JP7093436B1 - 集積回路、クラック状態検出器およびクラック状態検出方法 - Google Patents
集積回路、クラック状態検出器およびクラック状態検出方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7093436B1 JP7093436B1 JP2021031970A JP2021031970A JP7093436B1 JP 7093436 B1 JP7093436 B1 JP 7093436B1 JP 2021031970 A JP2021031970 A JP 2021031970A JP 2021031970 A JP2021031970 A JP 2021031970A JP 7093436 B1 JP7093436 B1 JP 7093436B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- detection ring
- current
- state
- switches
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 148
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 21
- 101001057156 Homo sapiens Melanoma-associated antigen C2 Proteins 0.000 description 7
- 102100027252 Melanoma-associated antigen C2 Human genes 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
110:検出リング
120:電流測定回路
CT1~CT10:制御信号
ED1:第1の端点
ED2:第2の端点
SW1~SW10:スイッチ
VD1:第1の基準電圧
VD2:第2の基準電圧
VSS:基準電圧
WLA1~WLA11:導線セグメント
GR1~GR3:ガードリング
Claims (20)
- 集積回路に適したクラック状態検出器であって、
直列に結合された複数の導線セグメントにより形成された検出リングであり、前記集積回路の少なくとも1つのガードリングの側面に隣接して配置され且つ第1の基準電圧および第2の基準電圧をそれぞれ受け取る第1の端点および第2の端点を有する、検出リングと、
複数のスイッチであり、各々が2つの隣接する導線セグメントの間にそれぞれ配置され且つ複数の制御信号に応じてそれぞれターンオンまたはカットオフされる、複数のスイッチと、
前記集積回路のクラック状態を検出するために、前記複数の制御信号を送信し、前記複数のスイッチの各々のそれぞれのターンオンまたはカットオフ状態に応じて前記検出リングの電流を測定する電流測定回路と、
を備える、クラック状態検出器。 - 短絡状態検査において、前記電流測定回路は、前記第1の基準電圧と前記第2の基準電圧を同じ電圧にすることができるとともに、前記第1の基準電圧と前記少なくとも1つのガードリングにより受け取られる第3の基準電圧を異なる電圧にすることができ、前記電流測定回路は、前記複数のスイッチがすべてターンオンされたとき、前記検出リングの前記電流を測定することによって前記集積回路の前記クラック状態を決定する、請求項1に記載のクラック状態検出器。
- 前記短絡状態検査において、前記電流測定回路は、前記検出リングの前記電流が臨界値より大きくなるとき、前記検出リングと前記少なくとも1つのガードリングとの間に短絡が発生すると決定する、請求項2に記載のクラック状態検出器。
- 前記短絡状態検査において、前記電流測定回路は、さらに、前記複数のスイッチの各々を、前記複数のスイッチの順次配置の第1の順序に従って1つずつカットオフすることができ、前記検出リングの前記電流が前記臨界値よりも大きくなるとき、前記検出リングの前記電流に応じて、前記検出リングと前記少なくとも1つのガードリングとの間で前記短絡が発生する位置を決定することができる、請求項3に記載のクラック状態検出器。
- 前記短絡状態検査において、前記電流測定回路は、さらに、前記複数のスイッチの各々を、前記複数のスイッチの前記順次配置の前記第1の順序とは反対の第2の順序に従って1つずつカットオフすることができ、前記検出リングの前記電流が前記臨界値より大きくなるとき、前記検出リングの前記電流に応じて、前記検出リングと前記少なくとも1つのガードリングとの間で前記短絡が発生する前記位置を決定することができる、請求項4に記載のクラック状態検出器。
- 短絡状態検査において、前記電流測定回路は、前記第1の基準電圧と前記第2の基準電圧を異ならせることができ、前記クラック状態検出器は、初期時間間隔中に前記複数のスイッチをすべてターンオンすることができ、前記初期時間間隔後に前記複数のスイッチの各々を第1の順序に従ってカットオフすることができ、前記電流測定回路は、前記検出リングの前記電流が臨界値より小さいかどうかに応じて前記集積回路の前記クラック状態を決定する、請求項1に記載のクラック状態検出器。
- 前記短絡状態検査において、前記初期時間間隔中に前記複数のスイッチをすべてターンオンすることができ、前記初期時間間隔後に前記複数のスイッチの各々を前記第1の順序と反対の第2の順序に従ってカットオフすることができ、前記電流測定回路は、前記検出リングの前記電流が前記臨界値よりも小さいかどうかに応じて、前記集積回路の前記クラック状態を決定する、請求項6に記載のクラック状態検出器。
- 開回路状態検査において、前記電流測定回路は、前記第1の基準電圧と前記第2の基準電圧を異ならせることができるとともに、前記複数のスイッチをすべてターンオンさせることができ、前記電流測定回路は、前記検出リングの前記電流に応じて前記集積回路の前記クラック状態を決定する、請求項1に記載のクラック状態検出器。
- 前記開回路状態検査において、前記電流測定回路は、前記検出リングの前記電流が閾値より小さいことを検出したとき、前記検出リングに開回路が生じたことを決定する、請求項8に記載のクラック状態検出器。
- 前記開回路状態検査は短絡状態検査の前に行う、請求項8に記載のクラック状態検出器。
- 集積回路の外周を取り囲む少なくとも1つのガードリングと、
前記集積回路内に配置された請求項1に記載のクラック状態検出器と、を備える、集積回路。 - 集積回路の外周を取り囲む少なくとも1つのガードリングを有する集積回路に適したクラック状態検出方法であって、該クラック状態検出方法は、
前記少なくとも1つのガードリングに隣接して検出リングを配置するステップであり、前記検出リングは、直列に結合された複数の導線セグメントにより形成され且つそれぞれ第1の基準電圧および第2の基準電圧を受け取る第1の端点および第2の端点を有する、ステップと、
前記検出リングに複数のスイッチを配置するステップであり、前記複数のスイッチの各々は2つの隣接する導線セグメントの間に配置される、ステップと、
