JP2001217209A - 半導体装置およびその製造方法、並びに、無線通信システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイシング時におけるチッピングを防止す
る。 【解決手段】 化合物半導体基板１１の素子領域１３に
は素子１６が形成され、さらに、化合物半導体基板１１
上全体にはベンゾシクロブテン膜１２が形成されてい
る。スクライブ領域１４のベンゾシクロブテン膜１２の
厚みは素子領域１３よりも薄く形成されている。こうし
て、スクライブ領域１４をベンゾシクロブテンで補強す
ることによって、スクライブ領域１４をダイシングソー
でダイシングする際にチッピングを生じないようにす
る。その際に、スクライブ領域１４のベンゾシクロブテ
ン膜１２の厚みを、素子領域１３の２０μmに対して５
μmにすることによって、ダイシングソーへのダメージ
を低減する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、チップ分離工程
において有効な半導体装置およびその半導体装置を用い
た無線通信システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】特開平９‐２７５１６４号公報には、基
板上にベンゾシクロブテンを塗布形成して成る半導体装
置が開示されている。この公報においては、上記半導体
装置におけるスクライブライン上のベンゾシクロブテン
を除去することが記載されている。そして、その理由と
して、上記ベンゾシクロブテンがスクライブ領域に残っ
ている場合には、チップ分離工程において行うダイシン
グの際にベンゾシクロブテンがダイシングブレードに巻
き込まれるために、ダイシングブレードの寿命を縮める
からであることが記載されている。

【０００３】ところで、無線通信システムにおいては、
電力効率が低く、５０％近くが熱となって放出されてし
まう。したがって、大きな出力を得るためには大量に発
生する熱の速やかな放出が問題となる。そこで、半導体
装置の基板を薄くした薄い半導体チップを用いることに
よって、放熱性を高め、搭載されている素子の熱抵抗を
下げたり、実装時に付けるワイヤの長さを短くして電気
信号の損失を小さくしたりしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の基板上にベンゾシクロブテンを塗布形成して成る半
導体装置には、以下のような問題がある。

【０００５】すなわち、上記半導体装置においては、ダ
イシングの際にベンゾシクロブテンがダイシングブレー
ドに巻き込まれないようにするために、スクライブライ
ン上のベンゾシクロブテンを除去するようにしている。
ところが、ガリウム砒素等の化合物半導体基板はシリコ
ン基板に比べてダイシングが難しく、チップ周辺が欠け
る「チッピング」という不具合が生じる。図５に示すよう
に、このチッピング１は、ダイシングした部分２の周辺
に発生して、チップ３の一部を欠けさせてしまう。そこ
で、ダイシングに際しては、チッピング１によって欠け
るエリアを考慮する必要が生じるため、スクライブ領域
４を必要以上に広く取る必要が生じる。

【０００６】尚、上述のごとく上記化合物半導体基板を
ダイシングする際に生じるチッピングは、ダイシングの
スピードを減ずる方法や、ダイシングブレードを研磨し
て鋭くする方法等によって減らすことは可能である。し
かしながら、上述のチッピング減少方法は、ダイシング
ブレードの寿命を縮め、円滑にダイシングができなくな
るという問題を発生させることになり、結局はダイシン
グブレード寿命の延命を図ることはできないのである。

【０００７】さらには、上記ダイシングによって分割さ
れたチップのダイシング端においては、上記ベンゾシク
ロブテンが除去されているため、化合物半導体基板が露
出している。したがって、放熱性を高めると共に、素子
の熱抵抗や電気信号の損失の低減を図るために、上記化
合物半導体基板を薄くする際に、冶具によるハンドリン
グ中にダイシング端が破壊されてしまうという問題があ
る。

【０００８】そこで、この発明の目的は、ダイシング時
におけるチッピングおよびハンドリング時におけるエッ
ジの損傷を防止できる半導体装置およびその製造方法、
並びに、上記半導体装置を用いた無線通信システムを提
供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明は、有機絶縁材料によって半導体の表面
が覆われて成る半導体装置において、上記半導体は,素
子が形成されている複数の素子領域と個々の素子領域の
間におけるスクライブ領域を有し、上記スクライブ領域
における表面は,上記素子領域の表面を覆っている有機
絶縁材料の厚みよりも薄く上記有機絶縁材料によって覆
われていることを特徴としている。

