JP4663391B2 - 半導体チップの電極構造およびその形成方法ならびに半導体チップ - Google Patents
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Description
電極パッド30を底面とし、絶縁膜50によって側面が囲まれた領域に金などの金属からなるバンプ60が形成されている。
Claims (14)
- 半導体チップに形成された多層配線に接続された電極パッドと、
前記電極パッドの周囲の基板を被覆する保護膜と、
前記保護膜の上に形成された絶縁膜と、
前記電極パッドを底面とし、前記絶縁膜によって側面が囲まれた領域に設けられた金属性のバンプと、
前記バンプの側壁と前記絶縁膜との間に設けられたバリア層と、
を含み、
前記バリア層がTi、W、Si、Ni、Co、Al、TiW、またはNiCoからなる群より選ばれる1つ以上の金属または合金で形成されている半導体チップの電極構造。 - 前記バンプが金で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップの電極構造。
- 前記バリア層の膜厚が30〜100nmであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体チップの電極構造。
- 前記多層配線は複数の配線層と配線間を絶縁するための層間絶縁膜からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体チップの電極構造。
- 前記電極パッドはアルミニウムまたはAl−Si、Al−Si−Cu合金で構成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体チップの電極構造。
- 前記保護膜はシリコン窒化膜からなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体チップの電極構造。
- 前記絶縁膜はポリイミドからなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体チップの電極構造。
- 半導体チップに形成された多層配線に電極パッドを接続し、前記電極パッドの周囲の基板を保護膜で被覆する工程と、
前記電極パッドの上に金属性のバンプを形成する工程と、
前記バンプおよび前記電極パッドの露出面をバリア層で被覆する工程と、
前記バンプの側面を除いて、前記バリア層を選択的に除去する工程と、
前記バンプの上面が露出するように前記保護膜の上に絶縁膜を形成する工程と、
を備え、
前記バリア層として、Ti、W、Si、Ni、Co、Al、TiW、またはNiCoからなる群より選ばれる1つ以上の金属または合金が用いられることを特徴とする半導体チップの電極構造の形成方法。 - 前記バンプとして金が用いられることを特徴とする請求項8に記載の半導体チップの電極構造の形成方法。
- 前記バリア層の膜厚が30〜100nmであることを特徴とする請求項8または9に記載の半導体チップの電極構造の形成方法。
- 前記多層配線は複数の配線層と配線間を絶縁するための層間絶縁膜からなることを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の半導体チップの電極構造の形成方法。
- 前記電極パッドはアルミニウムまたはAl−Si、Al−Si−Cu合金で構成されていることを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1項に記載の半導体チップの電極構造の形成方法。
- 前記保護膜はシリコン窒化膜からなることを特徴とする請求項8乃至12のいずれか1項に記載の半導体チップの電極構造の形成方法。
- 前記絶縁膜はポリイミドからなることを特徴とする請求項8乃至13のいずれか1項に記載の半導体チップの電極構造の形成方法。
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