JP2006269901A

JP2006269901A - 半導体集積回路、およびボンディングオプションパッドの検査方法

Info

Publication number: JP2006269901A
Application number: JP2005088183A
Authority: JP
Inventors: Fuminori Nagase; 文典長瀬
Original assignee: Yamaha Corp
Current assignee: Yamaha Corp
Priority date: 2005-03-25
Filing date: 2005-03-25
Publication date: 2006-10-05

Abstract

【課題】ボンディングオプションパッドを直接制御し、ボンディング不良等の故障検出を確実に行なうことができる、半導体集積回路を提供する。
【解決手段】ボンディングオプションパッド１を抵抗器２ａを介して回路内の電源ＶＤＤに接続するＰｃｈトランジスタ２と、ボンディングオプションパッド１を抵抗器３ａを介して回路内のＶＳＳ（ＧＮＤ）に接続するＮｃｈトランジスタ３を設け、ボンディングオプションパッド１をリードフレームのＶＤＤまたはＶＳＳ端子に接続した状態で、Ｐｃｈトランジスタ２とＮｃｈトランジスタ３を交互にＯＮ、ＯＦＦさせ（ボンディングオプションパッドを直接制御し）、その際に流れる電流を測定し、故障を判定する。
【選択図】図１

Description

本発明は、複数の回路機能の中から１つの回路機能を選択（または、回路機能を制限）するためのボンディングオプション機能を備えた半導体集積回路装置に関し、特に、外部端子に直接接続されないボンディングオプションパッドを直接制御してボンディングオプションパッドの不良等を検出することができる、半導体集積回路、およびボンディングオプションパッドの検査方法に関する。

半導体集積回路（単に、「ＬＳＩ」ともいう）においては、製品開発の効率化と市場要求に対応するために、１チップに複数の回路機能を備えるとともに、それらを選択するための切り換え手段としてボンディングオプションパッド（ＰＡＤ：端子）を設けているものがある。

図２は、半導体集積回路のボンディングオプションパッドについて説明するための図である。図２に示す半導体集積回路は、ボンディングオプション方式の半導体集積回路の例であり、半導体基板１０上に複数の回路機能を有する半導体集積回路１１を形成し、この半導体集積回路１１内の選択可能な回路機能に対応したボンディングオプションパッド１２を設けている。なお、このボンディングオプションパッド１２は、半導体集積回路１１内の選択可能な回路機能の数に応じて複数設けられる場合もある。

そして、このボンディングオプションパッド１２を、ワイヤ１３により、リードフレームのＶＤＤあるいはＶＳＳ（ＧＮＤ）に選択的に接続することにより、半導体集積回路１１が有する回路機能を選択する。

ＬＳＩの完成品検査工程では、ボンディングオプションパッド１２ついては、電気的に固定された状態になっており、外部端子からは、論理信号１／０（ＶＤＤ／ＧＮＤレベルの信号）の切り替え制御ができないように構成されている。そのため、完成品での論理的なファンクションテストによって、間接的にボンディングオプションパッド１２の良否を判別するのが一般的であった。

しかしながら、論理的なファンクションテストのみでＧＯ／ＮＧ（合格／不合格）判定を行なった場合、ボンディングの不良や、ボンディングオプションパッド１２に接続される内部プルアップまたはプルダウン抵抗等に故障があり、ボンディングオプションパッド１２がハイインピーダンス状態となった場合などには、論理的なファンクションテストだけでは正確に故障検出ができない場合がある。このため、ボンディングオプションパッド１２を直接制御して検査する方法が求められていた。

なお、このような問題に関連する従来技術として、ボンディング不良などによる半導体集積回路としての特性不良を選別する集積回路装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この従来技術は、半導体集積回路内の複数の回路機能ブロックが、それぞれボンディングオプションパッドとＧＮＤ用パッドを備え、各ＧＮＤ用パッドが数オームのＧＮＤ基板抵抗（チップ抵抗）で接続されるとともに、各ＧＮＤ用パッドが外部のＧＮＤリードに接続される半導体集積回路において、各々の回路機能ブロックに対応するＧＮＤ用パッドを同一の外部ＧＮＤリードにボンディング接続した時に、ある回路機能ブロックのＧＮＤ用パッドがＧＮＤリードからはずれていても、当該回路機能ブロックのＧＮＤ用パッドはＧＮＤ基板抵抗（チップ抵抗）で接続されているため、集積回路装置の選定工程においては選別できず、不良特性を持ったままの集積回路装置が市場に出てしまうという欠点を解決することを目的としたものである。