【００１０】上記構成によれば、半導体におけるスクラ
イブ領域の表面は有機絶縁材料によって補強されてい
る。したがって、上記スクライブ領域においてダイシン
グを行って半導体チップに分割される際に、半導体チッ
プの周囲にチッピングが発生することが防止される。そ
の際に、上記スクライブ領域の表面を覆っている上記有
機絶縁材料の厚みは素子領域の表面を覆っている有機絶
縁材料よりも薄くなっている。したがって、上記ダイシ
ング時におけるダイシングブレードに対するダメージが
低減される。さらに、上記スクライブ領域で分割された
半導体チップにおけるダイシング端は、上記有機絶縁材
料によって補強されている。したがって、上記半導体チ
ップに対するハンドリングの際に、上記ダイシング端が
冶具によって損傷されることはない。

【００１１】また、上記第１の発明の半導体装置は、上
記有機絶縁材料をベンゾシクロブテンで構成することが
望ましい。

【００１２】上記構成によれば、上記スクライブ領域の
表面が、上記有機絶縁材料としてのベンゾシクロブテン
によってより強固に補強される。こうして、上記ダイシ
ング時におけるチッピングの発生や、ハンドリング時に
おける上記ダイシング端の損傷が、より確実に防止され
る。

【００１３】また、上記第１の発明の半導体装置は、上
記素子領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚
みを５μm以上とすることが望ましい。

【００１４】上記構成によれば、上記素子領域の表面は
５μm以上の厚みのベンゾシクロブテンで覆われてい
る。したがって、上記素子は、上記ベンゾシクロブテン
によって確実に保護される。

【００１５】また、上記第１の発明の半導体装置は、上
記有機絶縁材料によって表面が覆われている半導体を、
ガリウム砒素,アルミニウムガリウム砒素,インジウムリ
ン,インジウムガリウム砒素,インジウムガリウムリン,
ガリウムナイトライド,ジンクセレナイド,シリコンカー
バイド等の化合物半導体とすることが望ましい。

【００１６】上記構成によれば、シリコンウェハやガラ
ス基板よりもチッピングが生じ易い上記化合物半導体を
用いる場合に、上記ダイシング時におけるチッピングの
発生が効果的に防止される。

【００１７】また、第２の発明の半導体装置は、ベンゾ
シクロブテンによって半導体の表面が覆われて成る半導
体装置において、上記半導体におけるスクライブ領域の
表面は、厚みが１０μm未満のベンゾシクロブテンによ
って覆われていることを特徴としている。

【００１８】上記構成によれば、半導体におけるスクラ
イブ領域の表面はベンゾシクロブテンによって補強され
ている。したがって、上記スクライブ領域においてダイ
シングを行って半導体チップに分割される際に、半導体
チップの周囲にチッピングが発生することが防止され
る。その際に、上記スクライブ領域の表面を覆っている
上記ベンゾシクロブテンの厚みは１０μm未満である。
したがって、上記ダイシング時におけるダイシングブレ
ードに対するダメージが低減される。さらに、上記スク
ライブ領域で分割された半導体チップにおけるダイシン
グ端は、上記ベンゾシクロブテンで補強されている。し
たがって、上記半導体チップに対するハンドリングの際
に、上記ダイシング端が冶具によって損傷されることは
ない。

【００１９】また、上記第２の発明の半導体装置は、上
記ベンゾシクロブテンによって表面が覆われる半導体
を、ガリウム砒素,アルミニウムガリウム砒素,インジウ
ムリン,インジウムガリウム砒素,インジウムガリウムリ
ン,ガリウムナイトライド,ジンクセレナイド,シリコン
カーバイド等の化合物半導体とすることが望ましい。

【００２０】上記構成によれば、シリコンウェハやガラ
ス基板よりもチッピングが生じ易い上記化合物半導体を
用いる場合に、上記ダイシング時におけるチッピングの
発生が効果的に防止される。

【００２１】また、第３の発明の半導体装置の製造方法
は、素子が形成されている半導体の表面をベンゾシクロ
ブテンで覆い、複数の素子領域の間におけるスクライブ
領域に対して,当該スクライブ領域を覆っているベンゾ
シクロブテンごとダイシングを行って半導体チップに分
割することを特徴としている。

