JP2011023516A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】内部回路の状態を正確に判定することができる、半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、基板１１上に複数の絶縁層１２１Ａ〜１２１Ｊからなる絶縁層群１２が積層されるとともに、回路形成領域Ａが形成されている。この半導体装置１は、複数の絶縁層１２１Ａ〜１２１Ｈ中に形成され、前記回路形成領域Ａを囲むように設けられた第一のシールリング１３と、この第一のシールリング１３の外側に設けられたビアチェーン１４と、ビアチェーン１４の外側に設けられるとともに、前記複数の絶縁層１２１Ａ〜１２１Ｊ中に形成され、前記回路形成領域Ａを囲むように設けられた第二のシールリング１５とを備える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体装置に関する。

半導体装置の製造工程において、層間絶縁膜の剥離が発生する場合がある。たとえば、回路を形成したウェハをダイシングする際、層間絶縁膜の剥離が発生する場合がある。
そこで、層間絶縁膜の剥離を検出するために、層間絶縁膜中に配線構造（ビアチェーン）を設けることが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
この配線構造は、少なくとも一対の層間絶縁膜の界面を貫通するように配置され、配線構造の端部間の導通をとることで、界面間の剥離を検出するとしている。
一方、従来、半導体装置には、回路を保護するために、シールリングが設けられている。このシールリングは、回路形成領域を壁状に囲い、半導体装置のダイシング面から水分等が侵入することを防止するものである。

特開２００７−３０５７３９号公報 特開２００７−００５６６２号公報 特開２００４−２９７０２２号公報 特開２００６−２１０６４８号公報 特開２００６−４１２４４号公報

ここで、本発明者が検討した結果、従来の半導体装置においては、以下のような課題があることがわかった。
図１１の平面図に示すように、ビアチェーン９０の内側にシールリング９１が配置されている場合、ビアチェーン９０がチップ外周からの層間剥離による損傷を受けているにもかかわらず、内部回路が損傷を受けていないという状態が生じる。これは、シールリング９１により、内部回路が保護されるためである。ビアチェーン９０の導通により、内部回路が影響を受けているかどうかを判定する際に、実際には内部回路が損傷していないにもかかわらず、内部回路が損傷を受けたと判断されてしまう可能性がある。なお、図１１において、Ａは回路形成領域である。
一方、ビアチェーンの外側にシールリングを配置することも考えられる。
しかしながら、この場合には、シールリングがこわれる一方で、ビアチェーンが損傷をうけない可能性がある。シールリングが損傷すると、損傷部分から水分等が侵入してしまう。水分等は、ビアチェーンの隙間（層間絶縁膜のうち、ビアチェーンが形成されていない部分）を通り、内部回路が水分等による影響をうけ、損傷してしまうおそれがある。
この場合には、実際には内部回路が損傷しているにもかかわらず、内部回路が損傷を受けていないと判定されてしまう可能性がある。

本発明によれば、基板上に複数の絶縁層が積層されるとともに、回路形成領域が形成された半導体装置であって、前記回路形成領域の外側に配置され、前記複数の絶縁層にまたがって延在する有端状のものであり、前記絶縁層中に形成された第一の導電層と、前記第一の導電層とは異なる絶縁層中に形成された第二の導電層と、前記第一の導電層と同一の前記絶縁層中に、前記第一の導電層に対して離間配置された第三の導電層と、前記第一の導電層および前記第三の導電層が形成された前記絶縁層とは異なる絶縁層に形成され、前記第一の導電層の一部および前記第二の導電層の一部を接続するビアと、前記ビアと同一の絶縁層中に形成され、前記ビアに対して離間配置されるとともに、前記第三の導電層の一部および前記第二の導電層の他の一部を接続する他のビアとを有するビアチェーンと、前記複数の絶縁層中に形成され、前記ビアチェーンの内側に設けられるとともに、前記回路形成領域を囲むように設けられた第一のシールリングと、前記ビアチェーンの外側に設けられるとともに、前記複数の絶縁層中に形成され、前記回路形成領域を囲むように設けられた第二のシールリングとを備える半導体装置が提供される。

