JP2006269901A - 半導体集積回路、およびボンディングオプションパッドの検査方法 - Google Patents
半導体集積回路、およびボンディングオプションパッドの検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006269901A JP2006269901A JP2005088183A JP2005088183A JP2006269901A JP 2006269901 A JP2006269901 A JP 2006269901A JP 2005088183 A JP2005088183 A JP 2005088183A JP 2005088183 A JP2005088183 A JP 2005088183A JP 2006269901 A JP2006269901 A JP 2006269901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding option
- resistor
- option pad
- pull
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】 ボンディングオプションパッド1を抵抗器2aを介して回路内の電源VDDに接続するPchトランジスタ2と、ボンディングオプションパッド1を抵抗器3aを介して回路内のVSS(GND)に接続するNchトランジスタ3を設け、ボンディングオプションパッド1をリードフレームのVDDまたはVSS端子に接続した状態で、Pchトランジスタ2とNchトランジスタ3を交互にON、OFFさせ(ボンディングオプションパッドを直接制御し)、その際に流れる電流を測定し、故障を判定する。
【選択図】 図1
Description
これにより、簡単なテスト回路を付加するだけで、スイッチング手段をON、OFFさせた際に流れる電流値を測定することにより故障判定が行なえるようになり、ボンディングオプションパッドのボンディング不良が確実に検出できる。また、ボンディングオプションパッドに配線接続された内蔵プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗の単独故障についても、正確な故障検出が可能になる。
これにより、簡単なテスト回路を付加するだけで、スイッチング手段をON、OFFさせた際に流れる電流値を測定することにより故障判定が行なえるようになり、ボンディングオプションパッドのボンディング不良が確実に検出できる。また、ボンディングオプションパッドに配線接続された内蔵プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗の単独故障についても、正確な故障検出が可能になる。
これにより、ボンディングオプションパッドに配線接続されたプルアップ抵抗またはプルダウン抵抗の単独故障について、正確な故障検出が可能になる。
これにより、簡単なテスト回路を付加するだけで、スイッチング手段をON、OFFさせた際に流れる電流値を測定することにより故障判定が行なえるようになり、ボンディングオプションパッドのボンディング不良が確実に検出できる。また、ボンディングオプションパッドに接続された内蔵プルアップ抵抗またはプルダウン抵抗の単独故障についても、正確な故障検出が可能になる。
図1は、本発明の半導体集積回路のボンディングオプションパッド周辺の回路構成例を示す図である。
ボンディングオプションパッド1に配線接続されるプルアップ抵抗器4もプルダウン抵抗器5のどちらも内蔵せず、ボンディングオプションパッド1が、ワイヤ13により、リードフレームのVDD、またはリードフレームのVSSのリードに必ずボンディングされる場合のテスト方法については、以下のようにする。
第1番目に、内部テスト信号TEST_1=0、TEST_2=1に設定すると、図1中のNchトランジスタ3がONし、Pchトランジスタ2はOFFとなり、VDD−VSS間に抵抗器3aを介して電流パスができ、電流が流れる。
第2番目に、Nchトランジスタ3の抵抗器3aの抵抗値のバラツキを考慮した電流リミットを設定しておき、LSIをスタティックな状態(LSIの本来の回路機能を作動させない状態)に設定し、テスターで電流値を測定する。なお、電流値の測定については、例えば、「TEST_1=0、TEST_2=0」の場合(Nchトランジスタ3もOFFとなるので抵抗器3aには電流は流れない)の電源電流値と、「TEST_1=0、TEST_2=1」の場合の電源電流値の差分を求め、間接的に抵抗器3aに流れる電流値を求めることもできる。
第3番目に、ボンディング不良がある場合には、電流値がNchトランジスタ3の抵抗器3aのバラツキの範囲を外れてしまうため、テスター検査でスクリーニングすることが可能となる。
第4番目に、TEST_1=1、TEST_2=0に設定すると、図1中のNchトランジスタ3はOFFし、Pchトランジスタ2がONするが、Pchトランジスタ2のソース電位とVDDは同電位であるため、正常であれば電流パスはなく、電流は流れない。
第1番目に、内部テスト信号TEST_1=1、TEST_2=0に設定すると、図1中のNchトランジスタ3がOFFし、Pchトランジスタ2はONとなり、VDD−VSS間に抵抗器2aを介して電流パスでき、電流が流れる。
第2番目に、Pchトランジスタ2の抵抗器2aの抵抗値のバラツキを考慮した電流リミットを設定しておき、LSIをスタティックな状態に設定し、テスターで電流値を測定する。
第3番目に、ボンディング不良がある場合には、電流値がPchトランジスタ2の抵抗器2aのバラツキの範囲を外れてしまうため、テスター検査でスクリーニングすることが可能となる。
第4番目に、TEST_1=0、TEST_2=1に設定すると、図1中のPchトランジスタ2はOFFし、Nchトランジスタ3がONするが、Nchトランジスタ3のソース電位とVSSは同電位であるため、正常であれば電流パスはなく、電流は流れない。
次に、プルアップ抵抗器4またはプルダウン抵抗器5を内蔵する場合のテスト方法について説明する。
第1番目に、プルアップ抵抗器4を介して、VDD−VSSの間に電流パスができる。