【００２２】上記構成によれば、半導体におけるスクラ
イブ領域の表面はベンゾシクロブテンによって補強され
ている。したがって、上記スクライブ領域においてダイ
シングを行って半導体チップに分割される際に、半導体
チップの周囲にチッピングが発生することが防止され
る。さらに、上記スクライブ領域で分割された半導体チ
ップにおけるダイシング端は、上記ベンゾシクロブテン
で補強されている。したがって、上記半導体チップに対
するハンドリングの際に、上記ダイシング端が冶具によ
って損傷されることはない。

【００２３】また、上記第３の発明の半導体装置の製造
方法は、上記ベンゾシクロブテンによって表面が覆われ
ている半導体を、ガリウム砒素,アルミニウムガリウム
砒素,インジウムリン,インジウムガリウム砒素,インジ
ウムガリウムリン,ガリウムナイトライド,ジンクセレナ
イド,シリコンカーバイド等の化合物半導体で形成する
ことが望ましい。

【００２４】上記構成によれば、シリコンウェハやガラ
ス基板よりもチッピングが生じ易い化合物半導体を用い
る場合に、上記ダイシング時におけるチッピングの発生
が効果的に防止される。

【００２５】また、第４の発明の無線通信システムは、
上記第１の発明の半導体装置を上記スクライブ領域で上
記ベンゾシクロブテンごと分割して得られた半導体チッ
プを用いたことを特徴としている。

【００２６】上記構成によれば、上記素子領域およびダ
イシング端が上記ベンゾシクロブテンによって補強され
てハンドリング性が向上された半導体チップを用いるこ
とによって、半導体チップの厚みを薄くすることが容易
に可能になる。したがって、放熱性を高めると共に、搭
載されている素子の熱抵抗や信号の損失の低下が図られ
て、高信頼性,高効率の無線通信システムが容易に得ら
れる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態により詳細に説明する。図１は、本実施の形態の半導
体装置における縦断面図である。本半導体装置は、化合
物半導体基板１１上に層間絶縁膜としてのベンゾシクロ
ブテン膜１２が形成されている。そして、このベンゾシ
クロブテン膜１２は、素子領域１３と、その周辺に在る
スクライブ領域１４と、このスクライブ領域１４を介し
て素子領域１３に隣接する素子領域１５に別れている。
ここで、スクライブ領域１４におけるベンゾシクロブテ
ン膜１２の厚みは、素子領域１３,１５におけるベンゾ
シクロブテン膜１２の厚みよりも薄く形成されている。
尚、素子領域１３における化合物半導体基板１１上に
は、素子１６が形成されている。

【００２８】上記断面形状を有する半導体装置は以下の
ようにして形成される。すなわち、化合物半導体基板１
１としてのガリウム砒素基板やインジウムリン基板に、
ベンゾシクロブテンの６３％メシチレン溶液を、２００
０rpmで６０秒間スピンコートする。その後、窒素雰囲
気中において、９０℃で３０分間、１５０℃で１０分
間、２８０℃で５分間、３００℃で５分間の４回の熱処
理を行う。こうして形成されたベンゾシクロブテンの厚
みは、２０μmであった。

【００２９】次に、得られた半導体積層基板にノボラッ
クフォトレジストを１０μmから２０μmの厚みになるよ
うに塗布する。そして、このノボラックフォトレジスト
にスクライブラインのパターンをフォトリソグラフィ技
術によって形成し、ＳＦ₆と酸素との混合ガス中におい
て、７Ｐaの圧力,１５０ＷのＲＦパワーで、平行平板型
ドライエッチング装置によって、リアクティブエッチン
グを３０分間施す。こうして、ベンゾシクロブテン膜１
２におけるスクライブ領域１４の境界に１５μmの段差
が形成される。その結果、スクライブ領域１４における
ベンゾシクロブテン膜１２の厚みは５μmとなる。その
後、半導体積層基板を薄く研磨して２００μmの厚みに
する。

【００３０】上述のように形成された半導体装置は、上
記スクライブ領域１４をダイシングソーでダイシングす
ることによって、個々のチップに分割される。その際に
おけるダイシングの条件は、ダイシングソーのカットス
ピードを３mm/秒〜５mm/秒として行う。尚、実際にカッ
トされる部分はスクライブ領域１４よりも狭く、ダイシ
ング後におけるチップの形状は、図２に示すような形状
となる。