この発明によれば、ビアチェーンの内側に第一のシールリングが設けられ、かつ、ビアチェーンの外側に第二のシールリングが設けられている。チップ外周から絶縁層間に剥離が生じた場合、第二のシールリングが損傷をうけ、ビアチェーンが損傷を受けてないという状態が考えられる。この場合、第二のシールリングの損傷部分から水分等が侵入しても、第一のシールリングにより内部回路を保護することができる。
これにより、ビアチェーンの導通をとり、内部回路が損傷をうけていないと判定された場合に、実際には、内部回路が水分等の影響をうけているといった状態が発生することを防止できる。
また、ビアチェーンの外側に第二のシールリングが設けられているので、チップ外周から絶縁層間に剥離が生じた場合、第二のシールリングにより、剥離が食い止められ、ビアチェーンおよび内部回路が損傷をうけてしまうことを抑制できる。これにより、内部回路が損傷をうけていないにもかかわらず、ビアチェーンが損傷をうけてしまい、半導体装置が不良品であると判定されてしまうことを抑制できる。
以上より、本発明によれば、内部回路の状態を正確に判定することができる、半導体装置を提供することができる。

本発明によれば、内部回路の状態を正確に判定することができる、半導体装置が提供される。

本発明の第一実施形態にかかる半導体装置の平面図である。 図１のII-II方向の断面図である。 図１のIII-III方向の断面図である。 図１のIV-IV方向の断面図である。 図１のV-V方向の断面図である。 本発明の第二実施形態にかかる半導体装置の平面図である。 図６のVII-VII方向の断面図である。 本発明の第三実施形態にかかる半導体装置の平面図である。 第三実施形態の変形例を示す平面図である。 本発明の変形例を示す断面図である。 従来の半導体装置の平面図である。 半導体装置の断面図である。

（第一実施形態）
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１〜図５には本実施形態の半導体装置１が示されている。
はじめに、半導体装置１の概要について説明する。
本実施形態の半導体装置１は、基板１１上に複数の絶縁層１２１Ａ〜１２１Ｋからなる絶縁層群１２が積層されるとともに、回路形成領域Ａが形成された半導体装置１である。
この半導体装置１は、複数の絶縁層１２１Ｂ〜１２１Ｊ中に形成され、回路形成領域Ａを囲むように設けられた第一のシールリング１３と、この第一のシールリング１３の外側に設けられたビアチェーン１４と、ビアチェーン１４の外側に設けられるとともに、前記複数の絶縁層１２１Ｂ〜１２１Ｋ中に形成され、前記回路形成領域Ａを囲むように設けられた第二のシールリング１５とを備える。
ここで、ビアチェーン１４は、複数の絶縁層１２１Ｂ〜１２１Ｋにまたがって延在する有端状のものであり、半導体装置１を側面視した状態で、一対の導電層１４１（第一の導電層、第二の導電層）と、第一の導電層の一部および第二の導電層の一部同士を接続するビア１４２とを含んで構成される構造である。また、ビアチェーン１４は、第一の導電層と同一の絶縁層中に、前記第一の導電層に対して離間配置された第三の導電層（導電層１４１）を有する。第三の導電層の一部および第二の導電層の他の一部は、他のビア１４２にて接続されている。

