JP2008091457A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】製造工程を簡略化でき且つ銅の拡散をより抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、半導体素子層2と、配線層3と、ポリイミド層4と、第1バリア層5と、銅配線6と、第2バリア層7と、接着層8とを備えている。第2バリア層7は、導電性を有し銅の拡散及び酸化を抑制可能なTaNからなり、銅配線6の上面と側面とを覆うように連続して形成されている。接着層8は、導電性を有しワイヤとの接着性の高いAlからなり、第2バリア層7の上面を覆うように形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置1は、半導体素子層2と、配線層3と、ポリイミド層4と、第1バリア層5と、銅配線6と、第2バリア層7と、接着層8とを備えている。第2バリア層7は、導電性を有し銅の拡散及び酸化を抑制可能なTaNからなり、銅配線6の上面と側面とを覆うように連続して形成されている。接着層8は、導電性を有しワイヤとの接着性の高いAlからなり、第2バリア層7の上面を覆うように形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、銅配線を有する半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
従来、低抵抗化を実現可能な銅配線を有する半導体装置及び半導体装置の製造方法が知られている。このような半導体装置としては、例えば、図7に示すような半導体装置が知られている。図7に示す半導体装置101は、基板102上に形成された銅配線103と、銅配線103の側面を覆う保護膜104とを備えている。保護膜104は、絶縁性のポリイミドなどの樹脂からなり、物理的な破損などから銅配線を保護するとともに、銅の拡散及び酸化を抑制するためのものである。
更に、保護膜104は絶縁性のため、銅配線103の上面には、ワイヤ(図示略)と銅配線103とを電気的に接続するために、導電性のバリア層105と、バリア層105上に形成された導電性の接着層106とを備えている。バリア層105は、銅の拡散を抑制可能な金属を含み、接着層106への銅の拡散を抑制して、接着層106とワイヤとの接着性の低下を抑制する。
また、特許文献1には、ダマシン法により形成された銅配線と、銅配線の下面及び側面を覆う第1バリア層と、銅配線の上面の一部を覆う第2バリア層とを備えた半導体装置が記載されている。この半導体装置では、銅配線の側面を第2バリア層により覆うことにより、横方向の銅の拡散をもある程度抑制できる。
特開2001−319946号公報
しかしながら、図7に示す半導体装置101の場合、銅配線の側面を保護膜104により覆っているため、バリア層105を形成する工程とは別に保護膜104を形成してパターニングする工程が必要になるため製造工程が複雑化するといった課題がある。また、樹脂製の保護膜104では、銅の拡散を充分に抑制できないといった課題もある。
一方、特許文献1の半導体装置では、銅配線の上面の一部のみを第2バリア層により覆っているため接着層への銅の拡散を充分に抑制することができないといった課題がある。また、例え第2バリア層を銅配線の上面全体を覆うように形成しても、第1バリア層と第2バリア層とが不連続に形成されているため、膨張・収縮により第1バリア層と第2バリア層との間に容易に隙間が形成されてしまう。この結果、第2バリア層が銅配線の上面を覆うように構成しても、横方向の銅の拡散を充分に抑制することができないといった課題がある。
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、製造工程を簡略化でき且つ銅の拡散をより抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、半導体素子と銅配線とを備えた半導体装置において、銅の拡散及び酸化を抑制可能な金属を含み、前記銅配線の上面及び側面を連続して覆うバリア層と、前記バリア層の上面に形成された接着層とを備えたことを特徴とする半導体装置である。
また、請求項2に記載の発明は、半導体素子と銅配線とを備えた半導体装置の製造方法において、レジスト膜を用いて前記銅配線を形成し、その後、前記レジスト膜を除去する工程と、銅の拡散及び酸化を抑制可能な金属を含み、前記銅配線の上面及び側面を連続して覆うバリア層を形成する工程と、前記バリア層の上面に接着層を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