【００３１】図２において、スクライブ領域における化
合物半導体基板２１は、ベンゾシクロブテン膜２２によ
ってカバーされている。そして、素子(図示せず)上にお
けるベンゾシクロブテン膜２３の厚みは２０μmであ
り、スクライブ領域におけるベンゾシクロブテン膜２２
の厚みは５μmである。

【００３２】この場合、上述したように、ダイシング端
における化合物半導体基板２１は、スクライブ領域のベ
ンゾシクロブテン膜２２によって表面がカバーされてい
るために、上記ダイシングの際にチッピングは生じない
のである。尚、チッピングの現象は、シリコンウェハや
ガラス基板においては発生し難く、２種類以上の元素か
ら構成される化合物半導体、具体的には、ガリウム砒
素,アルミニウムガリウム砒素,インジウムリン,インジ
ウムガリウム砒素,インジウムガリウムリン,ガリウムナ
イトライド,ジンクセレナイド,シリコンカーバイト等に
おいて発生する。ところが、本実施の形態においては、
スクライブ領域において、化合物半導体基板２１上には
厚みが５μmのベンゾシクロブテン膜２２が存在してい
るため、ダイシングによって生ずるチッピングが抑制さ
れるのである。２４は、素子上のベンゾシクロブテン膜
２３上に形成されて上記素子と電気的に接続された電極
である。

【００３３】また、上記ベンゾシクロブテン膜１２,２
２,２３の代りに、ポリキノリン膜やポリイミド膜等の
所謂有機絶縁材料の膜を形成しても上記チッピングを抑
制する効果は見られる。しかしながら、樹脂のストレス
や密着性等の問題もあり、化合物半導体基板１１上に全
く樹脂層が無い場合に比してチッピングの発生は改善さ
れるが、ベンゾシクロブテン膜１２,２２,２３を用いた
場合ほどの抑制効果はない。

【００３４】化合物半導体の場合、一般に基板を薄くし
てダイシングを行うことが多い。こうして得られる薄い
チップは、素子の熱抵抗を下げたり、実装時に付けるワ
イヤの長さを短くしたりして電気信号の損失を小さくで
きる等の効果を呈する。ところが、例えば、チップ厚み
が１００μm以下である場合には、チップのハンドリン
グ性が著しく損なわれ、ハンドリング中にチップを破壊
してしまう場合があるという問題がある。

【００３５】図３は、チップ厚みを５０μmから２００
μmまで５０μmずつ変えた場合におけるハンドリング時
のチップ破壊による歩留りの変化を示す。尚、図中、ベ
ンゾシクロブテンが塗布されているものは、スクライブ
領域に、素子領域におけるベンゾシクロブテン厚みより
薄くベンゾシクロブテンが残っている状態でダイシング
したものである。ここで、図中に記されたベンゾシクロ
ブテンの厚みは、素子領域におけるベンゾシクロブテン
厚みである。

【００３６】図３によれば、上記ベンゾシクロブテンを
塗布しない従来の半導体装置の場合には、チップ厚みが
１００μm以下では、ハンドリングによって５０％以上
のチップを破壊してしまうことが分かる。これに対し
て、ベンゾシクロブテンがチップ表面に塗布されている
場合は、ベンゾシクロブテンがチップを補強するために
ハンドリング性が著しく向上することが分かる。つま
り、ベンゾシクロブテンの厚みが５μmであれば、チッ
プ厚みが５０μmであっても、ハンドリングによる歩留
りを６０％に保つことができ、大きく低下させることは
ない。そして、ベンゾシクロブテン厚みが１０μmの場
合には更に歩留りが改善され、２０μmの場合には歩留
りを損なうことは無くなる。したがって、２０μm以上
の膜厚でベンゾシクロブテンが素子領域に存在すること
によって、ハンドリングによる歩留りを低下することは
ないと考えられる。

【００３７】そして、この効果は、上記スクライブ領域
にベンゾシクロブテンを残すことによってさらに強めら
れるのである。すなわち、特開平９‐２７５１６４号公
報に開示されているように、２０μmの膜厚で上記素子
領域に存在するベンゾシクロブテンをスクライブ領域に
おいて全部除去した場合には、「発明が解決しようとす
る課題」で述べたように、チップ端面にチッピングが発
生する。そして、チッピングが生じているチップ端面を
コレットやピンセットで触れるためにチップが破壊され
やすくなり、ベンゾシクロブテンの塗布による歩留り向
上の効果を大きくは望めない。図３に示すように、上記
素子領域は２０μm厚のベンゾシクロブテンでカバーさ
れているにも拘わらず、ハンドリング歩留りは、ベンゾ
シクロブテンの塗布なしに比して１５％程度の小さな改
善しかされないのである。これに対して、図２に示すご
とく、上記スクライブ領域におけるベンゾシクロブテン
２２を５μm程度の厚みで残すだけで、ハンドリング歩
留りを１００％に改善できるのである。