次に、半導体装置１について詳細に説明する。
図２に示すように、半導体装置１は、基板１１と、基板１１上に積層された絶縁層群１２とを有する。図２は、図１のII-II方向の断面図である。
基板１１は、半導体基板であり、たとえば、シリコン基板等である。
この基板１１には、トランジスタ等が形成されるとともに、絶縁層群１２中にはトランジスタ等に接続された配線等が形成されている。ここで、前記トランジスタ、配線等が形成された領域が回路形成領域Ａとなる（図１参照）。
絶縁層群１２は、基板１１上に積層されたものであり、絶縁層１２１Ａ〜１２１Ｊは、一般にｌｏｗ−ｋ材料と呼ばれる、低誘電率絶縁多孔質膜である。
具体的には、ＨＳＱ（ハイドロジェンシルセスキオキサン）、ＭＳＱ（メチルシルセスキオキサン）、またはＭＨＳＱ（メチル化ハイドロジェンシルセスキオキサン）等のポリオルガノシロキサン、ポリアリールエーテル（ＰＡＥ）、ジビニルシロキサン−ビ−ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ＳｉＯＣまたはＳｉｌｋ（登録商標）等の芳香族含有有機材料、ＳＯＧ(ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ)、ＦＯＸ(ｆｌｏｗａｂｌｅ ｏｘｉｄｅ)、パリレン、サイトップ、またはＢＣＢ（Ｂｅｎｓｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、梯子型水素化シロキサン等のラダーオキサイド等、種々のものを用いることができる。なお、梯子型水素化シロキサンとは梯子型の分子構造を有するポリマーのことであり、配線遅延防止の観点から比誘電率２．９以下のものが好ましく、また膜密度が低いものが好ましい。こうした膜材料の具体例としてＬ−Ｏx（商標）等を例示することができる。成膜方法についても、塗布の他に化学的気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの種々の手法が用いられ、これらの膜をポーラス化したものも好ましく用いられる。
絶縁層１２１Ｊ上には、絶縁層１２１Ｋが積層されている。この絶縁層１２１Ｋは、たとえば、ＳｉＯ_２等により構成される層である。さらに絶縁層１２１Ｋ上には、絶縁層としてポリイミド層１６が積層されている。
なお、絶縁層１２１Ｋを、低誘電率膜で構成する場合には、図１２に示すように、絶縁層１２１Ｋと、絶縁膜１２１Ｊとの間に、透湿性の低い高密度の絶縁膜１２１Ｌを配置してもよい。

第一のシールリング１３は、図１に示すように回路形成領域Ａを囲むように設けられている。この第一のシールリング１３は、回路形成領域Ａを連続的に取り囲む壁状に設けられている。第一のシールリング１３は、図２，図３に示すように、各絶縁層１２１Ａ〜１２１Ｊ中を厚み方向と直交する方向に延在しており、半導体装置１側方からみた場合、図３に示すように、配線１３１と、スリットビア１３２とが交互に積層されて、隙間のない壁を形成する構造となっている。図３は、図１のIII-III方向の断面図である。
ここで、この第一のシールリング１３は、回路形成領域Ａを完全に取り囲んでいることが好ましい。すなわち、第一のシールリング１３は、回路形成領域Ａを取り囲むように形成された、リング状の配線１３１と、この配線１３１上に積層され、回路形成領域Ａを取り囲むように形成されたリング状のスリットビア１３２とを有することが好ましい。
なお、第一のシールリング１３は、導電性の層であり、たとえば、銅等の金属で構成される。本実施形態では、第一のシールリング１３は一つである。

ビアチェーン１４は、図１に示すように、半導体装置１を平面視した状態で、第一のシールリング１３の外側に配置されている。このビアチェーン１４は、図２、図４に示すように、絶縁層１２１Ｂ〜１２１Ｋをまたがるように形成されている。具体的には、ビアチェーン１４は、絶縁層１２１Ｂ〜１２１Ｊ中を延在するとともに、端部が絶縁層１２１Ｋに形成されている。図４は、図１のIV-IV方向の断面図である。なお、図４では、ポリイミド層１６を省略している。
このビアチェーン１４は、半導体装置１を側面視した状態において、導電層１４１と、この導電層１４１の一部に接続されるビア１４２とが交互に階段状に積層された構造である。導電層１４１およびビア１４２は、たとえば、銅等の金属で構成される。
より詳細に説明すると、ビアチェーン１４は、同一絶縁層（たとえば、絶縁層１２１Ｄ）内で離間配置される複数の導電層１４１を有しており、導電層１４１間には隙間が形成されている。そして、この複数の導電層１４１は、他の絶縁層（たとえば、絶縁層１２１Ｃ）内に形成され、離間配置された複数のビア１４２にそれぞれ接続されている。この複数のビア１４２は、同一の導電層１４１（たとえば、絶縁層１２１Ｂに形成された導電層１４１）に接続され、チェーンを構成している。換言すると、ビアチェーン１４は、図４に示すように、一対の導電層１４１がビア１４２により接続された鎖状となっている。
さらに、ビアチェーン１４は、半導体装置側方からみて、長さＷ１の導電層１４１と、この導電層１４１よりも長さが短いビア１４２（長さＷ２）とが積層された形状となっている。