しかしながら、上記従来技術は、ＧＮＤ用パッドのＧＮＤリードへの接続不良の問題を解決するためのものであり、本発明のようにボンディングオプションパッド自身を直接制御して、その機能の良否判定を行なおうとするものとは、その目的と構成が異なるものである。
特開昭６３−２９６２３４号公報

上述したように、ボンディングオプションパッドについて、論理的なファンクションテストのみでＧＯ／ＮＧ（合格／不合格）判定を行なった場合、ボンディングの不良や、内部プルアップ／プルダウン抵抗等に故障があって、ボンディングオプションパッドがハイインピーダンス状態となった時などには、論理的なファンクションテストだけでは正確に故障検出ができない場合がある。このため、ボンディングオプションパッドを直接制御して検査する方法が求められていた。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、ＬＳＩの出荷テスト時に、ボンディングオプションパッドを直接制御し、ボンディング不良等の故障検出を確実に行なうことができる、半導体集積回路、およびボンディングオプションパッドの検査方法を提供することにある。

本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の半導体集積回路は、ボンディングオプションパッドを有する半導体集積回路であって、前記ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内電源と接続する第１のスイッチング手段と、前記ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内ＧＮＤと接続する第２のスイッチング手段と、前記第１および第２のスイッチング手段を交互にオンオフするスイッチング制御手段とを備えることを特徴とする。
これにより、簡単なテスト回路を付加するだけで、スイッチング手段をＯＮ、ＯＦＦさせた際に流れる電流値を測定することにより故障判定が行なえるようになり、ボンディングオプションパッドのボンディング不良が確実に検出できる。また、ボンディングオプションパッドに配線接続された内蔵プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗の単独故障についても、正確な故障検出が可能になる。

また、本発明の半導体集積回路は、ボンディングオプションパッドを有する半導体集積回路であって、前記ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内電源と接続するＰｃｈチャネルトランジスタと、前記ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内ＧＮＤと接続するＮｃｈトランジスタと、前記ＰｃｈトランジスタとＮｃｈトランジスタを交互にオンオフするスイッチング制御手段とを備えることを特徴とする。
これにより、簡単なテスト回路を付加するだけで、スイッチング手段をＯＮ、ＯＦＦさせた際に流れる電流値を測定することにより故障判定が行なえるようになり、ボンディングオプションパッドのボンディング不良が確実に検出できる。また、ボンディングオプションパッドに配線接続された内蔵プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗の単独故障についても、正確な故障検出が可能になる。

また、本発明の半導体集積回路は、前記ボンディングオプションパッドには、回路内電源に接続するプルアップ抵抗または回路内ＧＮＤに接続するプルダウン抵抗のいずれかが配線接続されていることを特徴とする。
これにより、ボンディングオプションパッドに配線接続されたプルアップ抵抗またはプルダウン抵抗の単独故障について、正確な故障検出が可能になる。

また、本発明のボンディングオプションパッドの検査方法は、ボンディングオプションパッドを有する半導体集積回路における前記ボンディングオプションパッドの検査方法であって、前記ボンディングオプションパッドを第１のスイッチング手段により抵抗器を介して電源と接続するステップと、前記ボンディングオプションパッドを第２のスイッチング手段により抵抗器を介してＧＮＤと接続するステップと、前記ボンディングオプションパッドにプルアップ抵抗またはプルダウン抵抗が接続されていない場合には、該ボンディングオプションパッドを電源あるいはＧＮＤに接続し、前記ボンディングオプションパッドにプルアップ抵抗またはプルダウン抵抗が接続されている場合には、該ボンディングパッドをオープンにするか、または、リードフレームの電源あるいはＧＮＤに接続するステップと、前記第１および第２のスイッチング手段を交互にオンオフするステップと、前記第１のスイッチング手段および第２のスイッチング手段を交互にオンオフさせた際に流れる各電流の電流値を測定するステップと、前記第１のスイッチング手段および第２のスイッチング手段を交互にオンオフさせた際に流れる各電流の電流値が所定の範囲内にあるかを判定し、故障を判定するステップとを有することを特徴とする。
これにより、簡単なテスト回路を付加するだけで、スイッチング手段をＯＮ、ＯＦＦさせた際に流れる電流値を測定することにより故障判定が行なえるようになり、ボンディングオプションパッドのボンディング不良が確実に検出できる。また、ボンディングオプションパッドに接続された内蔵プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗の単独故障についても、正確な故障検出が可能になる。

