JP2007158133A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 15
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
Claims (7)
- III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法であって、
第１の基板上にIII族窒化物系化合物半導体から成る複数の層をエピタキシャル成長させる工程と、
当該III族窒化物系化合物半導体層の最上層に、はんだ中のスズの拡散を防ぐニッケルから成る層を少なくとも含む多重層から成る電極を形成する工程と、
半導体素子を載置するための第２の基板にはんだ中のスズの拡散を防ぐニッケルから成る層を少なくとも含む多重層を形成する工程と、
前記第１の基板の前記電極を形成した面と、前記第２の基板の前記多重層を形成した面とを少なくともスズを含有するはんだにより接合する工程と、
前記第１の基板を除く工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。 - 前記第１の基板を除く工程は、前記第１の基板を透過し、且つIII族窒化物系化合物半導体から成る層において吸収される波長のレーザ照射によりIII族窒化物系化合物半導体の薄膜部分を分解する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
- 前記スズの拡散を防ぐ層よりも前記III族窒化物系化合物半導体層の最上層側に、高反射性金属層を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
- 前記スズの拡散を防ぐ層と高反射性金属層との間にチタンから成る層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
- 前記第２の基板は導電性シリコン基板であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
- 前記第２の基板に表面に形成する層はアルミニウム又は窒化チタンから成ることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
- 前記第２の基板に表面に形成する多重層の、アルミニウム又は窒化チタンから成る層と前記スズの拡散を防ぐ層との間にチタンから成る層を有することを特徴とする請求項６に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005352728A JP2007158133A (ja) | 2005-12-06 | 2005-12-06 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
| US11/633,619 US20070141806A1 (en) | 2005-12-06 | 2006-12-05 | Method for producing group III nitride based compound semiconductor device |
| DE102006035486A DE102006035486A1 (de) | 2005-12-06 | 2006-12-05 | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung aus einer Verbindung auf Basis eines Nitrids der Gruppe III |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005352728A JP2007158133A (ja) | 2005-12-06 | 2005-12-06 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007158133A JP2007158133A (ja) | 2007-06-21 |
| JP2007158133A5 true JP2007158133A5 (ja) | 2008-05-15 |
Family
ID=38135917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005352728A Withdrawn JP2007158133A (ja) | 2005-12-06 | 2005-12-06 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070141806A1 (ja) |
| JP (1) | JP2007158133A (ja) |
| DE (1) | DE102006035486A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AUPQ008299A0 (en) * | 1999-04-30 | 1999-05-27 | G.J. Consultants Pty Ltd | Isoflavone metabolites |
| WO2007040295A1 (en) * | 2005-10-04 | 2007-04-12 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | (al, ga, in)n-based compound semiconductor and method of fabricating the same |
| US7910945B2 (en) * | 2006-06-30 | 2011-03-22 | Cree, Inc. | Nickel tin bonding system with barrier layer for semiconductor wafers and devices |
| US8643195B2 (en) * | 2006-06-30 | 2014-02-04 | Cree, Inc. | Nickel tin bonding system for semiconductor wafers and devices |
| US7855459B2 (en) * | 2006-09-22 | 2010-12-21 | Cree, Inc. | Modified gold-tin system with increased melting temperature for wafer bonding |
| DE102007046519A1 (de) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnfilm-LED mit einer Spiegelschicht und Verfahren zu deren Herstellung |
| DE102008006988A1 (de) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
| US20100244195A1 (en) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co. Ltd. | Host substrate for nitride based light emitting devices |
| CN101681975B (zh) * | 2009-03-30 | 2012-12-12 | 香港应用科技研究院有限公司 | 氮化物基发光装置的主基板 |
| US9437785B2 (en) * | 2009-08-10 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including integrated backside reflector and die attach |
| US7998836B1 (en) | 2010-10-27 | 2011-08-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for fabricating gallium nitride based semiconductor electronic device |
| FR2972563B1 (fr) * | 2011-03-07 | 2013-03-01 | Altis Semiconductor Snc | Procédé de traitement d'une couche de nitrure de métal oxydée |
| JP6100789B2 (ja) * | 2011-10-21 | 2017-03-22 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | スロット付き基板を用いることによる低い反りのウエハ接合 |
| JP5860272B2 (ja) * | 2011-11-24 | 2016-02-16 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
| TWI577084B (zh) * | 2015-11-25 | 2017-04-01 | 宏碁股份有限公司 | 行動通訊裝置 |
| JP6508153B2 (ja) | 2016-09-21 | 2019-05-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| CN107316803B (zh) * | 2017-06-26 | 2019-11-22 | 镓特半导体科技（上海）有限公司 | 半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 |
| CN107316800B (zh) * | 2017-06-26 | 2019-12-31 | 镓特半导体科技（上海）有限公司 | 自支撑氮化镓层及其制备方法 |
| CN107316801B (zh) * | 2017-06-26 | 2019-08-13 | 镓特半导体科技（上海）有限公司 | 半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 |
| CN107275188B (zh) * | 2017-06-26 | 2019-08-13 | 镓特半导体科技（上海）有限公司 | 半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5156998A (en) * | 1991-09-30 | 1992-10-20 | Hughes Aircraft Company | Bonding of integrated circuit chip to carrier using gold/tin eutectic alloy and refractory metal barrier layer to block migration of tin through via holes |
| JP3620926B2 (ja) * | 1995-06-16 | 2005-02-16 | 豊田合成株式会社 | ｐ伝導形３族窒化物半導体の電極及び電極形成方法及び素子 |
| DE19640594B4 (de) * | 1996-10-01 | 2016-08-04 | Osram Gmbh | Bauelement |
| US6071795A (en) * | 1998-01-23 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing |
| KR101030068B1 (ko) * | 2002-07-08 | 2011-04-19 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자 |
-
2005
- 2005-12-06 JP JP2005352728A patent/JP2007158133A/ja not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-12-05 US US11/633,619 patent/US20070141806A1/en not_active Abandoned
- 2006-12-05 DE DE102006035486A patent/DE102006035486A1/de not_active Withdrawn
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