本実施形態では、図１に示すように、ビアチェーン１４は、回路形成領域Ａの外周に沿って設けられ、回路形成領域Ａを囲んでいる。ビアチェーン１４は絶縁層群１２内を厚み方向と直交する方向に延在した有端状のものである。ビアチェーン１４の端部は、回路形成領域Ａに配置されたパッドＰにそれぞれ接続されている。具体的には、図２に示すように、ビアチェーン１４の端部である導電層１４３と、パッドＰとを接続する接続部材１７が絶縁層１２１Ｋ上を通っている。接続部材１７は、導電性の部材（たとえば、銅等の金属）であり、第一のシールリング１３の上方に位置している。
なお、導電層１４３は、絶縁層１２１Ｋ中に設けられた部分と、絶縁層１２１Ｋから露出した部分とを備えて構成されている。
ビアチェーン１４の端部間の導通を測定することで、絶縁層間の界面剥離が起こっているかどうかを判定することができる。
なお、本実施形態では、ビアチェーン１４の端部と、パッドＰとを接続する接続部材１７が絶縁層１２１Ｋ上を通っているとしたが、これに限らず、ビアチェーン１４の端部と、パッドＰとを接続する接続部材として、基板に形成された不純物拡散層を使用してもよい。また、基板上にポリシリコン膜を形成し、ビアチェーン１４の端部と、パッドＰとを接続してもよい。

第二のシールリング１５は、図１に示すように、ビアチェーン１４の外側に配置され、回路形成領域Ａを囲むように配置されている。
第二のシールリング１５は、図２に示すように、絶縁層１２１Ｂ〜１２１Ｋにまたがって形成されている。
この第二のシールリング１５は、図５に示すように、各絶縁層１２１Ｂ〜１２１Ｋ中を厚み方向と直交する方向に延在して、回路形成領域Ａを連続的に取り囲む壁状に設けられている。図５は、図１のV-V方向の断面図である。
この第二のシールリング１５は、半導体装置１側方からみた場合、配線１５１と、この配線１５１と略同一幅のスリットビア１５２とが交互に積層されて、壁を形成する構造となっている。なお、第二のシールリング１５の上端部の導電層１５３は、スリットビア部分と、絶縁層１２１Ｋから露出した部分とを備えた形となっている。
ここで、第二のシールリング１５は、回路形成領域Ａを完全に取り囲んでいることが好ましい。具体的には、第二のシールリング１５は、回路形成領域Ａを取り囲むように形成された、リング状の配線１５１と、この配線１５１上に積層され、回路形成領域を取り囲むように形成されたリング状のスリットビア１５２とを有することが好ましい。
なお、第二のシールリング１５は、導電性の層であり、たとえば、銅等の金属で構成される。
ここで、本実施形態では、第二のシールリング１５は１本設けられている。