【００３８】さらに、上記スクライブ領域に残されたベ
ンゾシクロブテン膜は、ダイシングされて個々に分離さ
れたチップを治具で挟んだり真空吸着して取り扱う際
に、チップの周辺部を傷めてしまう問題を解決する効果
も有する。通常、個々に分離されたチップを治具で取り
扱う場合には、治具のエッジがチップのエッジに当って
チップの周辺部を傷めてしまう。そのために、ウェハ基
板上に形成された半導体装置をチップにスクライブする
際にチップエッジの面取りを行うベベルカットのような
ダイシング方法が開発されている。このダイシング方法
では、特殊なダイシングブレードを使用する必要があ
り、手間も増える。ところが、図２に示すごとく、スク
ライブ領域がベンゾシクロブテン２２で覆われている場
合は、治具のエッジのダメージをベンゾシクロブテンが
吸収するため、チップのエッジを傷めることはないので
ある。

【００３９】図４に、上記チップを取り扱う際の例を示
す。上記ベンゾシクロブテン３２で覆われたチップ３１
は、冶具３３の減圧穴３４を介して治具３３とチップ３
１との間の空間が減圧されて、冶具３３に真空吸着され
ている。この場合、チップ３１の上面全体がベンゾシク
ロブテン３２で覆われている。したがって、治具３３に
おけるチップ３１のエッジが当接する領域３５には、常
にベンゾシクロブテン３２が接触することになる。した
がって、チップ３１のエッジが傷められることはないの
である。

【００４０】尚、上述したように、上記チップを治具で
取り扱う場合にチップエッジが傷められることは、化合
物半導体においては顕著に見られる。それにも拘わら
ず、従来においては根本的な解決法が無かったのであ
る。しかしながら、本実施の形態によれば、化合物半導
体装置をダイシングによってチップに分割する際に、ス
クライブ領域に５μm程度の厚みでベンゾシクロブテン
を残してチップエッジをベンゾシクロブテンで補強して
いる。したがって、治具３３にはベンゾシクロブテン３
２が接触することになり、チップ３１のエッジが傷めら
れることを解決できるのである。

【００４１】尚、その場合、上記スクライブ領域におけ
るベンゾシクロブテンの厚みは、１０μmより薄い(０.
５μm〜５μm)ことが望ましい。スクライブライン領域
に１０μm以上のベンゾシクロブテンが残されている場
合は、特開平９‐２７５１６４号公報において指摘され
ているように、ダイシングブレードの寿命を縮めるとい
う問題が生じるのである。上記スクライブ領域における
ベンゾシクロブテンの厚みは、図１の説明で述べたよう
に５μm程度であれば、十分にチップのハンドリングに
よる歩留り低下を防ぎ、チップエッジのダメージを防ぐ
効果を奏することができるのである。

【００４２】上述のように、素子領域にベンゾシクロブ
テン膜を残し、スクライブ領域にもベンゾシクロブテン
膜を上記素子領域の厚みより薄く残して形成した半導体
装置を、上記スクライブ領域でダイシングを行って得ら
れたチップは、上記ベンゾシクロブテン膜による補強効
果によって、薄く加工することが容易に可能になる。そ
して、チップの厚みを薄くすることによって、放熱性を
高めると共に、上述した素子の熱抵抗や信号の損失をハ
ンドリング歩留りを低下させることなく下げることがで
きる。

【００４３】したがって、本実施の形態によって形成さ
れた半導体チップを無線通信システムに適用することに
よって、高信頼性および高効率を有する無線通信システ
ムを実現することができるのである。

【００４４】

【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１に係
る発明の半導体装置は、スクライブ領域における表面
が、素子領域の表面を覆っている有機絶縁材料の厚みよ
りも薄く上記有機絶縁材料によって覆われているので、
上記スクライブ領域の表面を有機絶縁材料によって補強
することができる。したがって、上記スクライブ領域に
対してダイシングを行って半導体チップに分割する際
に、上記半導体チップの周囲にチッピングが発生するこ
とを防止できる。

