JP2009290132A - 半導体装置及び半導体チップのクラック検出方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲートがVSSに接続され、ソースがA0端子に接続されたPMOSトランジスタP1のドレインと、ゲートがテストモード回路に接続され、ソースがVSSに接続されたNMOSトランジスタN1のドレインと、の間に導電体15が接続されているクラック検出用回路14にテストモード信号が入力され、端子A0に所定の電圧が印加されると、クラックが生じていない場合は導電体15に電流が流れる。
【選択図】図1
Description
12 メモリセルアレイ(回路セル)
14 クラック検出用回路
15 導電体
16 テストモード回路
50 測定器
Am アドレス端子
P1 PMOSトランジスタ
N1 NMOSトランジスタ
Claims (4)
- 回路セルと、
前記回路セルに信号を入力するための少なくとも1つの入力端子と、
前記回路セル及び前記入力端子が搭載された半導体チップの外縁部領域に形成された導電体と、
前記入力端子のうちの予め定めた所定の入力端子に接続され、前記回路セルを通常動作させるための動作信号と異なる信号であるテストモード信号が入力された場合に、前記所定の入力端子に入力された前記半導体チップのクラックを検出するための電流を前記導電体に出力するクラック検出用回路と、
を備えた半導体装置。 - 前記クラック検出用回路が、ソースが前記所定の入力端子に接続され且つゲートに第1の電源電圧が供給されるPMOSトランジスタと、ゲートに前記テストモード信号が入力され且つソースに第2の電源電圧が供給されるNMOSトランジスタと、を含み、
前記PMOSトランジスタのドレインと前記NMOSトランジスタのドレインとの間に、前記導電体が接続されている、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記回路セルが、メモリセルであり、
前記入力端子が、アドレス端子である、
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 請求項1から請求項3の何れか1項に記載の半導体装置のクラック検出用回路に前記テストモード信号を入力し、
前記所定の入力端子に信号を入力し、
前記導電体に流れる電流を測定手段により測定した測定結果に基づいて、前記半導体チップのクラックの有無を検出する、
半導体チップのクラック検出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP (1) | JP5358125B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP7093436B1 (ja) | 2021-03-01 | 2022-06-29 | 華邦電子股▲ふん▼有限公司 | 集積回路、クラック状態検出器およびクラック状態検出方法 |
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