JPS60149151A - 半導体ウエハのダイシング方法 - Google Patents
半導体ウエハのダイシング方法Info
- Publication number
- JPS60149151A JPS60149151A JP59006074A JP607484A JPS60149151A JP S60149151 A JPS60149151 A JP S60149151A JP 59006074 A JP59006074 A JP 59006074A JP 607484 A JP607484 A JP 607484A JP S60149151 A JPS60149151 A JP S60149151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicing
- film
- wafer
- semiconductor
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
この発明は半導体ウェハのダイシング方法に関する。
（技術的背景）
従来、半導体装置、例えば、半導体ダイオードの製造工
程において、ウェハ表面に絶縁膜或いは表面保護膜とし
て酸化膜或いは窒化膜等の膜を付着させている。このよ
うなウェハをグイシングツ程において発光ダイオードの
チップに分離する際、グイシングツ−による歪によりウ
ェハ表面に刺着した膜にひび割れが生じる。このひひ割
れはチップの発光ダイオードの部分にまで伝わり、酸化
膜が剥離してしまい、良好な発光ダイオードが得られな
いという欠点があった。
程において、ウェハ表面に絶縁膜或いは表面保護膜とし
て酸化膜或いは窒化膜等の膜を付着させている。このよ
うなウェハをグイシングツ程において発光ダイオードの
チップに分離する際、グイシングツ−による歪によりウ
ェハ表面に刺着した膜にひび割れが生じる。このひひ割
れはチップの発光ダイオードの部分にまで伝わり、酸化
膜が剥離してしまい、良好な発光ダイオードが得られな
いという欠点があった。
（発明のｌ」的）
この発明の目的は半導体チップの半導体素子領域の膜に
ひび割れ及び剥離が生じないようにした半導体ウェハの
ダイシング方法を提供するごとにある。
ひび割れ及び剥離が生じないようにした半導体ウェハの
ダイシング方法を提供するごとにある。
（発明の構成）
この目的の達成を図るため、この発明の半導体ウェハの
ダイシング方法によれば、半導体ウェハ表面の膜のタイ
シングラインの両側であってかつ分離されるべきチップ
の半導体素子領域の周囲にこの膜の割れ及び剥離防止用
の溝を設け、然る後、前述のダイシングラインに沿って
ダイシングを行うことを特徴とする。
ダイシング方法によれば、半導体ウェハ表面の膜のタイ
シングラインの両側であってかつ分離されるべきチップ
の半導体素子領域の周囲にこの膜の割れ及び剥離防止用
の溝を設け、然る後、前述のダイシングラインに沿って
ダイシングを行うことを特徴とする。
（実施例の説明）
以下、図面につきこの発明の詳細な説明する。
第１図は半導体素子として発光ダイオードが形成されて
いる半導体ウェハの一部分を示す概略的斜視図であり、
ダイシング前の半導体ウェハを示している。この図にお
いて、ウェハの表面すなわち基板ｌ上に絶縁膜とか表面
保護膜とかいった膜２として酸化膜が設けられていて、
チップに分離される部分３に発光ダイオードが形成され
ている。４はこのウェハを発光ダイオードのチップに分
離するためのタイシングラインである。
いる半導体ウェハの一部分を示す概略的斜視図であり、
ダイシング前の半導体ウェハを示している。この図にお
いて、ウェハの表面すなわち基板ｌ上に絶縁膜とか表面
保護膜とかいった膜２として酸化膜が設けられていて、
チップに分離される部分３に発光ダイオードが形成され
ている。４はこのウェハを発光ダイオードのチップに分
離するためのタイシングラインである。
第２図は第１図の部分的拡大断面図であり、この図から
も明らかなように、この発明によれば、グイシングツ程
の前に、このダイシングライン４の両側であって、かつ
、チップに分離される部分３の半導体素子、例えば、発
光ダイオード５を含む半導体素子領域６の周囲に、酸化
膜２を除去して、膜の割れ及び剥離防止用の溝７を設け
る。
も明らかなように、この発明によれば、グイシングツ程
の前に、このダイシングライン４の両側であって、かつ
、チップに分離される部分３の半導体素子、例えば、発
光ダイオード５を含む半導体素子領域６の周囲に、酸化
膜２を除去して、膜の割れ及び剥離防止用の溝７を設け
る。
このような溝付きウェハを各チップに分離する手段とし
て、通常はグイシングツ−を用い、各ダイシングライン
４に沿ってダイシングを行う。そして、このダイシング
はダイシングソーにより醇化膜２の上部から基板ｌを切
断して行うが、タイシングツ−がウェハへ当る衝撃によ
りタイシングライン４」二及−びその近傍の酸化１１シ
２に歪が起因するひび割れが生じたり剥れたりすること
がある。
て、通常はグイシングツ−を用い、各ダイシングライン
４に沿ってダイシングを行う。そして、このダイシング
はダイシングソーにより醇化膜２の上部から基板ｌを切
断して行うが、タイシングツ−がウェハへ当る衝撃によ
りタイシングライン４」二及−びその近傍の酸化１１シ
２に歪が起因するひび割れが生じたり剥れたりすること
がある。
しかしながら、この発明のウェハによれば、ダイシング
に先立ち、予めＩ模の割れ及び剥離防止用のＩＩ′Ｉｇ
７を設けたので、ダイシングソーによる歪により生じた
ひび割れはこの溝７の部分で止まり発光ダイオード５の
半導体素子領域６に達することが出来ない。従って、発
光タイオード５を含むこの半導体素子領域６の酸化Ｍ