ここで、絶縁層１２１Ｋ上には、図２に示すように、ポリイミド層１６が形成されている。このポリイミド層１６は、回路形成領域Ａ、第一のシールリング１３上、ビアチェーン１４、第二のシールリング１５上を被覆するように設けられている。ただし、ポリイミド層１６は、第二のシールリング１５の最上層の導電層１５３の表面の一部（回路形成領域Ａ側の領域）を被覆し、導電層１５３の表面の他の一部は露出している。なお、第二のシールリング１５よりも外側の領域には、ポリイミド層１６は形成されていない。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。
ビアチェーン１４の内側に第一のシールリング１３が設けられ、かつ、ビアチェーン１４の外側に第二のシールリング１５が設けられている。絶縁層間に剥離が生じた場合、第二のシールリング１５が損傷をうけ、ビアチェーン１４が損傷を受けてないという状況が考えられる。この場合、第二のシールリング１５の損傷部分から水分等が侵入しても、第一のシールリング１３にて内部回路を保護することができる。
これにより、ビアチェーン１４の導通をとり、内部回路が損傷をうけていないと判定された場合に、実際には、内部回路が水分との影響をうけているといった状態が発生することを防止できる。
また、ビアチェーン１４の外側に第二のシールリング１５が設けられているので、絶縁層間に剥離が生じた場合、第二のシールリング１５により、剥離が食い止められ、ビアチェーン１４および内部回路が損傷をうけてしまうことを抑制できる。これにより、内部回路が損傷をうけていないのに対し、ビアチェーン１４が損傷をうけてしまい、半導体装置１が不良品であると判定されてしまうことを抑制できる。
以上より、本実施形態によれば、内部回路の状態を正確に判定することができる、半導体装置１を提供することができる。

また、本実施形態では、第二のシールリング１５上では、ポリイミド層１６は形成されているが途中で途切れている。これにより、第2のシールリング１５の位置において、第2のシールリング１５の最上部へ向かう応力が発生しやすく、外周から生じた剥離を上方へ変針させやすくなる。剥離界面を横方向から縦に変針させることによって、この最外周のシールリング１５より内側に剥離が延在することを防ぐことができる。
第二のシールリング１５は、本実施例のように1本で構成されてもよいが、第二のシールリング１５を２本形成することで、最も外側に位置する第二のシールリングが損傷を受けたとしても、内側の第二のシールリングにより、ビアチェーン１４を保護することができる。これにより、ビアチェーン１４の損傷を確実に防止することができる。もちろん、3本以上の複数本で構成してもよい。
第一のシールリング１３についても、必ずしも１本である必要は無く、複数本で構成してもよい。シールリングを複数本で構成することによって、プロセス上もしくはマスク上の欠陥などによってシールリングの一部が欠落しても、内部回路に至る水分の透過路を遮断することができる。
また、本実施形態では、第二のシールリング１５により、層間の剥離を食い止めており、第一のシールリング１３は、回路形成領域Ａ内への水分の侵入を抑制するものである。そのため、第一のシールリング１３を複数本形成しなくてもよく、これにより、製造コストの増加を抑制することができる。

（第二実施形態）
図６、７を参照して、本発明の第二実施形態について説明する。
前記実施形態では、ビアチェーン１４は、１本設けられていたが、本実施形態では、ビアチェーン２４は異なる絶縁層間に、複数本設けられている。他の点は、前記実施形態と同様である。
図６は半導体装置の平面図であり、図７は図６のVII-VII方向の断面図である。なお、図７では、ポリイミド層の記載を略している。
ここで、図７に示すように、ビアチェーン２４Ａは、断面構造は、第一実施形態と同様であり、絶縁層１２１Ｂ〜絶縁層１２１Ｄに形成されている。具体的には、第一実施形態と同様に、導電層２４Ａ１とビア２４Ａ２とが交互に積層された形状である。さらに、ビアチェーン２４Ａは、同一絶縁層（たとえば、絶縁層１２１Ｄ）内で離間配置される複数の導電層２４Ａ１を有しており、導電層２４Ａ１間には隙間が形成されている。そして、この複数の導電層２４Ａ１は、他の絶縁層（たとえば、絶縁層１２１Ｃ）内に形成され、離間配置されたビア２４Ａ２にそれぞれ接続され、複数のビア２４Ａ２は、絶縁層１２１Ｂに配置された同一の導電層２４Ａ１に接続されている。
ビアチェーン２４Ａの端部には、図示しない引き出し線が接続されて、引き出し線間の導通をとることで、端部間の導通をとることができる構造となっている。図示しないが、引き出し線は、絶縁層１２１Ｅ〜１２１Ｋを貫通し、ビアチェーン２４Ａの端部に接続される。そして、引きだし線は、回路形成領域ＡにあるパッドＰ１に接続される。
ビアチェーン２４Ａは、前記実施形態と同様、回路形成領域Ａを囲むように形成されている。