また、請求項3に記載の発明は、前記バリア層は、CVD(化学気相成長)法により形成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法である。
本発明の半導体装置によれば、銅配線の上面及び側面を銅の拡散及び酸化を抑制可能な金属を含む連続したバリア層によって覆っているので、銅配線の側面を樹脂製の保護膜により覆う場合に比べて、保護膜を形成する工程を省略して製造工程を簡略化しつつ銅の拡散をより抑制することができる。
また、バリア層を銅配線の上面及び側面に連続して形成することにより、銅配線の上面を全て覆うことができるので、銅の上方への拡散をより抑制してワイヤと接着層との接着性の低下を抑制することができる。
更に、銅配線の上面及び側面を異なるバリア層により覆った場合のように熱により膨張・収縮によりバリア層間に隙間が形成されることがないので、銅配線の露出を抑制することができ、その結果、横方向の銅の拡散をもより抑制することができる。
本発明の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置は、上述した請求項1に記載の半導体装置と同様の効果を奏することができる。
以下、図面を参照して本発明をLSIに適用した実施形態を説明する。図1は、本発明の実施形態による半導体装置の断面図である。
図1に示すように、半導体装置1は、半導体素子層2と、配線層3と、ポリイミド層4と、第1バリア層5と、銅配線6と、第2バリア層(請求項記載のバリア層に相当)7と、接着層8とを備えている。
半導体素子層2は、ダイオードやトランジスタなどの複数の半導体素子(図示略)を含む。
配線層3は、複数の半導体素子を電気的に接続するための多層構造のアルミニウム配線と、異なる層のアルミニウムを絶縁するための層間絶縁膜と、異なる層のアルミニウム配線を接続するためのビアとを備えている(図示略)。尚、アルミニウム配線は、アルミニウム金属単体により構成してもよく、また、AlCuやAlSiCuなどのアルミニウム合金により構成してもよい。
ポリイミド層4には、配線層3のアルミニウム配線と銅配線6とを第1バリア層5を介して電気的に接続するためのスルーホール(図示略)が形成されている。
第1バリア層5は、半導体素子層2などへの下方への銅の拡散を抑制しつつ、配線層3に形成されたアルミニウム配線と銅配線6とを電気的に接続するためのものである。第1バリア層5は、導電性を有し銅の拡散及び酸化を抑制可能なTiWからなり、銅配線6の下面を覆うように形成されている。尚、第1バリア層5は、TiやTiNなどにより構成してもよい。
銅配線6は、低抵抗化を可能な程度の厚み(例えば、約5μm〜約20μm)を有し、半導体素子層2に形成された半導体素子などを互いに電気的に接続するためのものである。銅配線6は、配線層3よりも上層、即ち、配線のうちで最上層に形成され、接着層8及び第2バリア層7を介してワイヤ(図示略)が電気的に接続される。尚、銅配線6は、後述する製造工程で形成される銅シード層6aを含む。
第2バリア層7は、上方の接着層8や横方向への銅の拡散を抑制しつつ、銅配線6とワイヤとを電気的に接続するためのものである。第2バリア層7は、導電性を有し銅の拡散及び酸化を抑制可能なTaNからなり、銅配線6の上面及び側面を覆うように連続して形成されている。
ここで、第2バリア層7を構成する材料は、TaNに限定されるものではなく、Ni、Co、Cr、Mo、Ti、Wなどの金属及びこれらの金属を含む合金または窒化物などの材料を適用することができる。尚、ポリイミド層4上に形成される第2バリア層7aは、製造工程上形成されるものであり、特に機能を有するものでない。
接着層8は、Auからなるワイヤとの接着性が低い銅配線6に代わって、ワイヤとの接着性を向上させつつ、銅配線6とワイヤとを電気的に接続するためのものである。接着層8は、導電性を有しワイヤとの接着性の高いAlからなり、第2バリア層7の上面を覆うように形成されている。
ここで、接着層8を構成する材料は、Alに限定されるものではなく、AlCuやAlSiCuなどを適用することができる。尚、第2バリア層7a上に形成される接着層8aは、製造工程上形成されるものであり、特に機能を有するものでない。
次に、上述した半導体装置の製造方法について図2〜図6を参照して説明する。尚、図2〜図6は、各製造工程での半導体装置の断面図である。
まず、図2に示すように、半導体素子を含む半導体素子層2と、アルミニウム配線を含む配線層3と、ポリイミド層4とを順次形成する。その後、TiWからなる第1バリア層5をスパッタ法によりポリイミド層4の上面全体に形成した後、第1バリア層5の上面全体に銅シード層6aをスパッタ法により形成する。そして、フォトリソグラフィー技術を用いて、銅配線6を形成する領域以外の領域にレジスト膜11を形成する。ここで、感光時にレジスト膜11の下方へは光が届きにくいため、レジスト膜11の下面の開口の幅が上面の開口の幅に比べて小さく形成される。