２はグイシングツ−の影響を全く受けず、この領域６の
酸化膜２がひび割れしたり剥離することはない。
に先立ち、予めＩ模の割れ及び剥離防止用のＩＩ′Ｉｇ
７を設けたので、ダイシングソーによる歪により生じた
ひび割れはこの溝７の部分で止まり発光ダイオード５の
半導体素子領域６に達することが出来ない。従って、発
光タイオード５を含むこの半導体素子領域６の酸化Ｍ
２はグイシングツ−の影響を全く受けず、この領域６の
酸化膜２がひび割れしたり剥離することはない。
この酸化１１り２の一部分を除去して溝７を形成する方
法としては、任意好適な方法を用いて形成することが出
来、例えば、通常の発光グイオートの製造工程における
ホトリソグラフィ一工程により簡単かつ容易に形成する
ことが出来る。
法としては、任意好適な方法を用いて形成することが出
来、例えば、通常の発光グイオートの製造工程における
ホトリソグラフィ一工程により簡単かつ容易に形成する
ことが出来る。
上述した実施例では膜として酸化膜につき説明したが、
窒化膜その他の膜であっても良い・又・チップ内の半導
体素子として発光ダイオードにつき説明したが、半導体
レーザ素子、その他の半導体能動素子であっても良いこ
と勿論である。
窒化膜その他の膜であっても良い・又・チップ内の半導
体素子として発光ダイオードにつき説明したが、半導体
レーザ素子、その他の半導体能動素子であっても良いこ
と勿論である。
（発明の効果）
ト述した説明から明らかなように、この発明の半導体ウ
ェハのダイシング方法によれば、ウェハ表面の膜のダイ
シングラインの両側であってかつ半導体素子領域の周囲
にこの膜の割れ及び剥離防止用の溝を設けた後にダイシ
ングを行うのであるから、半導体チップの半導体領域内
の膜にグイシングツ−の衝撃によ゛るひび割れとか剥離
が生しるのを防ローすることが出来るという利点がある
。
ェハのダイシング方法によれば、ウェハ表面の膜のダイ
シングラインの両側であってかつ半導体素子領域の周囲
にこの膜の割れ及び剥離防止用の溝を設けた後にダイシ
ングを行うのであるから、半導体チップの半導体領域内
の膜にグイシングツ−の衝撃によ゛るひび割れとか剥離
が生しるのを防ローすることが出来るという利点がある
。
従って、この発明による半導体ウェハのダイシング方法
によれば、良好な半導体素子のチップを沙留まり良く得
ることが出来る。
によれば、良好な半導体素子のチップを沙留まり良く得
ることが出来る。
第１図はこの発明の半導体ウェハのダイシング方法を説
明するための、ウェハの一部分を示す略図的斜視図、 第２図は第１図の部分的拡大図である。 １・・・基板 ２・・・膜（酸化膜、窒化膜、その他のｎり）３・・・
チップに分離される部分 ４・・・ダイシングライン ５・・・半導体素子（例えば、発光ダイオード）６・・
・半導体素子領域 ７・・・溝。 特許出願人 沖電気工業株式会社
明するための、ウェハの一部分を示す略図的斜視図、 第２図は第１図の部分的拡大図である。 １・・・基板 ２・・・膜（酸化膜、窒化膜、その他のｎり）３・・・
チップに分離される部分 ４・・・ダイシングライン ５・・・半導体素子（例えば、発光ダイオード）６・・
・半導体素子領域 ７・・・溝。 特許出願人 沖電気工業株式会社
Claims (1)
- 半導体ウェハに対してダイシングを行ってチップに分離
するに当り、半導体ウェハ表面の膜のダイシングライン
の両側であってかつ該膜うプの半導体素子領域の周囲に
線膜の割れ及び剥離防止用の溝を設け、然る後、前記ダ
イシングラインに沿ってダイシングを行うことを特徴と
する半導体ウェハのダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59006074A JPS60149151A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 半導体ウエハのダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59006074A JPS60149151A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 半導体ウエハのダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60149151A true JPS60149151A (ja) | 1985-08-06 |
Family
ID=11628424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59006074A Pending JPS60149151A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 半導体ウエハのダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60149151A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0330357A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体チップの製造方法 |
| US5665655A (en) * | 1992-12-29 | 1997-09-09 | International Business Machines Corporation | Process for producing crackstops on semiconductor devices and devices containing the crackstops |