一方、ビアチェーン２４Ｂも、断面構造は、第一実施形態と同様であり、絶縁層１２１Ｄ〜１２１Ｊにまたがって形成されている。
具体的には、第一実施形態と同様に、導電層２４Ｂ１とビア２４Ｂ２とが交互に積層された形状である。さらに、ビアチェーン２４Ｂは、同一絶縁層（たとえば、絶縁層１２１Ｆ）内で離間配置される複数の導電層２４Ｂ１を有しており、導電層２４Ｂ１間には隙間が形成されている。そして、この複数の導電層２４Ｂ１は、他の絶縁層（たとえば、絶縁層１２１Ｅ）内に形成され、離間配置されたビア２４Ｂ２にそれぞれ接続され、複数のビア２４Ｂ２は、同一の導電層２４Ｂ１（絶縁層１２１Ｄ内に形成された導電層２４Ｂ１）に接続されている。
ビアチェーン２４Ｂは、前記実施形態と同様、回路形成領域Ａを囲むように形成されている。そして、前記実施形態と同様、ビアチェーン２４Ｂの端部は、回路形成領域ＡにあるパッドＰ２に接続される。
なお、ビアチェーン２４Ａと、ビアチェーン２４Ｂとは、電気的に接続されていない。

このような本実施形態によれば、前記実施形態と同様の効果を奏することができるうえ、以下の効果を奏することができる。
本実施形態では、ビアチェーン２４Ａの一部が、ビアチェーン２４Ｂと異なる絶縁層内に形成されているので、剥離が生じた層を特定することが可能となる。
なお、第二実施形態では、ビアチェーン２４Ａの一部と、ビアチェーン２４Ｂの一部とが同じ絶縁層中に形成されていたが、ビアチェーン２４Ａと、ビアチェーン２４Ｂとを全く異なる絶縁層内に形成してもよい。

（第三実施形態）
次に、図８を参照して、本発明の第三実施形態について説明する。
第一実施形態では、ビアチェーン１４は、１本設けられていたが、本実施形態では、ビアチェーン３４（３４Ａ〜３４Ｄ）は複数本設けられている。他の点は、第一実施形態と同様である。
本実施形態では、図８に示すように、回路形成領域Ａを取り囲むように、複数のビアチェーン３４Ａ〜３４Ｄが形成されている。複数のビアチェーン３４Ａ〜３４Ｄにより、一つの輪を形成するように、回路形成領域Ａの外周に沿って、複数のビアチェーン３４Ａ〜３４Ｄが配置されている。
本実施形態では、ビアチェーン３４Ａ〜３４Ｄは、回路形成領域Ａの外周の角部にそれぞれ設置されている。平面視において、ビアチェーン３４Ａ，３４Ｃが離間配置されており、ビアチェーン３４Ａのビアチェーン３４Ｃ側の端部側から、ビアチェーン３４Ｃの、ビアチェーン３４Ａ側の端部側に向かって延びるように、ビアチェーン３４Ｂ（３４Ｄ）が配置されている。
この各ビアチェーン３４の断面構造は、第一実施形態と同様であり、図示しないが、絶縁層１２１Ｂ〜１２１Ｋをまたぐように形成されている。具体的には、第一実施形態と同様に、導電層とビアとが交互に積層された形状である。
また、各ビアチェーン３４は、電気的に接続されていない。さらに、各ビアチェーン３４の端部は、前記各実施形態と同様、回路形成領域Ａに配置されたパッドＰに接続されている。

このような本実施形態によれば、第一実施形態と同様の効果を奏することができるうえ、以下の効果を奏することができる。
ビアチェーン３４を配置することで、剥離が生じた平面位置を特定することができる。
なお、ビアチェーン３４の配置は、図８に示したような配置に限られず、たとえば、図９に示すように配置してもよい。
このように配置することで、絶縁層間の剥離が回路形成領域Ａの外周の角部で生じているかどうかを判定することが可能となる。

