JP2008091454A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置1は、複数の半導体素子(図示略)が形成された半導体素子層2と、配線層3と、第1窒化膜4と、銅配線5と、バリア層6と、接着層7と、第2窒化膜8と、ワイヤ9とを備えている。第1窒化膜4は、各銅配線5の下面の一部を覆うとともに、隣接する銅配線5と銅配線5との間にわたって形成されている。バリア層6は、銅配線5の上面及び側面を覆うように連続して形成されている。接着層7は、バリア層6の上面を覆うように形成されている。第2窒化膜8は、各バリア層6及び接着層7の側面と接着層7の上面のワイヤボンディング領域AWを除く領域とを覆うとともに、第1窒化膜4と接触するように隣接する銅配線5と銅配線5との間にわたって形成されている。
【選択図】図1
Description
2 半導体素子層
4 第1窒化膜
5 銅配線
6 バリア層
7 接着層
8 第2窒化膜
9 ワイヤ
10 保護膜
10a 開口部
21 レジスト膜
AW ワイヤボンディング領域
G 隙間
Claims (8)
- 半導体素子と配線のうち最上層に形成された複数の銅配線とを備えた半導体装置において、
前記銅配線の下面の一部を覆う絶縁性の第1窒化膜と、
銅の拡散を抑制可能なバリアメタルからなり、前記銅配線の上面及び側面に連続して形成されたバリア層と、
前記バリア層の上面に形成された接着層と、
前記接着層上のワイヤボンディング領域に接着されるワイヤとを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記バリア層及び前記接着層の側面と前記接着層の上面の一部とを覆うように且つ隣接する前記銅配線間で前記第1窒化膜と少なくとも一部が接触するように形成された絶縁性の第2窒化膜を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1窒化膜及び前記第2窒化膜は、同じ窒化物からなることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1窒化膜及び前記第2窒化膜は、互いが接触するように隣接する前記銅配線間にわたって形成されていることを特徴とする請求項2又は3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第2窒化膜は、前記接着層の上面において、前記ワイヤボンディング領域を除く領域を覆うように形成されていることを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1窒化膜、前記バリア層及び前記接着層を覆うように樹脂製の保護膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記保護膜は、前記接着層の上面において、前記ワイヤボンディング領域を除く領域を覆うように形成されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 半導体素子と配線のうち最上層に形成された複数の銅配線とを備えた半導体装置の製造方法において、
前記銅配線をパターニングするためのレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を用いて前記銅配線をメッキ成長させる工程と、
前記レジスト膜を収縮させて前記銅配線の側面と前記レジスト膜との間に隙間を形成する工程と、
前記レジスト膜を用いて銅の拡散を抑制するためのバリアメタルからなるバリア層を前記銅配線の側面及び上面に形成する工程と、
前記バリア層の上面に接着層を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006268301A JP2008091454A (ja) | 2006-09-29 | 2006-09-29 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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JP2008091454A true JP2008091454A (ja) | 2008-04-17 |
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JP2006268301A Pending JP2008091454A (ja) | 2006-09-29 | 2006-09-29 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2008091454A (ja) |
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