JP2008543049A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 基板の第１表面の内部に形成される複数の金属パッド、前記基板の反対側の第２表面に形成される接着／メッキ層、及び前記接着／メッキ層の表面に形成される金層を含む半導体ウェハ積層構造を設ける工程と、
   前記金層、前記接着／メッキ層、及び前記基板の複数のエッジ部分を露出させるべく、前記金層を前記半導体ウェハ積層構造のダイシングストリート領域でエッチングする工程と、
   エッジシールを前記接着／メッキ層及び前記金層の前記露出エッジ部分の周りに形成する工程と、
   前記半導体積層構造を前記ダイシングストリート領域でダイシングして半導体チップを画定する工程と、
   前記チップを支持構造に接着させる工程とを備える、半導体パッケージの製造方法。
2. エッジシールを形成する工程では、バリアメタル層を反対側の前記第２表面に堆積させる、請求項１記載の半導体パッケージの製造方法。
3. バリアメタル層を堆積させる工程では、チタン層、ニッケル−バナジウム層、及び金層により構成されるバリアメタル層をスパッタリング法により形成し、そしてバリアメタル層の金は、前記接着／メッキ層の表面に形成される金層よりも小さい割合で存在する、請求項２記載の半導体パッケージの製造方法。
4. 基板の第１表面の内部に形成される複数の金属パッド、及び複数の金属パッドに位置整合して形成される複数のサーマルビアを有する半導体積層構造を設ける工程と、
   接着／メッキ層を、基板の反対側の第２表面に、サーマルビアの中にまで延びるように堆積させる工程と、
   金層を接着／メッキ層の上に、サーマルビアの中にまで延びるように堆積させる工程と、
   金層、接着／メッキ層、及び基板のエッジを露出させるべく、金層を半導体積層構造のダイシングストリート領域でダイシングする工程と、
   エッジシールを、金層及び接着／メッキ層の露出エッジ部分の周りにバリアメタル層を使用して形成する工程と、
   半導体積層構造をダイシングストリート領域でダイシングする工程と、
   半導体積層構造を支持構造に半田付けして半導体パッケージを形成する工程とを備える、半導体パッケージの製造方法。
5. 半導体チップと、そして半導体チップに半田付けされる支持構造とを備える半導体パッケージであって、半導体チップは、
   基板と、
   基板の第１表面の内部に形成される少なくとも一つの金属パッドと、
   基板の第１表面とは反対側の第２表面に形成され、かつエッジ部分を有する接着／メッキ層と、
   接着／メッキ層の上に形成され、かつエッジ部分を有する金層と、
   金層の表面に形成されるバリアメタル層と、を有し、
   バリアメタル層によってエッジシールが、金層のエッジ部分、及び接着／メッキ層のエッジ部分の周りに形成される、半導体パッケージ。