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
たとえば、図１０に示すように、第一のシールリング４３が絶縁層１２１Ｊ〜１２１Ｆを貫通する領域と、この領域から分岐して設けられ、前記絶縁層１２１Ｆよりも下層の絶縁層１２１Ｅ〜１２１Ｂを貫通する分岐部分とを有するような形状としてもよい。図１０は、第一のシールリングの延在方向と直交する断面である（図１のII−II方向の断面に相当）。すなわち、下層の絶縁層中には複数（たとえば２つの）のリング部が配置され、回路形成領域Ａが確実に保護されることとなる。
また、第二実施形態、第三実施形態において、第一のシールリング、第二のシールリングの少なくともいずれか一方を、複数本設けてもよい。

Ａ 回路形成領域
Ｐ パッド
Ｐ１ パッド
Ｐ２ パッド
１２１Ａ〜１２１K 絶縁層
１ 半導体装置
１１ 基板
１２ 絶縁層群
１３ シールリング
１４ ビアチェーン
１５ シールリング
１５Ａ シールリング
１５Ｂ シールリング
１６ ポリイミド層
１７ 接続部材
２４ ビアチェーン
２４Ａ ビアチェーン
２４Ａ１ 導電層
２４Ａ２ ビア
２４Ｂ ビアチェーン
２４Ｂ１ 導電層
２４Ｂ２ ビア
３４ ビアチェーン
３４Ａ〜３４Ｄ ビアチェーン
４３ シールリング
９０ ビアチェーン
９１ シールリング
１３１ 配線
１３２ スリットビア
１４１ 導電層
１４２ ビア
１４３ 導電層
１５１ 配線
１５２ スリットビア
１５３ 導電層

Claims (9)

1. 基板上に複数の絶縁層が積層されるとともに、回路形成領域が形成された半導体装置であって、
   前記回路形成領域の外側に配置され、前記複数の絶縁層にまたがって延在する有端状のものであり、
   前記絶縁層中に形成された第一の導電層と、
   前記第一の導電層とは異なる前記絶縁層中に形成された第二の導電層と、
   前記第一の導電層と同一の前記絶縁層中に、前記第一の導電層に対して離間配置された第三の導電層と、
   前記第一の導電層および前記第三の導電層が形成された前記絶縁層とは異なる絶縁層に形成され、前記第一の導電層の一部および前記第二の導電層の一部を接続するビアと、
   前記ビアと同一の絶縁層中に形成され、前記ビアに対して離間配置されるとともに、前記第三の導電層の一部および前記第二の導電層の他の一部を接続する他のビアとを有するビアチェーンと、
   前記複数の絶縁層中に形成され、前記ビアチェーンの内側に設けられるとともに、前記回路形成領域を囲むように設けられた第一のシールリングと、
   前記ビアチェーンの外側に設けられるとともに、前記複数の絶縁層中に形成され、前記回路形成領域を囲むように設けられた第二のシールリングとを備える半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記第二のシールリングは、一つであり、
   前記第一のシールリングは、一つである半導体装置。
3. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記第二のシールリングあるいは前記第一のシールリングの少なくともいずれか一方が複数設けられている半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置において、
   前記ビアチェーンは、複数設けられ、
   各ビアチェーンは、互いに電気的に接続されていない半導体装置。
5. 請求項４に記載の半導体装置において、
   前記複数のビアチェーンは、第一のビアチェーンと、少なくとも一部が、前記第一のビアチェーンが形成されている絶縁層とは異なる絶縁層に形成されている第二のビアチェーンとを有する半導体装置。
6. 請求項４に記載の半導体装置において、
   基板面側からみて、前記複数のビアチェーンにより、前記回路形成領域が囲まれている半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置において、
   前記絶縁層の上方には、前記回路形成領域、前記第一のシールリング、前記ビアチェーンを被覆するポリイミド層が設けられ、
   第二のシールリングの最上層の一部上には、前記ポリイミド層が設けられておらず、前記第二のシールリングの最上層の一部が露出している半導体装置。
8. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記ビアチェーンの端部は、前記回路形成領域に設置されたパッドに接続されている半導体装置。
9. 請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置において、
   前記複数の絶縁層は、多孔質膜である半導体装置。

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