JP2008544549A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 活性面と非活性面とを有する基板から半導体デバイスを製造する方法であって、
   基材を前記基板の非活性面上に一定のパターンで堆積する工程であって、前記パターンは、少なくとも第１のダイセクション、該第１のダイセクションに隣接する第２のダイセクション、および第１のダイセクションと第２のダイセクションとを接続する帯状部分を有する工程と、
   前記基板の非活性面において前記基材が堆積されていない部分から材料を除去し、それにより前記基板を、前記堆積された基材の帯状部分により互いに接続されている第１のダイと第２のダイとに部分的に分離する工程と、
   帯状接続部を破断して前記第１のダイを第２のダイから分離する工程とを備える方法。
2. 基板からダイを製造する方法であって、
   ハンドルウエハを前記基板の活性面に接着する工程と、
   前記基板の非活性面の厚さを減少させる工程と、
   基材を前記基板の非活性面上に一定のパターンで堆積する工程であって、前記パターンは、少なくとも第１のダイセクション、該第１のダイセクションに隣接する第２のダイセクション、および前記第１のダイセクションと前記第２のダイセクションとを接続する帯状部分を有する工程と、
   前記基板の非活性面において前記基材が堆積されていない部分から材料を化学的に除去し、それにより前記基板を、前記堆積された基材の帯状部分により互いに接続されている第１のダイと第２のダイとに部分的に分離する工程と、
   前記ハンドルウエハを基板から除去する工程と、
   前記堆積された基材を接着テープに結合する工程と、
   前記帯状部分を破断して前記第１のダイを第２のダイから分離する工程とを備える方法。