JP2006310426A - 半導体チップの電極構造およびその形成方法ならびに半導体チップ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板20の表面の所望の領域に、アルミニウムなどで構成された電極パッド30が多層配線と接続され、電極パッド30の周囲の基板20は、シリコン窒化膜などからなる保護膜40によって被覆されている。保護膜40の上に、ポリイミドなどの絶縁膜50が形成されている。電極パッド30を底面とし、絶縁膜50によって側面が囲まれた領域に金などの金属からなるバンプ60が形成されている。バンプ60の側壁と絶縁膜50との間に、バリア層70が設けられている。
【選択図】 図1
Description
電極パッド30を底面とし、絶縁膜50によって側面が囲まれた領域に金などの金属からなるバンプ60が形成されている。
Claims (9)
- 半導体チップに形成された多層配線に接続された電極パッドと、
前記電極パッドの周囲の基板を被覆する保護膜と、
前記保護膜の上に形成された絶縁膜と、
前記電極パッドを底面とし、前記絶縁膜によって側面が囲まれた領域に設けられた金属性のバンプと、
前記バンプの側壁と前記絶縁膜との間に設けられたバリア層と、
を含む半導体チップの電極構造。 - 前記バンプが金で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップの電極構造。
- 前記バリア層がTi、W、Si、Ni、Co、Al、TiW、またはNiCoからなる群より選ばれる1つ以上の金属または合金で形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体チップの電極構造。
- 半導体チップに形成された多層配線に電極パッドを接続し、前記電極パッドの周囲の基板を保護膜で被覆する工程と、
前記電極パッドの上に金属性のバンプを形成する工程と、
前記バンプおよび前記電極パッドの露出面をバリア層で被覆する工程と、
前記バンプの側面を除いて、前記バリア層を選択的に除去する工程と、
前記バンプの上面が露出するように前記保護膜の上に絶縁膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体チップの電極構造の形成方法。 - 前記バンプとして金が用いられることを特徴とする請求項4に記載の半導体チップの電極構造の形成方法。
- 前記バリア層として、Ti、W、Si、Ni、Co、Al、TiW、またはNiCoからなる群より選ばれる1つ以上の金属または合金が用いられることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体チップの電極構造の形成方法。
- 多層配線に接続された電極パッドと、
前記電極パッドの周囲の基板を被覆する保護膜と、
前記保護膜の上に形成された絶縁膜と、
前記電極パッドを底面とし、前記絶縁膜によって側面が囲まれた領域に設けられた金属性のバンプと、
前記バンプの側壁と前記絶縁膜との間に設けられたバリア層と、
を備える半導体チップ。 - 前記バンプが金で形成されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体チップ。
- 前記バリア層がTi、W、Si、Ni、Co、Al、TiW、またはNiCoからなる群より選ばれる1つ以上の金属または合金で形成されていることを特徴とする請求項7または8に記載の半導体チップ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005129000A JP4663391B2 (ja) | 2005-04-27 | 2005-04-27 | 半導体チップの電極構造およびその形成方法ならびに半導体チップ |
US11/794,243 US7956460B2 (en) | 2004-12-28 | 2005-12-27 | Semiconductor chip and method for manufacturing same, electrode structure of semiconductor chip and method for forming same, and semiconductor device |
PCT/JP2005/023911 WO2006070808A1 (ja) | 2004-12-28 | 2005-12-27 | 半導体チップおよびその製造方法、半導体チップの電極構造およびその形成方法、ならびに半導体装置 |
US13/095,193 US8269347B2 (en) | 2004-12-28 | 2011-04-27 | Semiconductor chip, electrode structure therefor and method for forming same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005129000A JP4663391B2 (ja) | 2005-04-27 | 2005-04-27 | 半導体チップの電極構造およびその形成方法ならびに半導体チップ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006310426A true JP2006310426A (ja) | 2006-11-09 |
JP4663391B2 JP4663391B2 (ja) | 2011-04-06 |
Family
ID=37477001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005129000A Expired - Fee Related JP4663391B2 (ja) | 2004-12-28 | 2005-04-27 | 半導体チップの電極構造およびその形成方法ならびに半導体チップ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4663391B2 (ja) |
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JP4663391B2 (ja) | 2011-04-06 |
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