第2番目に、プルアップ抵抗器4のバラツキを考慮した電流リミットを設定しておき、LSIをスタティックな状態に設定し、テスターで、プルアップ抵抗器4を介してVDD−VSS間に流れる電流値を測定する。
第3番目に、プルアップ抵抗器4がバラツキの範囲を外れるか、ボンディング不良があった場合には、電流値が異常値を示すため、テスター検査でスクリーニングが可能となる。
第1番目に、プルダウン抵抗器5を介して、VDD−VSSの間に電流パスができる。
第2番目に、プルダウン抵抗器5のバラツキを考慮した電流リミットを設定しておき、LSIをスタティックな状態に設定し、テスターで、プルダウン抵抗器5を介してVDD−VSS間に流れる電流値を測定する。
第3番目に、プルダウン抵抗器5がバラツキの範囲を外れるか、ボンディング不良があった場合には、電流値が異常値を示すため、テスター検査でスクリーニングが可能となる。
第1番目に、内部テスト信号TEST_1=0、TEST_2=1に設定することにより、図1中のPchトランジスタ2がOFFし、Nchトランジスタ3がONすることにより、プルアップ抵抗器4とNchトランジスタ3と抵抗器3aを介して、VDD−VSS間に電流パスができる。
第2番目に、プルアップ抵抗器4とNchトランジスタ3の抵抗器3aバラツキを考慮した電流リミットを設定しておき、LSIをスタティックな状態に設定し、テスターでVDD−VSS間の電流値を測定する。
第3番目に、内蔵プルアップ抵抗器4、またNchトランジスタ3の抵抗器3aがバラツキの範囲を外れれば、テスターでエラーと判定し、スクリーニングが可能となる。
第4番目に、内部テスト信号TEST_1=1、TEST_2=0に設定した場合は、Pchトランジスタ2がONし、Nchトランジスタ3がOFFするが、正常であれば電流パスはなく、電流は流れない。
第1番目に、内部テスト信号TEST_1=1、TEST_2=0に設定することにより、図1中のPchトランジスタ2がONし、Nchトランジスタ3がOFFすることにより、プルダウン抵抗器5とPchトランジスタ2と抵抗器2aを介しVDD−VSS間に電流パスができる。
第2番目に、プルダウン抵抗器5とPchトランジスタ2の抵抗器2aのバラツキを考慮した電流リミットを設定しておき、LSIをスタティックな状態に設定し、テスターでVDD−VSS間の電流値を測定する。
第3番目に、プルダウン抵抗器5、またPchトランジスタ2の抵抗器2aがバラツキの範囲を外れれば、テスターでエラーと判定し、スクリーニングが可能となる。
第4番目に、内部テスト信号TEST_1=0、TEST_2=1に設定した場合は、Pchトランジスタ2がOFFし、Nchトランジスタ3がONするが、正常であれば電流パスはなく、電流は流れない。
Claims (4)
- ボンディングオプションパッドを有する半導体集積回路であって、
前記ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内電源と接続する第1のスイッチング手段と、
前記ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内GNDと接続する第2のスイッチング手段と、
前記第1および第2のスイッチング手段を交互にオンオフするスイッチング制御手段と
を備えることを特徴とする半導体集積回路。 - ボンディングオプションパッドを有する半導体集積回路であって、
前記ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内電源と接続するPchチャネルトランジスタと、
前記ボンディングオプションパッドを抵抗器を介して回路内GNDと接続するNchトランジスタと、
前記PchトランジスタとNchトランジスタを交互にオンオフするスイッチング制御手段と
を備えることを特徴とする半導体集積回路。 - 前記ボンディングオプションパッドには、回路内電源に接続するプルアップ抵抗または回路内GNDに接続するプルダウン抵抗のいずれかが配線接続されていること
を特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体集積回路。 - ボンディングオプションパッドを有する半導体集積回路における前記ボンディングオプションパッドの検査方法であって、
前記ボンディングオプションパッドを第1のスイッチング手段により抵抗器を介して電源と接続するステップと、
前記ボンディングオプションパッドを第2のスイッチング手段により抵抗器を介してGNDと接続するステップと、
前記ボンディングオプションパッドにプルアップ抵抗またはプルダウン抵抗が接続されていない場合には、該ボンディングオプションパッドを電源あるいはGNDに接続し、前記ボンディングオプションパッドにプルアップ抵抗またはプルダウン抵抗が接続されている場合には、該ボンディングパッドをオープンにするか、または、リードフレームの電源あるいはGNDに接続するステップと、
前記第1および第2のスイッチング手段を交互にオンオフするステップと、
前記第1のスイッチング手段および第2のスイッチング手段を交互にオンオフさせた際に流れる各電流の電流値を測定するステップと、
前記第1のスイッチング手段および第2のスイッチング手段を交互にオンオフさせた際に流れる各電流の電流値が所定の範囲内にあるかを判定し、故障を判定するステップと
を有することを特徴とするボンディングオプションパッドの検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005088183A JP2006269901A (ja) | 2005-03-25 | 2005-03-25 | 半導体集積回路、およびボンディングオプションパッドの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005088183A JP2006269901A (ja) | 2005-03-25 | 2005-03-25 | 半導体集積回路、およびボンディングオプションパッドの検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006269901A true JP2006269901A (ja) | 2006-10-05 |
