JP4280204B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
2 シールリング
3 一部拡大領域
4 上層バリア層
5 上層シールリング配線
6 島状の絶縁体
7 第1上層溝配線
8 第2上層溝配線
9 シリコン基板
10 下層絶縁膜
11 シールリング用コンタクト孔
12 シールリングコンタクトプラグ
13 コンタクト孔
14 コンタクトプラグ
15 第1層間絶縁膜
16 下層シールリング用溝
17 下層バリア層
18 下層シールリング配線
19 島状の下層絶縁体
20 第1下層溝配線
21 第2下層溝配線
22 第2層間絶縁膜
23 第3層間絶縁膜
24 上層シールリング用溝
25 島状の上層絶縁体
26 第4エッチングストッパ層
27 パッシベーション膜
28 第1下層配線用溝
29 第2下層配線用溝
30 バリア材料膜
31 配線材料膜
32 第1上層配線用溝
33 第2上層配線用溝
Claims (6)
- 半導体基板上に半導体素子と配線層と複数の層間絶縁膜層とを有する半導体装置において、
前記半導体素子周辺を囲うように配設されるシールリングが、前記配線層を構成する導電体材料によりダマシン配線構造に形成され、前記導電体材料で成るシールリングの所定の領域に島状の絶縁体材料が配置されており、
前記複数の島状の絶縁体材料は、前記シールリングの延在方向に沿って配列され、前記シールリングにおいて前記半導体素子の形成領域側に偏在していることを特徴とする半導体装置。 - 前記島状の絶縁体材料は、前記層間絶縁膜層を構成する絶縁膜材料で成ることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記シールリングは互いに接合する上層のダマシン配線構造体と下層のダマシン配線構造体の多層構造に形成され、前記上層のダマシン配線構造体の所定の領域に設けられた島状の絶縁体材料と、前記下層のダマシン配線構造体の所定の領域に設けられた島状の絶縁体材料とが重畳して配置されていることを特徴とする請求項1,又は2に記載の半導体装置。
- 前記シールリングは互いに接合する上層のダマシン配線構造体と下層のダマシン配線構造体の多層構造に形成され、前記上層のダマシン配線構造体の所定の領域に設けられた島状の絶縁体材料と、前記下層のダマシン配線構造体の所定の領域に設けられた島状の絶縁体材料とが重畳しないように配置されていることを特徴とする請求項1,又は2に記載の半導体装置。
- 前記島状の絶縁体材料の平面上パターンが矩形状であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記島状の絶縁体材料の平面上パターン寸法が0.5μm以上であることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
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