複数の制御信号を送信して、前記複数のスイッチのターンオンまたはカットオフ状態をそれぞれ制御するステップと、
前記集積回路のクラック状態を検出するために、前記検出リングの電流を測定するステップと、
を含む、クラック状態検出方法。 - 短絡状態検査において、
前記第1の基準電圧と前記第2の基準電圧は同じにすることができるとともに、前記第1の基準電圧と前記少なくとも1つのガードリングにより受け取られる第3の基準電圧は相違させることができ、
前記集積回路の前記クラック状態を決定するために、前記複数のスイッチがすべてターンオンされたとき、前記検出リングの前記電流を測定する、
請求項12に記載のクラック状態検出方法。 - 前記短絡状態検査において、前記検出リングの前記電流が閾値より大きいとき、前記検出リングと前記少なくとも1つのガードリングとの間で短絡が発生していると決定する、請求項13に記載のクラック状態検出方法。
- 前記短絡状態検査において、
前記検出リングの前記電流が臨界値よりも大きいときに、前記複数のスイッチの各々を第1の順序に従って1つずつカットオフし、
前記検出リングと前記少なくとも1つのガードリングとの間で前記短絡が発生している位置を前記検出リングの前記電流に従って決定する、請求項14に記載のクラック状態検出方法。 - 前記短絡状態検査において、
前記検出リングの前記電流が前記臨界値よりも大きいときに、前記複数のスイッチの各々を前記第1の順序とは反対の第2の順序に従って1つずつカットオフし、
前記検出リングと前記少なくとも1つのガードリングとの間で前記短絡が発生している前記位置を前記検出リングの前記電流に従って決定する、請求項15に記載のクラック状態検出方法。 - 短絡状態検査において、
前記第1の基準電圧と前記第2の基準電圧を異ならせることができ、
前記複数のスイッチを初期時間間隔中にすべてオンにすることができ、
前記初期時間間隔後に、前記複数のスイッチの各々を、第1の順序に従ってカットオフすることができ、
前記検出リングの前記電流が臨界値より低いかどうかに従って前記集積回路の前記クラック状態を決定する、請求項12に記載のクラック状態検出方法。 - 前記短絡状態検査において、
前記第1の基準電圧と前記第2の基準電圧を異ならせることができ、
前記複数のスイッチを初期時間間隔中にすべてターンオンすることができ、
前記初期時間間隔後に前記複数のスイッチの各々を前記第1の順序とは反対の第2の順序に従ってカットオフすることができ、
前記検出リングの前記電流が臨界値より低いかどうかによって前記集積回路の前記クラック状態を決定する、請求項17に記載のクラック状態検出方法。 - 開回路状態検査において、
前記第1の基準電圧と前記第2の基準電圧を異ならせることができ、
前記複数のスイッチをすべてターンオンすることができ、前記検出リングの前記電流が臨界値より低いことが検出されるとき、前記検出リングに開回路が発生したと決定する、請求項12に記載のクラック状態検出方法。 - 前記開回路状態検査は、短絡状態検査の前に行う、請求項19に記載のクラック状態検出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021031970A JP7093436B1 (ja) | 2021-03-01 | 2021-03-01 | 集積回路、クラック状態検出器およびクラック状態検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021031970A JP7093436B1 (ja) | 2021-03-01 | 2021-03-01 | 集積回路、クラック状態検出器およびクラック状態検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7093436B1 true JP7093436B1 (ja) | 2022-06-29 |
JP2022133098A JP2022133098A (ja) | 2022-09-13 |
Family
ID=82214033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021031970A Active JP7093436B1 (ja) | 2021-03-01 | 2021-03-01 | 集積回路、クラック状態検出器およびクラック状態検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7093436B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116136576A (zh) * | 2023-04-19 | 2023-05-19 | 深圳摩通电气有限公司 | 一种智能自动电缆外侧检测设备 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005277338A (ja) | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及びその検査方法 |
JP2009043907A (ja) | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Sharp Corp | 半導体装置 |
JP2009290132A (ja) | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置及び半導体チップのクラック検出方法 |
JP2011023516A (ja) | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2012227210A (ja) | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Fujikura Ltd | 電子部品、電子部品の製造方法、基板 |
JP2013125753A (ja) | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Semiconductor Components Industries Llc | 半導体集積回路 |
JP2013219084A (ja) | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Elpida Memory Inc | 半導体チップ及び半導体装置 |
US20190265291A1 (en) | 2018-02-27 | 2019-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Crack detection chip and crack detection method using the same |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5280024B2 (ja) * | 2007-08-28 | 2013-09-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