Family
ID=37205512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005088183A Pending JP2006269901A (ja) | 2005-03-25 | 2005-03-25 | 半導体集積回路、およびボンディングオプションパッドの検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006269901A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011040719A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-24 | Rohm Co Ltd | 半導体デバイス |
JP2014163897A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Denso Corp | 異常検知装置 |
JP2017011110A (ja) * | 2015-06-23 | 2017-01-12 | ローム株式会社 | 半導体集積回路および選択検出回路 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000314765A (ja) * | 1999-05-06 | 2000-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
-
2005
- 2005-03-25 JP JP2005088183A patent/JP2006269901A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000314765A (ja) * | 1999-05-06 | 2000-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011040719A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-24 | Rohm Co Ltd | 半導体デバイス |
JP2014163897A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Denso Corp | 異常検知装置 |
JP2017011110A (ja) * | 2015-06-23 | 2017-01-12 | ローム株式会社 | 半導体集積回路および選択検出回路 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7960983B2 (en) | Circuit for detecting bonding defect in multi-bonding wire | |
JP2007067340A (ja) | 半導体集積回路装置およびそのテスト方法 | |
JP2004006857A (ja) | 集積回路チップ及びそれの製造方法 | |
US10746812B2 (en) | Semiconductor device, electronic circuit, and method of inspecting semiconductor device | |
TW201440064A (zh) | 電熔絲巨集 | |
US7622940B2 (en) | Semiconductor device having contact failure detector | |
WO2007113968A1 (ja) | 半導体集積回路の検査方法および情報記録媒体 | |
JP4618598B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2006269901A (ja) | 半導体集積回路、およびボンディングオプションパッドの検査方法 | |
JP2004028885A (ja) | 半導体装置、半導体パッケージ及び半導体装置の試験方法 | |
JP7179165B2 (ja) | 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の検査方法 | |
JP3624717B2 (ja) | マルチチップモジュール及びその試験方法 | |
US6563335B2 (en) | Semiconductor device and test method therefor | |
KR100576492B1 (ko) | 패키지 레벨에서 반도체 소자의 내부 dc 바이어스 측정장치 | |
US20080184083A1 (en) | Circuit and Method for Physical Defect Detection of an Integrated Circuit | |
JP2006310495A (ja) | 半導体集積回路ウェハ、その試験方法および半導体集積回路部品の製造方法 | |
JP5358125B2 (ja) | 半導体装置及び半導体チップのクラック検出方法 | |
JP2007165368A (ja) | ワイヤ検査システム | |
JP4034242B2 (ja) | オープン検査回路を備えた半導体装置及び該検査回路を用いたオープン検査方法 | |
JP4116693B2 (ja) | リーク電流対応型低電力半導体集積回路及びリーク検査方法 | |
TWI782339B (zh) | 晶片內去耦電容器電路的測試系統及方法 | |
JP2010190839A (ja) | 半導体装置 | |
JP7392533B2 (ja) | 検査システム | |
JP2009065037A (ja) | 半導体集積回路とその検査装置 | |
JP3565283B2 (ja) | 半導体集積回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110808 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110823 |