本発明の半導体集積回路においては、ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内の電源に接続する第１のスイッチング手段と、ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内のＧＮＤに接続する第２のスイッチング手段を設け、ボンディングオプションパッドをリードフレームの電源またはＧＮＤに接続した状態で、第１および第２のスイッチング手段を交互にＯＮ、ＯＦＦさせ（ボンディングオプションパッドを直接制御し）、その際に流れる電流値を測定するようにしたので、これにより、簡単なテスト回路を付加するだけで、スイッチング手段をＯＮ、ＯＦＦさせた際に流れる電流値を測定することにより故障判定が行なえるようになり、ボンディングオプションパッドのボンディング不良が確実に検出できる。また、ボンディングオプションパッドに配線接続された内蔵プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗の単独故障についても、正確な故障検出が可能になる。

また、本発明の半導体集積回路においては、ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内の電源に接続するＰｃｈトランジスタと、ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内のＧＮＤに接続するＮｃｈトランジスタを設け、ボンディングオプションパッドをリードフレームの電源またはＧＮＤに接続した状態で、ＰｃｈトランジスタとＮｃｈトランジスタを交互にＯＮ、ＯＦＦさせ（ボンディングオプションパッドを直接制御し）、その際に流れる電流値を測定するようにしたので、これにより、簡単なテスト回路を付加するだけで、スイッチング手段をＯＮ、ＯＦＦさせた際に流れる電流値を測定することにより故障判定が行なえるようになり、ボンディングオプションパッドのボンディング不良が確実に検出できる。また、ボンディングオプションパッドに配線接続された内蔵プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗の単独故障についても、正確な故障検出が可能になる。

また、本発明の半導体集積回路においては、前記ボンディングオプションパッドには、回路内の電源に接続するプルアップ抵抗または回路内のＧＮＤに接続するプルダウン抵抗のいずれかが配線接続されているようにし、ボンディングオプションパッドをオープン、あるいはリードフレームの電源またはＧＮＤに接続した状態で、第１および第２のスイッチング手段を交互にＯＮ、ＯＦＦさせ（ボンディングオプションパッドを直接制御し）、その際に流れる電流値を測定するようしたので、これにより、ボンディングオプションパッドに接続されたプルアップ抵抗またはプルダウン抵抗の単独故障について、正確な故障検出が可能になる。

また、本発明のボンディングオプションパッドの検査方法においては、ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内の電源に接続する第１のスイッチング手段と、ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内のＧＮＤに接続する第２のスイッチング手段を設け、ボンディングオプションパッドにプルアップ抵抗またはプルダウン抵抗が接続されていない場合は、ボンディングオプションパッドをリードフレームの電源またはＧＮＤに接続した状態で、ボンディングオプションパッドにプルアップ抵抗またはプルダウン抵抗が接続されている場合は、ボンディングオプションパッドをオープンにするか、またはリードフレームの電源またはＧＮＤに接続した状態で、第１および第２のスイッチング手段を交互にＯＮ、ＯＦＦし（ボンディングオプションパッドを直接制御し）、その際に流れる電流値を測定するようにしたので、これにより、簡単なテスト回路を付加するだけで、スイッチング手段をＯＮ、ＯＦＦさせた際に流れる電流値を測定することにより故障判定が行なえるようになり、ボンディングオプションパッドのボンディング不良が確実に検出できる。また、ボンディングオプションパッドに接続された内蔵プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗の単独故障についても、正確な故障検出が可能になる。

次に本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の半導体集積回路のボンディングオプションパッド周辺の回路構成例を示す図である。

