された有機絶縁膜の表面に、レジストを
塗布する塗布工程と、塗布工程で塗布されたレジストをパターニングするパタ
ーニング工程と、パターニング工程でパターニングされたレジストのエッ
ジ部を、面取りする面取り工程と、面取り工程でエッジ部が面取りされたレジストと有機絶
縁膜とを、エッチングするエッチング工程とを含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】前記有機絶縁材料は、ベンゾシクロブテ
ンであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
製造方法。