次に、図3に示すように、電解メッキ法により銅配線6をレジスト膜11から露出している銅シード層6a上に形成する。
次に、図4に示すように、レジスト膜11を除去する。その後、レジスト膜11の除去により露出した銅シード層6aをエッチングにより除去する。そして、銅配線6の下に位置する第1バリア層5のみが残るように、銅シード層6aの除去により露出した第1バリア層5をエッチングにより除去する。その後、銅配線6の表面の酸化膜をエッチングにより除去する。
次に、図5に示すように、プラズマCVD法によりTaNからなる第2バリア層7を銅配線6の上面及び側面とポリイミド層4の上面とを覆うように形成する。その後、スパッタ法によりAlからなる接着層8を第2バリア層7の上面を覆うように形成する。ここで、接着層8はスパッタ法により形成するので、上方から視て接着層7に隠れる領域には接着層8が形成されない。
次に、図6に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いて、銅配線6及びその周辺部の第2バリア層7と接着層8とを覆うようにレジスト膜12を形成する。
次に、図1に示すように、銅配線6の上方に位置する接着層8が残るように、レジスト膜12から露出している接着層8をエッチングにより除去する。その後、銅配線6の上面及び側面の第2バリア層7が残るように、接着層8の除去により露出した第2バリア層7をエッチングにより除去する。そして、レジスト膜12を除去する。最後に、所望の領域の接着層8上にワイヤを接着した後、モールド樹脂(図示略)により全体を覆って半導体装置1が完成する。
上述したように半導体装置1は、銅配線6の上面及び側面を銅の拡散及び酸化を抑制可能なTaNからなる連続した第2バリア層7によって覆っているので、銅配線6の側面を樹脂製の保護膜により覆う場合に比べて、保護膜を形成する工程を省略して製造工程を簡略化しつつ銅の拡散をより抑制することができる。
また、第2バリア層7を銅配線6の上面及び側面に連続して形成することにより、銅配線6の上面を全て覆うことができるので、銅の上方への拡散をより抑制してワイヤと接着層との接着性の低下を抑制することができる。
更に、銅配線の上面及び側面を異なるバリア層により覆った場合のように熱により膨張・収縮などによりバリア層間に隙間が形成されることがないので、銅配線6の露出を抑制することができ、その結果、横方向の銅の拡散をもより抑制することができる。
また、プラズマCVD法によって第2バリア層7を形成することにより容易に銅配線6の上面及び側面に第2バリア層7を形成することができる。
以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。
例えば、上述した半導体装置1を構成する各材料は一例であり、適宜変更可能である。
また、本発明をLSIに適用した一例を示したが、ディスクリート半導体などの他の半導体装置に適用してもよい。
また、上述の実施形態では、プラズマCVD法により第2バリア層7を形成したが、メッキ法などの他の方法により第2バリア層を形成してもよい。
1 半導体装置
2 半導体素子層
3 配線層
4 ポリイミド層
5 第1バリア層
6 銅配線
6a 銅シード層
7、7a 第2バリア層
8、8a 接着層
11 レジスト膜
12 レジスト膜
2 半導体素子層
3 配線層
4 ポリイミド層
5 第1バリア層
6 銅配線
6a 銅シード層
7、7a 第2バリア層
8、8a 接着層
11 レジスト膜
12 レジスト膜
Claims (3)
- 半導体素子と銅配線とを備えた半導体装置において、
銅の拡散及び酸化を抑制可能な金属を含み、前記銅配線の上面及び側面を連続して覆うバリア層と、
前記バリア層の上面に形成された接着層とを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 半導体素子と銅配線とを備えた半導体装置の製造方法において、
レジスト膜を用いて前記銅配線を形成し、その後、前記レジスト膜を除去する工程と、
銅の拡散及び酸化を抑制可能な金属を含み、前記銅配線の上面及び側面を連続して覆うバリア層を形成する工程と、
前記バリア層の上面に接着層を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記バリア層は、CVD(化学気相成長)法により形成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
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