図１に示すように、ボンディングオプション用の入力パッド（ボンディングオプションパッド）１に接続されるセル内部において、高抵抗（２０ｋΩ〜２００ｋΩ程度）の抵抗器２ａを有するＰｃｈ（Ｐチャネル）トランジスタ（第１のスイッチング手段）２を介して、ボンディングオプションパッド１を電源（ＶＤＤ）に配線接続する。また、高抵抗（２０ｋΩ〜２００ｋΩ程度）の抵抗器３ａを有するＮｃｈ（Ｎチャネル）トランジスタ（第２のスイッチング手段）３を介して、ボンディングオプションパッド１をＶＳＳ（ＧＮＤ）に配線接続する。また、内部テスト信号（TEST_l、TEST_2）によって、Ｐｃｈトランジスタ２およびＮｃｈトランジスタ３のオン／オフ制御ができるようにする。この内部テスト信号（TEST_l、TEST_2）は、内部テスト信号生成論理部（スイッチング制御手段）６により生成される。

また、ボンディングオプションパッド１には、プルアップ抵抗器４、又はプルダウン抵抗器５が配線接続されていても良い。この場合は、ボンディングオプション時には外部のリードフレーム端子に接続するかしないかで回路機能を切替える。

内部テスト信号TEST_1、TEST_2は通常動作時には、論理“０”固定で、テスト時のみ必要に応じで論理“１”が設定される。なお、内部テスト信号TEST_lが論理“１”の場合に、Ｐｃｈトランジスタ２はＯＮし、論理“０”の場合に、Ｐｃｈトランジスタ２はＯＦＦする。同様にして、内部テスト信号TEST_2が論理“１”の場合に、Ｎｃｈトランジスタ３はＯＮし、論理“０”の場合に、Ｎｃｈトランジスタ３はＯＦＦする。

［プルアップ抵抗とプルダウン抵抗のどちらも内蔵しない場合のテスト方法］
ボンディングオプションパッド１に配線接続されるプルアップ抵抗器４もプルダウン抵抗器５のどちらも内蔵せず、ボンディングオプションパッド１が、ワイヤ１３により、リードフレームのＶＤＤ、またはリードフレームのＶＳＳのリードに必ずボンディングされる場合のテスト方法については、以下のようにする。

最初に、ボンディングオプションパッド１がリードフレームのＶＤＤに接続される場合について説明する。ボンディングオプションパッド１がリードフレームのＶＤＤに接続される場合は、以下の手順によりテストする。
第１番目に、内部テスト信号TEST_1＝0、TEST_2＝1に設定すると、図１中のＮｃｈトランジスタ３がＯＮし、Ｐｃｈトランジスタ２はＯＦＦとなり、ＶＤＤ−ＶＳＳ間に抵抗器３ａを介して電流パスができ、電流が流れる。
第２番目に、Ｎｃｈトランジスタ３の抵抗器３ａの抵抗値のバラツキを考慮した電流リミットを設定しておき、ＬＳＩをスタティックな状態（ＬＳＩの本来の回路機能を作動させない状態）に設定し、テスターで電流値を測定する。なお、電流値の測定については、例えば、「TEST_1＝0、TEST_2＝0」の場合（Ｎｃｈトランジスタ３もＯＦＦとなるので抵抗器３ａには電流は流れない）の電源電流値と、「TEST_1＝0、TEST_2＝1」の場合の電源電流値の差分を求め、間接的に抵抗器３ａに流れる電流値を求めることもできる。
第３番目に、ボンディング不良がある場合には、電流値がＮｃｈトランジスタ３の抵抗器３ａのバラツキの範囲を外れてしまうため、テスター検査でスクリーニングすることが可能となる。
第４番目に、TEST_1＝1、TEST_2＝0に設定すると、図１中のＮｃｈトランジスタ３はＯＦＦし、Ｐｃｈトランジスタ２がＯＮするが、Ｐｃｈトランジスタ２のソース電位とＶＤＤは同電位であるため、正常であれば電流パスはなく、電流は流れない。

次に、ボンディングオプションパッド１がリードフレームのＶＳＳに接続される場合について説明する。
第１番目に、内部テスト信号TEST_1＝1、TEST_2＝0に設定すると、図１中のＮｃｈトランジスタ３がＯＦＦし、Ｐｃｈトランジスタ２はＯＮとなり、ＶＤＤ−ＶＳＳ間に抵抗器２ａを介して電流パスでき、電流が流れる。
第２番目に、Ｐｃｈトランジスタ２の抵抗器２ａの抵抗値のバラツキを考慮した電流リミットを設定しておき、ＬＳＩをスタティックな状態に設定し、テスターで電流値を測定する。
第３番目に、ボンディング不良がある場合には、電流値がＰｃｈトランジスタ２の抵抗器２ａのバラツキの範囲を外れてしまうため、テスター検査でスクリーニングすることが可能となる。
第４番目に、TEST_1＝0、TEST_2＝1に設定すると、図１中のＰｃｈトランジスタ２はＯＦＦし、Ｎｃｈトランジスタ３がＯＮするが、Ｎｃｈトランジスタ３のソース電位とＶＳＳは同電位であるため、正常であれば電流パスはなく、電流は流れない。

［プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗を内蔵する場合のテスト方法］
次に、プルアップ抵抗器４またはプルダウン抵抗器５を内蔵する場合のテスト方法について説明する。

最初に、プルアップ抵抗器４を内蔵し、ボンディングオプションパッド１がリードフレームのＶＳＳ（ＧＮＤ）に接続される場合のテスト方法は、以下のようになる。
第１番目に、プルアップ抵抗器４を介して、ＶＤＤ−ＶＳＳの間に電流パスができる。
第２番目に、プルアップ抵抗器４のバラツキを考慮した電流リミットを設定しておき、ＬＳＩをスタティックな状態に設定し、テスターで、プルアップ抵抗器４を介してＶＤＤ−ＶＳＳ間に流れる電流値を測定する。
第３番目に、プルアップ抵抗器４がバラツキの範囲を外れるか、ボンディング不良があった場合には、電流値が異常値を示すため、テスター検査でスクリーニングが可能となる。

次に、プルダウン抵抗器５を内蔵し、ボンディングオプションパッド１がリードフレームのＶＤＤに接続される場合のテスト方法は、以下のようになる。
第１番目に、プルダウン抵抗器５を介して、ＶＤＤ−ＶＳＳの間に電流パスができる。
第２番目に、プルダウン抵抗器５のバラツキを考慮した電流リミットを設定しておき、ＬＳＩをスタティックな状態に設定し、テスターで、プルダウン抵抗器５を介してＶＤＤ−ＶＳＳ間に流れる電流値を測定する。
第３番目に、プルダウン抵抗器５がバラツキの範囲を外れるか、ボンディング不良があった場合には、電流値が異常値を示すため、テスター検査でスクリーニングが可能となる。

次に、プルアップ抵抗器４を内蔵し、ボンディングオプションパッド１をリードフレームと無接続にする場合のテスト方法は、以下のようになる。
第１番目に、内部テスト信号TEST_1＝0、TEST_2＝1に設定することにより、図１中のＰｃｈトランジスタ２がＯＦＦし、Ｎｃｈトランジスタ３がＯＮすることにより、プルアップ抵抗器４とＮｃｈトランジスタ３と抵抗器３ａを介して、ＶＤＤ−ＶＳＳ間に電流パスができる。
第２番目に、プルアップ抵抗器４とＮｃｈトランジスタ３の抵抗器３ａバラツキを考慮した電流リミットを設定しておき、ＬＳＩをスタティックな状態に設定し、テスターでＶＤＤ−ＶＳＳ間の電流値を測定する。
第３番目に、内蔵プルアップ抵抗器４、またＮｃｈトランジスタ３の抵抗器３ａがバラツキの範囲を外れれば、テスターでエラーと判定し、スクリーニングが可能となる。
第４番目に、内部テスト信号TEST_1＝1、TEST_2＝0に設定した場合は、Ｐｃｈトランジスタ２がＯＮし、Ｎｃｈトランジスタ３がＯＦＦするが、正常であれば電流パスはなく、電流は流れない。

次に、プルダウン抵抗器５を内蔵し、ボンディングオプションパッド１をリードフレームと無接続にする場合のテスト方法は、以下のようになる。
第１番目に、内部テスト信号TEST_1＝1、TEST_2＝0に設定することにより、図１中のＰｃｈトランジスタ２がＯＮし、Ｎｃｈトランジスタ３がＯＦＦすることにより、プルダウン抵抗器５とＰｃｈトランジスタ２と抵抗器２ａを介しＶＤＤ−ＶＳＳ間に電流パスができる。
第２番目に、プルダウン抵抗器５とＰｃｈトランジスタ２の抵抗器２ａのバラツキを考慮した電流リミットを設定しておき、ＬＳＩをスタティックな状態に設定し、テスターでＶＤＤ−ＶＳＳ間の電流値を測定する。
第３番目に、プルダウン抵抗器５、またＰｃｈトランジスタ２の抵抗器２ａがバラツキの範囲を外れれば、テスターでエラーと判定し、スクリーニングが可能となる。
第４番目に、内部テスト信号TEST_1＝0、TEST_2＝1に設定した場合は、Ｐｃｈトランジスタ２がＯＦＦし、Ｎｃｈトランジスタ３がＯＮするが、正常であれば電流パスはなく、電流は流れない。

なお、上記プルアップ抵抗器４およびプルダウン抵抗器５の抵抗値のバラツキは、プロセスパラメータのコーナーサンプルで、温度と電圧を変化させて、予めバラツキの範囲を把握しておく。

以上説明したように、本発明の半導体集積回路においては、簡単なテスト回路を付加するだけで、論理的なファンクションテストに加えて、電流測定により故障検出が行なえるようになり、ボンディングオプションパッド１のボンディング不良や、ボンディングオプションパッドに接続された内蔵プルアップ抵抗器４またはプルダウン抵抗器５の単独故障についても、正確な故障検出が可能になる。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明の半導体集積回路は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。

本発明は、簡単なテスト回路を付加するだけで、ボンディングオプションパッドを直接制御して、ボンディングオプションパッドのボンディング不良や、ボンディングオプションパッドに配線接続された内蔵プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗の故障を、正確に検出できる効果を奏するので、本発明は、半導体集積回路、およびボンディングオプションパッドの検査方法等に有用である。

本発明の半導体集積回路のボンディングオプションパッド周辺の回路構成例を示す図である。半導体集積回路のボンディングオプションパッドについて説明するための図である。

符号の説明

１、１２…ボンディングオプションパッド、２…Ｐｃｈトランジスタ、２ａ…Ｐｃｈトランジスタの抵抗器、３…Ｎｃｈトランジスタ、３ａ…Ｎｃｈトランジスタの抵抗器、４…プルアップ抵抗器、５…プルダウン抵抗器、６…内部テスト信号生成論理部、１０…半導体基板、１１…半導体集積回路、１３…ワイヤ

Claims

ボンディングオプションパッドを有する半導体集積回路であって、
前記ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内電源と接続する第１のスイッチング手段と、
前記ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内ＧＮＤと接続する第２のスイッチング手段と、
前記第１および第２のスイッチング手段を交互にオンオフするスイッチング制御手段と
を備えることを特徴とする半導体集積回路。
ボンディングオプションパッドを有する半導体集積回路であって、
前記ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内電源と接続するＰｃｈチャネルトランジスタと、
前記ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内ＧＮＤと接続するＮｃｈトランジスタと、
前記ＰｃｈトランジスタとＮｃｈトランジスタを交互にオンオフするスイッチング制御手段と
を備えることを特徴とする半導体集積回路。
前記ボンディングオプションパッドには、回路内電源に接続するプルアップ抵抗または回路内ＧＮＤに接続するプルダウン抵抗のいずれかが配線接続されていること
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体集積回路。
ボンディングオプションパッドを有する半導体集積回路における前記ボンディングオプションパッドの検査方法であって、
前記ボンディングオプションパッドを第１のスイッチング手段により抵抗器を介して電源と接続するステップと、
前記ボンディングオプションパッドを第２のスイッチング手段により抵抗器を介してＧＮＤと接続するステップと、
前記ボンディングオプションパッドにプルアップ抵抗またはプルダウン抵抗が接続されていない場合には、該ボンディングオプションパッドを電源あるいはＧＮＤに接続し、前記ボンディングオプションパッドにプルアップ抵抗またはプルダウン抵抗が接続されている場合には、該ボンディングパッドをオープンにするか、または、リードフレームの電源あるいはＧＮＤに接続するステップと、
前記第１および第２のスイッチング手段を交互にオンオフするステップと、
前記第１のスイッチング手段および第２のスイッチング手段を交互にオンオフさせた際に流れる各電流の電流値を測定するステップと、
前記第１のスイッチング手段および第２のスイッチング手段を交互にオンオフさせた際に流れる各電流の電流値が所定の範囲内にあるかを判定し、故障を判定するステップと
を有することを特徴とするボンディングオプションパッドの検査方法。