【００４５】その際に、上記スクライブ領域の表面を覆
っている上記有機絶縁材料の厚みは素子領域の表面を覆
っている有機絶縁材料よりも薄くなっている。したがっ
て、ダイシング時におけるダイシングブレードのダメー
ジを低減できる。さらに、上記スクライブ領域で分割さ
れた半導体チップのダイシング端を、上記有機絶縁材料
によって補強することができる。したがって、上記半導
体チップに対するハンドリングの際に、上記ダイシング
端が冶具によって損傷されることを防止して、ハンドリ
ング性を向上できる。

【００４６】また、上記第１の発明の半導体装置は、上
記有機絶縁材料をベンゾシクロブテンで構成すれば、上
記スクライブ領域の表面を上記ベンゾシクロブテンによ
ってより強固に補強できる。したがって、上記ダイシン
グ時におけるチッピングの発生やハンドリング時におけ
る上記ダイシング端の損傷を、より確実に防止できるの
である。

【００４７】また、上記第１の発明の半導体装置は、上
記素子領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの厚
みを５μm以上とすれば、上記半導体中の素子を、上記
ベンゾシクロブテンによって確実に保護できる。

【００４８】また、上記第１の発明の半導体装置は、上
記有機絶縁材料によって表面が覆われている半導体を、
ガリウム砒素,アルミニウムガリウム砒素,インジウムリ
ン,インジウムガリウム砒素,インジウムガリウムリン,
ガリウムナイトライド,ジンクセレナイド,シリコンカー
バイド等の化合物半導体とすれば、シリコンウェハやガ
ラス基板よりもチッピングが生じ易い上記化合物半導体
を用いる場合に、上記ダイシング時におけるチッピング
の発生を効果的に防止できる。

【００４９】また、第２の発明の半導体装置は、スクラ
イブ領域における表面が、厚みが１０μm未満のベンゾ
シクロブテンによって覆われているので、上記スクライ
ブ領域の表面をベンゾシクロブテンによって補強するこ
とができる。したがって、上記スクライブ領域において
ダイシングを行って半導体チップに分割する際に、半導
体チップの周囲にチッピングが発生することを防止でき
る。

【００５０】その際に、上記スクライブ領域の表面を覆
っている上記ベンゾシクロブテンの厚みは１０μm未満
である。したがって、上記ダイシング時におけるダイシ
ングブレードに対するダメージを低減できる。さらに、
上記スクライブ領域で分割された半導体チップにおける
ダイシング端を、上記ベンゾシクロブテンによって補強
することができる。したがって、上記半導体チップに対
するハンドリングの際に、上記ダイシング端が冶具によ
って損傷されることを防止して、ハンドリング性を向上
できる。

【００５１】尚、上記スクライブ領域上のベンゾシクロ
ブテンの厚みは０.５μm〜５μmであることが望まし
く、その場合には上記チッピングが防がれると供に、ダ
イシングブレードの寿命も効果的に延ばされる。

【００５２】また、上記第２の発明の半導体装置は、上
記ベンゾシクロブテンによって表面が覆われる半導体
を、ガリウム砒素,アルミニウムガリウム砒素,インジウ
ムリン,インジウムガリウム砒素,インジウムガリウムリ
ン,ガリウムナイトライド,ジンクセレナイド,シリコン
カーバイド等の化合物半導体とすれば、シリコンウェハ
やガラス基板よりもチッピングが生じ易い上記化合物半
導体を用いる場合に、上記ダイシング時におけるチッピ
ングの発生を効果的に防止できる。

【００５３】また、第３の発明の半導体装置の製造方法
は、素子が形成されている半導体の表面をベンゾシクロ
ブテンで覆い、複数の素子領域の間におけるスクライブ
領域に対して当該スクライブ領域を覆っているベンゾシ
クロブテンごとダイシングを行って半導体チップに分割
するので、上記スクライブ領域の表面をベンゾシクロブ
テンで補強することができ、上記スクライブ領域におい
てダイシングを行う際に半導体チップの周囲にチッピン
グが発生することを防止できる。

【００５４】さらに、上記スクライブ領域で分割された
半導体チップにおけるダイシング端を、上記ベンゾシク
ロブテンによって補強することができる。したがって、
上記半導体チップをハンドリングする際に、上記ダイシ
ング端が冶具によって損傷されることを防止して、ハン
ドリング性を向上できる。