2021
- 2021-03-01 JP JP2021031970A patent/JP7093436B1/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005277338A (ja) | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及びその検査方法 |
JP2009043907A (ja) | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Sharp Corp | 半導体装置 |
JP2009290132A (ja) | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置及び半導体チップのクラック検出方法 |
JP2011023516A (ja) | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2012227210A (ja) | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Fujikura Ltd | 電子部品、電子部品の製造方法、基板 |
JP2013125753A (ja) | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Semiconductor Components Industries Llc | 半導体集積回路 |
JP2013219084A (ja) | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Elpida Memory Inc | 半導体チップ及び半導体装置 |
US20190265291A1 (en) | 2018-02-27 | 2019-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Crack detection chip and crack detection method using the same |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116136576A (zh) * | 2023-04-19 | 2023-05-19 | 深圳摩通电气有限公司 | 一种智能自动电缆外侧检测设备 |
CN116136576B (zh) * | 2023-04-19 | 2023-07-04 | 深圳摩通电气有限公司 | 一种智能自动电缆外侧检测设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022133098A (ja) | 2022-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8972209B2 (en) | Method and arrangement for detecting an internal failure in H-bridge connected capacitor bank | |
KR100739629B1 (ko) | 프로브 센싱용 패드 및 이를 이용한 프로브 니들 접촉 위치검사 방법. | |
TW201913127A (zh) | 平行測試結構 | |
JP7093436B1 (ja) | 集積回路、クラック状態検出器およびクラック状態検出方法 | |
JP5020273B2 (ja) | 真空遮断器真空試験器 | |
TWI676806B (zh) | 用於偵測來自多單元電池組之複數個輸入端中之至少一者上之開路連接的開路連接偵測設備、電路、方法和系統 | |
JP2008249388A (ja) | 半導体装置および半導体装置モジュール | |
KR100228322B1 (ko) | 반도체 집적회로의 검사방법 | |
KR102648473B1 (ko) | 집적 회로, 크랙 상태 검출기 및 크랙 상태 검출 방법 | |
US11300610B1 (en) | Integrated circuit, crack status detector and crack status detection method | |
KR101274208B1 (ko) | 접촉 불량 검출회로를 구비하는 반도체 장치 | |
CN114252754B (zh) | 集成电路、破裂状态检测器以及其破裂状态检测方法 | |
CN105548941A (zh) | 带校准功能的互感器校验仪 | |
JPH03188600A (ja) | ナビゲーションシステム用モニタおよびモニタ方法 | |
US7960994B2 (en) | Test circuit for use in a semiconductor apparatus | |
KR20090032174A (ko) | 프로브카드 니들과 패드간의 미스 얼라인 방지 패턴 및 그방법 | |
TWI763565B (zh) | 自動測試機的線路自檢方法 | |
KR101743534B1 (ko) | 반사파 계측 시스템의 케이블 전기적 상태 감시 장치 및 방법 | |
US20230168300A1 (en) | Crack detector for semiconductor dies | |
CN113782459B (zh) | 半导体芯片的边缘裂纹检测装置及其方法 | |
US7583093B2 (en) | Electrical test method of an integrated circuit | |
CN118311405A (zh) | 一种晶圆级芯片失效检测方法 | |
JP4477211B2 (ja) | 回路基板検査装置 | |
JP2003057382A (ja) | ケーブル断線の有無試験装置およびケーブル断線の有無試験方法 | |
JP2003279514A (ja) | 半導体デバイス封止製品の接合品質評価方法及びその評価装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210302 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220617 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7093436 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |