JP2008034798A - 不具合検出機能を備えた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置1は、半導体チップ2dの外周に沿って破損を検出するために形成された配線3と、配線3の断線を検出するための検出信号を配線3に供給するために半導体チップ2に設けられた検出回路4と、配線3を流れた検出信号を出力するための出力端子5と、半導体チップ2に設けられた内部回路6と、内部回路6からの出力信号と、配線3を流れた検出信号との何れかを選択して出力端子5に供給する出力切替回路7と、チップ外周部を加熱する発熱体15aと、発熱体を駆動させる電源供給回路16と、発熱体による加熱を制御する温度検出・制御回路17を備える。以上の構成により、測定端子数を増やすことなく、チップの破損をロジックテストによって容易に検出でき、また、実装時に不良となりうるチップを事前に検出することが可能となる。
【選択図】図9
Description
図1は、実施の形態1に係る半導体装置1の構成を示すブロック図である。半導体装置1は、半導体チップ2を備えている。半導体チップ2の外周に沿って破損を検出するための破損検査配線3が形成されている。破損検査配線3の一端には、破損検査配線3の断線9を検出するための検出信号を破損検査配線3に供給するための検出回路4が設けられている。検出回路4が破損検査配線3に供給する検出信号は、接地電位と電源電位とを有しているパルス信号である。破損検査配線3の形成には、金属、多結晶シリコン、拡散層などの任意の材料を用いることができる。
図4は、実施の形態2に係る半導体装置1aの構成を示すブロック図である。前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図5は、実施の形態3に係る半導体装置1bの構成を示すブロック図である。半導体装置1bは、半導体チップ2bを備えている。半導体チップ2bの外周に沿って破損を検出するための破損検査配線3が形成されている。破損検査配線3の一端には、破損検査配線3の断線を検出するための検出信号を破損検査配線3に供給するための検出回路4が設けられている。検出回路4が破損検査配線3に供給する検出信号は、接地電位と電源電位とを有しているパルス信号である。破損検査配線3の他端には、破損検査配線3を流れた検出信号を出力するための出力端子5が設けられている。半導体チップ2bには、破損検査配線3の内周側に沿って配置されて、接地電位または電源電位を有する内周側配線8が形成されている。
図7は、実施の形態4に係る半導体装置1cの構成を示すブロック図である。半導体装置1cは、半導体チップ2cを備えている。半導体チップ2cの4個の一辺のそれぞれに沿って破損を検出するための4本の破損検査配線3cがそれぞれ形成されている。各破損検査配線3cの一端には、破損検査配線3cの断線を検出するための検出信号を4本の破損検査配線3cのそれぞれに供給するための検出回路4が半導体チップ2cの中央に設けられている。検出回路4が各破損検査配線3cに供給する検出信号は、接地電位と電源電位とを有しているパルス信号である。各破損検査配線3cの他端には、各破損検査配線3cを流れた検出信号を出力するための出力端子5が出力切替回路7を介してそれぞれ接続されている。
図9は実施の形態5に係る半導体装置2dの構成を示すブロック図である。
図10は実施の形態6に係る半導体装置2eの構成を示すブロック図である。本実施形態は実施の形態5の発熱体15aの設置方法を変更した形態である。発熱体以外の構成は同様のため説明と図示は省略する。
2 半導体チップ
3 破損検査配線(配線)
4 検出回路
5 出力端子
6 内部回路
7 出力切替回路
8 内周側配線
9 チップ破損部
10 バッファ
11 レジスタ
12 インターフェース
13 インバータ
14 抵抗
15 発熱体(熱ストレス印加手段)
16 電源(熱ストレス印加手段、電源供給回路)
17 温度検出・制御回路(熱ストレス印加手段、温度制御回路)
18 電源供給配線
19 接地配線
Claims (13)
- 半導体チップの外周に沿って破損を検出するために形成された配線と、
前記配線の断線を検出するための検出信号を前記配線に供給するために前記半導体チップに設けられた検出回路と、
前記配線を流れた前記検出信号を出力するための出力端子を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体チップに設けられた内部回路と、
前記内部回路からの出力信号と、前記配線を流れた前記検出信号との何れかを選択して前記出力端子に供給する出力切替回路をさらに備えた請求項1記載の半導体装置。 - 前記検出回路が配線に供給する検出信号は、接地電位と電源電位とを有している請求項1記載の半導体装置。
- 前記検出信号は、パルス信号であり、
前記検出回路は、テストモード時に前記パルス信号を前記配線に供給する請求項1記載の半導体装置。 - 前記出力切替回路は、テストモード時に前記検出信号を選択して前記出力端子に供給する請求項2記載の半導体装置。
- 前記内部回路は、プルアップ抵抗、プルダウン抵抗、オントランジスタ及びオフトランジスタのうちの少なくとも1つを有している請求項2記載の半導体装置。
- 前記配線の内周側に沿って配置されて、接地電位または電源電位を有する内周側配線をさらに備える請求項1記載の半導体装置。
- 前記半導体チップに熱ストレスを印加する熱ストレス印加手段をさらに備える請求項1記載の半導体装置。
- 前記熱ストレス印加手段は、前記配線に沿って配置された発熱体と、
前記発熱体に電源を供給する電源供給回路とを含む請求項8記載の半導体装置。 - 前記発熱体は、拡散層または多結晶シリコンによって形成されている請求項9記載の半導体装置。
- 前記発熱体は、前記半導体チップの外周に沿って配置された電源供給配線と、前記電源供給配線に沿って配置された接地配線との間に互いに並列に設けられている請求項9記載の半導体装置。
- 前記熱ストレス印加手段は、前記半導体チップの温度に基づいて前記発熱体への電源供給を制御する温度制御回路をさらに含む請求項9記載の半導体装置。
- 前記半導体チップに設けられた内部回路と前記熱ストレス印加手段とのいずれかに、電源を供給するために設けられた電源回路を接続する切替回路をさらに備える請求項8記載の半導体装置。
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