【００５５】また、上記第３の発明の半導体装置の製造
方法は、上記ベンゾシクロブテンによって表面が覆われ
ている半導体を、ガリウム砒素,アルミニウムガリウム
砒素,インジウムリン,インジウムガリウム砒素,インジ
ウムガリウムリン,ガリウムナイトライド,ジンクセレナ
イド,シリコンカーバイド等の化合物半導体で形成すれ
ば、シリコンウェハやガラス基板よりもチッピングが生
じ易い上記化合物半導体を用いる場合に、上記ダイシン
グ時におけるチッピングの発生を防止できる。

【００５６】また、第４の発明の無線通信システムは、
上記第１の発明の半導体装置を上記スクライブ領域で上
記ベンゾシクロブテンごと分割して得られた半導体チッ
プを用いるので、上記素子領域およびダイシング端が上
記ベンゾシクロブテンによって補強されてハンドリング
性が向上された半導体チップを用いることによって、半
導体チップの厚みを薄くすることが容易に可能になる。
したがって、放熱性を高めると共に、搭載されている素
子の熱抵抗や信号の損失の低下を図って、高信頼性,高
効率の無線通信システムを容易に得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の半導体装置における縦断面図であ
る。

【図２】 図１におけるスクライブ領域をダイシングし
て得られたチップの斜視図である。

【図３】 チップ厚みを変えた場合におけるハンドリン
グ歩留りの変化を示す図である。

【図４】 図２に示すチップを冶具で取り扱う場合の状
態を示す図である。

【図５】 従来の化合物半導体をダイシングする際に生
ずるチッピングの説明図である。

【符号の説明】

１１,２１…化合物半導体基板、 １２,２２,２３,３２…ベンゾシクロブテン膜、 １３,１５…素子領域、 １４…スクライブ領域、 １６…素子、 ２４…電極、 ３１…チップ、 ３３…冶具、 ３４…減圧穴、 ３５…当接領域。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 有機絶縁材料によって半導体の表面が覆
   われて成る半導体装置において、 上記半導体は、素子が形成されている複数の素子領域
   と、個々の素子領域の間におけるスクライブ領域を有
   し、 上記スクライブ領域における表面は、上記素子領域の表
   面を覆っている有機絶縁材料の厚みよりも薄く上記有機
   絶縁材料によって覆われていることを特徴とする半導体
   装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置において、 上記有機絶縁材料はベンゾシクロブテンであることを特
   徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の半導体装置において、 上記素子領域の表面を覆っているベンゾシクロブテンの
   厚みは５μm以上であることを特徴とする半導体装置。
4. 【請求項４】 ベンゾシクロブテンによって半導体の表
   面が覆われて成る半導体装置において、 上記半導体におけるスクライブ領域の表面は、厚みが１
   ０μm未満のベンゾシクロブテンによって覆われている
   ことを特徴とする半導体装置。
5. 【請求項５】 請求項２乃至請求項４の何れか一つに記
   載の半導体装置において、 上記ベンゾシクロブテンによって表面が覆われている半
   導体は、ガリウム砒素,アルミニウムガリウム砒素,イン
   ジウムリン,インジウムガリウム砒素,インジウムガリウ
   ムリン,ガリウムナイトライド,ジンクセレナイド,シリ
   コンカーバイド等の化合物半導体であることを特徴とす
   る半導体装置。
6. 【請求項６】 素子が形成されている半導体の表面をベ
   ンゾシクロブテンで覆い、 複数の素子領域の間におけるスクライブ領域に対して、
   当該スクライブ領域を覆っているベンゾシクロブテンご
   とダイシングを行って半導体チップに分割することを特
   徴とする半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の半導体装置の製造方法
   において、 上記ベンゾシクロブテンによって表面が覆われている半
   導体を、ガリウム砒素,アルミニウムガリウム砒素,イン
   ジウムリン,インジウムガリウム砒素,インジウムガリウ
   ムリン,ガリウムナイトライド,ジンクセレナイド,シリ
   コンカーバイド等の化合物半導体で形成することを特徴
   とする半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項２乃至請求項５の何れか一つに記
   載の半導体装置を上記スクライブ領域で上記ベンゾシク
   ロブテンごと分割して得られた半導体チップを用いたこ
   とを特徴とする無線通信システム。