| WO2003046980A3 (en) * | 2001-11-28 | 2003-10-23 | Intel Corp | Forming defect prevention trenches in dicing streets |
| WO2004033211A1 (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-22 | Sony Corporation | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
-
1984
- 1984-01-17 JP JP59006074A patent/JPS60149151A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0330357A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体チップの製造方法 |
| US5665655A (en) * | 1992-12-29 | 1997-09-09 | International Business Machines Corporation | Process for producing crackstops on semiconductor devices and devices containing the crackstops |
| WO2003046980A3 (en) * | 2001-11-28 | 2003-10-23 | Intel Corp | Forming defect prevention trenches in dicing streets |
| WO2004033211A1 (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-22 | Sony Corporation | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
| US7125104B2 (en) | 2002-10-09 | 2006-10-24 | Sony Corporation | Liquid-discharging head, liquid-discharging device, and method of producing the liquid-discharging head |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3455762B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR0149193B1 (ko) | 전기-광 장치 제조방법 | |
| JP2004031526A (ja) | ３族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
| US8148240B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor chips | |
| JP2006253402A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004165227A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
| JP3227287B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法と窒化ガリウム系化合物半導体素子 | |
| JPS63293939A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS60149151A (ja) | 半導体ウエハのダイシング方法 | |
| JPH11274559A (ja) | 窒化ガリウム系半導体ウエハ及びその製造方法 | |
| JP2002319554A (ja) | ウェーハ分割方法およびウェーハ分割装置 | |
| JP2891264B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2005183866A (ja) | 半導体ウェーハ及びダイシング方法 | |
| US7179720B2 (en) | Pre-fabrication scribing | |
| JP2005286098A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子のおよびその製造方法 | |
| JPS6226839A (ja) | 半導体基板 | |
| JPH0467650A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001044141A (ja) | 半導体基板の切断方法 | |
| JPS58137228A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2007081360A (ja) | 垂直型発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JPS6048104B2 (ja) | 半導体ウエハの分割方法 | |
| JP4911883B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPH0444285A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH08279479A (ja) | 発光ダイオードアレイのダイシング方法 | |
| JP3066609B2 (ja) | 半導体ウエハ |